TWI602231B - A substrate processing apparatus, a deposit removal method for a substrate processing apparatus, and a storage medium - Google Patents

A substrate processing apparatus, a deposit removal method for a substrate processing apparatus, and a storage medium Download PDF

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TWI602231B
TWI602231B TW104113691A TW104113691A TWI602231B TW I602231 B TWI602231 B TW I602231B TW 104113691 A TW104113691 A TW 104113691A TW 104113691 A TW104113691 A TW 104113691A TW I602231 B TWI602231 B TW I602231B
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Yoichi Tokunaga
Hiromitsu Nanba
Tatuhiro Ueki
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Description

基板處理裝置、基板處理裝置的附著物除去方法及記憶媒體
本發明，是有關於朝基板的周緣部供給處理液，將該周緣部處理的技術。
在半導體裝置的製造過程中，具有一邊將被處理基板也就是半導體晶圓(以下，只稱為「晶圓」)旋轉，一邊藉由朝該晶圓的周緣部供給藥液等的處理液將該周緣部的不需要膜或是污染物質除去的基板處理。進行如此的基板處理時已知具備將晶圓的上面覆蓋的蓋構件的基板處理裝置(專利文獻1參照)。此蓋構件，是將流動於晶圓的周緣部的附近的氣體整流並且將氣體的流速增大，防止從晶圓飛散的處理液再度附著在晶圓的上面。
〔習知技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2013-128014號公報
但是在習知的基板處理裝置中，從晶圓飛散的處理液和被噴霧化的處理液會附著在蓋構件的表面。這些的處理液會引起反應而結晶化，其一部分剝離成為微粒而成為落下至晶圓的表面的原因。
本發明，是解決上述的問題點用者，藉由將附著在蓋構件的處理液或是從該處理液發生的結晶除去，防止微粒的發生。
為了解決上述的課題，本發明的基板處理裝置，是具備：將基板保持的基板保持部、及對於被保持在前述基板保持部的基板供給處理液的處理液供給部、及與被保持在前述基板保持部的基板的周緣部相面對地配置的環形狀的蓋構件，在前述蓋構件中設有加熱器。
依據本發明的話，藉由將附著在蓋構件的處理液或是從該處理液發生的結晶除去，就可防止微粒的發生。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧杯體
3‧‧‧晶圓保持部
5‧‧‧蓋構件
6‧‧‧昇降機構
7‧‧‧處理流體供給部
7A‧‧‧處理流體供給部
7B‧‧‧處理流體供給部
8‧‧‧控制器
11‧‧‧外殼
12‧‧‧活門
13‧‧‧搬入出口
14‧‧‧清淨空氣導入單元
15‧‧‧排氣口
21‧‧‧內周側部分
22‧‧‧處理液吐出口
24‧‧‧外周側部分
25‧‧‧導引板
26‧‧‧外周壁
27‧‧‧排氣流路
51‧‧‧內周面
52‧‧‧下面
