KR102329548B1 - 챔버 배기량 자동 조절 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 조절하는 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 메인 제어기, 상기 메인 제어기의 제어에 따른 반도체 공정이 수행되는 복수의 챔버, 상기 메인 제어기의 제어에 따라 상기 복수의 챔버 각각에 구비된 복수의 챔버배기관의 배기압력을 조절하는 챔버배기관 압력 조절부 및 상기 복수의 챔버배기관과 외부 배출소를 연결하는 메인배기관의 배기압력을 조절하는 메인배기관 압력 조절부를 포함하고, 상기 메인 제어기는, 상기 메인배기관의 배기압력을 1차적으로 조절한 이후, 상기 복수의 챔버배기관의 배기압력을 2차적으로 조절한다.
본 발명에 따르면, 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 배기관의 압력상태에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있다.

Description

챔버 배기량 자동 조절 시스템{Chamber Exhaust Automatic Control System}
본 발명은 챔버 배기량 자동 조절 시스템에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 배기관의 압력상태에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있도록 하는 챔버 배기량 자동 조절 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 세정 공정(cleaning process)을 포함하는 반도체 공정이 수행되는 챔버에는 각각의 공정에 필요한 가스가 주입되어 해당 공정이 수행된다.
이러한 주입가스는 챔버 내의 다른 물질과 반응하여 웨이퍼에 대한 목표로 하는 공정을 수행하는 요소로서, 해당 공정이 수행된 이후에는 외부로 배출되어야 한다.
해당 공정이 수행된 이후 가스가 챔버로부터 완전히 배출되지 않거나 배출되는 속도, 배출 시간 등이 정밀하게 제어되지 않는다면 챔버에 잔류하는 가스가 파티클(particle), 퓸(fume) 등의 형태로 웨이퍼를 오염시키게 된다는 문제점이 있다.
따라서, 챔버에서 가스가 배출되는 과정이 정밀하게 제어되는지 여부를 모니터링할 수 있는 기술적 수단이 요구된다.
대한민국 공개특허공보 제10-2009-0072033호(공개일자: 2009년 07월 02일, 명칭: 챔버 가스 배출 장치) 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0029920호(공개일자: 2006년 04월 07일, 명칭: 환경성 먼지 제거 장치 및 그 제거 방법)
본 발명의 기술적 과제는 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 배기관의 압력상태에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있도록 하는 챔버 배기량 자동 조절 시스템을 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 조절하는 시스템으로서, 메인 제어기, 상기 메인 제어기의 제어에 따른 반도체 공정이 수행되는 복수의 챔버, 상기 메인 제어기의 제어에 따라 상기 복수의 챔버 각각에 구비된 복수의 챔버배기관의 배기압력을 조절하는 챔버배기관 압력 조절부 및 상기 복수의 챔버배기관과 외부 배출소를 연결하는 메인배기관의 배기압력을 조절하는 메인배기관 압력 조절부를 포함하고, 상기 메인 제어기는, 상기 메인배기관 압력 조절부를 제어하여 상기 메인배기관의 배기압력을 1차적으로 조절한 이후, 상기 챔버배기관 압력 조절부를 제어하여 상기 복수의 챔버배기관의 배기압력을 2차적으로 조절한다.
