KR100467123B1 - 척세척을이용한기판상의입자저감방법 - Google Patents

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KR100467123B1 KR10-1998-0002614A KR19980002614A KR100467123B1 KR 100467123 B1 KR100467123 B1 KR 100467123B1 KR 19980002614 A KR19980002614 A KR 19980002614A KR 100467123 B1 KR100467123 B1 KR 100467123B1
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더블유. 마크 히아트
카알 에머슨 마우츠
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프리스케일 세미컨덕터, 인크.
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Abstract

리소그래피 작업들을 포함한, 후속되는 작업들에서 정밀성과 균일성을 개선하기 위해, 본 발명에 의해 반도체 웨이퍼나 평판 패널 디스플레이와 같은 기판의 이면으로부터 입자들의 수들과 농도들이 저감된다. 반도체 기판은 레지스트 코터, 현상제, 또는 다른 형태의 스핀 코터와 같은 트랙 시스템(30)의 척(10)상에 배치된다. 기판은 종래 관례에 따라 처리된 후에 제거된다. 다음에, 척은 시스템의 분사노즐(38)을 통해 예컨대 EGMEA 또는 PGMEA을 사용하여 용매를 분사시킴으로써 세척된다. 대안적으로 또는 부가적으로, 용매(39)에 의해 적어도 부분적으로 포화된 브러시(36) 또는 스폰지가 입자의 제거를 위해 척을 가로질러 이동된다. 척 세척은 모든 웨이퍼 사이에서, 모든 웨이퍼 군 사이에서, 또는 보다 짧은 주기로, 예컨대 척 입자가 쌓이는 것처럼 시프트들 사이에서 행해질 수 있다.

Description

척 세척을 이용한 기판상의 입자 저감 방법
본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼들 및 평면 패널들의 디스플레이들과 같은 기판들 상의 오염 물질 입자들을 저감시키기 위한 방법들에 관한 것이다.
반도체 디바이스들을 형성할 때에, 일반적으로 기판들은 레지스트 코팅 및 현상 트랙들을 포함해서 다수의 상이한 장치들(a number of different pieces of equipment)을 통해 처리된다. 기판들이 장치를 통해 처리됨에 따라, 장치 척(chuck)들로부터의 입자들이 기판들의 이면들에 쌓일 수 있다. 이들 입자들은 리소그래피 또는 다른 이미징 단계들을 포함해서, 후속되는 처리 단계들에서 문제들을 일으킬 수 있다. 리소그래피에서 초점의 깊이는 중요하다. 기판의 이면 상의 입자들은 진공이 제공됨에 따라 초점의 깊이를 이탈하여 기판을 만곡(bow)시킬 수 있다.
위의 입자 문제를 보다 잘 이해하기 위해서는 도 1 및 도 2를 참조할 수 있다. 도 1은 트랙 시스템들과 같은 반도체 기판 처리 장치에 현재 사용되고 있는 것을 대표하는 척(10)의 평면도이다. 척(10)은 동심 링들(12)의 형태인 복수의 상승부들, 진공 포트(14), 및 홈이 형성된 복수의 진공 채널들(16)을 포함하고 있다. 기판(도시되지 않음)은 척 상에 위치되는데, 이상적으로는 그 척의 중심에 위치되며, 진공이 진공 포트(14)를 통해 제공된다. 분할된 진공 채널(18)들은 동심 진공 채널(16)들을 연결시키고, 중심에 위치된 단일 진공 포트(14)에 의해 인접 동심 링들(12)로 진공을 제공할 수 있다. 진공이 일단 제공되면, 기판이 처리된다. 예컨대, 기판의 앞면을 완전하게 코팅하기 위해 레지스트가 기판 상에 분배되고 척 상에 스핀 처리된다. 스핀 사이클 동안에, 스핀 트랙 시스템의 스피너 컵(spinner cup)내의 난기류로 인해 레지스트의 입자들이 발생되어 웨이퍼 주위의 공중에 떠 있는다. 결국 이들 입자는, 특히 척으로부터 기판을 제거하는 과정과 척에 다음 기판을 위치시키는 과정 사이의 기간 동안에 척에 쌓이게 된다.