56‧‧‧凹所
58‧‧‧支撐體
61‧‧‧滑件
62‧‧‧導引支柱
65‧‧‧昇降機
71‧‧‧藥液噴嘴
72‧‧‧清洗噴嘴
73‧‧‧氣體噴嘴
74‧‧‧藥液噴嘴
75‧‧‧清洗噴嘴
76‧‧‧氣體噴嘴
81‧‧‧記憶媒體
82‧‧‧處理器
211‧‧‧上面
212、213‧‧‧氣體吐出口
214‧‧‧氣體導入線
215‧‧‧氣體擴散空間
216‧‧‧加熱器
244‧‧‧排液路
245‧‧‧排氣路
252‧‧‧上面
261‧‧‧流體承接面
262‧‧‧返回部
511‧‧‧上側面部分
512‧‧‧下側面部分
521‧‧‧外周緣
601‧‧‧結晶
602‧‧‧結晶
701‧‧‧加熱器
[第1圖]本發明的實施例的基板處理裝置的縱剖側面圖。
[第2圖]顯示第1圖所示的基板處理裝置的蓋構件、其昇降機構、及處理流體供給部的俯視圖。
[第3圖]詳示擴大第1圖的右側的晶圓的外周緣附近的領域的剖面圖。
[第4圖]說明噴嘴的圖。
[第5圖]說明本發明的實施例的標準的液處理的動作用的流程圖。
[第6圖]說明第1實施例中的伴隨加熱處理的液處理的動作用的流程圖。
[第7圖]說明第2實施例中的伴隨加熱處理的液處理的動作用的流程圖。
將本發明的基板處理裝置的一實施例，使用圖面詳細說明。
(第1實施例)
在本實施例中說明，朝形成有半導體裝置的圓形的基板也就是晶圓W的表面供給藥液，將形成於該晶圓W的周緣部的不需要的膜除去的基板處理裝置。
如第1圖及第2圖所示，基板處理裝置1，是具備：將晶圓W由水平姿勢繞垂直軸周圍可旋轉地保持 的晶圓保持部3、及將被保持在晶圓保持部3的晶圓W的周圍包圍並接住從晶圓W飛散的處理液的杯體2、及將被保持在晶圓保持部3的晶圓W的上面的周緣部覆蓋的環狀的蓋構件5、及將蓋構件5昇降的昇降機構(移動機構)6、及朝被保持在晶圓保持部3的晶圓W供給處理流體的處理流體供給部7。
上述的基板處理裝置1的構成構件也就是杯體2、晶圓保持部3、蓋構件5等是被收容在1個外殼11內。在外殼11的頂部附近設有從外部將清淨空氣取入的清淨空氣導入單元14。且，在外殼11的底面附近設有將外殼11內的氣氛排氣的排氣口15。由此，在外殼11內形成從外殼11的上部朝向下部流動的清淨空氣的向下流動。在外殼11的一側壁中，設有藉由活門12被開閉的搬入出口13。設在外殼11的外部的無圖示的晶圓搬運機構的搬運臂，是在將晶圓W保持的狀態下，可以通過搬入出口13。晶圓保持部3，是由圓板形狀的真空挾盤構成，其上面是成為晶圓吸附面。晶圓保持部3，是藉由未圖示的旋轉驅動機構，可以由所期的速度旋轉。
如第3圖所示，杯體2，是設成將晶圓保持部3的外周圍起來的有底圓環形狀的構件。杯體2，是具有將在被供給至晶圓W之後朝晶圓W的外方飛散的藥液接住回收，朝外部排出的功能。
藉由晶圓保持部3被保持的晶圓W的下面、及在與相面對於此晶圓W的下面的杯體2的內周側部分 21的上面211之間，是形成有小(例如2~3mm程度的高度)間隙。在相面對於晶圓W的上面211，開口有2個氣體吐出口212，213。這2個氣體吐出口212、213，是沿著同心的大徑的圓周及小徑的圓周各別連續地延伸，向半徑方向外，且，朝斜上方向，朝向晶圓W的下面將N2氣體(被加熱的氮氣體)吐出。
從形成於杯體2的內周側部分21內的1個或是複數(在圖中只有顯示1個)氣體導入線214朝圓環狀的氣體擴散空間215被供給N2氣體，N2氣體是在氣體擴散空間215內一邊朝圓周方向擴大地流動，一邊從氣體吐出口212、213被吐出。加熱器216是鄰接於氣體擴散空間215地設置，N2氣體是在流動於氣體擴散空間215內時被加熱，其後，從氣體吐出口212、213被吐出。從半徑方向外側的氣體吐出口213被吐出的N2氣體，是藉由將晶圓W的被處理部位也就是晶圓W的周緣部加熱，促進由藥液所產生的反應，且，防止朝向晶圓W的表面(上面)被吐出之後飛散的處理液的噴霧捲入晶圓的背面(下面)。從半徑方向內側的氣體吐出口212被吐出的N2氣體，可防止在無氣體吐出口212情況時只有晶圓W的周緣部被加溫且在晶圓W中心側由在晶圓W的下面附近負壓發生所起因的晶圓W的變形。