본 발명에 따른 챔버 배기량 조절 시스템에 있어서, 상기 메인배기관 압력 조절부는, 상기 메인배기관의 배기압력을 측정하는 메인배기관 압력계, 상기 메인배기관의 배기압력을 조절하는 메인댐퍼, 상기 메인댐퍼의 개방 정도를 조절하는 메인댐퍼 구동부 및 상기 메인댐퍼 구동부의 동작을 제어하는 메인댐퍼 제어부를 포함하고, 상기 메인댐퍼 제어부는, 상기 메인배기관 압력계로부터 전달받은 메인배기관 현재배기압력값이 상기 메인 제어기로부터 전달받은 메인배기관 목표배기압력값과 동일해지도록 상기 메인댐퍼 구동부를 제어하여 상기 메인댐퍼 구동부가 상기 메인댐퍼의 개방 정도를 조절하도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 챔버 배기량 조절 시스템에 있어서, 상기 챔버배기관 압력 조절부는, 상기 챔버배기관의 배기압력을 측정하는 챔버배기관 압력계, 상기 챔버배기관의 배기압력을 조절하는 챔버댐퍼, 상기 챔버댐퍼의 개방 정도를 조절하는 챔버댐퍼 구동부 및 상기 챔버댐퍼 구동부의 동작을 제어하는 챔버댐퍼 제어부를 포함하고, 상기 챔버댐퍼 제어부는, 상기 챔버배기관 압력계로부터 전달받은 챔버배기관 현재배기압력값이 상기 메인 제어기로부터 전달받은 챔버배기관 목표배기압력값과 동일해지도록 상기 챔버댐퍼 구동부를 제어하여 상기 챔버댐퍼 구동부가 상기 챔버댐퍼의 개방 정도를 조절하도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 챔버 배기량 조절 시스템에 있어서, 상기 메인 제어기는, 상기 메인배기관 압력 조절부로부터 실시간 전달받는 메인배기관 현재배기압력값과 상기 챔버배기관 압력 조절부로부터 실시간 전달받는 챔버배기관 현재배기압력값을 미리 설정된 판단 기준값과 비교하여 복수의 챔버 별로 챔버 배기량 상태정보를 생성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 챔버 배기량 조절 시스템에 있어서, 상기 메인 제어기는, 상기 챔버 배기량 상태정보가 비정상 배기상태를 지시하는 경우 비정상 상태인 챔버를 식별하기 위한 챔버식별정보가 매핑된 알람정보가 미리 설정된 관리자 장치로 전송되도록 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 배기관의 압력상태에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있도록 하는 챔버 배기량 자동 조절 시스템이 제공되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 챔버 배기량 자동 조절 시스템을 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 챔버 배기량 자동 조절 시스템의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.
본 명세서에 개시된 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접 연결되어 있거나 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에" 와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 챔버 배기량 자동 조절 시스템을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예는 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 조절하는 시스템으로서, 메인 제어기(10), 복수의 챔버(20), 챔버 제어기(30), 챔버배기관 압력 조절부(40) 및 메인배기관 압력 조절부(50)를 포함한다.
메인 제어기(10)는 복수의 챔버(20) 각각의 동작을 제어하는 챔버 제어기(30)를 제어하여 복수의 챔버(20)에서 미리 정해진 공정 레시피(process recipe) 정보에 대응하는 반도체 공정이 수행되도록 제어한다. 여기서, 공정 레시피 정보는 챔버(20)에서 특정 반도체 공정이 수행되는 과정에서 필요한 제반 제어정보를 포함하는 정보로서, 예를 들어, 공정 레시피 정보에는 회전 척을 구동하는 스핀들의 회전제어 관련 정보, 약액의 공급시간 관련 정보, 공정 수행 중의 특정 시점 또는 공정 종료 후의 특정 시점에서 챔버(20)로 약액, 특정 기능 수행을 위한 기체를 공급하거나 공정 부산물로 발생하는 액체, 기체 등을 외부로 배출하는 과정을 제어하는 과정에서 제반 밸브들의 동작 관련 정보 등이 포함될 수 있다.
또한, 메인 제어기(10)는 후술하는 메인배기관 압력 조절부(50)를 제어하여 메인배기관의 배기압력을 1차적으로 조절한 이후, 챔버배기관 압력 조절부(40)를 제어하여 복수의 챔버배기관의 배기압력을 2차적으로 조절하도록 구성된다. 이와 같이, 복수의 챔버배기관 각각에 비하여 압력이 큰 메인배기관의 압력을 먼저 조절한 이후 복수의 챔버배기관의 압력을 세밀하게 제어함으로써, 챔버배기관 압력 조절부(40)를 구성하는 챔버댐퍼(420)의 내구성을 향상시키는 동시에, 시스템의 전체적인 배기압력 조절의 정확도를 높이고 소요되는 시간을 줄일 수 있다.