도 2에는 레지스트 코터(coater)에 도 1에 예시된 척을 사용할 때의 반도체 기판(20)의 이면에서의 일반적인 입자 분포가 예시되어 있다. 입자(22)들은 척(10)의 사용의 결과로써 도입된 것이 아니고 단지 척 상에 기판이 장착되는 중에 기판의 이면에 놓인 입자들의 결과인 격리된 입자들에 대응한다. 입자(24)들은 척의 바깥쪽 에지(edge)와 대응되고, 입자(26)들은 척의 안쪽 동심 링들(12)과 대응된다(도 2에서 척(10)의 크기는 도 1에 예시된 것보다 작음에 주목하자. 실제로, 기판은 이 기판을 고정시키는 척보다 조금 클 것으로 생각된다.). 도 2로부터 명백한 바와 같이, 가장 밀집한 입자 분포는 척의 상승 영역들(즉, 인접해 있는 동심 진공 채널들(16)을 분리시키는 상승부들(12)과 같이, 기판과 직접 접촉해 있는 척의 이러한 부분들)에 대응된다. 이러한 영역들에서, 입자 밀도는 다른 척 상에 일단 장착된 기판의 심한 만곡으로 인해 후속되는 처리 문제들을 일으킬 수 있을 것이다.
이면 입자들의 문제를 해결하기 위한 종래의 한가지 시도에서는 에지 비드(bead) 제거 시스템을 이용한다. 하지만, 에지 비드 제거는 일반적으로 척에 의해 기판에 도입된 입자들을 제거해 주지 못한다. 에지 비드 제거 공정들에서는, 일반적으로 용매가 기판의 에지에 제공되어 기판의 에지 또는 에지 주위에 있는 레지스트를 제거한다. 어떤 에지 비드 제거 공정들에서는, 용매가 또한 에지 주위의 기판의 이면으로 제공된다. 하지만, 기판 이면에 용매를 제공할 때, 척과 접촉해 있는 기판의 이면 영역과 척의 바로 주위에 있는 영역은 용매에 노출될 수 없으며, 따라서 세척되지 않는다.
문제를 해결하기 위한 다른 종래 시도는 후속되는 처리 단계들에서 척과 기판 사이의 접촉 영역들을 불일치시키거나 오프셋(offset)을 설정하는 것이다. 예컨대, 레지스트 코터의 척 접촉 영역 패턴은 스텝퍼(stepper)의 척 접촉 영역 패턴과 상이하도록 만들어진다. 따라서, 레지스트 코팅의 결과로 얻어진 기판의 이면 상의 입자들은 스텝퍼에서 척의 진공 채널들 내에 놓이도록 설계된다. 하지만, 균일 광 검사법(even optical inspection methods)은 입자들의 위치 결정이 후속되는 처리에 사용되는 척들의 "안전" 영역 내에 있는지 또는 입자들의 밀도가 받아들일 수 있는 것인지를 항상 확신할 수 없다.
입자 문제를 해결하고자 한 또 다른 시도는 입자들이 기판의 이면에 도입되는 처리 단계에 후속되는 처리 단계들에 핀 척들을 사용하는 것이다. 핀 척과 기판사이의 표면 접촉량은 줄어들지만, 핀 척이 웨이퍼의 이면 상의 입자와 접촉하는 위치는 여전히 존재할 수 있다. 시간이 지남에 따라 핀들의 위에 입자들이 쌓일 수 있고 따라서 세척을 필요로 한다. 핀 척의 세척은 핀들의 개수로 인해 어려움이 따른다. 핀들의 세척은 또한 핀의 평면성에 영향을 미칠 수 있으며, 따라서 중요한 기판 초점 시프트들이 유발될 수 있다.
