JPH10223740A - チャック洗浄を用いて基板上の粒子を減少させる方法 - Google Patents
チャック洗浄を用いて基板上の粒子を減少させる方法Info
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- JPH10223740A JPH10223740A JP2044698A JP2044698A JPH10223740A JP H10223740 A JPH10223740 A JP H10223740A JP 2044698 A JP2044698 A JP 2044698A JP 2044698 A JP2044698 A JP 2044698A JP H10223740 A JPH10223740 A JP H10223740A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハのような基板の裏面上の粒子数
を減少させ、リソグラフ処理等の後続処理における精度
および均一性を向上させる方法を提供する。 【解決手段】 レジスト・コータ，現像器，またはその
他の形態のスピン・コータのようなトラック・システム
（３０）内のチャック（１０）上に、半導体基板を配置
する。従来通りに基板に処理を行い、基板を取り外す。
次に、例えば、ＥＧＭＥＡまたはＰＧＭＥＡを用い、シ
ステムの供与ノズル（３８）を通じて溶剤を供与するこ
とによって、チャックを洗浄する。あるいは、少なくと
も部分的に溶剤（３９）で飽和したブラシ（３６）また
はスポンジをチャック全体にわたって移動させ、粒子を
除去する。チャックの洗浄は、各ウエハ間、各ウエハ・
ロット間に行うことができ、あるいは、シフトが行われ
る度、チャックに粒子が蓄積して洗浄が必要となる度の
ように、非周期的に行うこともできる。
を減少させ、リソグラフ処理等の後続処理における精度
および均一性を向上させる方法を提供する。 【解決手段】 レジスト・コータ，現像器，またはその
他の形態のスピン・コータのようなトラック・システム
（３０）内のチャック（１０）上に、半導体基板を配置
する。従来通りに基板に処理を行い、基板を取り外す。
次に、例えば、ＥＧＭＥＡまたはＰＧＭＥＡを用い、シ
ステムの供与ノズル（３８）を通じて溶剤を供与するこ
とによって、チャックを洗浄する。あるいは、少なくと
も部分的に溶剤（３９）で飽和したブラシ（３６）また
はスポンジをチャック全体にわたって移動させ、粒子を
除去する。チャックの洗浄は、各ウエハ間、各ウエハ・
ロット間に行うことができ、あるいは、シフトが行われ
る度、チャックに粒子が蓄積して洗浄が必要となる度の
ように、非周期的に行うこともできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、半導体
ウエハおよびフラット・パネル・ディスプレイのような
基板上の汚染粒子を減少させる方法に関するものであ
る。
ウエハおよびフラット・パネル・ディスプレイのような
基板上の汚染粒子を減少させる方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を形成する際、基板は、典型
的に、レジスト・コーティングや現像トラック(develop
ing track)を含む、多数の異なる機器によって処理され
る。基板が機器によって処理されるに連れて、機器のチ
ャックからの粒子が基板の裏面に蓄積する可能性があ
る。これらの粒子は、リソグラフィを含む後続の処理工
程、または撮像工程(imaging step)において問題を発生
する可能性がある。リソグラフィにおける焦点の深度は
重要である。基板の裏面の粒子は、真空状態にすると、
基板が焦点の深度を越えて反ってしまう原因となる可能
性がある。
的に、レジスト・コーティングや現像トラック(develop
ing track)を含む、多数の異なる機器によって処理され
る。基板が機器によって処理されるに連れて、機器のチ
ャックからの粒子が基板の裏面に蓄積する可能性があ
る。これらの粒子は、リソグラフィを含む後続の処理工
程、または撮像工程(imaging step)において問題を発生
する可能性がある。リソグラフィにおける焦点の深度は
重要である。基板の裏面の粒子は、真空状態にすると、
基板が焦点の深度を越えて反ってしまう原因となる可能
性がある。
【０００３】図１および図２を参照すると、上述の粒子
に関する問題をよりよく理解することができる。図１
は、チャック１０の平面図であり、トラック・システム
のような半導体基板処理機器において現在用いられてい
るものの典型である。チャック１０は、同心リング１２
の形状の複数の隆起部分，真空ポート１４，および複数
の窪んだ真空チャネル１６を含む。基板（図示せず）
は、チャック上、理想的には中央に配置され、真空ポー
ト１４を通じて真空状態に置かれる。区分された真空チ
ャネル１８が同心状の真空チャネル１６と接続し、単一
の集中真空ポート１４によって、真空は隣接する同心リ
ング群１２を引き付けることができる。一旦真空が加え
られると、基板は処理される。例えば、基板上にレジス
トを供与し、チャック上で回転させ、基板の前側全体を
被覆する。スピン・サイクルの間、レジストの粒子が発
生し、スピン・トラック・システムのスピナ・カップ(s
pinercup)内の空気流の乱れのために、ウエハ周辺の空
気中に漂い始める。これらの粒子は最終的にチャック上
に堆積し、特に基板をチャックから取り去り次の基板を
チャック上に配置する間に堆積する。
に関する問題をよりよく理解することができる。図１
は、チャック１０の平面図であり、トラック・システム
のような半導体基板処理機器において現在用いられてい
るものの典型である。チャック１０は、同心リング１２
の形状の複数の隆起部分，真空ポート１４，および複数
の窪んだ真空チャネル１６を含む。基板（図示せず）
は、チャック上、理想的には中央に配置され、真空ポー
ト１４を通じて真空状態に置かれる。区分された真空チ
ャネル１８が同心状の真空チャネル１６と接続し、単一
の集中真空ポート１４によって、真空は隣接する同心リ
ング群１２を引き付けることができる。一旦真空が加え
られると、基板は処理される。例えば、基板上にレジス
トを供与し、チャック上で回転させ、基板の前側全体を
被覆する。スピン・サイクルの間、レジストの粒子が発
生し、スピン・トラック・システムのスピナ・カップ(s
pinercup)内の空気流の乱れのために、ウエハ周辺の空
気中に漂い始める。これらの粒子は最終的にチャック上
に堆積し、特に基板をチャックから取り去り次の基板を
チャック上に配置する間に堆積する。
【０００４】図２は、図１に示すチャックをレジスト・
コータ(resist coater) に用いた場合の、半導体基板２
０の裏面における典型的な粒子の分布を表す。粒子２２
は、分離した粒子に対応し、チャック１０を用いた結果
