JP2015119128A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の主面におけるダメージを防止しつつ短時間にて主面の除電を行う。【解決手段】基板処理装置１では、ドライ処理によりデバイスが帯電している基板９に対し、処理液による処理を行うよりも前に、除電液による除電処理が行われる。除電処理では、処理液の比抵抗よりも大きい第１比抵抗の除電液にて基板９の上面９１全体をパドルする。これにより、基板９上のデバイスにダメージが生じることを防止しつつ、基板９の上面９１全体が比較的緩やかに除電される。続いて、除電液の比抵抗を第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗まで減少させる。そして、第２比抵抗の除電液にて基板９の上面９１全体をパドルする。これにより、基板９の上面９１におけるダメージを防止しつつ、デバイス内の電荷の除電液への移動が促進され、短時間にて基板９の上面９１の除電を行うことができる。【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理する技術に関する。

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板処理装置を用いて酸化膜等の絶縁膜を有する基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に処理液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。また、エッチング等の終了後、基板上のレジストを除去する処理も行われる。

基板処理装置にて処理される基板には、基板処理装置に搬入される前に、ドライエッチングやプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のドライ工程が行われている。このようなドライ工程では、デバイス内に電荷が発生して帯電するため、基板は、帯電した状態で基板処理装置に搬入される（いわゆる、持ち込み帯電）。そして、基板処理装置において、ＳＰＭ液のような比抵抗が小さい処理液が基板上に供給されると、デバイス内の電荷が、デバイスから処理液へと急激に移動し（すなわち、処理液中へと放電し）、当該移動に伴う発熱によりデバイスにダメージが生じるおそれがある。そこで、処理液を基板に供給する前に、イオナイザにより基板を除電することが考えられるが、基板の帯電量が大きい場合、効率的に除電することは困難である。

特許文献１の基板処理装置では、処理液による処理よりも前に、処理液よりも比抵抗が大きい純水等の除電液が基板上に供給され、基板の上面全体が除電液にてパドルされる。これにより、基板が比較的緩やかに除電される。その後、基板上から除電液が除去され、ＳＰＭ液等の処理液が基板上に供給されるため、上述の電荷の急激な移動に伴う基板の損傷が防止される。

特開２０１３−７７６２４号公報

ところで、特許文献１のような基板処理装置では、除電液により基板の上面をパドルした後、基板が所望のレベルまで除電されるためには、比較的長い時間が必要となる。一方、基板処理装置では、基板の処理に要する時間を短縮することが求められている。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板の主面におけるダメージを防止しつつ短時間にて主面の除電を行うことを目的としている。

請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板の前記主面上に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の前記主面上に除電液を供給する除電液供給部と、前記除電液の比抵抗を調節する比抵抗調節部と、前記処理液供給部、前記除電液供給部および前記比抵抗調節部を制御することにより、前記処理液の比抵抗よりも大きい第１比抵抗の前記除電液を前記基板の前記主面上に供給して前記主面全体を前記除電液にてパドルした後、前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗を前記第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗まで減少させ、前記第２比抵抗の前記除電液にて前記主面全体をパドルすることにより前記主面上の電荷を減少させた後、前記処理液を前記基板の前記主面上に供給して所定の処理を行う制御部とを備える。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第１比抵抗の前記除電液が純水である。

請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記比抵抗調節部が、前記第１比抵抗の前記除電液中のイオン濃度を増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする。

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記比抵抗調節部が、前記第１比抵抗の前記除電液に二酸化炭素を溶解させて前記イオン濃度を増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする。

請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記比抵抗調節部が、前記第１比抵抗の前記除電液に第１溶質を溶解させて前記イオン濃度を増大させた後、前記除電液に第２溶質を溶解させて前記イオン濃度をさらに増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする。

請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記比抵抗調節部が、前記第１比抵抗の前記除電液の温度を上昇させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする。

請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第２比抵抗が、前記処理液の比抵抗以上である。

請求項８に記載の発明は、請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電処理情報が、前記制御部に予め記憶されており、前記基板の前記主面上にデバイスが予め形成されており、前記複数の除電処理情報がそれぞれ、前記第１比抵抗、前記第２比抵抗、および、前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗を前記第１比抵抗から前記第２比抵抗へと変更する際に要する比抵抗調節時間を含み、前記制御部が、前記複数の除電処理情報のうち前記主面上の前記デバイスの種類に対応する１つの除電処理情報に基づいて前記比抵抗調節部を制御する。

請求項９に記載の発明は、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電液種情報が、前記制御部に予め記憶されており、前記除電液供給部において、前記除電液の種類を複数の液種の間で切り替え可能であり、前記基板の前記主面上にデバイスが予め形成されており、前記制御部が、前記複数の除電液種情報のうち前記主面上の前記デバイスの種類に対応する１つの除電液種情報に基づいて、前記除電液の種類を切り替える。

請求項１０に記載の発明は、請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板の他方の主面に除電液を供給する他の除電液供給部をさらに備え、前記制御部が前記他の除電液供給部を制御することにより、前記基板の前記主面への前記除電液の供給よりも前に、または、前記主面への前記除電液の供給と並行して、前記基板の前記他方の主面に除電液が供給される。

請求項１１に記載の発明は、基板を処理する基板処理方法であって、ａ）主面を上側に向けた状態で保持される基板の前記主面上に第１比抵抗の除電液を供給して前記主面全体を前記除電液にてパドルする工程と、ｂ）前記ａ）工程よりも後に、前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗を前記第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗まで減少させ、前記第２比抵抗の前記除電液にて前記主面全体をパドルすることにより、前記主面上の電荷を減少させる工程と、ｃ）前記ｂ）工程よりも後に、前記第１比抵抗よりも比抵抗が小さい処理液を前記基板の前記主面上に供給して所定の処理を行う工程とを備える。

請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の基板処理方法であって、前記ａ）工程における前記第１比抵抗の前記除電液が純水である。

請求項１３に記載の発明は、請求項１１または１２に記載の基板処理方法であって、前記ｂ）工程において、前記第１比抵抗の前記除電液中のイオン濃度を増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする。