기판의 이면 상의 입자들은 이온 주입 단계 및 플라즈마 에칭 단계들을 포함해서, 리소그래피 이외의 처리 단계들에서 문제들을 일으킬 수 있다. 이온 주입의 경우에, 기판은 이 기판에 도펀트를 도입하는데 사용되는 이온 빔에 의해 가열된다. 이 가열은 거의 불가능한 플라즈마 애쉬(ash) 레지스트 스트립과 같이, 레지스트를 망사화하고(reticulate) 후속되는 단계들에서 레지스트를 제거할 수 있다. 플라즈마 에칭 챔버 내에서, 입자들은 한 기판에서 다른 기판으로 전달될 수 있다. 결국, 입자들은 장치로부터 전달되어 확산 노(diffusion furnace)와 같이 오염 물질에 민감한 처리 장치에 놓이게 된다. 또한, 기판 상의 이면 입자들은 기판 표면들에서의 온도 경사들로 인해 기판의 비균일 에칭을 일으킬 수도 있다.
그러므로, 특히 액체가 기판에 분배될 때, 척으로부터 기판의 이면에 도입된 입자들의 양을 저감할 필요가 있다. 또한, 특히 25개 이상의 마스킹 단계들을 가지고 있는 보다 복잡한 공정 흐름들에 있어서, 입자들이 기판 상에 영구적으로 잔류하게 될 가능성을 저감할 필요가 있다.
일반적으로, 본 발명은 척 세척 공정을 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 평판 패널 디스플레이와 같은 기판의 이면 상의 입자를 저감하기 위한 방법이다. 트랙 시스템은 기판들을 처리하기 위한 척을 포함하고 있다. 트랙 시스템 상의 기판들을 처리하는 중에, 용매가 척의 표면에 제공되어 척의 표면에 부착된 잔류 물질을 제거한다. 척 세척 절차 후에, 척은 예컨대 회전에 의해 건조되고 새로운 기판이 처리된다. 이 절차는 레지스트 코팅 트랙들, 레지스트 현상 트랙들, 스핀 온 글래스 코터(spin-on glass coater)들, 이온 주입기들, 스텝퍼들, 및 기타 다른 이미징 시스템들을 포함해서, 상이한 종류들의 장치에서 사용될 수 있다. 척을 자동적으로 세척함으로써, 기판 상에 결함이 생기게 하는 입자들의 양이 감소되어 산출량이 개선되는데 도움이 된다. 작업은 자동적이기 때문에, 추가적인 인적 자원이 필요가 없다. 또한, 척 세척 절차는 시스템들의 처리량에 악영향을 주지 않고 제조 공정에 일체화될 수 있다.
이들 및 다른 특징들, 및 이점들은 첨부된 도 3 내지 도 6과 더불어 행해진 이하의 상세한 설명으로부터 보다 명확하게 이해될 것이다. 예시들은 반드시 실제적인 것이 아니며, 그리고 명확하게 예시되지 않은 본 발명의 기타 실시예들이 존재할 수 있음을 지적하는 것이 중요하다. 또한, 동일 참조 숫자들은 동일한 또는 대응하는 부분들을 나타내기 위해 다양한 도면들을 통해 사용될 수 있다.
도 3은 기판 척(10)을 포함하고 있는 코팅 트랙 시스템(30)의 단면도이다. 기판 척(10)은 도 1에 예시되어 있는 것과 유사하며, 진공 포트(14)와 진공 채널들(16)과 함께 상승부들(12)을 포함하고 있다. 시스템(30)은 또한 측면 방향으로 이동할 수 있는 분사 암(arm)(32)을 가지고 있다. 분사 노즐(34), 브러시(36), 및 에지 비드 제거(EBR) 노즐(38)이 분사 암(32)에 부착되어 있다. 기판 상의 레지스트 재료를 코팅하기 위해 레지스트 재료가 분사 노즐(34)에 의해 기판(도 3에 도시되지 않음)에 도입될 수 있다. 시스템(30)은 또한 분사 노즐(34)의 단부 상에 또는 브러시(36)의 털들 사이에 남아 있는 잔류 물질을 용해하는데 사용되는 용매(39)를 가지고 있는 아이들 용액기(idle bath)(37)를 포함하고 있다. EBR 노즐(38)은 케톤, 에테르, 아세테이트, 지방성 탄화수소, 또는 기타 다른 유기체 용매와 같은 용매를 분사시키는데 사용된다.