在杯體2的外周側部分24中，連接有排液路244及排氣路245。環狀的導引板25是從杯體2的內周側部分21的外周部(晶圓W的周緣的下方的位置)朝向半 徑方向外側延伸。且，在杯體2的外周側部分24的外周部中，設有外周壁26。外周壁26，是藉由其內周面，將從晶圓W朝外方飛散的流體(液滴、氣體及這些的混合物等)接住，朝向下方導引。外周壁26，是具有：對於水平面成為25~30度的角度且愈朝向半徑方向外側愈降低的方式傾斜的內側的流體承接面261、及從流體承接面261的上端部朝下方延伸的返回部262。在導引板25的上面252及流體承接面261之間，形成有讓氣體(空氣、N2氣體等)及從晶圓W飛散的液滴流動的排氣流路27。又，雖藉由返回部262的內周面使杯體2的上部開口被劃界，但是此上部開口的開口徑是比晶圓W的直徑稍大。朝導引板25下方流入的氣體及液滴的混合流體是各別被分離，液滴是從排液路244被排出，氣體是從排氣路245被排出。
蓋構件5，是處理被實行時，與被保持在晶圓保持部3的晶圓W的上面周緣部相面對地配置的環形狀的構件。蓋構件5，是將在晶圓W的上面周緣部的附近流動且被引入杯體2內的氣體整流並且使氣體的流速增大，防止從晶圓W飛散的處理液再度附著在晶圓W的上面。
如第3圖所示，蓋構件5，是具有：內周面51、及相面對於晶圓W的水平的下面52。內周面51，是具有：朝垂直方向延伸的上側面部分511、及隨著接近晶圓W的朝向半徑方向外側的方式傾斜的下側面部分512。在水平的下面52及晶圓W的上面之間，形成有垂直方向 的間隙G。蓋構件5的外周緣521是位於晶圓W的外周端We的半徑方向外側。又，成為洗淨的對象的周緣部，是例如，從外周端We的半徑方向內側的約3mm的領域，水平地覆蓋下面52的範圍。
晶圓W是被保持在晶圓保持部3，且，蓋構件5位於處理位置時的狀態是被顯示在俯視圖的第2圖。在第2圖中，被蓋構件5覆蓋而被隱藏的晶圓W的外周端(端緣)We是由一點鎖線顯示。且，蓋構件5的內周緣是由符號5e顯示。
如第1圖及第2圖所示，將蓋構件5昇降的昇降機構6，是具有：被安裝於將蓋構件5支撐的支撐體58的複數(在本例中為4個)的滑件61、及貫通各滑件61朝垂直方向延伸的導引支柱62。在各滑件61中，連結有氣缸馬達(未圖示)，藉由將氣缸馬達驅動，使滑件61沿著導引支柱62上下動，由此可以將蓋構件5昇降。杯體2是被支撐於形成杯昇降機構(未圖示)的一部分的昇降機65，將昇降機65從第1圖所示的狀態下降的話，杯體2會下降，在晶圓搬運機構的搬運臂(未圖示)及晶圓保持部3之間的晶圓W的收授成為可能。
接著，參照第1圖、第2圖及第4圖，說明處理流體供給部7。特別是如第2圖明示，處理流體供給部7，是由處理流體供給部7A及處理流體供給部7B所構成。又，在第1圖中，只有圖示處理流體供給部7A，處理流體供給部7B是省略。處理流體供給部7A，是作為處 理液供給部的功能，具有：將氨、過氧化氫及純水的混合溶液也就是SC-1液吐出的藥液噴嘴71、及將清洗液(在本例中為DIW(純水))吐出的清洗噴嘴72。且，處理流體供給部7A，是具有將乾燥用氣體(在本例中為N2氣體)吐出的氣體噴嘴73，也作為氣體供給部的功能。處理流體供給部7B，是作為處理液供給部的功能，具有：將HF液吐出的藥液噴嘴74、及將清洗液吐出的清洗噴嘴75，且，作為氣體供給部的功能，具有將乾燥用氣體吐出的氣體噴嘴76。