として生じたものではなく、単に基板をチャック上に装
着している間に、結果的に基板の裏面に付着した(land)
粒子である。粒子２４は、チャックの外縁に対応し、粒
子２６はチャックの内部同心リング１２に対応する。
（図２では、チャック１０のサイズは、図１に示すもの
よりも小さいことを注記しておく。実際には、基板は、
当該基板を保持するチャックよりもかなり大きい場合も
あり得る。）図２から明らかなように、最も密度が高い
粒子分布は、チャックの隆起領域（すなわち、隆起部分
１２のように、基板と直接接触するチャックの部分であ
り、隣接する同心真空チャネル１６を分離する部分であ
る）に対応する。これらの領域では、一旦他のチャック
上に装着した基板の反りの激しさのために、粒子密度が
後続の処理において問題の原因となる可能性がある。
コータ(resist coater) に用いた場合の、半導体基板２
０の裏面における典型的な粒子の分布を表す。粒子２２
は、分離した粒子に対応し、チャック１０を用いた結果
として生じたものではなく、単に基板をチャック上に装
着している間に、結果的に基板の裏面に付着した(land)
粒子である。粒子２４は、チャックの外縁に対応し、粒
子２６はチャックの内部同心リング１２に対応する。
（図２では、チャック１０のサイズは、図１に示すもの
よりも小さいことを注記しておく。実際には、基板は、
当該基板を保持するチャックよりもかなり大きい場合も
あり得る。）図２から明らかなように、最も密度が高い
粒子分布は、チャックの隆起領域（すなわち、隆起部分
１２のように、基板と直接接触するチャックの部分であ
り、隣接する同心真空チャネル１６を分離する部分であ
る）に対応する。これらの領域では、一旦他のチャック
上に装着した基板の反りの激しさのために、粒子密度が
後続の処理において問題の原因となる可能性がある。
【０００５】この裏面粒子の問題を解決する従来技術の
試みの１つに、エッジ・クリーン・システム(edge bead
removal system)を用いるものがある。しかしながら、
エッジ・クリーン・システムは、典型的に、チャックに
よって基板上に取り込まれた粒子の除去は行わない。エ
ッジ・クリーン・プロセスでは、典型的に、溶剤を基板
の縁に注ぎ、基板の縁上またはその付近にあるレジスト
を除去する。エッジ・クリーン・プロセスの中には、溶
剤をエッジ付近の基板の裏面にも送り込むものがある。
しかしながら、溶剤を基板の裏面に送り込む場合、チャ
ックと接触する基板の裏面の領域、およびチャック周囲
と隣接する領域は、溶剤に露出することができず、した
がって清浄化されない。
試みの１つに、エッジ・クリーン・システム(edge bead
removal system)を用いるものがある。しかしながら、
エッジ・クリーン・システムは、典型的に、チャックに
よって基板上に取り込まれた粒子の除去は行わない。エ
ッジ・クリーン・プロセスでは、典型的に、溶剤を基板
の縁に注ぎ、基板の縁上またはその付近にあるレジスト
を除去する。エッジ・クリーン・プロセスの中には、溶
剤をエッジ付近の基板の裏面にも送り込むものがある。
しかしながら、溶剤を基板の裏面に送り込む場合、チャ
ックと接触する基板の裏面の領域、およびチャック周囲
と隣接する領域は、溶剤に露出することができず、した
がって清浄化されない。
【０００６】この問題を解決するための他の従来技術の
試みに、後続の処理工程において、チャックおよび基板
間の接触領域を不釣り合いにする、即ち、ずらすものが
ある。たとえば、レジスト・コータ内のチャックの接触
領域パターンは、ステッパ内のチャックの接触領域パタ
ーンとは異なるように作成する。レジスト・コーティン
グの結果として生じる基板の裏面上の粒子は、したがっ
て、ステッパにおいてチャックの真空チャネル内に入る
ように設計されている。しかしながら、光学検査方法で
さえも、後続の処理において用いられるチャックにとっ
て粒子の位置が「安全な」領域内にあるのか、あるいは
粒子の密度が容認可能であるのかを常に確認することは
できない。
試みに、後続の処理工程において、チャックおよび基板
間の接触領域を不釣り合いにする、即ち、ずらすものが
ある。たとえば、レジスト・コータ内のチャックの接触
領域パターンは、ステッパ内のチャックの接触領域パタ
ーンとは異なるように作成する。レジスト・コーティン
グの結果として生じる基板の裏面上の粒子は、したがっ
て、ステッパにおいてチャックの真空チャネル内に入る
ように設計されている。しかしながら、光学検査方法で
さえも、後続の処理において用いられるチャックにとっ
て粒子の位置が「安全な」領域内にあるのか、あるいは
粒子の密度が容認可能であるのかを常に確認することは
できない。
【０００７】この粒子問題を解決する更に他の試みに、
粒子が基板の裏面に取り込まれる処理工程に続く処理工
程において、ピン・チャック(pin chuck) を用いるもの
がある。ピン・チャックおよび基板間の表面接触量は減
少するが、ピン・チャックがウエハの裏面上の粒子と接
触する位置がなおもあり得る。時間の経過とともに、粒
子はピン上に蓄積する可能性があり、洗浄が必要とな
る。ピン・チャックの洗浄は、ピン数が多いために困難
である。また、ピンの洗浄は、ピンの平面性にも影響を
及ぼし、致命的な基板の焦点ずれに至る可能性がある。
粒子が基板の裏面に取り込まれる処理工程に続く処理工
程において、ピン・チャック(pin chuck) を用いるもの
がある。ピン・チャックおよび基板間の表面接触量は減
少するが、ピン・チャックがウエハの裏面上の粒子と接
触する位置がなおもあり得る。時間の経過とともに、粒
子はピン上に蓄積する可能性があり、洗浄が必要とな
る。ピン・チャックの洗浄は、ピン数が多いために困難
である。また、ピンの洗浄は、ピンの平面性にも影響を
及ぼし、致命的な基板の焦点ずれに至る可能性がある。
【０００８】基板の裏面上の粒子は、リソグラフィ以外
の、イオン注入やプラズマ・エッチング工程を含む処理
工程において、問題を発生する可能性がある。イオン注
入の場合、基板にドーパントを導入するために用いられ
るイオン・ビームによって、基板が加熱する。この熱は
レジストを網状化(reticulate)し、プラズマ・アッシュ
・レジスト・ストリップ(plasma ash resist strip) の
ような後続の工程の間にレジストを除去するのをほぼ不
可能にする。プラズマ・エッチング・チャンバ内では、
粒子はある基板から別の基板に移転する可能性がある。
結果的に、粒子は機器の外にも転移し、拡散炉のような
汚染に敏感な処理機器に侵入する。更に、基板上の裏面
粒子は、基板表面を横切る温度傾斜のために、非均一な
基板のエッチングを誘発する可能性がある。
の、イオン注入やプラズマ・エッチング工程を含む処理
工程において、問題を発生する可能性がある。イオン注
入の場合、基板にドーパントを導入するために用いられ