도 4는 코팅 시스템(30)을 이용할 때의 공정 흐름도를 포함하고 있다. 기판은 단계(60)에서 도시된 바와 같이 척(10)상에 위치되어 있다. 기판은 단결정 반도체 웨이퍼, 절연체 기판상 반도체, 반도체 디바이스를 형성하는데 사용되는 다른 기판, 평면 패널 디스플레이들, 또는 예컨대 리소그래피 단계들에서 기판을 처리하는 중의 정렬 및 평면화가 중요한 다른 종류들의 기판들을 포함해서, 이면측 입자들이 제조 공정들 중에 제공하는 임의의 개수의 상이한 기판 재료들 중 하나일 수 있다. 기판이 척 상에 위치된 후에, 진공이 제공되고 레지스트 층이 단계(62)에서 도시된 바와 같이 기판 상에 코팅된다. 코팅 후에, 진공이 해제되고 기판은 단계(64)에서 척으로부터 제거된다.
본 발명의 일실시예에 따라, 단계(66)에서 척의 표면들 상에 존재하는 임의의 잔류 레지스트를 제거하기 위하여 척이 세척되고, 단계(68)의 결과로서 척 상에 장착된 다음 기판과 접촉할 수 있게 된다. 세척 단계를 위한 일부 처리 파라미터들이 여기에서 제시되어 있지만, 이들 파라미터들은 한정을 의미하는 것이 아니고, 단지 본 발명을 실시할 때에 사용될 수 있는 다수의 옵션들 중 일부를 예시하는 것이다. 일 실시예에서, 세척은 척에 용매를 분사시킴으로써, 그리고 용매를 분사하는 중에 또는 분사한 후에 척을 회전시킴으로써 수행된다. 임의의 용매를 분사시키기 전에, 진공 포트(14)는 진공 펌프들을 손상시킬 수 있는, 진공 라인들 내로 용매 물질이 임의의 역방향으로 흐를 수 있는 가능성을 줄이기 위해 포지티브 압력이 진공 포트에 제공되도록 조절된다. 세척 공정 동안에, 레지스트 용매는 EBR 노즐(38)을 통해 분사되는 것이 바람직할 것이다. 일반적으로, 케톤, 에테르, 아세테이트, 및 지방성 탄화수소로 이루어진 그룹들의 용매들, 또는 기타 다른 유기체 용매들이 레지스트 코터 응용에서 척을 세척할 때에 사용하기에 적합하다. 한가지 특정 실시예에서, EGMEA(에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트) 또는 PGMEA(프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트)는 척을 세척하기 위해 분사되고, 이들 둘은 에지 비드 제거 공정들에서 흔히 사용되는 화학제들이다. 에틸 유산염 또는 EEP(2 메톡시 프로피온산)가 대안적으로 사용될 수도 있다.
용매는 다수의 상이한 방법들로 분사될 수 있다. 하나의 특정 실시예에서, 척(10)은 용매의 분사 동안에 분당 대략 50 내지 300 회전의 범위의 속도로 회전한다. 충분한 양의 용매가 분사된 후에, 흐름은 종료되고, 척은 보다 고속으로, 예컨대 분당 1000 회전을 초과하는 속도로 회전하여 다음의 기판이 척 상에 배치되기 전에 건조된다. 다른 옵션으로는 종래 퍼들(puddle) 현상과 유사한, 퍼들 흐름을 이용하는 것을 포함한다. 예컨대, 용매는 충분한 용매가 척 상에 존재하여 실제로척 표면에 넘치도록 척(10)에 제공될 수 있다. 또 다른 대안의 실시예에서는, 척이 건조될 가능성을 보다 증가시키기 위해 회전 건조 단계에서 척을 보조하는데 건조용 노즐(도 3에 도시되지 않음)이 사용된다. 이 건조용 노즐은 필터링된 질소, 공기, 또는 다른 비교적 불활성인 일부 가스를 제공할 수 있다. 추가적인 건조가 필요한 경우에, 건조용 노즐은 고속 회전 작업 동안에 척(10)상에 가열된 공기나 가열된 질소와 같은 가열된 가스를 제공할 수 있다. 가열된 가스 흐름을 이용하면, 레지스트 코팅과 같은 온도 민감성 공정에서 척을 사용하는 경우에 필요한 바와 같이, 척의 온도가 감시 및 조절되어야 한다.