如第2圖及第4圖(a)所示，處理流體供給部7A的噴嘴71~73，是被收容在形成於蓋構件5的內周面的凹所56。各噴嘴(71~73)，是如第4圖(b)箭頭A所示，朝向傾斜下方，且，使由箭頭A所示的吐出方向具有晶圓的旋轉方向Rw的成分的方式將處理流體吐出。在各噴嘴(71~73)中，上述的處理流體是從未圖示的處理流體供給機構被供給。處理流體供給部7B也具有與處理流體供給部7A同樣的構成。
如第1圖概略所示，基板處理裝置1，是具有將其整體的動作總括控制的控制器(控制部)8。控制器8，是將基板處理裝置1的全部的功能零件(例如未圖示的旋轉驅動機構、昇降機構6、晶圓保持部3、各種處理流體供給機構等)的動作控制。控制器8，是可以藉由硬體例如泛用電腦、及軟體即讓該電腦動作用的程式(裝置控制程式及處理製程等)實現。軟體，是被容納於被固定 地設在電腦的硬碟裝置(HDD)等的記憶媒體，或是被容納於可裝卸地被組裝在CDROM、DVD、快閃記憶體等的電腦的記憶媒體。這種記憶媒體是在第1圖由參照符號81被顯示。處理器82是依據需要依據來自無圖示的使用者介面的指示等將規定的處理製程從記憶媒體81傳喚並實行，藉此由控制器8控制使基板處理裝置1的各功能零件動作使規定的處理進行。
接著，對於使用上述基板處理裝置1的公知的標準的液處理的動作，即，未包含附著物除去用的加熱處理的液處理的動作，使用第5圖的流程圖說明。本動作，是在上述控制器8的控制下進行。此標準的液處理，是將25枚的晶圓W作為1組被實行，本流程圖，是顯示1組內的1枚的晶圓W的處理動作者。又，在本實施例中，在標準的液處理以外更進行附著物除去用的加熱處理，詳細如後述。
〔晶圓搬入(步驟S501)〕
首先，藉由昇降機構6將蓋構件5位於退避位置(比第1圖更上方的位置)，並且藉由杯昇降機構的昇降機65將杯體2下降。接著，將外殼11的活門12打開使外部的晶圓搬運機構的搬運臂(未圖示)進入外殼11內，將藉由搬運臂被保持的晶圓W位於晶圓保持體3的正上。接著，將搬運臂降下至比晶圓保持體3的上面低的位置，將晶圓W載置在晶圓保持體3的上面。接著，藉由 晶圓保持體3將晶圓吸附。其後，將空的搬運臂從外殼11內退出。接著，將杯體2上昇返回至第1圖所示的位置，並且將蓋構件5降下至第1圖所示的處理位置為止。藉由以上的步驟，完成晶圓的搬入，成為第1圖所示的狀態。
〔第1藥液處理(步驟S502)〕
接著，對於晶圓進行第1藥液處理。將晶圓W旋轉，且，從杯體2的氣體吐出口212、213將N2氣體吐出，將晶圓W特別是被處理領域也就是晶圓W周緣部加熱至適於藥液處理的溫度(例如60℃程度)為止。晶圓W充分被加熱的話，將晶圓W旋轉的狀態從處理流體供給部7A的藥液噴嘴71將藥液(SC1)供給至晶圓W的上面(裝置形成面)的周緣部，將晶圓上面周緣部中不需要的膜除去。
〔第1清洗處理(步驟S503)〕
進行了規定時間第1藥液處理之後，停止從藥液噴嘴71的藥液的吐出，從處理流體供給部7A的清洗噴嘴72將清洗液(DIW)供給至晶圓W的周緣部，進行清洗處理。藉由此清洗處理，使殘存於晶圓W的上下面的藥液及反應生成物等被沖洗。又，在此，進行與後述的步驟S506同樣的乾燥處理也可以。
〔第2藥液處理(步驟S504)〕
接著，對於晶圓W進行將在第1藥液處理中無法除去的不需要物除去用的第2藥液處理。與第1藥液處理同樣地將晶圓W旋轉並且將晶圓W加熱，從處理流體供給部7B的藥液噴嘴74將藥液(HF)供給至晶圓W的上面(裝置形成面)的周緣部，將晶圓上面周緣部中不需要的膜除去。
〔第2清洗處理(步驟S505)〕
進行了規定時間藥液處理之後，接著繼續晶圓W的旋轉及從氣體吐出口212、213的N2氣體的吐出，停止從藥液噴嘴74的藥液的吐出，從處理流體供給部7B的清洗噴嘴75將清洗液(DIW)供給至晶圓W的周緣部，進行清洗處理。藉由此清洗處理，使殘存於晶圓W的上下面的藥液及反應生成物等被沖掉。