請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の基板処理方法であって、前記ｂ）工程において、前記第１比抵抗の前記除電液に二酸化炭素を溶解させて前記イオン濃度を増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする。

請求項１５に記載の発明は、請求項１３に記載の基板処理方法であって、前記ｂ）工程が、ｂ１）前記第１比抵抗の前記除電液に第１溶質を溶解させて前記イオン濃度を増大させる工程と、ｂ２）前記ｂ１）工程よりも後に、前記除電液に第２溶質を溶解させて前記イオン濃度をさらに増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする工程とを備える。

請求項１６に記載の発明は、請求項１１ないし１５のいずれかに記載の基板処理方法であって、前記ｂ）工程において、前記第１比抵抗の前記除電液の温度を上昇させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする。

請求項１７に記載の発明は、請求項１１ないし１６のいずれかに記載の基板処理方法であって、前記第２比抵抗が、前記処理液の比抵抗以上である。

請求項１８に記載の発明は、請求項１１ないし１７のいずれかに記載の基板処理方法であって、前記ａ）工程よりも前に、基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電処理情報を記憶する工程をさらに備え、前記複数の除電処理情報がそれぞれ、前記第１比抵抗、前記第２比抵抗、および、前記基板の前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗を前記第１比抵抗から前記第２比抵抗へと変更する際に要する比抵抗調節時間を含み、前記ｂ）工程において、前記複数の除電処理情報のうち前記基板の前記主面上に予め形成されたデバイスの種類に対応する１つの除電処理情報に基づいて、前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗が調節される。

請求項１９に記載の発明は、請求項１１ないし１８のいずれかに記載の基板処理方法であって、前記基板の前記主面上に供給される前記除電液の種類が、複数の液種の間で切り替え可能であり、前記基板処理方法が、ｄ）前記ａ）工程よりも前に、基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電液種情報を記憶する工程と、ｅ）前記ｄ）工程よりも後、かつ、前記ａ）工程よりも前に、前記複数の除電液種情報のうち前記基板の前記主面上に予め形成されたデバイスの種類に対応する１つの除電液種情報に基づいて、前記基板の前記主面上に供給される前記除電液の種類を決定する工程とをさらに備える。

請求項２０に記載の発明は、請求項１１ないし１９のいずれかに記載の基板処理方法であって、前記ａ）工程よりも前に、または、前記ａ）工程および前記ｂ）工程の少なくとも一方と並行して、前記基板の他方の主面に除電液を供給する工程をさらに備える。

本発明では、基板の主面におけるダメージを防止しつつ短時間にて主面の除電を行うことができる。

第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 基板の処理の流れを示す図である。 除電処理の前後における基板上の表面電位分布を示す図である。 除電処理の前後における基板上の表面電位分布を示す図である。 基板と除電液との間の電位差の経時変化を示す概念図である。 基板の処理の流れの一部を示す図である。 基板処理装置の他の例を示す図である。 基板の処理の流れの一部を示す図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 基板の処理の流れの一部を示す図である。 基板の処理の流れの一部を示す図である。 第３の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１は、半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１では、基板９にＳＰＭ（sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture）液が供給されてＳＰＭ処理、すなわち、基板９上のレジスト膜の除去処理が行われる。

基板処理装置１は、基板保持部２と、処理液供給部３と、カップ部４と、基板回転機構５と、除電液供給部６と、比抵抗調節部７と、これらの機構を制御する制御部８とを備える。基板保持部２は、基板９の一方の主面９１（以下、「上面９１」という。）を上側に向けた状態で、基板９を保持する。基板９の上面９１には、予めデバイスが形成されている。

処理液供給部３は、基板９の上面９１に向けてＳＰＭ液等の処理液を吐出し、上面９１上に処理液を供給する。除電液供給部６は、基板９の上面９１に向けて除電液を吐出し、上面９１上に除電液を供給する。比抵抗調節部７は、除電液の比抵抗を調節する。基板回転機構５は、基板９の中心を通るとともに基板９の上面９１に垂直な回転軸を中心として、基板９を基板保持部２と共に水平に回転する。カップ部４は、基板９および基板保持部２の周囲を囲み、回転する基板９から周囲に飛散する処理液等の液体を受ける。基板処理装置１では、基板保持部２、カップ部４、基板回転機構５等が、図示省略のチャンバ内に収容される。

処理液供給部３は、硫酸供給部３１と、過酸化水素水供給部３２と、混合液生成部３３と、処理液ノズル３４と、処理液ノズル回動機構３５とを備える。硫酸供給部３１は、混合液生成部３３および図示省略の硫酸供給源に接続され、混合液生成部３３に硫酸を供給する。過酸化水素水供給部３２は、混合液生成部３３および図示省略の過酸化水素水供給源に接続され、混合液生成部３３に過酸化水素水を供給する。硫酸供給源および過酸化水素水供給源は、例えば、基板処理装置１の外部に設けられる。

混合液生成部３３は、ミキシングバルブ３３１と、処理液配管３３２と、攪拌流通管３３３とを備える。ミキシングバルブ３３１には、硫酸供給部３１および過酸化水素水供給部３２が接続される。処理液配管３３２は、ミキシングバルブ３３１と処理液ノズル３４とを接続する。攪拌流通管３３３は、処理液配管３３２上に設けられる。

処理液供給部３では、加熱された硫酸が硫酸供給部３１からミキシングバルブ３３１に供給され、常温（すなわち、室温と同程度の温度）の過酸化水素水がミキシングバルブ３３１に供給される。ミキシングバルブ３３１に供給される硫酸の温度は、例えば、約１３０℃〜１５０℃である。ミキシングバルブ３３１では、硫酸と過酸化水素水とが混合され、混合液であるＳＰＭ液（硫酸過水）が生成される。処理液であるＳＰＭ液は、処理液配管３３２および攪拌流通管３３３を通過して処理液ノズル３４へと送られる。攪拌流通管３３３では、ＳＰＭ液が攪拌されることにより、硫酸と過酸化水素水との化学反応が促進される。