세척은 척(10)상에서 처리된 각각의 기판 사이에서, 또는 보다 긴 주기로, 예컨대 각각의 기판 군 사이에 사용될 수 있다(이때, 기판 군은 13개 내지 25개의 기판들로 이루어질 수 있다). 이전에 설명한 바와 같이 EBR 노즐(38)을 사용할 때 쉽게 용해되지 않는 잔류 물질을 제거하기 위해, 보다 짧은 주기로, 예컨대 임계 기판 군들 사이에서 또는 제조 설비의 시프트들 사이에서, 브러시(36)를 사용할 수 있다. 이 브러시(36)는 사용되지 않을 때 용매(39)에 담겨 있다. 브러시(36)의 사용은, 용해가 어렵고 마찬가지로 기판 자체의 칩부들(chipped portions)과 같은 보다 경성인 입자들을 가지고 있는 척의 잔류 물질을 세척하는 것을 돕는데 사용되는 실제적인 브러싱으로부터의 기계적인 작동을 허용한다.
아이들 용액기(37)내에 브러시(36)를 가지고 있는 것 이외에, 시스템(30)은 노즐(34)이 용매(39)의 위에 있는 포화 증기들 내에 존재하거나, 분사 노즐(34)이 용매(39)의 위에 존재하도록 구성되는 것이 바람직하다. EBR 노즐(38)과 용매(39)를 통해 분사된 액체는 동일한 유체일 수 있다.
다양한 다른 종류들의 처리 단계들에 본 발명을 채택하기 위해 다수의 상이한 실시예들이 존재한다. 이전의 설명은 레지스트 코팅 시스템에 관한 것이지만, 본 발명은 기판 상에 스핀 온 글래스(SOG), 및 액체나 솔 젤(sol-gel) 용해제로서 분사되는 다른 물질들과 같은, 다른 물질들을 코팅하는 것에 확장될 수 있다. SOG들에 대한 특정 실시예에서, EBR 노즐(38)은 불화 수소산 및 완충적인 산화물 에천트들 또는 SOG를 가지고 있는 캐리어 용매와 같은 산화물 용매를 제공할 수 있도록 수정된다. 다른 실시예에서, 본 발명은 후술되는 바와 같이, 현상 트랙 시스템에서 사용될 수 있도록 수정될 수 있다. 현상 트랙 시스템의 경우에, EBR 노즐은 척에 부착되어 있는 레지스트 물질을 또한 제거하는데 도움을 주기 위해 현상용해제를 제공한다.
또한, 본 발명은 척들을 또한 가지고 있는 장치의 다른 부분들로 확장될 수 있다. 이들은 스텝퍼들 및 투사 정렬기들, 스핀 코터들(예컨대 SOG으로 기판들을 코팅하는데 사용됨), 및 플라즈마 에치(etch) 시스템들, 또는 균일한 이온 주입 시스템들과 같은 리소그래픽 시스템들을 포함하고 있다. 리소그래픽 시스템의 경우에, 장치는 그 시스템 내에 패턴들을 형성하는데 사용되는 광들에 어떤 세척 용매들이 도달하는 것을 방지하기 위해 약간 수정되는 것이 필요할 수 있다. 하지만, 이러한 문제들은 광들에 도달하기 전에 시스템들로부터 용매 증기들이 소모되도록 시스템을 수정함으로써, 용매들이 광학 렌즈들의 주위에 존재할 가능성을 줄이기 위해 시스템의 나머지로부터 척 세척부를 차폐시킴으로써 해결될 수 있다.
브러시(36)는 척의 표면을 문지르는데 사용될 수 있는 스폰지 또는 다른 것으로 대체될 수 있다. 브러시, 스폰지 또는 다른 것들은 EBR 노즐(38)로부터 추출되거나 아이들 용액기(37)내로 추출되는 용매에서 용해되지 않는 물질들로 제조되어야 한다. 또한, 기계적으로 문지르면 물질이 닳게 되며, 따라서, 브러시 또는 스폰지는 일부 기계적인 마모에 내성이 있을 필요가 있다. 물질은 또한 척의 형상이나 토포그래피를 손상, 스크래치 또는 변형시켜서는 안된다.