〔乾燥處理(步驟S506)〕
進行了規定時間清洗處理之後，接著繼續晶圓W的旋轉及從氣體吐出口212、213的N2氣體的吐出，停止從清洗噴嘴75的清洗液的吐出，從氣體噴嘴76將乾燥用氣體(N2氣體)供給至晶圓W的周緣部，進行乾燥處理。
〔晶圓搬出(步驟S507)〕
其後，將蓋構件5上昇使位於退避位置並且使杯體2 下降。接著，將外殼11的活門12打開使無圖示的外部的晶圓搬運機構的搬運臂(無圖示)進入外殼11內，將空的搬運臂位於被保持在晶圓保持體3的晶圓W的下方之後上昇，搬運臂是從停止晶圓W的吸附的狀態的晶圓保持體3將晶圓W收取。其後，將晶圓保持的搬運臂從外殼11內退出。藉由以上，終了對於1枚的晶圓的一連的液處理。
將對於以上說明的1枚的晶圓的處理反覆25次，是標準的液處理的動作。如已述，在步驟S502和S504的藥液處理時，蓋構件5，是防止從晶圓W飛散的處理液再度附著在晶圓W的上面。但是，從藥液噴嘴71及藥液噴嘴74被供給至晶圓W的藥液之中，會藉由來自晶圓W和杯體2的內壁等的濺返等，而有些微飛散直到蓋構件5的高度為止的液滴。且，與形成有蓋構件5的氣流相反，朝上方飛揚的噴霧也存在。且，這些液摘和噴霧的一部分，是附著在蓋構件5的表面。
如上述步驟，即，在SC1進行了藥液處理之後，在HF進行藥液處理的情況時，SC1液的液滴和噴霧附著在蓋構件5之後，HF液的液滴和噴霧會附著。且，此2個藥液在蓋構件5的表面被混合的話彼此之間會反應，會生成氟化銨(NH4F)。反覆實行上述步驟的話，被生成的氟化銨會漸增加，最後結晶化。使用第2圖及第3圖，說明被生成的結晶的附著處的例。在第2圖及第3圖中，結晶601是附著在蓋構件5的內周面51。且，飛 散的液滴和噴霧因為也進入蓋構件5及外周壁26之間，所以結晶602也附著在蓋構件5的外周緣521。上述的蓋構件5，因為被設於比杯體2更高的位置，所以無法進行由洗淨液所產生的洗淨。且，洗淨液中的洗淨即使完成，其後，無法將附著的洗淨液乾燥。
在此，在本實施例中，除了上述的標準的液處理以外藉由進行蓋構件5的加熱處理將附著在表面的藥液除去，就可事先地防止結晶生成。且即使結晶已附著在蓋構件5的情況，也可藉由加熱處理將結晶氣化，將附著物除去。
使用第2圖及第3圖，說明附著物除去用的機構。在本實施例中，如第2圖所示，在蓋構件5的內部設置加熱處理用的加熱器701。在第3圖中顯示，從蓋構件5的剖面所見的情況的加熱器的配置。在本實施例中，使用剖面形狀是從蓋構件5的下面52至上面為止的縱長圓形狀的電熱線。此加熱器，可以將溫度上昇至130度為止，可以藉由控制器8將該動作控制。蓋構件5，因為是由導熱性較高的素材(材料)形成，所以數秒程度經過的話，其表面的溫度也上昇至接近130度。
在第3圖中，作為結晶601被圖示的氟化銨，是在常溫中雖為固體，但是已知藉由加熱至100度程度就會引起熱分解而氣化。且，在100度以上的環境下，即使將SC1液及HF液混合，氟化銨也不會結晶化。且，朝氟化銨的反應發生之前，SC1液和HF液本身會氣體 化。本實施例的加熱處理，如此配合SC1液、HF液、及氟化銨的特性進行溫度設定等。
接著，對於包含本實施例中的附著物除去用的加熱處理的液處理的動作，使用第6圖的流程圖說明。本動作，是在上述控制器8的控制下進行。本實施例中的液處理，是將25枚的晶圓W作為1組被實行，本流程圖，是顯示1組內的1枚的晶圓W的處理動作者。
首先，外部的晶圓搬運機構的搬運臂將晶圓搬入的準備完成的話，開始晶圓搬入動作(S601)。在此的晶圓搬入動作，是與上述的步驟S501的晶圓搬入動作同樣。
且晶圓的搬入完成，成為第1圖的狀態的話，使加熱器701動作，開始加熱處理(S602)。此加熱處理，是蓋構件5的表面的溫度是持續上昇至130度為止。