るイオン・ビームによって、基板が加熱する。この熱は
レジストを網状化(reticulate)し、プラズマ・アッシュ
・レジスト・ストリップ(plasma ash resist strip) の
ような後続の工程の間にレジストを除去するのをほぼ不
可能にする。プラズマ・エッチング・チャンバ内では、
粒子はある基板から別の基板に移転する可能性がある。
結果的に、粒子は機器の外にも転移し、拡散炉のような
汚染に敏感な処理機器に侵入する。更に、基板上の裏面
粒子は、基板表面を横切る温度傾斜のために、非均一な
基板のエッチングを誘発する可能性がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、特に、基
板上に液体を供与する場合に、チャックから基板の裏面
に取り込まれる粒子量を減少させることが必要とされて
いる。更に、粒子が基板上に永久的に残留する確率を低
下させることも必要とされており、２５以上のマスキン
グ工程を有する複雑度の高い処理フローについて、この
確率低下は特に必要とされている。
板上に液体を供与する場合に、チャックから基板の裏面
に取り込まれる粒子量を減少させることが必要とされて
いる。更に、粒子が基板上に永久的に残留する確率を低
下させることも必要とされており、２５以上のマスキン
グ工程を有する複雑度の高い処理フローについて、この
確率低下は特に必要とされている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】概して言えば、本発明
は、チャック洗浄プロセスを用いて、半導体ウエハまた
はフラット・パネル・ディスプレイのような基板の裏面
の粒子を減少させる方法である。トラック・システム
は、基板を処理するためのチャックを含む。トラック・
システム上で基板を処理する合間に、チャックの表面に
溶剤を加え、チャックの表面に接着している残留物を除
去する。チャック洗浄過程の後、例えば、スピニング(s
pinning)によってチャックを乾燥させ、新しい基板を処
理する。この過程は、レジスト・コーティング・トラッ
ク，レジスト現像トラック，スピン・オン・ガラス・コ
ータ，イオン・インプランタ，ステッパ，およびその他
の撮像システムを含む、異なるタイプの機器において使
用可能である。自動的にチャックを洗浄することによ
り、基板上の欠陥の原因となる粒子の量を減少させ、歩
留まりを高めるのに役立つ。処理は自動化されているの
で、追加のマンパワーに対する要求もない。更に、チャ
ック洗浄過程は、システムのスループットに悪影響を与
えることなく、製造プロセスに統合することができる。
は、チャック洗浄プロセスを用いて、半導体ウエハまた
はフラット・パネル・ディスプレイのような基板の裏面
の粒子を減少させる方法である。トラック・システム
は、基板を処理するためのチャックを含む。トラック・
システム上で基板を処理する合間に、チャックの表面に
溶剤を加え、チャックの表面に接着している残留物を除
去する。チャック洗浄過程の後、例えば、スピニング(s
pinning)によってチャックを乾燥させ、新しい基板を処
理する。この過程は、レジスト・コーティング・トラッ
ク，レジスト現像トラック，スピン・オン・ガラス・コ
ータ，イオン・インプランタ，ステッパ，およびその他
の撮像システムを含む、異なるタイプの機器において使
用可能である。自動的にチャックを洗浄することによ
り、基板上の欠陥の原因となる粒子の量を減少させ、歩
留まりを高めるのに役立つ。処理は自動化されているの
で、追加のマンパワーに対する要求もない。更に、チャ
ック洗浄過程は、システムのスループットに悪影響を与
えることなく、製造プロセスに統合することができる。
【００１１】これらおよびその他の特徴及び利点は、添
付する図３ないし図６と関連付けた以下の詳細な説明か
ら一層明確に理解されよう。なお、図は必ずしも同じ拡
縮率で描かれている訳ではなく、具体的に例示していな
い他の実施例も本発明には可能性があることを指摘する
のは重要である。更に、種々の図において同様の参照番
号を用い、同一の部分または対応する部分を示す場合も
ある。
付する図３ないし図６と関連付けた以下の詳細な説明か
ら一層明確に理解されよう。なお、図は必ずしも同じ拡
縮率で描かれている訳ではなく、具体的に例示していな
い他の実施例も本発明には可能性があることを指摘する
のは重要である。更に、種々の図において同様の参照番
号を用い、同一の部分または対応する部分を示す場合も
ある。
【００１２】
【発明の実施の形態】図３は、基板チャック１０を含
む、コーティング・トラック・システム３０の断面図の
例示を含む。基板チャック１０は、図１に示したものと
同様であり、真空ポート１４および真空チャネル１６に
沿って、隆起部分１２を含む。また、システム３０は、
一方側から他方側まで移動可能な供与アーム(dispense
arm)３２も有する。供与ノズル３４，ブラシ３６，およ
びエッジ・クリーン（ＥＢＲ：edge bead removal ）ノ
ズル３８が、供与アーム３２に取り付けられている。供
与ノズル３４によってレジスト材料を基板（図３には示
されていない）上に導入し、基板上にレジスト材料を被
覆することができる。また、システム３０は、アイドル
・バス３７も含み、このアイドル・バス３７は、供与ノ
ズル３４の端部またはブラシ３６の剛毛の間に残ってい
るあらゆる残留物質を溶解する際に用いる溶剤３９を有
する。ＥＢＲノズル３８は、ケトン，エーテル，アセテ
ート，脂肪族炭化水素(aliphatic hydrocarbon) ，また
はその他の有機溶剤のような溶剤を供与するために用い
られる。
む、コーティング・トラック・システム３０の断面図の
例示を含む。基板チャック１０は、図１に示したものと
同様であり、真空ポート１４および真空チャネル１６に
沿って、隆起部分１２を含む。また、システム３０は、
一方側から他方側まで移動可能な供与アーム(dispense
arm)３２も有する。供与ノズル３４，ブラシ３６，およ
びエッジ・クリーン（ＥＢＲ：edge bead removal ）ノ
ズル３８が、供与アーム３２に取り付けられている。供
与ノズル３４によってレジスト材料を基板（図３には示
されていない）上に導入し、基板上にレジスト材料を被
覆することができる。また、システム３０は、アイドル
・バス３７も含み、このアイドル・バス３７は、供与ノ
ズル３４の端部またはブラシ３６の剛毛の間に残ってい
るあらゆる残留物質を溶解する際に用いる溶剤３９を有
する。ＥＢＲノズル３８は、ケトン，エーテル，アセテ
ート，脂肪族炭化水素(aliphatic hydrocarbon) ，また
はその他の有機溶剤のような溶剤を供与するために用い
られる。
【００１３】図４は、コーティング・システム３０を用
いる際のプロセス・フロー・チャートを含む。ステップ
６０に示すように、基板をチャック１０上に位置付け