도 5는 현상 트랙 시스템에 사용되는 시스템(50)을 포함하고 있다. 광섬유 케이블(42)은 기판들로부터 척 상에 전달된 임의의 잔류 레지스트를 노출시키기 위해 회전함에 따라 척(10)의 표면을 스캐닝한다. 광섬유 케이블(42)의 노출 후에, 현상 용해제, 일반적으로 수산기 군을 가지고 있는 베이스가 노출된 레지스트를 제거하기 위해 척(10)상에 도입된다. 광섬유 케이블(42)의 한가지 이점은 광섬유 케이블로부터 방출된 신호의 주파수가 레지스트 물질의 노출을 위해 사용된 특정 파장에 대해 동조될 수 있다는 점이다. 예컨대, 레지스트 물질이 포토 레지스트이면, 광섬유 케이블에 광이 사용된다. 자외선 레지스트가 사용되면, 광섬유 케이블은 자외선을 방출한다. 광섬유 시스템은 또한 레지스트 코팅 시스템들에 사용될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 플러드(flood) 노출 시스템이 도 6에 예시되어 있는 바와 같이 사용될 수 있다. 레지스트 코팅 시스템(50)은 하부(512)와 상부(514)를 가지고 있는 스피너 컵(51)을 포함하고 있다. 이들 두 부분들은 플랜지들(flanges)(515)에 함께 클램핑되어 있다. 상부(514)의 최상측 부근에는 림(rim)(516)이 있다. 레지스트 코팅 시스템(50)은 림(516)에서 스피너 컵(51)에 부착되어 있는 방출 장치(52)를 포함하고 있다. 방출 장치(52)는 방출 소스(502)와 반사기(504)를 포함하고 있다. 방출 소스(502)는 레지스트를 노출시키는데 사용되는 방출 파장을 일치시키는데 선택된다. 포토 레지스트를 위해, 방출 소스(502)는 백열 전구 또는 수은 램프와 같이 간단해 질 수 있다. 자외선 레지스트가 사용되면, 방출 소스는 자외선 방출 소스이어야 한다. 이 특정 실시예는 스피너 컵 내의 레지스트를 노출시키는데 유용하다. 특히, 스피너 컵(51)은 통상적으로 테플론과 같은 백색 형광 물질로 제조된다. 방출 소스(502)로부터의 방출광은 스피너 컵(51)의 벽들에서 반사되며, 따라서 광은 레지스트를 쌓는 스피너 컵의 부분들을 노출시키기 위해 컵 벽들의 모든 면들로 반사된다. 노출 후에, 방출 장치(52)가 제거되고, 현상 용매가 제공된 분사 암은 척을 자유롭게 분사시키고 스피너 컵(51)의 벽들로부터 레지스트를 제거할 수 있도록 위치된다. 이것은, 스피너 컵들 내의 레지스트의 형성이 종래 방법들에 비해 비교적 낮게 유지될 수 있도록 허용된다.
본 발명은 기판들의 이면들 상에 있는 입자들을 저감하는 종래 방법들에 비해 많은 이점들을 가지고 있다. 먼저, 잔류한 오염 물질들이 척으로부터 기판들의 이면들 측으로 전달될 가능성을 줄이기 위해 척들의 청결 상태를 적절히 유지한다. 본 발명을 실시할 때에, 특히 기판이 보다 큰 경우에(예컨대, 웨이퍼가 300 밀리미터 이상의 직경을 가지고 있는 경우에) 그리고 기판들이 0.25μm 이하의 임계 치수들을 가지고 있는 경우에, 리소그래피 단계들에서의 보다 많은 공정 마진과 오염 물질의 위험 감소가 기대된다. 본 발명의 실시예의 다른 이점은 기판들을 처리할 때에 추가적인 비용을 유발하지 않고 공정 흐름을 단일화할 수 있다는 것이다. 예컨대, 척 세척 단계는 기판이 레지스트 층 또는 SOG 층을 소프트 베이킹 (soft-baking)하는데 사용되는 가열 판 상에 놓여 있는 동안에 수행될 수 있다. 통상적으로 소프트 베이킹 단계들은 코팅 동안에 층 내에 존재하는 일부 용매들을 건조시켜 제거하기 위해 수행된다. 일반적으로, 소프트 베이킹은 코팅 트랙 시스템의 처리량을 제한한다. 본 발명의 척 세척 단계들은 소프트 베이킹이 행해지는 동안에 수행될 수 있도록 일체화된다.