接著，實行：第1藥液處理、第1清洗處理、第2藥液處理、第2清洗處理、乾燥處理(S603~S607)。這些的處理，是與上述的步驟S502~S506的第1藥液處理、第1清洗處理、第2藥液處理、第2清洗處理、乾燥處理同樣。又，在第1藥液處理(S603)及第2藥液處理(S605)中，如上述，將晶圓W周緣部加熱至適於藥液處理的溫度(例如60℃程度)為止。且，因為藉由加熱器701的加熱處理使下面52成為高溫，所以晶圓W的周緣部也藉由來自下面52的放熱被加熱。
步驟S607的乾燥處理終了的話，藉由將加熱器701的動作停止將加熱處理停止(S608)。其後，將蓋構件5上昇進行晶圓搬出(S609)，完成1枚的液處理。藉由反覆對於25枚的晶圓進行同樣的液處理，完成對於1組的晶圓的液處理。
如以上說明，依據本實施例，將附著在蓋構件5的環形狀的表面的SC1液及HF液等的處理液或是從此處理液發生的結晶，藉由加熱器701的加熱處理除去。由此，可以事先地防止附著在蓋構件5的結晶被剝離而成為微粒落下至晶圓W的表面。且，使進行對於晶圓W的液處理時進行加熱處理的方式，使加熱器701具有將晶圓W的周緣部的溫度上昇的功能。由此，加熱器701的熱被有效利用，藉由使周緣部的溫度更容易上昇就可以將蝕刻率提高。且，從加熱器701使充分的放熱被進行的話，從氣體吐出口212、213的高溫N2氣體的供給量的削減也成為可能。
(第2實施例)
在第1實施例中，在對於實際晶圓W供給處理液期間進行了加熱處理。但是，對於多組連續地進行液處理的情況時，必需長時間使加熱器動作，電力消耗量會變大。在此，在本實施例中，在液處理中不進行加熱處理，而是在對於1組的晶圓W進行了處理之後的待機時間，進行加熱處理。
對於包含本實施例中的附著物除去用的加熱處理的液處理的動作，使用第7圖的流程圖說明。本動作，是在上述控制器8的控制下進行。本實施例中的液處理，是將25枚的晶圓作為1組被實行，本流程圖，是顯示2組以上的處理動作者。
首先，如第5圖所示，實行對於1組的晶圓的標準的液處理(S701)。在此步驟中，不進行如第6圖的流程圖所示的加熱處理。其後，判別是否有尚未被液處理的下一組的晶圓(S702)，具有尚未被處理組的話移行至從步驟S703開始的加熱處理的步驟。
因為1組的液處理(S701)完成且晶圓搬運完成之後，所以蓋構件5，是上昇至退避位置為止。在本實施例中，如第1圖所示，與在進行晶圓W的液處理同樣的狀態下進行加熱處理。因此，控制器8，是使成為第1圖的配置的方式將蓋構件5降下(S703)。降下的動作終了之後，使加熱器701動作，開始加熱處理(S704)。
在蓋構件5的表面上，具有：飛散的液滴是由液狀的狀態附著的情況、或其一部分變化的氟化銨的結晶附著的情況。加熱處理，是從蓋構件5的表面至此兩者被氣化而消失的程度的期間繼續。又，與加熱處理的開始一起將清淨空氣導入單元14動作使形成與通常的液處理時同樣的向下流動也可以。其後，停止加熱器動作將加熱處理停止(步驟S705)。最後，將蓋構件5上昇至退避位置為止，準備下一個液處理用的組的晶圓W的搬入 (S706)。
對於被預先決定的複數組的晶圓W反覆上述處理，在步驟S702，沒有尚未被處理的組，即，對於全組已將液處理實行完了的話，完成一連的處理。
如以上說明，依據本實施例，未進行對於晶圓W的液處理時，在1組的液處理的時間間隔的待機狀態進行加熱處理。由此，在處理液的結晶化未頻繁發生的狀況下，可以一邊將電力消耗量削減，一邊進行良好的液處理。且，因為加熱器的701的加熱處理的開始及停止用的溫度調整的勞力和時間也可以從每1枚晶圓進行一次省略至每25枚晶圓進行一次，所以也可以抑制基板處理的處理量(能力)的下降。進一步，原本為了不將周緣部過度加熱而實行迴避由加熱器的701所產生的熱影響的液處理的情況時也有效。且，在待機狀態進行加熱處理時，也將蓋構件5配置於與對於晶圓進行液處理時相同的位置。由此，不需要將外殼11的整體的溫度不必要地上昇，就可以將結晶容易產生或是產生處集中地高溫化。且，藉由形成與液處理時同樣的向下流動，將氣化的處理液從排氣路245排出也可以，如此可以防止氣化的處理液朝外殼11內再附著。