処理液ノズル３４は、基板９の上方に配置され、先端から基板９の上面９１に向けて処理液を吐出する。処理液ノズル回動機構３５は、回転軸３５１から水平方向に延びるとともに処理液ノズル３４が取り付けられるアーム３５２を備える。処理液ノズル回動機構３５は、処理液ノズル３４およびアーム３５２を、回転軸３５１を中心として水平に回動する。

除電液供給部６では、比抵抗が制御された除電液が、基板９の上面９１上に供給される。除電液は、純水（ＤＩＷ：deionized water）、または、イオンを含む液体である。除電液の比抵抗は、好ましくは、０．０５ＭΩ・ｃｍ以上１８ＭΩ・ｃｍ以下である。当該イオンを含む液体としては、例えば、純水に二酸化炭素（ＣＯ_２）を溶解させたものが利用される。

除電液供給部６は、純水供給部６１と、添加物供給部６２と、添加物混合部６３と、除電液ノズル６４と、除電液ノズル回動機構６５と、流量計６６と、比抵抗計６７とを備える。純水供給部６１は、添加物混合部６３および図示省略の純水供給源に接続され、添加物混合部６３に純水を供給する。流量計６６は、純水供給部６１と添加物混合部６３とを接続する純水配管６１１上に設けられ、純水配管６１１を流れる純水の流量を測定する。添加物供給部６２は、添加物混合部６３およびおよび図示省略の添加物供給源に接続され、添加物混合部６３に添加物を供給する。添加物供給部６２から供給される添加物は、例えば、二酸化炭素ガスである。純水供給源および添加物供給源は、例えば、基板処理装置１の外部に設けられる。

添加物混合部６３では、純水供給部６１からの純水に、添加物供給部６２からの添加物が混合され、除電液であるイオンを含む液体が生成される。添加物として二酸化炭素が供給される場合、添加物混合部６３では、純水に二酸化炭素が溶解し、除電液である二酸化炭素水（ＣＯ_２水）が生成される。除電液は、添加物混合部６３から除電液配管６３１を介して除電液ノズル６４へと送られる。一方、添加物供給部６２からの添加物の供給が停止されている場合、純水供給部６１から添加物混合部６３に供給された純水が、除電液として除電液配管６３１を介して除電液ノズル６４へと送られる。除電液配管６３１上には、除電液バルブ６３２が設けられる。除電液バルブ６３２は、添加物混合部６３から除電液ノズル６４へと送出される除電液の流量を調節する除電液供給量調節部である。

除電液ノズル６４は、基板９の上方に配置され、先端から基板９の上面９１に向けて除電液を吐出する。除電液ノズル回動機構６５は、回転軸６５１から水平方向に延びるとともに除電液ノズル６４が取り付けられるアーム６５２を備える。除電液ノズル回動機構６５は、除電液ノズル６４およびアーム６５２を、回転軸６５１を中心として水平に回動する。

比抵抗調節部７は、添加物バルブ７１を備える。添加物バルブ７１は、添加物供給部６２と添加物混合部６３とを接続する添加物配管６２１上に設けられる。添加物バルブ７１は、添加物供給部６２から添加物混合部６３に供給される添加物の量を調節する添加物供給量調節部である。比抵抗調節部７により添加物混合部６３に供給される添加物の量が調節されることにより、添加物混合部６３において純水供給部６１からの純水に混合される添加物の量が調節される。これにより、添加物混合部６３から送出される除電液中のイオン濃度が調節される。除電液中のイオン濃度が増大すると除電液の比抵抗は減少し、除電液中のイオン濃度が減少すると除電液の比抵抗は増大する。

基板処理装置１では、比抵抗計６７からの出力（すなわち、除電液配管６３１内の除電液の比抵抗の測定値）に基づいて、制御部８により比抵抗調節部７の添加物バルブ７１がフィードバック制御される。これにより、添加物混合部６３において純水に混合する添加物の量が制御され、添加物混合部６３から除電液配管６３１へと送出される除電液におけるイオン濃度が制御される。その結果、除電液の比抵抗が、所望の比抵抗となる。

図２は、基板処理装置１における基板９の処理の流れを示す図である。以下では、添加物供給部６２から供給される添加物が二酸化炭素であるものとして説明する。基板処理装置１では、まず、基板９が搬入されて基板保持部２により保持される。基板９は、基板処理装置１に搬入される前に、ドライエッチングやプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のドライ工程を経ている。ドライ工程が行われた基板９では、上面９１上のデバイス内に電荷が発生し、基板９が帯電した状態となっている。

続いて、除電液供給部６において、除電液ノズル６４が基板９の外周縁よりも外側の待機位置に位置した状態で、制御部８により除電液供給部６の除電液バルブ６３２が制御され、除電液ノズル６４から除電液の吐出が開始される。そして、比抵抗計６７からの出力に基づいて、制御部８により添加物バルブ７１に対するフィードバック制御が行われる。これにより、添加物混合部６３において純水に溶解する二酸化炭素の量が制御される。すなわち、除電液中のイオン濃度が制御される。その結果、除電液の比抵抗が、制御部８に予め記憶されている第１比抵抗となる（ステップＳ１１）。

第１比抵抗は、処理液供給部３から基板９に供給される処理液の比抵抗よりも大きい。第１比抵抗が、例えば約１８ＭΩ・ｃｍである場合、除電液は純水である。以下、第１比抵抗の除電液（すなわち、比抵抗が第１比抵抗に等しい除電液）が純水であるものとして説明する。この場合、ステップＳ１１では、添加物バルブ７１は閉じられており、添加物供給部６２から添加物混合部６３への二酸化炭素の供給は停止されている。