예를 들어, 메인 제어기(10)는, 메인배기관 압력 조절부(50)로부터 실시간 전달받는 메인배기관 현재배기압력값과 챔버배기관 압력 조절부(40)로부터 실시간 전달받는 챔버배기관 현재배기압력값을 미리 설정된 판단 기준값과 비교하여 복수의 챔버(20) 별로 챔버 배기량 상태정보를 생성하도록 구성될 수 있다.
또한, 예를 들어, 메인 제어기(10)는, 생성된 챔버 배기량 상태정보가 비정상 배기상태를 지시하는 경우에는, 비정상 상태인 챔버(20)를 식별하기 위한 챔버식별정보가 매핑된 알람정보가 미리 설정된 관리자 장치로 전송되도록 제어할 수 있다.
복수의 챔버(20)는 메인 제어기(10)의 제어에 따른 반도체 공정이 수행되는 구성요소이다.
챔버 제어기(30)는 메인 제어기(10)의 제어에 따라 챔버(20)를 제어하여 챔버(20)에서 반도체 공정이 수행되도록 제어한다. 챔버 제어기(30)와 후술하는 챔버배기관 압력 조절부(40)는 챔버(20)의 수에 대응하는 수를 갖는다.
챔버배기관 압력 조절부(40)는 메인 제어기(10)의 제어에 따라 복수의 챔버(20) 각각에 구비된 복수의 챔버배기관의 배기압력을 조절하는 기능을 수행한다. 예를 들어, 메인 제어기(10)는 챔버 제어기(30)를 매개로 챔버배기관 압력 조절부(40)를 제어하거나, 챔버 제어기(30)를 매개로 하지 않고 챔버배기관 압력 조절부(40)를 직접 제어하도록 구성될 수 있다.
예를 들어, 챔버배기관 압력 조절부(40)는, 챔버배기관 압력계(410), 챔버댐퍼(420), 챔버댐퍼 구동부(430) 및 챔버댐퍼 제어부(440)를 포함하여 구성될 수 있다.
챔버배기관 압력계(410)는 챔버(20)의 배기포트에 연결된 챔버배기관의 배기압력을 측정하여 챔버댐퍼 제어부(440)로 전달한다. 예를 들어, 챔버배기관 압력계(410)는 마노미터(manometer)로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않으며 챔버배기관을 통해 배기되는 기체의 압력을 측정할 수 있는 임의의 수단이 챔버배기관 압력계(410)에 적용될 수 있다.
챔버댐퍼(420)는 챔버배기관의 배기압력을 조절하는 구성요소로서, 챔버댐퍼 제어부(440)의 제어명령을 입력받은 챔버댐퍼 구동부(430)가 제공하는 구동력에 의해 개방 정도가 자동 조절되어 챔버배기관의 배기압력을 자동 조절한다.
챔버댐퍼 구동부(430)는 챔버댐퍼 제어부(440)로부터 입력받은 제어명령에 따라 챔버댐퍼(420)에 구동력을 제공함으로써 챔버댐퍼(420)의 개방 정도를 조절한다.
챔버댐퍼 제어부(440)는 챔버댐퍼 구동부(430)로 제어명령을 전달하여 챔버댐퍼 구동부(430)의 동작을 제어한다. 예를 들어, 챔버댐퍼 구동부(430)는 구동 모터를 포함하고, 챔버댐퍼 제어부(440)는 구동 모터에 펄스폭변조(Pulse Width Modulation, PWM) 방식으로 생성된 제어명령을 인가하는 드라이버 회로(driver circuit)를 포함하도록 구성될 수 있으나, 챔버댐퍼 구동부(430)와 챔버댐퍼 제어부(440)의 구성이 이에 한정되지는 않는다.