(第2實施例的變形例)
以上是第2實施例的控制，但是加熱器701的加熱處理，不限定於在每1組實行的例。例如，從裝置起動時計 算基板處理裝置1中的處理枚數，在每處理了500枚的時間點，實行同樣的加熱處理也可以。且，不進行枚數的控制，而由經過時間進行控制也可以。例如，在每從基板處理裝置1的裝置起動時經過了24小時的時間點，實行同樣的加熱處理也可以。又，枚數和時間的條件，不限定於在控制器8作為固定值記憶的例，裝置的使用者是依據各液處理的種別對應結晶的成長頻率等設定任意的值記憶也可以。進行以上的加熱處理的情況，監視控制器8所記憶的枚數和時間的規定的條件，滿足規定的條件的話，進行與第7圖的步驟S703~S706同樣的處理。
在上述的第2實施例中，進行加熱處理時形成向下流動的情況，因為晶圓W未被放置，所以具有未由與液處理時同樣的強度被排氣的情況。在該情況，為了接近與液處理同樣的排氣狀態，將清淨空氣導入單元14的空氣導入量比液處理時更增加也可以。且，為了接近與液處理時同樣的排氣狀態，從外殼11的外部將假晶圓搬入，藉由由與液處理時同樣的條件將假晶圓保持旋轉，在蓋構件5的周邊使發生與液處理時同樣的氣流也可以。又，在清淨空氣導入單元14及排氣口15之間進行充分的排氣的話，不需要將蓋構件5降下而在高舉的狀態下，進行加熱處理也可以。
(其他的實施例)
以上，雖對於本發明的實施例說明，但是本發明，不 限定於上述實施例，可以藉由各式各樣的態樣實現。例如，處理液，雖是使用SC1液及HF液者，但是使用其他的處理液的情況時也同樣，可以適用本發明。例如，將由SC1液所產生的處理及由SC2液所產生的處理連續進行的情況，被包含於SC1液的氨及被包含於SC2液的鹽酸會反應，而發生鹽化銨(NH4Cl)的結晶。此情況時，因為鹽化銨可在100度程度被氣化，所以藉由進行與上述實施例同樣的加熱處理，就可獲得同樣的效果。
且在上述實施例中，加熱器701的剖面形狀雖為縱長圓形，但不限定於此形狀，矩形等各式各樣的形狀也可以。且，特別是在適用由洗淨液所產生的洗淨困難的內周面51的位置及外周緣521的位置各別設置對應的複數小型的加熱器也可以。且，將加熱器701的整體形狀形成圓環狀，特別是只有在藥液的飛散和噴霧容易產生處理流體供給部7A及7B的周邊設置加熱器也可以。且，在蓋構件5的凹所56，使可以將相面對於噴嘴71、73、74、及76的表面加熱的方式，設置加熱器也可以。又，在上述的實施例，雖說明了具備環形狀的蓋構件5的基板處理裝置，但是其中任一的實施例的加熱處理，皆不限定於環形狀，可適用於有關具備將晶圓W上面整體覆蓋的天板形狀的蓋構件的裝置。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧杯體
3‧‧‧晶圓保持部
5‧‧‧蓋構件
6‧‧‧昇降機構
7‧‧‧處理流體供給部
8‧‧‧控制器
11‧‧‧外殼
12‧‧‧活門
13‧‧‧搬入出口
14‧‧‧清淨空氣導入單元
15‧‧‧排氣口
21‧‧‧內周側部分
24‧‧‧外周側部分
25‧‧‧導引板
26‧‧‧外周壁
56‧‧‧凹所
61‧‧‧滑件
62‧‧‧導引支柱
65‧‧‧昇降機
71‧‧‧藥液噴嘴
72‧‧‧清洗噴嘴
73‧‧‧氣體噴嘴
81‧‧‧記憶媒體
82‧‧‧處理器
211‧‧‧上面
212‧‧‧氣體吐出口
213‧‧‧氣體吐出口
215‧‧‧氣體擴散空間