次に、除電液ノズル回動機構６５により除電液ノズル６４が待機位置から移動し、図１に示すように、除電液ノズル６４の先端の吐出口が、基板９の上面９１の中心部を向く。このとき、基板回転機構５は停止、または、低い回転速度にて回転するように制御部８により制御される。したがって、基板９は、回転していない状態、または、低い回転速度（例えば、１０〜２００ｒｐｍ）にて回転している状態である。そして、除電液ノズル６４から基板９の上面９１上に第１比抵抗の除電液が供給され、基板９の中心部から上面９１全体に拡がる。これにより、基板９の上面９１上に第１比抵抗の除電液の薄い層（例えば、厚さ約１ｍｍの層）が形成され、上面９１全体が第１比抵抗の除電液にてパドルされる（ステップＳ１２）。基板処理装置１では、基板９の上面９１上のデバイス内の電荷が、デバイスから除電液へと移動し、上面９１上の電荷が減少する。

基板９の上面９１全体が除電液によりパドルされると、制御部８により比抵抗調節部７が制御され、添加物バルブ７１が開かれる。これにより、添加物供給部６２から添加物混合部６３へと二酸化炭素が供給され、添加物混合部６３にて純水供給部６１からの純水に溶解する。このため、添加物混合部６３から除電液ノズル６４へと送出される第１比抵抗の除電液中のイオン濃度が増大し、除電液の比抵抗が減少する。基板処理装置１では、添加物供給部６２からの二酸化炭素の供給開始から所定時間の経過後に、基板９の上面９１上に供給される除電液の比抵抗が、第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗まで減少する（ステップＳ１３）。換言すれば、比抵抗調節部７が、第１比抵抗の除電液に二酸化炭素を溶解させて除電液中のイオン濃度を増大させることにより、除電液の比抵抗が第２比抵抗となる。

第２比抵抗も、第１比抵抗と同様に、制御部８に予め記憶されている。第２比抵抗は、好ましくは、上述の処理液の比抵抗以上である。より好ましくは、第２比抵抗は、処理液の比抵抗よりも少し大きい。制御部８では、基板９の上面９１上に供給される除電液の比抵抗を第１比抵抗から第２比抵抗へと変更する際に要する時間（以下、「比抵抗調節時間」という。）も記憶されている。制御部８は、ステップＳ１１〜Ｓ１３が行われる間、第１比抵抗、第２比抵抗および比抵抗調節時間を含む除電処理情報に基づいて、比抵抗調節部７の添加物バルブ７１の開度を制御する。

基板処理装置１では、除電液ノズル６４から基板９の上面９１上に第２比抵抗の除電液（すなわち、比抵抗が第２比抵抗に等しい除電液）が供給され、基板９の中心部から上面９１全体に拡がる。これにより、基板９の上面９１全体が、第２比抵抗の除電液にてパドルされる（ステップＳ１４）。そして、基板９の上面９１全体が第２比抵抗の除電液にてパドルされた状態が、所定時間だけ維持される。基板処理装置１では、基板９の上面９１上のデバイス内の電荷が、デバイスから除電液へと移動し、基板９の上面９１上の電荷が減少する。基板９の上面９１上の電荷が所定のレベルまで減少すると、基板９の除電処理が終了する。第２比抵抗の除電液による基板９のパドル処理中は、除電液ノズル６４からの第２比抵抗の除電液の供給は継続されていてもよく、停止されていてもよい。

図３．Ａおよび図３．Ｂは、除電処理前後の基板９の上面９１における表面電位分布を示す図である。図３．Ａは、基板９の１つの直径上における表面電位分布を示す。図３．Ｂは、図３．Ａに対応する直径に直交する１つの直径上における表面電位分布を示す。図３．Ａおよび図３．Ｂの横軸は基板９の直径上の位置を示し、縦軸は当該位置における電位を示す。破線９０１は、除電処理前の電位分布を示し、実線９０２は除電処理後の電位分布を示す。図３．Ａおよび図３．Ｂに示すように、上述の除電処理により、基板９の上面９１上の電荷が減少し、基板９の上面９１の電位が全体的に低減される。

上述の除電処理が終了すると、除電液ノズル回動機構６５により除電液ノズル６４が待機位置へと戻される。続いて、制御部８により基板回転機構５が制御されることにより、基板９の回転速度が増加する。上述の除電処理が、基板９が停止している状態で行われた場合は、基板９の回転が開始される。基板９の回転により、基板９の上面９１上の除電液が基板９のエッジに向かって移動し、基板９のエッジから外側へと飛散して基板９上から除去される（ステップＳ１５）。基板９から飛散した除電液はカップ部４により受けられる。基板処理装置１では、基板回転機構５が、基板９を回転することにより上面９１上の液体を除去する液体除去部として働く。

除電液の除去が終了すると、基板回転機構５による基板９の回転速度が減少し、ＳＰＭ処理時の回転速度に変更される。また、処理液ノズル回動機構３５による処理液ノズル３４の回動が開始され、処理液ノズル３４が基板９の中心部とエッジとの間で往復運動を繰り返す。

次に、制御部８により処理液供給部３が制御されることにより、約１３０℃〜１５０℃加熱された硫酸が硫酸供給部３１からミキシングバルブ３３１に供給され、常温の過酸化水素水が過酸化水素水供給部３２からミキシングバルブ３３１へと供給される。ミキシングバルブ３３１では、加熱された硫酸と常温の過酸化水素水とが混合されて、上述の第１比抵抗よりも比抵抗が小さいＳＰＭ液が生成される。ＳＰＭ液の温度は、硫酸と過酸化水素水との反応により、硫酸供給部３１から供給される硫酸の温度よりも高く、例えば、約１５０℃〜１９５℃となる。

ＳＰＭ液は、処理液配管３３２および攪拌流通管３３３を通過し、処理液ノズル３４から基板９の上面９１上に供給される。換言すれば、処理液供給部３により、加熱された硫酸と過酸化水素水とが混合されつつ基板９の上面９１上に供給される。ＳＰＭ液は、基板９の回転により、基板９の上面９１全体に拡がり、基板９のエッジから外側へと飛散してカップ部４により受けられる。基板処理装置１では、基板９に対するＳＰＭ液の供給が所定時間だけ連続的に行われ、基板９に対するＳＰＭ処理、すなわち、ＳＰＭ液に含まれるカロ酸の強酸化力による基板９上のレジスト膜の除去処理が行われる（ステップＳ１６）。なお、基板処理装置１では、基板９の中心部の上方にて停止した処理液ノズル３４からＳＰＭ液等の供給が行われてもよい。