예를 들어, 챔버댐퍼 제어부(440)는, 챔버배기관 압력계(410)로부터 전달받은 챔버배기관 현재배기압력값이 메인 제어기(10)로부터 전달받은 챔버배기관 목표배기압력값과 동일해지도록 챔버댐퍼 구동부(430)를 제어하여 챔버댐퍼 구동부(430)가 챔버댐퍼(420)의 개방 정도를 조절하도록 제어할 수 있으며, 이를 위하여 비례적분미분(Proportional Integral Differential, PID) 제어 방식이 적용될 수 있다.
메인배기관 압력 조절부(50)는 복수의 챔버배기관과 외부 배출소를 연결하는 메인배기관의 배기압력을 조절하는 기능을 수행한다.
예를 들어, 메인배기관 압력 조절부(50)는, 메인배기관 압력계(510), 메인댐퍼(520), 메인댐퍼 구동부(530) 및 메인댐퍼 제어부(540)를 포함하여 구성될 수 있다.
메인배기관 압력계(510)는 메인배기관의 배기압력을 측정하여 메인댐퍼 제어부(540)로 전달한다. 예를 들어, 메인배기관 압력계(510)는 마노미터(manometer)로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않으며 메인배기관을 통해 배기되는 기체의 압력을 측정할 수 있는 임의의 수단이 메인배기관 압력계(510)에 적용될 수 있다.
메인댐퍼(520)는 메인배기관의 배기압력을 조절하는 구성요소로서, 메인댐퍼 제어부(540)의 제어명령을 입력받은 메인댐퍼 구동부(530)가 제공하는 구동력에 의해 개방 정도가 자동 조절되어 메인배기관의 배기압력을 자동 조절한다
메인댐퍼 구동부(530)는 메인댐퍼 제어부(540)로부터 입력받은 제어명령에 따라 메인댐퍼(520)에 구동력을 제공함으로써 메인댐퍼(520)의 개방 정도를 조절한다.
메인댐퍼 제어부(540)는 메인댐퍼 구동부(530)로 제어명령을 전달하여 메인댐퍼 구동부(530)의 동작을 제어한다. 예를 들어, 메인댐퍼 구동부(530)는 구동 모터를 포함하고, 메인댐퍼 제어부(540)는 구동 모터에 펄스폭변조 방식으로 생성된 제어명령을 인가하는 드라이버 회로를 포함하도록 구성될 수 있으나, 메인댐퍼 구동부(530)와 메인댐퍼 제어부(540)의 구성이 이에 한정되지는 않는다.
예를 들어, 메인댐퍼 제어부(540)는, 메인배기관 압력계(510)로부터 전달받은 메인배기관 현재배기압력값이 메인 제어기(10)로부터 전달받은 메인배기관 목표배기압력값과 동일해지도록 메인댐퍼 구동부(530)를 제어하여 메인댐퍼 구동부(530)가 메인댐퍼(520)의 개방 정도를 조절하도록 제어할 수 있으며, 이를 위하여 비례적분미분 제어 방식이 적용될 수 있다.
이하에서는 도 2를 추가로 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 챔버 배기량 자동 조절 시스템의 동작을 예시적으로 설명한다. 도 2에 예시된 동작은 하나의 예일 뿐이며, 본 발명의 일 실시 예의 동작이 이에 한정되지는 않는다는 점을 밝혀둔다.
도 2를 추가로 참조하면, 단계 S10에서는, 메인 제어기(10)를 통해 메인배기관 목표배기압력값과 챔버배기관 목표배기압력값을 입력하는 과정이 수행된다.
예를 들어, 단계 S10에서는, 메인 제어기(10)가 입력된 메인배기관 목표배기압력값을 메인댐퍼 제어부(540)로 전달하고, 입력된 챔버배기관 목표배기압력값을 챔버 제어기(30)로 전달하고, 챔버 제어기(30)는 메인 제어기(10)로부터 수신한 챔버배기관 목표배기압력값을 챔버댐퍼 제어부(440)로 전달하는 과정이 수행될 수 있다.