る。基板は、裏面粒子が製造プロセス上の問題となる、
多数の異なる基板材料の１つとすることができ、単結晶
半導体ウエハ，絶縁物上半導体基板，半導体素子を形成
するために用いられるその他の基板，フラット・パネル
・ディスプレイ，または、例えば、リソグラフィ工程に
おいて、基板の処理の間整合および平面性が重要となる
その他のタイプの基板を含む。基板をチャック上に位置
付けた後、真空状態とし、ステップ６２に示すように基
板上にレジスト層を被覆する。コーティングの後、真空
を解除し、ステップ６４において基板をチャックから取
り外す。
いる際のプロセス・フロー・チャートを含む。ステップ
６０に示すように、基板をチャック１０上に位置付け
る。基板は、裏面粒子が製造プロセス上の問題となる、
多数の異なる基板材料の１つとすることができ、単結晶
半導体ウエハ，絶縁物上半導体基板，半導体素子を形成
するために用いられるその他の基板，フラット・パネル
・ディスプレイ，または、例えば、リソグラフィ工程に
おいて、基板の処理の間整合および平面性が重要となる
その他のタイプの基板を含む。基板をチャック上に位置
付けた後、真空状態とし、ステップ６２に示すように基
板上にレジスト層を被覆する。コーティングの後、真空
を解除し、ステップ６４において基板をチャックから取
り外す。
【００１４】本発明の一実施例によれば、ステップ６６
においてチャックを洗浄し、チャックの表面上にあり、
ステップ６８の結果としてチャック上に次に装着される
基板と接触する可能性のある、あらゆる残留レジストを
除去する。ここでは洗浄プロセスに対するいくつかの処
理パラメータを提示するが、これらのパラメータは限定
を意味する訳ではなく、本発明を実施する際に使用可能
な多くのオプションのいくつかの例示に過ぎない。一実
施例では、洗浄を行う際に、チャック上に溶剤を供与
し、溶剤供与の間または後にチャックを回転させる。い
ずれの溶剤を供与する前にも、真空ポート１４を調節
し、真空ポートに正の圧力が加えられるようにして、真
空ポンプに損傷を与える可能性がある、真空ラインへの
溶剤物質のあらゆる逆流の可能性を低下させる。洗浄プ
ロセスの間、好ましくは、ＥＢＲノズル３８を通じてレ
ジスト溶剤を供与する。通常、ケトン，エーテル，アセ
テート，および脂肪族炭化水素族の溶剤，またはその他
の有機溶剤が、レジスト・コータの用途におけるチャッ
クの洗浄に用いて好適である。一特定実施例では、ＥＧ
ＭＥＡ（エチレン・ゴリコール・モノエチル・エーテル
・アセテート(ethyleneglycol monoethyl ether acetat
e) ）またはＰＧＭＥＡ（プロピレン・グリコール・モ
ノメチル・エーテル・アセテート(propylene glycol mo
nomethyl ether acetate) ）を供与してチャックの洗浄
を行う。これらは双方共、エッジ・クリーン・プロセス
において一般的に用いられる化学薬品である。あるい
は、エチル・ラクテート(etyle lactate) またはＥＥＰ
（２−メトキシ・プロピオナート(2-methoxy propionat
e)）を用いることもできる。
においてチャックを洗浄し、チャックの表面上にあり、
ステップ６８の結果としてチャック上に次に装着される
基板と接触する可能性のある、あらゆる残留レジストを
除去する。ここでは洗浄プロセスに対するいくつかの処
理パラメータを提示するが、これらのパラメータは限定
を意味する訳ではなく、本発明を実施する際に使用可能
な多くのオプションのいくつかの例示に過ぎない。一実
施例では、洗浄を行う際に、チャック上に溶剤を供与
し、溶剤供与の間または後にチャックを回転させる。い
ずれの溶剤を供与する前にも、真空ポート１４を調節
し、真空ポートに正の圧力が加えられるようにして、真
空ポンプに損傷を与える可能性がある、真空ラインへの
溶剤物質のあらゆる逆流の可能性を低下させる。洗浄プ
ロセスの間、好ましくは、ＥＢＲノズル３８を通じてレ
ジスト溶剤を供与する。通常、ケトン，エーテル，アセ
テート，および脂肪族炭化水素族の溶剤，またはその他
の有機溶剤が、レジスト・コータの用途におけるチャッ
クの洗浄に用いて好適である。一特定実施例では、ＥＧ
ＭＥＡ（エチレン・ゴリコール・モノエチル・エーテル
・アセテート(ethyleneglycol monoethyl ether acetat
e) ）またはＰＧＭＥＡ（プロピレン・グリコール・モ
ノメチル・エーテル・アセテート(propylene glycol mo
nomethyl ether acetate) ）を供与してチャックの洗浄
を行う。これらは双方共、エッジ・クリーン・プロセス
において一般的に用いられる化学薬品である。あるい
は、エチル・ラクテート(etyle lactate) またはＥＥＰ
（２−メトキシ・プロピオナート(2-methoxy propionat
e)）を用いることもできる。
【００１５】溶剤の供与は、多数の異なる方法で行うこ
とができる。一特定実施例では、溶剤の供与の間毎分約
５０ないし３００回転の範囲の速度でチャック１０を回
転させる。十分な体積の溶剤を供与した後、フローを終
了し、更に高い速度、例えば、毎分１０００回転を越え
る速度でチャックを回転させ、次の基板をチャック上に
配置する前に、チャックを乾燥させる。他のオプション
には、従来のパドル現像(paddle development)と同様
の、パドル・フローの使用が含まれる。例えば、十分な
溶剤がチャック上にあり、実際にチャック表面から溢れ
るように、溶剤をチャック１０上に流すことも可能であ
る。更に他の代替実施例では、スピン乾燥工程におい
て、チャックが乾燥する可能性を更に高める補助とする
ために乾燥ノズル（図３には示されていない）を用い
る。乾燥ノズルは、フィルタ処理した窒素，空気，また
はその他の比較的不活性なガスを流すことができる。追
加の乾燥を必要とする場合、乾燥ノズルは、高速回転処
理の間に、加熱空気または加熱窒素のような加熱ガスを
チャック１０に導入することも可能である。加熱ガス・
フローを用いる場合、レジスト・コートのような温度に
敏感なプロセスにおいてチャックを用いるのであれば、
チャックの温度を監視し、必要に応じて調節すべきであ
ろう。
とができる。一特定実施例では、溶剤の供与の間毎分約
５０ないし３００回転の範囲の速度でチャック１０を回
転させる。十分な体積の溶剤を供与した後、フローを終
了し、更に高い速度、例えば、毎分１０００回転を越え
る速度でチャックを回転させ、次の基板をチャック上に
配置する前に、チャックを乾燥させる。他のオプション
には、従来のパドル現像(paddle development)と同様
の、パドル・フローの使用が含まれる。例えば、十分な
溶剤がチャック上にあり、実際にチャック表面から溢れ
るように、溶剤をチャック１０上に流すことも可能であ
る。更に他の代替実施例では、スピン乾燥工程におい