ＳＰＭ処理（すなわち、処理液による薬液処理）が終了すると、過酸化水素水供給部３２からの過酸化水素水の供給が継続された状態で、硫酸供給部３１からの硫酸の供給が停止される。このため、処理液ノズル３４から、レジスト膜が除去された基板９の上面９１上に過酸化水素水が供給される。これにより、ミキシングバルブ３３１、処理液配管３３２、攪拌流通管３３３および処理液ノズル３４内に残っているＳＰＭ液が除去される。また、基板９の上面９１上に供給された過酸化水素水は、基板９の回転により上面９１全体に拡がり、基板９上に残っている処理液であるＳＰＭ液を、基板９のエッジから外側へと押し出して除去する（ステップＳ１７）。

ＳＰＭ液の除去が終了すると、処理液ノズル３４からの過酸化水素水の供給が停止され、処理液ノズル回動機構３５により、処理液ノズル３４が基板９の外側の待機位置へと移動される。次に、基板９の上面９１にリンス液が供給されるリンス処理が行われる（ステップＳ１８）。リンス液としては、例えば、純水や二酸化炭素水が利用される。リンス液は、図示省略のリンス液供給部から供給されてもよく、除電液供給部６により供給されてもよい。

リンス液は、基板９の回転により、基板９の上面９１全体に拡がる。これにより、基板９上に残っている過酸化水素水が洗い流される。リンス処理が所定時間だけ連続的に行われると、リンス液の供給が停止される。そして、基板９の回転速度を増大させ、基板９の回転により基板９上に残っているリンス液を除去する乾燥処理が行われる（ステップＳ１９）。その後、基板９の回転が停止され、基板９が基板処理装置１から搬出される。

以上に説明したように、基板処理装置１では、ドライエッチングやプラズマＣＶＤ等のドライ処理によりデバイスが帯電している基板９に対し、処理液であるＳＰＭ液による処理を行うよりも前に、除電液による除電処理が行われる。除電処理では、処理液の比抵抗よりも大きい第１比抵抗の除電液にて基板９の上面９１全体をパドルする。これにより、基板９の上面９１全体が比較的緩やかに除電される。当該除電処理の際には、基板９の上面９１上のデバイス内の電荷が急激に除電液へと移動して（すなわち、処理液中へと放電して）発熱することがないため、基板９上のデバイスにダメージが生じることを防止することができる。

また、基板処理装置１では、第１比抵抗の除電液によるパドル処理の後、除電液の比抵抗を第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗まで減少させる。そして、第２比抵抗の除電液にて基板９の上面９１全体をパドルする。これにより、基板９の上面９１におけるダメージ（すなわち、上面９１上のデバイスのダメージ）を防止しつつ、当該デバイス内の電荷の除電液への移動を促進し、短時間にて基板９の上面９１の除電を行うことができる。

図４は、基板処理装置１における除電処理時の基板９と除電液との間の電位差の経時変化を示す概念図である。以下、図４を参照しつつ、上述の基板処理装置１における効果について詳細に説明する。図４中の横軸は、基板９上への除電液の供給開始からの経過時間を示す。図４中の縦軸は、基板９と除電液との間の電位差の絶対値を示す。実線９０５は、基板処理装置１における上述の除電処理時の基板９と除電液との間の電位差（以下、単に「電位差」ともいう。）を示す。

横軸に平行な直線である実線９０８は、基板９上のデバイスと除電液との接触により、急激な電荷移動によるダメージがデバイスに生じる電位差を示す。すなわち、電位差の経時変化のピークが実線９０８よりも大きくなると、基板９上のデバイスにダメージが生じる。

破線９０６は、仮に、除電液の比抵抗を第１比抵抗から変化させずに除電処理を継続した場合における基板９と除電液との間の電位差を示す。この場合、電位差の経時変化のピークは、実線９０５の最初のピーク９０５ａであるため、デバイスにダメージは生じない。しかしながら、電位差の減少速度が遅いため、除電処理に要する時間が長くなってしまう。一点鎖線９０７は、仮に、基板９上への供給開始時における除電液の比抵抗が第２比抵抗であり、その後も、除電液の比抵抗を第２比抵抗から変化させずに除電処理を継続した場合における基板９と除電液との間の電位差を示す。この場合、電位差の経時変化のピークが実線９０８よりも大きくなるため、基板９上のデバイスにダメージが生じるおそれがある。

これに対し、図１に示す基板処理装置１では、まず、第１比抵抗の除電液により基板９の上面９１全体がパドルされる。このとき、実線９０５にて示すように、電位差の経時変化の最初のピーク９０５ａは実線９０８以下となり、基板９上のデバイスにダメージが生じることが防止される。続いて、第２比抵抗の除電液により基板９の上面９１全体がパドルされる。このとき、電位差の経時変化に２番目のピーク９０５ｂが生じるが、ピーク９０５ｂも実線９０８以下となり、基板９上のデバイスにダメージが生じることが防止される。また、ピーク９０５ｂよりも後において、破線９０６に比べて電位差が迅速に減少するため、第１比抵抗の除電液のみにより除電処理を行う場合に比べて、短時間にて基板９の上面９１の除電を行うことができる。

基板処理装置１では、上述のように、除電処理が行われた後の基板９に処理液が供給されることにより、基板９が、比抵抗が小さい処理液と接触しても、基板９から処理液へと大量の電荷が急激に移動することがない。このため、処理液による基板９の処理の際にも、電荷の移動による基板９上のデバイスのダメージ、すなわち、基板９の損傷を防止することができる。

