JP6807458B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Description
(a)第1原料を用い基板の表面に設けられた凹部内を埋め込むように中空部を有する第1膜を形成する工程と、
(b)エッチング剤を用い前記第1膜の前記中空部に接する一部をエッチングする工程と、
(c)第2原料を用い前記一部がエッチングされた前記第1膜の上に、第2膜を形成する工程と、
を行うことで、前記凹部内を前記第1膜および前記第2膜で埋め込む工程を有し、前記(b)では、
(b−1)改質剤を用い前記第1膜の一部を改質する工程と、
(b−2)前記エッチング剤を用い前記第1膜のうち改質された前記一部を選択的にエッチングする工程と、
を所定回数行う技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図5を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200の表面に設けられた凹部内を、シリコン膜(Si膜)により隙間(ボイドやシーム等)なく埋め込むシーケンス例について、図4、図5(a)〜図5(f)を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
第1原料としてMSガスを用いウエハ200の表面に設けられた凹部内を埋め込むように中空部を有する第1膜(第1Si膜)を形成するステップaと、
エッチング剤としてHFガスを用い第1Si膜の中空部に接する一部をエッチングするステップbと、
第2原料としてMSガスを用い一部がエッチングされた第1Si膜の上に、第2膜(第2Si膜)を形成するステップcと、
を行うことで、凹部内を第1Si膜および第2Si膜で埋め込む。
改質剤としてO2ガスを用い第1Si膜の一部を改質するステップb−1と、
エッチング剤としてHFガスを用い第1Si膜のうち改質された一部を選択的にエッチングするステップb−2と、
を所定回数(1回以上、ここでは一例として2回)行う。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって処理室201内が真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、処理室201内のウエハ200に対し、MSガスを供給する。このステップでは、バルブ243aを開き、ガス供給管232a内へMSガスを流す。MSガスは、MFC241aにより流量調整され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ノンプラズマの雰囲気下で、ウエハ200に対してMSガスが供給される。このときバルブ243c,243dを開き、ガス供給管232c,232d内へN2ガスを流すようにしてもよい。N2ガスは、MFC241c,241dにより流量調整され、ノズル249a,249bを介して処理室201内へ供給される。
MSガス供給流量:10〜2000sccm
N2ガス供給流量(各ガス供給管):100〜10000sccm
ガス供給時間:20〜400分
処理温度:450〜550℃、好ましくは450〜530℃
処理圧力:1〜900Pa
が例示される。
ステップaが終了した後、ステップb−1,b−2を所定回数(ここでは一例として2回)行う。
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1Si膜に対してO2ガスを供給する。具体的には、バルブ243b〜243dの開閉制御を、上述のステップaにおけるバルブ243a,243c,243dの開閉制御と同様の手順で行う。ガス供給管232b内を流れたO2ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ノンプラズマの雰囲気下で、ウエハ200に対してO2ガスが供給される。
O2ガス供給流量:10〜5000sccm
N2ガス供給流量(各ガス供給管):0〜10000sccm
ガス供給時間:1〜30分
処理温度:450〜550℃、好ましくは450〜530℃
処理圧力:1〜4000Pa
が例示される。
ステップb−1(1回目)が終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成され一部が改質された第1Si膜に対してHFガスを供給する。具体的には、バルブ243b〜243dの開閉制御を、上述のステップaにおけるバルブ243a,243c,243dの開閉制御と同様の手順で行う。ガス供給管232b内を流れたHFガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ノンプラズマの雰囲気下で、ウエハ200に対してHFガスが供給される。
HFガス供給流量:100〜10000sccm
N2ガス供給流量(各ガス供給管):0〜10000sccm
ガス供給時間:1〜60分
処理温度:0〜100℃、好ましくは室温(25℃)〜50℃
処理圧力:133〜53329Pa、好ましくは667〜39997Pa
が例示される。
ステップb−2(1回目)が終了した後、上述のステップb−1(1回目)と同様の処理手順、処理条件により、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成され一部がエッチングされた第1Si膜に対してO2ガスを供給する。
ステップb−1(2回目)が終了した後、上述のステップb−2(1回目)と同様の処理手順、処理条件により、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200の表面の凹部内に残り一部が改質された第1Si膜に対してHFガスを供給する。
その後、ステップaと同様の処理手順により、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成され、2回のエッチング処理が施された後の第1Si膜に対し、MSガスを供給する。MSガスの供給時間は、例えば10〜300分の範囲内の時間とする。他の処理条件は、ステップaにおける処理条件と同様とする。
ステップcが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
本実施形態は、以下の変形例のように変更することができる。また、これらの変形例は任意に組み合わせることができる。なお、特に説明がない限り、各変形例の各ステップにおける処理手順、処理条件は、上述の基板処理シーケンスの各ステップにおける処理手順、処理条件と同様とする。
ステップbでは、ステップb−1,b−2を2回以上実施するようにしてもよい。
図6(a)〜図6(d)に示すように、ステップbでは、ステップb−1,b−2を1回実施するようにしてもよい。
図5(a)〜図5(f)に示す基板処理シーケンスでは、第1原料、第2原料として共に分子構造(化学構造、マテリアル)が同一であるMSガスを用い、第1膜、第2膜の材質を同一とする例について説明した。しかしながら、本実施形態はこのような態様に限定されない。例えば、第1原料、第2原料として、互いに分子構造が異なるガスを用いてもよい。例えば、第1原料としてDSガスを用い、第2原料としてMSガスを用いるようにしてもよい。また例えば、第1膜、第2膜の材質を互いに非同一としてもよい。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。但し、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
Claims (20)
- (a)第1原料を用い基板の表面に設けられた凹部内を埋め込むように開口を有さない閉空間である中空部を有する第1膜を形成する工程と、