단계 S20에서는, 메인배기관 압력 조절부(50)를 구성하는 메인댐퍼 제어부(540)가 메인댐퍼 구동부(530)로 제어명령을 전달하여 메인댐퍼 구동부(530)의 동작을 제어하는 과정이 수행된다.
단계 S30에서는, 메인댐퍼 제어부(540)가, 메인배기관 압력계(510)로부터 전달받은 메인배기관 현재배기압력값이 메인 제어기(10)로부터 전달받은 메인배기관 목표배기압력값을 비교하고, 두 값이 동일해지도록 메인댐퍼 구동부(530)를 제어하여 메인댐퍼 구동부(530)가 메인댐퍼(520)의 개방 정도를 조절하는 과정이 수행된다.
단계 S40에서는, 챔버배기관 압력 조절부(40)를 구성하는 챔버댐퍼 제어부(440)가 챔버댐퍼 구동부(430)로 제어명령을 전달하여 챔버댐퍼 구동부(430)의 동작을 제어하는 과정이 수행된다.
단계 S50에서는, 챔버댐퍼 제어부(440)가, 챔버배기관 압력계(410)로부터 전달받은 챔버배기관 현재배기압력값이 메인 제어기(10)로부터 전달받은 챔버배기관 목표배기압력값을 비교하고, 두 값이 동일해지도록 챔버댐퍼 구동부(430)를 제어하여 챔버댐퍼 구동부(430)가 챔버댐퍼(420)의 개방 정도를 조절하는 과정이 수행된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 배기관의 압력상태에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있도록 하는 챔버 배기량 자동 조절 시스템이 제공되는 효과가 있다.
10: 메인 제어기
20: 챔버
30: 챔버 제어기
40: 챔버배기관 압력 조절부
50: 메인배기관 압력 조절부
410: 챔버배기관 압력계
420: 챔버댐퍼
430: 챔버댐퍼 구동부
440: 챔버댐퍼 제어부
510: 메인배기관 압력계
520: 메인댐퍼
530: 메인댐퍼 구동부
540: 메인댐퍼 제어부

Claims (5)

  1. 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 배기량을 자동으로 조절하는 시스템으로서,
    메인 제어기;
    상기 메인 제어기의 제어에 따른 반도체 공정이 수행되는 복수의 챔버;
    상기 메인 제어기의 제어에 따라 상기 복수의 챔버 각각에 구비된 복수의 챔버배기관의 배기압력을 조절하는 챔버배기관 압력 조절부; 및
    상기 복수의 챔버배기관과 외부 배출소를 연결하는 메인배기관의 배기압력을 조절하는 메인배기관 압력 조절부를 포함하고,
    상기 메인 제어기는, 상기 메인배기관 압력 조절부를 제어하여 상기 메인배기관의 배기압력을 1차적으로 조절한 이후, 상기 챔버배기관 압력 조절부를 제어하여 상기 복수의 챔버배기관의 배기압력을 2차적으로 조절하고, 상기 메인배기관 압력 조절부로부터 실시간 전달받는 메인배기관 현재배기압력값과 상기 챔버배기관 압력 조절부로부터 실시간 전달받는 챔버배기관 현재배기압력값을 미리 설정된 판단 기준값과 비교하여 복수의 챔버 별로 챔버 배기량 상태정보를 생성하고, 상기 챔버 배기량 상태정보가 비정상 배기상태를 지시하는 경우 비정상 상태인 챔버를 식별하기 위한 챔버식별정보가 매핑된 알람정보가 미리 설정된 관리자 장치로 전송되도록 제어하고,
    상기 메인배기관 압력 조절부는 상기 메인배기관의 배기압력을 측정하는 메인배기관 압력계, 상기 메인배기관의 배기압력을 조절하는 메인댐퍼, 상기 메인댐퍼의 개방 정도를 조절하는 메인댐퍼 구동부 및 상기 메인배기관 압력계로부터 전달받은 메인배기관 현재배기압력값이 상기 메인 제어기로부터 전달받은 메인배기관 목표배기압력값과 동일해지도록 상기 메인댐퍼 구동부를 제어하여 상기 메인댐퍼 구동부가 상기 메인댐퍼의 개방 정도를 조절하도록 제어하는 메인댐퍼 제어부를 포함하고,