上述のように、除電液供給部６から基板９に最初に供給される第１比抵抗の除電液は純水である。このように、比抵抗の大きい除電液を、基板９の上面９１上に最初に供給することにより、第１比抵抗の除電液によるパドル処理の際に、基板９上のデバイスにダメージが生じることをより一層防止することができる。また、基板処理装置１では、比抵抗調節部７により第１比抵抗の除電液中のイオン濃度を増大させることにより、除電液の比抵抗が第２比抵抗となる。このように、基板処理装置１では、除電液中のイオン濃度を調節することにより、除電液の比抵抗を容易に調節することができる。

さらに、基板処理装置１では、比較的取り扱いが容易な二酸化炭素を、第１比抵抗の除電液に溶解させて除電液中のイオン濃度を増大させることにより、除電液の比抵抗が第２比抵抗となる。このため、除電液の比抵抗をより一層容易に調節することができる。また、基板処理装置１において、基板９のリンス処理に二酸化炭素水を使用する場合、基板９上にリンス液を供給するリンス液供給部として除電液供給部６を利用することができる。このため、基板処理装置１を大型化することなく、また、基板処理装置１の構造を複雑化することなく、基板９の除電処理を行うことができる。

除電液の第２比抵抗は、処理液の比抵抗よりも小さくてもよいが、上述のように、処理液の比抵抗以上であることが好ましい。第２比抵抗が処理液の比抵抗に等しければ、処理液による基板９の処理時に、デバイスと処理液との間で電荷の急激な移動（すなわち、放電）が生じる可能性は極めて低い。したがって、第２比抵抗を処理液の比抵抗以上とすることにより、除電液の比抵抗を第１比抵抗から過剰に減少させることなく、除電処理に要する時間の増大を抑制することができる。なお、除電処理に要する時間を短縮しつつ、処理液による処理時の放電をより一層防止するためには、第２比抵抗は、処理液の比抵抗に等しい、または、処理液の比抵抗よりも少し大きい程度がさらに好ましい。

基板処理装置１では、上述の除電処理情報に含まれる第１比抵抗、第２比抵抗および比抵抗調節時間は、基板９の上面９１上に形成されたデバイスの種類に合わせて様々に変更される。例えば、デバイスのサイズが小さい場合、第１比抵抗および第２比抵抗は比較的大きく、比抵抗調節時間は比較的長い。また、デバイスのサイズが大きい（すなわち、電荷の移動によるダメージに対する耐性が高い）場合、第１比抵抗および第２比抵抗は比較的小さく、比抵抗調節時間は比較的短い。

基板処理装置１の制御部８には、図５に示すように、ステップＳ１１よりも前に、基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電処理情報が予め記憶される（ステップＳ２１）。当該複数の除電処理情報はそれぞれ、対応するデバイスに応じた第１比抵抗、第２比抵抗および比抵抗調節時間を含む。制御部８では、当該複数の除電処理情報のうち、基板保持部２により保持される基板９の上面９１上に予め形成されたデバイスの種類に対応する１つの除電処理情報が選択される。ステップＳ１１〜Ｓ１４の除電処理では、当該１つの除電処理情報に基づいて、上述のように、制御部８により比抵抗調節部７が制御される。これにより、基板９の上面９１上のデバイスの特性に応じた適切な除電処理を行うことができる。

基板処理装置１は、図６に示すように、基板９の他方の主面９２（以下、「下面９２」という。）に向けて除電液を吐出して供給する他の除電液供給部６ａをさらに備えていてもよい。他の除電液供給部６ａ（以下、「下部除電液供給部６ａ」という。）は、下部除電ノズル６４ａと、分岐配管６３３と、下部除電液バルブ６３４とを備える。下部除電ノズル６４ａは、基板９の下方に配置され、基板９の下面９２の中央部と上下方向に対向する。分岐配管６３３は、除電液供給部６の除電液配管６３１から分岐して下部除電ノズル６４ａに接続される。下部除電液バルブ６３４は、分岐配管６３３上に設けられる。下部除電液バルブ６３４が開かれることにより、添加物混合部６３から送出された除電液が、分岐配管６３３を介して下部除電ノズル６４ａへと送られ、下部除電ノズル６４ａから基板９の下面９２の中央部へと供給される。なお、図６では、制御部８の図示を省略している（図８および図１１においても同様）。

基板処理装置１では、図７に示すように、ステップＳ１１とステップＳ１２との間において、制御部８により下部除電液供給部６ａが制御されることにより、下部除電ノズル６４ａから基板９の下面９２に第１比抵抗の除電液が供給される（ステップＳ３１）。このとき、基板９は回転していることが好ましい。ステップＳ３１は、基板９の上面９１への除電液の供給よりも前に行われるのであれば、ステップＳ１１よりも前に行われてもよい。この場合、除電液として、例えば純水が供給される。

下部除電ノズル６４ａから基板９の下面９２に除電液が供給されることにより、上記デバイスが上面上に設けられた基板本体内の電荷（例えば、カップ部４との間の誘導帯電により生じた電荷）が、下面９２に供給された除電液へと移動して減少する。換言すれば、基板本体が除電される。これにより、基板本体の電荷がデバイスへと移動することを抑制することができる。その結果、基板９の上面９１の除電処理および処理液による処理の際に、基板９上のデバイスに放電によるダメージが生じることをより一層防止することができる。また、基板９の下面９２への除電液の供給が、基板９の上面９１への除電液の供給よりも前に行われることにより、基板９の上面９１の除電処理よりも前に基板本体内の電荷を減少させることができるため、基板９の上面９１の除電処理および処理液による処理の際に、基板９上のデバイスに放電によるダメージが生じることをさらに防止することができる。

図６に示す基板処理装置１では、基板９の下面９２への除電液の供給（ステップＳ３１）は、ステップＳ１２〜Ｓ１４における基板９の上面９１への除電液の供給と、いずれかのタイミングで並行して行われてもよい。換言すれば、ステップＳ３１は、ステップＳ１２、および、ステップＳ１３，Ｓ１４の少なくとも一方と並行して行われてもよい。この場合、下部除電ノズル６４ａから基板９の下面９２に供給される除電液の比抵抗は、基板９の上面９１に供給される除電液の比抵抗に等しい。下部除電ノズル６４ａから基板９の下面９２に除電液が供給されることにより、上記と同様に、基板本体が除電されて基板本体からデバイスへの電荷移動が抑制される。その結果、基板９上のデバイスに放電によるダメージが生じることをより一層防止することができる。