て、チャックが乾燥する可能性を更に高める補助とする
ために乾燥ノズル（図３には示されていない）を用い
る。乾燥ノズルは、フィルタ処理した窒素，空気，また
はその他の比較的不活性なガスを流すことができる。追
加の乾燥を必要とする場合、乾燥ノズルは、高速回転処
理の間に、加熱空気または加熱窒素のような加熱ガスを
チャック１０に導入することも可能である。加熱ガス・
フローを用いる場合、レジスト・コートのような温度に
敏感なプロセスにおいてチャックを用いるのであれば、
チャックの温度を監視し、必要に応じて調節すべきであ
ろう。
【００１６】洗浄は、チャック１０上で各基板を処理す
る合間、または基板の各ロット（１ロットは、１３ない
し２５枚の基板のいずれでもよい）の間のように、より
周期的に使用することができる。更に、上述のようにＥ
ＢＲノズル３８を用いた場合には容易に溶解されない残
留物質は、例えば、危険ロット(critical lot)が発生す
る度または製造設備においてシフトがある度のように、
非周期的に、ブラシ３６を用いて除去することができ
る。ブラシ３６は、使用しない場合は、溶剤３９に浸け
ておく。ブラシ３６を用いることにより、溶融が困難な
残留物質や、基板自体の削られた部分のように、堅い粒
子を有する残留物質をチャックから取り除くのに役立て
るために、実際のブラッシングによる機械的動作を用い
ることができる。
る合間、または基板の各ロット（１ロットは、１３ない
し２５枚の基板のいずれでもよい）の間のように、より
周期的に使用することができる。更に、上述のようにＥ
ＢＲノズル３８を用いた場合には容易に溶解されない残
留物質は、例えば、危険ロット(critical lot)が発生す
る度または製造設備においてシフトがある度のように、
非周期的に、ブラシ３６を用いて除去することができ
る。ブラシ３６は、使用しない場合は、溶剤３９に浸け
ておく。ブラシ３６を用いることにより、溶融が困難な
残留物質や、基板自体の削られた部分のように、堅い粒
子を有する残留物質をチャックから取り除くのに役立て
るために、実際のブラッシングによる機械的動作を用い
ることができる。
【００１７】アイドル・バス３７内にブラシ３６を有す
ることに加えて、供与ノズル３４が溶剤３９の上に位置
し、ノズル３４が溶剤３９から上にある飽和蒸気内に位
置するように、システム３０を構成することが好まし
い。ＥＢＲノズル３８を通じて供与される液体および溶
剤３９は、同じ流体とすることができる。
ることに加えて、供与ノズル３４が溶剤３９の上に位置
し、ノズル３４が溶剤３９から上にある飽和蒸気内に位
置するように、システム３０を構成することが好まし
い。ＥＢＲノズル３８を通じて供与される液体および溶
剤３９は、同じ流体とすることができる。
【００１８】本発明を多種多様な他のタイプの処理工程
に適用するための多数の異なる実施例が存在する。これ
までの説明はレジスト・コーティング・システムに関連
付けて行ったが、本発明は、スピン・オン・ガラス（Ｓ
ＯＧ：spin-on glass ）のような他の物質や、液体また
はゾル−ゲル溶液として基板上に供与される他の物質の
コーティングにも拡張可能である。ＳＯＧのための特定
実施例では、ＥＢＲノズル３８は、フッ化水素酸や緩衝
酸化物エッチャントのような酸化物溶剤、またはＳＯＧ
を有するキャリア溶剤を流すように変更する。他の実施
例では、本発明は、現像トラック・システム(developin
g track system) において用いるために変更することが
できる。これについては、以下で更に述べる。現像トラ
ック・システムでは、ＥＢＲノズルは、現像液(develop
er solution)を流し、チャックに接着しているレジスト
材料を更に除去するのに役立てる。
に適用するための多数の異なる実施例が存在する。これ
までの説明はレジスト・コーティング・システムに関連
付けて行ったが、本発明は、スピン・オン・ガラス（Ｓ
ＯＧ：spin-on glass ）のような他の物質や、液体また
はゾル−ゲル溶液として基板上に供与される他の物質の
コーティングにも拡張可能である。ＳＯＧのための特定
実施例では、ＥＢＲノズル３８は、フッ化水素酸や緩衝
酸化物エッチャントのような酸化物溶剤、またはＳＯＧ
を有するキャリア溶剤を流すように変更する。他の実施
例では、本発明は、現像トラック・システム(developin
g track system) において用いるために変更することが
できる。これについては、以下で更に述べる。現像トラ
ック・システムでは、ＥＢＲノズルは、現像液(develop
er solution)を流し、チャックに接着しているレジスト
材料を更に除去するのに役立てる。
【００１９】更に、本発明は、チャックを有する他の機
器にも拡張可能である。これらは、ステッパや投射露光
装置(projection aligner)のようなリソグラフ・システ
ム，スピン・コータ（例えば、基板にＳＯＧを被覆する
際に用いるような），およびプラズマ・エッチング・シ
ステム，またはイオン注入システムさえも含む。リソグ
ラフ・システムの場合、本発明の装置は、当該システム
内でパターンを規定するために用いられる光学系に洗浄
溶剤が達するのを防止するために、多少変更する必要が
ある場合もある。しかしながら、光学系に到達する前に
溶剤の蒸気がシステムから枯渇するようにシステムを変
更し、チャック洗浄部分をシステムの残りから遮蔽し、
溶剤が光学レンズに接近する可能性を低下させることに
より、これらの問題を解決することが可能である。
器にも拡張可能である。これらは、ステッパや投射露光
装置(projection aligner)のようなリソグラフ・システ
ム，スピン・コータ（例えば、基板にＳＯＧを被覆する
際に用いるような），およびプラズマ・エッチング・シ
ステム，またはイオン注入システムさえも含む。リソグ
ラフ・システムの場合、本発明の装置は、当該システム
内でパターンを規定するために用いられる光学系に洗浄
溶剤が達するのを防止するために、多少変更する必要が
ある場合もある。しかしながら、光学系に到達する前に
溶剤の蒸気がシステムから枯渇するようにシステムを変
更し、チャック洗浄部分をシステムの残りから遮蔽し、
溶剤が光学レンズに接近する可能性を低下させることに
より、これらの問題を解決することが可能である。
【００２０】ブラシ３６は、スポンジ、またはチャック
の表面を擦るのに用いることができるその他の物体と交
換することができる。ブラシ，スポンジ，またはその他
の物体は、ＥＢＲノズル３８から放出される溶剤あるい
はアイドル・バス３７内の溶剤のいずれにも溶解しない
物質で作らなければならない。更に、機械的な洗浄によ
って物質が磨耗するので、ブラシまたはスポンジは、あ
る程度機械的な摩擦には強くなければならない。また、
物質は、損傷やひっかき傷を与えたり、あるいはチャッ