    상기 챔버배기관 압력 조절부는 상기 챔버배기관의 배기압력을 측정하는 챔버배기관 압력계, 상기 챔버배기관의 배기압력을 조절하는 챔버댐퍼, 상기 챔버댐퍼의 개방 정도를 조절하는 챔버댐퍼 구동부 및 상기 챔버배기관 압력계로부터 전달받은 챔버배기관 현재배기압력값이 상기 메인 제어기로부터 전달받은 챔버배기관 목표배기압력값과 동일해지도록 상기 챔버댐퍼 구동부를 제어하여 상기 챔버댐퍼 구동부가 상기 챔버댐퍼의 개방 정도를 조절하도록 제어하는 챔버댐퍼 제어부를 포함하고,
    상기 메인 제어기를 통해 상기 메인배기관 목표배기압력값과 상기 챔버배기관 목표배기압력값이 입력되고,
    상기 메인 제어기는 상기 메인배기관 목표배기압력값을 상기 메인댐퍼 제어부로 전달하고, 상기 챔버배기관 목표배기압력값을 챔버 제어기로 전달하고, 상기 챔버 제어기는 상기 메인 제어기로부터 수신한 챔버배기관 목표배기압력값을 상기 챔버댐퍼 제어부로 전달하고,
    상기 메인댐퍼 제어부는 상기 메인배기관 압력계로부터 전달받은 메인배기관 현재배기압력값이 상기 메인 제어기로부터 전달받은 메인배기관 목표배기압력값과 동일해지도록 상기 메인댐퍼 구동부가 상기 메인댐퍼의 개방 정도를 조절하도록 제어하고,
    상기 챔버댐퍼 제어부는 상기 챔버배기관 압력계로부터 전달받은 챔버배기관 현재배기압력값이 상기 메인 제어기로부터 전달받은 챔버배기관 목표배기압력값과 동일해지도록 상기 챔버댐퍼 구동부가 상기 챔버댐퍼의 개방 정도를 조절하도록 제어하는, 챔버 배기량 자동 조절 시스템.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7357660B2 (ja) * 2021-07-09 2023-10-06 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101715069B1 (ko) 2016-03-21 2017-03-13 주식회사 우림테크 반도체 제조설비의 배기 시스템

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7077159B1 (en) * 1998-12-23 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
US7278831B2 (en) * 2003-12-31 2007-10-09 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for control, pumping and abatement for vacuum process chambers
KR20060029920A (ko) 2004-10-04 2006-04-07 삼성전자주식회사 환경성 먼지 제거 장치 및 그 제거 방법
KR20060037180A (ko) * 2004-10-27 2006-05-03 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 배기장치
KR20060104725A (ko) * 2005-03-31 2006-10-09 삼성전자주식회사 압력 관리 장치
KR100943503B1 (ko) 2007-12-28 2010-02-22 주식회사 동부하이텍 챔버 가스 배출 장치
KR20100054906A (ko) * 2008-11-16 2010-05-26 세메스 주식회사 배기 장치
JP2010267925A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
GB2533933A (en) * 2015-01-06 2016-07-13 Edwards Ltd Improvements in or relating to vacuum pumping arrangements
GB201620225D0 (en) * 2016-11-29 2017-01-11 Edwards Ltd Vacuum pumping arrangement

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101715069B1 (ko) 2016-03-21 2017-03-13 주식회사 우림테크 반도체 제조설비의 배기 시스템

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