図６に示す基板処理装置１では、下部除電液供給部６ａは、純水供給部６１、添加物供給部６２および添加物混合部６３等を除電液供給部６と共有しているが、下部除電液供給部６ａは、除電液供給部６から独立して除電液の他の供給源に接続されてもよい。この場合、下部除電液供給部６ａから基板９の下面９２に供給される除電液の種類や比抵抗を、除電液供給部６から基板９の上面９１に供給される除電液の種類や比抵抗と異ならせることが可能である。

図８は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１ａの構成を示す図である。基板処理装置１ａでは、図１に示す除電液供給部６と構造が異なる除電液供給部６ｂが設けられ、比抵抗調節部７が他の添加物バルブ７２をさらに備える。その他の構成は、図１に示す基板処理装置１と同様であり、以下の説明では、対応する構成に同符号を付す。

除電液供給部６ｂは、図１に示す除電液供給部６の各構成に加えて、他の添加物供給部６２ａと、他の添加物配管６２２とを備える。添加物配管６２２は、添加物供給部６２ａと添加物混合部６３とを接続する。添加物配管６２２上には、比抵抗調節部７の添加物バルブ７２が設けられる。以下の説明では、添加物供給部６２，６２ａの区別を容易にするために、添加物供給部６２，６２ａをそれぞれ「第１添加物供給部６２」および「第２添加物供給部６２ａ」という。また、添加物バルブ７１，７２をそれぞれ「第１添加物バルブ７１」および「第２添加物バルブ７２」という。

第２添加物供給部６２ａは、添加物混合部６３およびおよび図示省略の添加物供給源に接続され、添加物混合部６３に添加物を供給する。第２添加物供給部６２ａが接続される添加物供給源は、例えば、基板処理装置１ａの外部に設けられる。第２添加物供給部６２ａが接続される添加物供給源は、第１添加物供給部６２が接続される上述の添加物供給源とは異なる。また、第２添加物供給部６２ａから添加物混合部６３に供給される添加物は、第１添加物供給部６２から添加物混合部６３に供給される添加物とは異なる。以下、第１添加物供給部６２により供給される添加物を「第１溶質」といい、第２添加物供給部６２ａにより供給される添加物を「第２溶質」という。第１溶質は、例えば、二酸化炭素ガスである。第２溶質は、例えば、液状の塩酸である。第２添加物バルブ７２は、第２添加物供給部６２ａから添加物混合部６３に供給される第２溶質の量を調節する添加物供給量調節部である。

除電液供給部６ｂでは、制御部８（図１参照）により比抵抗調節部７の第１添加物バルブ７１および第２添加物バルブ７２が制御されることにより、純水供給部６１から添加物混合部６３に供給される純水に溶解させる溶質が、第１溶質と第２溶質との間で切り替え可能である。これにより、除電液ノズル６４から基板９の上面９１上に供給される除電液の種類が、複数の液種の間で切り替え可能となる。第１溶質が二酸化炭素であり、第２溶質が塩酸である場合、除電液ノズル６４から供給される除電液は、純水、二酸化炭素水および希塩酸の間で切り替え可能である。除電液を希塩酸とすることにより、二酸化炭素を飽和するまで純水に溶解させた除電液よりも、比抵抗をさらに小さくすることが可能である。換言すれば、第２溶質を溶解させた除電液の比抵抗は、第１溶質を溶解させた除電液の比抵抗よりも小さくすることが可能である。

基板処理装置１ａの制御部８には、図９に示すように、ステップＳ１１よりも前に、基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電液種情報が予め記憶される（ステップＳ４１）。制御部８では、ステップＳ４１よりも後、かつ、上述のステップＳ１１よりも前に、当該複数の除電液種情報のうち、基板保持部２により保持される基板９の上面９１上に予め形成されたデバイスの種類に対応する１つの除電液種情報が選択される。そして、当該１つの除電液種情報に基づいて、ステップＳ１２〜Ｓ１４において基板９の上面９１上に供給される除電液の種類が決定される（ステップＳ４２）。

基板処理装置１ａでは、制御部８により比抵抗調節部７が制御されることにより、除電液ノズル６４から吐出される除電液の種類が切り替えられ、ステップＳ４２にて決定された種類とされる。そして、上述のように、基板９の上面９１上のデバイスの種類に対応する１つの除電処理情報に基づいて、制御部８により比抵抗調節部７が制御されつつ、基板９の上面９１に対する除電処理（ステップＳ１１〜Ｓ１４）が行われる。

例えば、基板９の上面９１上に形成されたデバイスが比較的小さい場合、第２比抵抗の除電液は、純水に第１溶質である二酸化炭素を溶解させた二酸化炭素水であり、当該デバイスが比較的大きい場合、第２比抵抗の除電液は、純水に第２溶質である塩酸を溶解させた希塩酸である。また、基板９上のデバイスが、酸性の除電液との接触が好ましくない種類の場合、第２溶質は塩酸ではなく、例えばアンモニアとされる。この場合、第２比抵抗の除電液として、純水にアンモニアを溶解させたアンモニア水が使用される。

このように、基板処理装置１ａでは、基板９の上面９１上に形成されたデバイスの種類に応じて除電液の種類が切り替えられることにより、基板９の上面９１上のデバイスの特性に応じた適切な除電処理を行うことができる。

基板処理装置１ａでは、基板９の上面９１上に形成されるデバイスの種類等に応じて、上述の除電処理の途中で、除電液の種類が変更されてもよい。例えば、ステップＳ１２において、第１比抵抗の除電液として純水が基板９の上面９１上に供給され、上面９１全体が純水によりパドルされる。ステップＳ１３では、まず、図１０に示すように、第１比抵抗の除電液に第１添加物供給部６２からの第１溶質（例えば、二酸化炭素）を溶解させて除電液中のイオン濃度を増大させる（ステップＳ１３１）。その後、除電液に第２添加物供給部６２ａからの第２溶質（例えば、塩酸）を溶解させて除電液中のイオン濃度をさらに増大させ、これにより、除電液の比抵抗を第２比抵抗とする（ステップＳ１３２）。ステップＳ１３２では、第１添加物供給部６２から添加物混合部６３への第１溶質の供給は、継続されていてもよく、停止されていてもよい。