クの形状即ちトポグラフィ(topography)を変化させない
ようなものでなければならない。
の表面を擦るのに用いることができるその他の物体と交
換することができる。ブラシ，スポンジ，またはその他
の物体は、ＥＢＲノズル３８から放出される溶剤あるい
はアイドル・バス３７内の溶剤のいずれにも溶解しない
物質で作らなければならない。更に、機械的な洗浄によ
って物質が磨耗するので、ブラシまたはスポンジは、あ
る程度機械的な摩擦には強くなければならない。また、
物質は、損傷やひっかき傷を与えたり、あるいはチャッ
クの形状即ちトポグラフィ(topography)を変化させない
ようなものでなければならない。
【００２１】図５は、現像トラック・システムにおいて
用いられるシステム５０を含む。チャック１０が回転し
て、基板からチャックに移転したあらゆる残留レジスト
を露光する際に、光ファイバ・ケーブル４２がチャック
１０の表面を走査する。光ファイバ・ケーブル４２を用
いた露光に続いて、現像液、通常、ヒドロキシル基を有
する塩基(base)をチャック１０上に導入し、露光された
レジストを除去する。光ファイバ・ケーブル４２の利点
の１つは、レジスト材料を露光するために用いる特定の
波長に、光ファイバ・ケーブルから放出される光線の周
波数を調整可能であることである。例えば、レジスト材
料がフォトレジストである場合、光ファイバ・ケーブル
内で光が用いられる。紫外線レジストを用いる場合、光
ファイバ・ケーブルは紫外線光線を放出する。光ファイ
バ・システムは、レジスト・コーティング・システムに
も用いることができる。
用いられるシステム５０を含む。チャック１０が回転し
て、基板からチャックに移転したあらゆる残留レジスト
を露光する際に、光ファイバ・ケーブル４２がチャック
１０の表面を走査する。光ファイバ・ケーブル４２を用
いた露光に続いて、現像液、通常、ヒドロキシル基を有
する塩基(base)をチャック１０上に導入し、露光された
レジストを除去する。光ファイバ・ケーブル４２の利点
の１つは、レジスト材料を露光するために用いる特定の
波長に、光ファイバ・ケーブルから放出される光線の周
波数を調整可能であることである。例えば、レジスト材
料がフォトレジストである場合、光ファイバ・ケーブル
内で光が用いられる。紫外線レジストを用いる場合、光
ファイバ・ケーブルは紫外線光線を放出する。光ファイ
バ・システムは、レジスト・コーティング・システムに
も用いることができる。
【００２２】更に他の実施例では、図６に示すように、
溢れ露光システム(flood exposingsystem) を用いるこ
とも可能である。レジスト・コーティング・システム５
０は、下側部分５１２および上側部分５１４を有するス
ピンナ・カップ(spinner cup) ５１を含む。これら２部
分は、フランジ５１５において互いに固定されている。
上側部分５１４の最上部付近にリム５１６がある。レジ
スト・コーティング・システム５０は、放射装置５２を
含み、リム５１６においてスピンナ・カップ５１に取り
付けられている。放射装置５２は、放射源５０２および
反射器５０４を含む。放射源５０２は、レジストを露光
する際に用いられる放射光線の波長と一致するように選
択される。フォトレジストでは、放射源５０２は電球ま
たは水銀灯と同じぐらい単純なものでも可能である。紫
外線レジストを用いる場合、放射源は紫外線放射源とす
べきである。この特定実施例は、スピンナ・カップ内で
レジストを露光するのに有用である。即ち、スピンナ・
カップ５１は、典型的に、テフロンのように、白い半透
明の物質で作られる。放射源５２０からの放射光線は、
スピンナ・カップ５１の壁で反射し、カップの壁の全表
面に反射され、こうしなければレジストが蓄積するスピ
ンナ・カップの部分を露光する。露光に続いて、放射装
置５２を除去し、現像用溶剤を備えた供与アームは、チ
ャックに自由にスプレーし、スピンナ・カップ５１の壁
からレジストを除去するように位置付けられる。これに
よって、スピンナ・カップ内のレジストの蓄積は、従来
技術の方法に比較して、比較的低く保つことが可能とな
る。
溢れ露光システム(flood exposingsystem) を用いるこ
とも可能である。レジスト・コーティング・システム５
０は、下側部分５１２および上側部分５１４を有するス
ピンナ・カップ(spinner cup) ５１を含む。これら２部
分は、フランジ５１５において互いに固定されている。
上側部分５１４の最上部付近にリム５１６がある。レジ
スト・コーティング・システム５０は、放射装置５２を
含み、リム５１６においてスピンナ・カップ５１に取り
付けられている。放射装置５２は、放射源５０２および
反射器５０４を含む。放射源５０２は、レジストを露光
する際に用いられる放射光線の波長と一致するように選
択される。フォトレジストでは、放射源５０２は電球ま
たは水銀灯と同じぐらい単純なものでも可能である。紫
外線レジストを用いる場合、放射源は紫外線放射源とす
べきである。この特定実施例は、スピンナ・カップ内で
レジストを露光するのに有用である。即ち、スピンナ・
カップ５１は、典型的に、テフロンのように、白い半透
明の物質で作られる。放射源５２０からの放射光線は、
スピンナ・カップ５１の壁で反射し、カップの壁の全表
面に反射され、こうしなければレジストが蓄積するスピ
ンナ・カップの部分を露光する。露光に続いて、放射装
置５２を除去し、現像用溶剤を備えた供与アームは、チ
ャックに自由にスプレーし、スピンナ・カップ５１の壁
からレジストを除去するように位置付けられる。これに
よって、スピンナ・カップ内のレジストの蓄積は、従来
技術の方法に比較して、比較的低く保つことが可能とな
る。
【００２３】本発明は、基板の裏面にある粒子を減少さ
せる従来技術の方法に対して多くの利点を有する。ま
ず、チャックは適度に清浄に保たれ、残留する汚染物が
チャックから基板の裏面に移転する可能性を低下させ
る。本発明を実施することにより、特に大きな基板（例
えば、直径が３００ミリメートル以上のウエハ）および
臨界寸法が０．２５μｍ以下の基板に対して、リソグラ
フ工程におけるプロセス・マージンの増大、および汚染
の危険性低下が期待される。本発明の実施例の他の利点
は、基板を処理する際に追加のオーバーヘッドを生ずる
ことなく、プロセス・フローに統合されることである。
例えば、チャック洗浄工程は、レジスト層またはＳＯＧ
層にソフト・ベーク(soft-bake) を行う際に用いられる
加熱板上に基板がある間に行うことができる。ソフト・
ベーク工程は、通常、コーティングの間に層内にある溶
剤の幾分かを追い出すために行われる。典型的に、ソフ
ト・ベークは、コーティング・トラック・システムに対
するスループットを制限するものである。本発明のチャ
ック洗浄工程は、ソフト・ベークが行われている間に進
められるように統合する。
せる従来技術の方法に対して多くの利点を有する。ま