본 발명의 실시예들의 다른 이점은 특수한 또는 통상적이지 않은 물질 처리 방법들을 사용해야 하는 것이 아니라는 점이다. 예컨대, 코팅 트랙은 코팅된 물질을 위한 용매가 스피너 컵에 도입될 수 있도록 수정될 수 있다. 레지스트의 경우에, 통상적으로 용매는 EBR용으로 사용된다. 그러므로, 현재 트랙 시스템에 미리 제공되지 않은, 추가적이거나 새로운 화학제를 필요로 하지 않는다. 본 발명의 또 다른 이점은 불필요한 처리 단계들을 포함하지 않고도 수행될 수 있다는 점이다. 동작이 기판들 사이에서 수행되기 때문에, 공정 파라미터들은 사용된 장치에 가장 적합한 특수 공정에 맞게 설정될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 기판에 도입된 결함들의 양을 줄임으로써 산출량을 개선하는데 도움을 준다. 이전에 설명한 세척 방법들은 일부 또는 모든 세척 절차들이 개개의 기판들 사이에서, 다수의 기판들의 군들 사이에서, 시프트 변화 시에, 또는 척을 세척하는데 적절히 필요해지는 다른 시간들에 행해진다. 세척은 시스템에 의해 수행되며 사람의 개입을 필요로 하지 않는다.
이와 같이, 본 발명에 따라 이전에 설명한 필요성 및 이점들을 충분히 충족시켜 주는 척 세척을 이용하여 기판으로부터 입자들을 저감하는 방법이 제공된다는 것이 명백하다. 본 발명은 특정 실시예를 참조하여 설명 및 예시되었지만, 이들 예시적인 실시예들에 한정하는 것으로 의도되지 않는다. 본 발명의 정신으로부터 이탈하지 않고 수정들 및 변형들이 행해질 수 있음을 당업자는 인식할 것이다. 예컨대, 본 발명은 척을 세척하기 위해 특별히 언급된 특정 용매들 또는 화학제들에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명은 여기에서 설명한 반도체 디바이스들 용의 특정 스핀 코팅 공정들에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 발명은 척을 주기적으로 세척하는 이점을 가지고 있는 어떠한 스핀 코팅 공정에도 사용될 수 있다. 본 발명은 여기서 설명한 특정 코팅 물질들에 어떠한 방법으로도 한정되지 않음을 주목해야 한다는 점을 주의하는 것이 또한 중요하다. 폴리마이드 등을 포함한 다른 폴리머가 본 발명에 따라 척을 사용하여 코팅될 수 있다. 또한, 본 발명은 기판의 코팅 공정에 한정되지 않는다. 또한, 잔류 막들 또는 침착물들이 척 표면 상에 형성되는 기판 세척 공정은 본 발명으로부터 이점을 얻을 수 있다. 그러므로, 본 발명은 그러한 모든 변형들과 수정들이 첨부된 청구항들의 범위에 속하도록 의도된다.
척 세척 공정을 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 평판 패널 디스플레이와 같은 기판의 이면 상의 입자를 저감하기 위한 방법이 제공된다.
도 1은 레지스트 또는 현상제를 분사시키기 위해 스핀 트랙에 사용되는 종래 척의 평면도.
도 2는 도 1의 척으로부터 전달된 오염 물질에 의해 생긴 입자들을 나타낸 기판의 저면도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 척과 이 척을 세척하는데 사용되는 매카니즘을 포함하고 있는 스핀 트랙 시스템의 일부분의 단면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 공정 흐름도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광섬유 케이블을 사용하는 스핀 트랙의 단면도.