216‧‧‧加熱器
244‧‧‧排液路
245‧‧‧排氣路
701‧‧‧加熱器

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，具備：將基板保持的基板保持部、及對於被保持在前述基板保持部的基板供給處理液的處理液供給部、及與被保持在前述基板保持部的基板的周緣部相面對地配置的環形狀的蓋構件，在前述蓋構件中，設有將前述蓋構件加熱用的加熱器；前述加熱器，是被內藏在前述蓋構件，沿著前述環形狀形成。
  2. 一種基板處理裝置，具備：將基板保持的基板保持部、及對於被保持在前述基板保持部的基板供給處理液的處理液供給部、及與被保持在前述基板保持部的基板的周緣部相面對地配置的環形狀的蓋構件，在前述蓋構件中，設有將前述蓋構件加熱用的加熱器；前述加熱器，是將前述蓋構件的內周面加熱。
  3. 如申請專利範圍第1或2項的基板處理裝置，其中，進行對於被保持在前述基板保持部的前述基板的液處理時，將附著在前述蓋構件的表面的前述處理液或是從前 述處理液所發生的結晶藉由前述加熱器的加熱處理除去。
  4. 如申請專利範圍第3項的基板處理裝置，其中，前述加熱器的加熱處理，是將前述處理液或是從前述處理液發生的結晶除去，並且將前述基板的周緣部的溫度上昇。
  5. 如申請專利範圍第1或2項的基板處理裝置，其中，未進行對於被保持在前述基板保持部的前述基板的液處理時，將附著在前述蓋構件的表面的前述處理液或是從前述處理液所發生的結晶藉由前述加熱器的加熱處理除去。
  6. 如申請專利範圍第5項的基板處理裝置，其中，進行前述加熱處理時，是將前述蓋構件配置在與進行對於被保持在前述基板保持部的前述基板的液處理時相同的位置。
  7. 如申請專利範圍第5項的基板處理裝置，其中，在每對於規定枚數的基板的液處理終了時，進行前述加熱處理。
  8. 如申請專利範圍第5項的基板處理裝置，其中，在每對於基板實行規定時間的液處理時，進行前述加熱處理。
  9. 一種附著物除去方法，是基板處理裝置的附著物除去方法，該基板處理裝置，具備：將基板保持的基板保持部、及對於被保持在前 述基板保持部的基板供給處理液的處理液供給部、及與被保持在前述基板保持部的基板的周緣部相面對地配置的環形狀的蓋構件，設在前述蓋構件的加熱器，是將前述蓋構件加熱；前述加熱器，是被內藏在前述蓋構件，沿著前述環形狀形成。
  10. 一種附著物除去方法，是基板處理裝置的附著物除去方法，該基板處理裝置，具備：將基板保持的基板保持部、及對於被保持在前述基板保持部的基板供給處理液的處理液供給部、及與被保持在前述基板保持部的基板的周緣部相面對地配置的環形狀的蓋構件，設在前述蓋構件的加熱器，是將前述蓋構件加熱；前述加熱器，是將前述蓋構件的內周面加熱。
  11. 一種記憶媒體，是記憶了供實行基板處理裝置的附著物除去方法用的程式，該基板處理裝置，具備：將基板保持的基板保持部、及對於被保持在前述基板保持部的基板供給處理液的處理液供給部、及與被保持在前述基板保持部的基板的周緣部相面對地配置的環形狀的蓋構件，前述附著物除去方法，是包含由設在前述蓋構件的加熱器將前述蓋構件加熱的步驟；前述加熱器，是被內藏在前述蓋構件，沿著前述環形狀形成。
  12. 一種記憶媒體，是記憶了供實行基板處理裝置的附著物除去方法用的程式，該基板處理裝置，具備：將基板保持的基板保持部、及對於被保持在前述基板保持部的基板供給處理液的處理液供給部、及與被保持在前述基板保持部的基板的周緣部相面對地配置的環形狀的蓋構件，前述附著物除去方法，是包含由設在前述蓋構件的加熱器將前述蓋構件加熱的步驟；前述加熱器，是將前述蓋構件的內周面加熱。
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