ず、チャックは適度に清浄に保たれ、残留する汚染物が
チャックから基板の裏面に移転する可能性を低下させ
る。本発明を実施することにより、特に大きな基板（例
えば、直径が３００ミリメートル以上のウエハ）および
臨界寸法が０．２５μｍ以下の基板に対して、リソグラ
フ工程におけるプロセス・マージンの増大、および汚染
の危険性低下が期待される。本発明の実施例の他の利点
は、基板を処理する際に追加のオーバーヘッドを生ずる
ことなく、プロセス・フローに統合されることである。
例えば、チャック洗浄工程は、レジスト層またはＳＯＧ
層にソフト・ベーク(soft-bake) を行う際に用いられる
加熱板上に基板がある間に行うことができる。ソフト・
ベーク工程は、通常、コーティングの間に層内にある溶
剤の幾分かを追い出すために行われる。典型的に、ソフ
ト・ベークは、コーティング・トラック・システムに対
するスループットを制限するものである。本発明のチャ
ック洗浄工程は、ソフト・ベークが行われている間に進
められるように統合する。
【００２４】本発明の実施例の他の利点は、特殊なまた
は特異な物質の処理方法を使用する必要がないことであ
る。例えば、被覆された物質の溶剤がスピンナ・カップ
に導入されるように、コーティング・トラックを変更す
ることができる。レジストの場合、典型的に、溶剤がい
ずれかの方法でＥＢＲのために用いられる。したがっ
て、追加の配管工事や、現在は未だトラック・システム
に供給されていない新しい化学薬品は必要でない。本発
明の他の利点は、マ−ジン処理工程(marginal processi
ng step)を組み込む必要なく、本発明を実施可能である
ことである。処理は基板間で行われるので、プロセス・
パラメータは、用いる機器に対して最良に作用するよう
に、特定のプロセスに対して個々に決定することができ
る。本発明の実施例は、基板上に誘発される欠陥量を減
らすことにより、歩留まりを向上させるのに役立つであ
ろう。前述の洗浄方法は、個々の基板間、基板のロット
間で、シフト変更時に、またはチャックの洗浄が合理的
に必要となった他の時点において、洗浄過程のいくつか
または全てを行うように実施することができる。洗浄
は、システムによって行われ、人の介入は不要である。
は特異な物質の処理方法を使用する必要がないことであ
る。例えば、被覆された物質の溶剤がスピンナ・カップ
に導入されるように、コーティング・トラックを変更す
ることができる。レジストの場合、典型的に、溶剤がい
ずれかの方法でＥＢＲのために用いられる。したがっ
て、追加の配管工事や、現在は未だトラック・システム
に供給されていない新しい化学薬品は必要でない。本発
明の他の利点は、マ−ジン処理工程(marginal processi
ng step)を組み込む必要なく、本発明を実施可能である
ことである。処理は基板間で行われるので、プロセス・
パラメータは、用いる機器に対して最良に作用するよう
に、特定のプロセスに対して個々に決定することができ
る。本発明の実施例は、基板上に誘発される欠陥量を減
らすことにより、歩留まりを向上させるのに役立つであ
ろう。前述の洗浄方法は、個々の基板間、基板のロット
間で、シフト変更時に、またはチャックの洗浄が合理的
に必要となった他の時点において、洗浄過程のいくつか
または全てを行うように実施することができる。洗浄
は、システムによって行われ、人の介入は不要である。
【００２５】以上の説明から、本発明によれば、チャッ
クの洗浄を利用し基板から粒子を減少させる方法が提供
され、前述の必要性を完全に満たししかも利点が得られ
ることは明白である。本発明は、その特定実施例を参照
しながら説明しかつ図示したが、本発明はこれらの例示
的実施例に限定されることを意図する訳ではない。本発
明の精神から逸脱することなく、変更や改造が可能であ
ることを、当業者は認めよう。例えば、本発明は、チャ
ックを洗浄するために特に述べた特定の溶剤または化学
薬品に限定される訳ではない。加えて、本発明は、ここ
に記載した半導体素子のための特定のスピン・コーティ
ング・プロセスに限定されるものでもない。例えば、本
発明は、周期的にチャックを洗浄することが有利な、ス
ピン・コーティング・プロセスであればいずれにおいて
も使用可能である。また、本発明は、ここで述べた特定
のコーティング材には決して限定されないことを注記す
るのも重要である。ポリイミドなどを含む他のポリマ
も、本発明によるチャックを用いて被覆することが可能
である。更にまた、本発明は、基板のためのコーティン
グ・プロセスにも限定されない。残留膜または堆積物が
チャック表面上に形成する場合、基板洗浄プロセスも、
本発明から恩恵を得ることができる。したがって、本発
明は、かかる改造や変更の内、特許請求の範囲に該当す
るものを全て含むことを意図するものである。
クの洗浄を利用し基板から粒子を減少させる方法が提供
され、前述の必要性を完全に満たししかも利点が得られ
ることは明白である。本発明は、その特定実施例を参照
しながら説明しかつ図示したが、本発明はこれらの例示
的実施例に限定されることを意図する訳ではない。本発
明の精神から逸脱することなく、変更や改造が可能であ
ることを、当業者は認めよう。例えば、本発明は、チャ
ックを洗浄するために特に述べた特定の溶剤または化学
薬品に限定される訳ではない。加えて、本発明は、ここ
に記載した半導体素子のための特定のスピン・コーティ
ング・プロセスに限定されるものでもない。例えば、本
発明は、周期的にチャックを洗浄することが有利な、ス
ピン・コーティング・プロセスであればいずれにおいて
も使用可能である。また、本発明は、ここで述べた特定
のコーティング材には決して限定されないことを注記す
るのも重要である。ポリイミドなどを含む他のポリマ
も、本発明によるチャックを用いて被覆することが可能
である。更にまた、本発明は、基板のためのコーティン
グ・プロセスにも限定されない。残留膜または堆積物が
チャック表面上に形成する場合、基板洗浄プロセスも、
本発明から恩恵を得ることができる。したがって、本発
明は、かかる改造や変更の内、特許請求の範囲に該当す
るものを全て含むことを意図するものである。
【図１】レジストまたは現像剤を供与するためのスピン
・トラックに用いられている従来技術のチャックを示す
平面図。
・トラックに用いられている従来技術のチャックを示す
平面図。
【図２】図１のチャックから移転した汚染物によって生
じた粒子を示す基板の底面図。
じた粒子を示す基板の底面図。
【図３】チャック、および本発明の一実施例ににしたが
ってチャックを洗浄するために用いられる機構を含むス
ピン・トラック・システムの一部を示す断面図。
ってチャックを洗浄するために用いられる機構を含むス
ピン・トラック・システムの一部を示す断面図。
【図４】本発明の実施例によるプロセス・フロー・チャ
ート。
ート。
【図５】本発明の他の実施例による光ファイバ・ケーブ