도 6은 레지스트 코팅에 사용되는 스피너 컵의 일부분의 단면도로서, 본 발명의 다른 실시예에 따라 척과 회전용 컵의 벽들의 플러드 노출이 방출 소스에 노출되어 있는 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 척 14 : 진공 포트
32 : 분사 암 34 : 분사 노즐
36 : 브러시 39 : 용매

Claims (4)

  1. 기판 상의 입자들을 저감하는 방법에 있어서:
    척과 척 세척 소자를 가지고 있는 제조 장치(a piece of manufacturing equipment)를 제공하는 단계:
    제 1 기판을 제공하는 단계;
    상기 척 상에 상기 제 1 기판을 위치시키는 단계;
    상기 제 1 기판이 상기 척 상에 위치되어 있는 동안에 상기 제조 장치를 사용하여 상기 제 1 기판에 대한 제조 작업을 수행하는 단계;
    상기 척으로부터 상기 제 1 기판을 제거하는 단계;
    상기 척 세척 소자로 상기 척을 세척하는 단계;
    제 2 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 제 2 기판을 상기 척 상에 위치시키는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 기판 상의 입자들을 저감하는 방법에 있어서:
    표면을 가지고 있는 제 1 반도체 기판을 제공하는 단계:
    반도체 기판 제조 작업과 함께 사용하기 위한 기판 처리 시스템을 제공하는 단계로서, 상기 기판 처리 시스템이 척과 척 세척기를 구비하고 있는 단계;
    상기 제 1 반도체 기판의 상기 표면이 상기 척과 접촉하도록 상기 제 1 반도체 기판을 상기 척 상에 위치시키는 단계;
    상기 제 1 반도체 기판의 상기 표면이 상기 척과 접촉하고 있는 동안에 상기제 1 반도체 기판에 대해 상기 반도체 기판 제조 작업을 수행하는 단계:
    상기 척으로부터 상기 제 1 반도체 기판을 제거하는 단계;
    상기 척을 상기 척 세척기로 세척하기 위하여 상기 기판 처리 시스템을 사용하는 단계;
    제 2 반도체 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 척 상에 상기 제 2 반도체 기판을 위치시키는 단계를 포함하는, 방법.
  3. 기판 상의 입자들을 저감하는 방법에 있어서;
    제 1 반도체 기판을 제공하는 단계;
    진공 포트를 가진 코터 척을 가지고 있고, 코터 척 세척 소자를 가지고 있는 레지스트 코터를 제공하는 단계;
    상기 코터 척 상에 상기 제 1 반도체 기판을 위치시키는 단계;
    상기 코터 척의 상기 진공 포트를 통해 상기 제 1 반도체 기판에 진공을 제공하는 단계:
    상기 제 1 반도체 기판을 레지스트 층으로 코팅하는 단계;
    진공을 해제하고 상기 코터 척으로부터 상기 제 1 반도체 기판을 제거하는 단계;
    상기 코터 척 세척 소자를 사용하여 상기 코터 척을 세척하는 단계;
    제 2 반도체 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 제 2 반도체 기판을 레지스트로 코팅하기 위해 상기 코터 척 상에 상기 제 2 반도체 기판을 위치시키는 단계를 포함하는, 방법.
  4. 기판 상의 입자들을 저감하는 방법에 있어서:
    레지스트 층이 위에 형성되어 있는 제 1 반도체 기판을 제공하는 단계;
    상기 레지스트 층에 패턴을 형성하기 위해 상기 레지스트 층의 부분들을 방출광에 선택적으로 노출시키는 단계;
    진공 포트를 가진 척을 가지고 있고, 척 세척 소자를 가지고 있는 레지스트 현상제를 제공하는 단계;
    상기 척 상에 상기 제 1 반도체 기판을 위치시키는 단계;
    상기 척의 상기 진공 포트를 통해 상기 제 1 반도체 기판에 진공을 제공하는 단계;
    상기 제 1 반도체 기판 상의 레지스트 층에 상기 패턴을 현상하는 단계:
    진공을 해제하고 상기 척으로부터 상기 제 1 반도체 기판을 제거하는 단계;
    상기 척 세척 소자를 사용하여 상기 척을 세척하는 단계:
    제 2 반도체 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 제 2 반도체 기판 상의 레지스트를 현상하기 위해 상기 척 상에 상기 제 2 반도체 기판을 위치시키는 단계를 포함하는, 방법.
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