(b)エッチング剤を用い前記第1膜の前記中空部に接する一部をエッチングする工程と、
(c)第2原料を用い前記一部がエッチングされた前記第1膜の上に、第2膜を形成する工程と、
を行うことで、前記凹部内を前記第1膜および前記第2膜で埋め込む工程を有し、前記(b)では、
(b−1)改質剤を用い前記第1膜の一部を改質する工程と、
(b−2)前記エッチング剤を用い前記第1膜のうち改質された前記一部を選択的にエッチングする工程と、
を所定回数行う半導体装置の製造方法。 - 前記(b−1)と、前記(b−2)と、をn回行い(nは2以上の整数)、
n−1回目までの前記(b−1)では、前記第1膜のうち前記中空部に接しない前記中空部よりも上方の一部を改質し、
n−1回目までの前記(b−2)では、前記第1膜のうち前記中空部に接しない前記中空部よりも上方の改質された前記一部を選択的にエッチングする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - n−1回目までの前記(b−2)では、前記中空部が前記第1膜の外部と非連通である状態を維持する請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- n回目の前記(b−1)では、前記凹部内に残った前記第1膜のうち前記中空部に接する一部を改質し、
n回目の前記(b−2)では、前記凹部内に残った前記第1膜のうち前記中空部に接する改質された前記一部を選択的にエッチングする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。 - n回目の前記(b−2)では、前記中空部を前記第1膜の外部と連通させる請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b−1)と、前記(b−2)と、を1回行い、
前記(b−1)では、前記第1膜のうち前記中空部に接する一部を改質し、
前記(b−2)では、前記第1膜のうち前記中空部に接する改質された前記一部を選択的にエッチングする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記(b−2)では、前記中空部を前記第1膜の外部と連通させる請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b−2)では、前記エッチング剤として、前記第1膜の改質された部分のエッチングレートが、前記第1膜の改質されていない部分のエッチングレートよりも大きくなるエッチング剤を用いる請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b−2)では、前記第1膜の改質された部分のエッチングレートが、前記第1膜の改質されていない部分のエッチングレートよりも大きくなる条件下で、前記エッチングを行う請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b−2)では、前記エッチング剤として、前記第1膜の改質されていない部分をエッチングすることなく、前記第1膜の改質された部分をエッチングするエッチング剤を用いる請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b−2)では、前記第1膜の改質されていない部分をエッチングすることなく、前記第1膜の改質された部分をエッチングする条件下で、前記エッチングを行う請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b−1)では、前記改質剤として酸化剤を用い、前記第1膜の一部を酸化し、
前記(b−2)では、前記第1膜のうち酸化された前記一部を選択的にエッチングする請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記(a)では、前記第1膜としてシリコン系膜を形成し、
前記(b−1)では、前記改質剤として酸化剤を用い、前記シリコン系膜の一部を酸化し、
前記(b−2)では、前記シリコン系膜のうち酸化された前記一部を選択的にエッチングする請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記(a)では、前記第1膜として金属系膜を形成し、
前記(b−1)では、前記改質剤として酸化剤を用い、前記金属系膜の一部を酸化し、
前記(b−2)では、前記金属系膜のうち酸化された前記一部を選択的にエッチングする請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1原料の分子構造は、前記第2原料の分子構造と同一であり、前記第1膜の材質は、前記第2膜の材質と同一である請求項1〜14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(a)では、前記凹部の表面側が、前記凹部の側部および上部からオーバーハングするように成長した前記第1膜によって塞がれる請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b−1)を、前記中空部が前記第1膜の外部と非連通である状態で行う請求項1〜16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(b−1)を、前記中空部が前記第1膜の外部と非連通である状態で行うことにより、前記中空部の内部への前記改質剤の侵入を防止する請求項1〜17のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板に対する処理が行われる処理室と、
前記処理室内へ第1原料、第2原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内へ改質剤を供給する改質剤供給系と、
前記処理室内へエッチング剤を供給するエッチング剤供給系と、
前記処理室内において、(a)前記第1原料を用い基板の表面に設けられた凹部内を埋め込むように開口を有さない閉空間である中空部を有する第1膜を形成する処理と、(b)前記エッチング剤を用い前記第1膜の前記中空部に接する一部をエッチングする処理と、(c)前記第2原料を用い前記一部がエッチングされた前記第1膜の上に、第2膜を形成する処理と、を行うことで、前記凹部内を前記第1膜および前記第2膜で埋め込む処理を行わせ、前記(b)では、(b−1)前記改質剤を用い前記第1膜の一部を改質する処理と、(b−2)前記エッチング剤を用い前記第1膜のうち改質された前記一部を選択的にエッチングする処理と、を所定回数行わせるように、前記原料供給系、前記改質剤供給系および前記エッチング剤供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内において、
(a)第1原料を用い基板の表面に設けられた凹部内を埋め込むように開口を有さない閉空間である中空部を有する第1膜を形成する手順と、
(b)エッチング剤を用い前記第1膜の前記中空部に接する一部をエッチングする手順と、
(c)第2原料を用い前記一部がエッチングされた前記第1膜の上に、第2膜を形成する手順と、
を行うことで、前記凹部内を前記第1膜および前記第2膜で埋め込む手順と、
前記(b)において、
(b−1)改質剤を用い前記第1膜の一部を改質する手順と、
(b−2)前記エッチング剤を用い前記第1膜のうち改質された前記一部を選択的にエッチングする手順と、
を所定回数行う手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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