ルを用いるスピン・トラックを示す断面図。
ルを用いるスピン・トラックを示す断面図。
【図６】本発明の他の実施例にしたがって、チャックお
よびスピナ・カップの壁の双方の溢れ露光(flood expos
ure)が放射源に露光される、レジスト・コーティングに
用いられるスピナ・カップの一部を示す断面図。
よびスピナ・カップの壁の双方の溢れ露光(flood expos
ure)が放射源に露光される、レジスト・コーティングに
用いられるスピナ・カップの一部を示す断面図。
１０ 基板チャック １２ 隆起部分 １４ 真空ポート １６ 真空チャネル ３０ コーティング・トラック・システム ３２ 供与アーム ３４ 供与ノズル ３６ ブラシ ３７ アイドル・バス ３８ エッジ・クリーン・ノズル ３９ 溶剤 ４２ 光ファイバ・ケーブル ５０ システム ５１ スピンナ・カップ ５２ 放射装置 ５０２ 放射源 ５０４ 反射器 ５１５ フランジ ５１６ リム
Claims (4)
- 【請求項１】基板上の粒子を減少させる方法であって：
チャックおよびチャック洗浄素子を有する１台の製造機
器を用意する段階；第１基板を用意する段階；前記第１
基板を前記チャック上に位置付ける段階；前記第１基板
を前記チャック上に位置付けた状態で、前記１台の製造
機器を用いて、前記第１基板上で製造処理を行う段階；
前記第１基板を前記チャックから取り外す段階；前記チ
ャック洗浄素子を用いて前記チャックを洗浄する段階；
第２基板を用意する段階；および前記第２基板を前記チ
ャック上に位置付ける段階；から成ることを特徴とする
方法。 - 【請求項２】基板上の粒子を減少させる方法であって：
表面を有する第１半導体基板を用意する段階；半導体基
板製造処理とともに用いる基板処理システムであって、
チャックとチャック・クリーナとを含む前記基板処理シ
ステムを用意する段階；前記チャック上に前記第１半導
体基板を位置付け、前記第１半導体基板の前記表面を前
記チャックと接触させる段階；前記第１半導体基板の前
記表面を前記チャックと接触させた状態で、前記第１半
導体基板に前記半導体基板製造処理を行う段階；前記第
１半導体基板を前記チャックから取り外す段階；前記基
板処理システムを用いて、前記チャック・クリーナによ
って前記チャックを洗浄する段階；第２半導体基板を用
意する段階；および前記第２半導体基板を前記チャック
上に位置付ける段階；から成ることを特徴とする方法。 - 【請求項３】基板上の粒子を減少させる方法であって：
第１半導体基板を用意する段階；真空ポートを備えたコ
ータ・チャックを有し、かつコータ・チャック洗浄素子
を有するレジスト・コータを用意する段階；前記第１半
導体基板を前記コータ・チャック上に位置付ける段階；
前記コータ・チャックの真空ポートを通じて、前記第１
半導体基板を真空にする段階；前記第１半導体基板にレ
ジスト層を被覆する段階；真空を解除し、前記第１半導
体基板を前記コータ・チャックから取り外す段階；前記
コータ・チャック洗浄素子を用いて、前記コータ・チャ
ックを洗浄する段階；第２半導体基板を用意する段階；
および前記第２半導体基板を前記コータ・チャック上に
位置付け、前記第２半導体基板にレジストを被覆する段
階；から成ることを特徴とする方法。 - 【請求項４】基板上の粒子を減少させる方法であって：
レジスト層が形成された第１半導体基板を用意する段
階；前記レジスト層の部分を選択的に光線に露光させ、
前記レジスト層にパターンを形成する段階；真空ポート
を備えたチャックを有し、かつチャック洗浄素子を有す
るレジスト現像器を用意する段階；前記第１半導体基板
を前記チャック上に位置付ける段階；前記チャックの真
空ポートを通じて、前記第１半導体基板を真空にする段
階；前記第１半導体基板上の前記レジスト層内のパター
ンを現像する段階；真空を解除し、前記第１半導体基板
を前記チャックから取り外す段階；前記チャック洗浄素
子を用いて、前記チャックを洗浄する段階；第２半導体
基板を用意する段階；および前記第２半導体基板を前記
チャック上に位置付け、前記第２半導体基板上のレジス
トを現像する段階；から成ることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/791,970 US5966635A (en) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | Method for reducing particles on a substrate using chuck cleaning |
| US791970 | 1997-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223740A true JPH10223740A (ja) | 1998-08-21 |
| JP4583515B2 JP4583515B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=25155404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2044698A Expired - Fee Related JP4583515B2 (ja) | 1997-01-31 | 1998-01-14 | チャック洗浄を用いて基板上の粒子を減少させる方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5966635A (ja) |
| JP (1) | JP4583515B2 (ja) |
| KR (1) | KR100467123B1 (ja) |
| TW (1) | TW412782B (ja) |
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| US8472004B2 (en) | 2006-01-18 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Immersion photolithography scanner |
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| JP2021044371A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社ディスコ | 保持面の異物検出方法 |
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- 1998-01-14 JP JP2044698A patent/JP4583515B2/ja not_active Expired - Fee Related
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