このように、基板処理装置１ａでは、第１比抵抗の除電液に第１溶質を溶解させた後、さらに第２溶質を溶解させて除電液の比抵抗を第２比抵抗とすることにより、ステップＳ１３における除電液の比抵抗の調節幅を大きくすることができる。換言すれば、第１比抵抗と第２比抵抗との差を大きくすることができる。

図８に示す基板処理装置１ａでは、第２添加物供給部６２ａは、必ずしも第１添加物供給部６２が接続された添加物混合部６３に接続される必要はない。例えば、もう１組の純水供給部６１、添加物混合部６３および除電液ノズル６４が基板処理装置１ａに設けられ、第２添加物供給部６２ａは、当該添加物混合部６３に接続されてもよい。

図１１は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１ｂの構成を示す図である。基板処理装置１ｂでは、比抵抗調節部７が加熱部７３を備える。その他の構成は、図１に示す基板処理装置１と同様であり、以下の説明では、対応する構成に同符号を付す。

加熱部７３は、除電液供給部６の純水配管６１１上に設けられ、純水供給部６１から添加物混合部６３へと送られる純水を加熱する。純水の比抵抗は、温度が高くなるに従って小さくなる。基板処理装置１ｂでは、除電液ノズル６４から基板９の上面９１上へと供給される除電液は、例えば純水である。基板処理装置１ｂでは、比抵抗計６７からの出力に基づいて、制御部８（図１参照）が比抵抗調節部７の加熱部７３をフィードバック制御することにより、除電液ノズル６４から基板９の上面９１上に供給される除電液の温度が制御され、これにより、当該除電液の比抵抗が制御される。

基板処理装置１ｂにおける基板９の処理の流れは図２に示すものとほぼ同様である。ステップＳ１１では、制御部８により加熱部７３が制御されることにより、除電液の温度が制御され、除電液の比抵抗が第１比抵抗となる。また、ステップＳ１３では、制御部８により加熱部７３が制御されることにより、第１比抵抗の除電液の温度が上昇し、これにより、除電液の比抵抗が第２比抵抗となる。このように、基板処理装置１ｂでは、除電液の温度を調節することにより、除電液の比抵抗を容易に調節することができる。

基板処理装置１ｂでは、例えば、除電液の温度を測定する温度測定部が除電液配管６３１上に設けられ、当該温度測定部から出力される除電液の温度に基づいて、加熱部７３が制御部８によりフィードバック制御されてもよい。また、添加物供給部６２から供給される添加物（例えば、二酸化炭素）が所定の濃度にて純水に溶解した液体が、除電液として利用されてもよい。さらには、除電液の比抵抗の制御は、除電液の温度、および、除電液中のイオン濃度の双方を制御することにより行われてもよい。

基板処理装置１，１ａでは、様々な変更が可能である。

例えば、第１比抵抗は、処理液供給部３から基板９に供給される処理液の比抵抗よりも大きければ、１８ＭΩ・ｃｍ未満であってもよい。したがって、第１比抵抗の除電液は、純水ではなく、二酸化炭素水のようなイオンを含む液体であってもよい。

ステップＳ１３は、ステップＳ１２と並行して行われ、ステップＳ１２の直後、すなわち、第１比抵抗の除電液により基板９の上面９１全体がパドルされた直後、除電液ノズル６４から基板９の上面９１に向けて、第１比抵抗よりも小さい比抵抗の除電液が供給されてもよい。

添加物供給部６２から添加物混合部６３に供給される添加物は、二酸化炭素以外であってもよい。当該添加物としては、例えば、塩酸、アンモニアまたは過酸化水素水が利用される。

ステップＳ１５では、基板９の上面９１上に液状のイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」という。）が供給されることにより、除電液が基板９の上面９１上から除去されてもよい。除電液の除去後のＩＰＡは、基板９の回転により、基板９のエッジから外側へと飛散して基板９上から除去される。

ステップＳ１６では、ＳＰＭ液以外の処理液が基板９上に供給され、基板９に対する他の処理が行われてもよい。例えば、レジスト膜が形成された基板９上に処理液としてバッファードフッ酸（ＢＨＦ）が供給され、基板９のエッチング処理が行われてもよい。基板処理装置１，１ａ，１ｂでは、上述のように、帯電した基板９と処理液との接触による電荷の急激な移動に伴う基板９の損傷を防止することができる。したがって、基板処理装置１，１ａ，１ｂの構造は、ＳＰＭ液やバッファードフッ酸のように、比抵抗が非常に小さい処理液による処理が行われる装置に特に適している。

除電液と処理液との混合による悪影響が生じないのであれば、基板９上からの除電液の除去（ステップＳ１５）は省略され、基板９の上面９１上に除電液が存在する状態で処理液が供給されて基板９の処理が行われてもよい。

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。

１，１ａ，１ｂ 基板処理装置
２ 基板保持部
３ 処理液供給部
６，６ｂ 除電液供給部
６ａ 下部除電液供給部
７ 比抵抗調節部
８ 制御部
９ 基板
９１ （基板の）上面
９２ （基板の）下面
Ｓ１１〜Ｓ１９，Ｓ２１，Ｓ３１，Ｓ４１，Ｓ４２，Ｓ１３１，Ｓ１３２ ステップ

Claims (20)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、
   前記基板の前記主面上に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記基板の前記主面上に除電液を供給する除電液供給部と、
   前記除電液の比抵抗を調節する比抵抗調節部と、
   前記処理液供給部、前記除電液供給部および前記比抵抗調節部を制御することにより、前記処理液の比抵抗よりも大きい第１比抵抗の前記除電液を前記基板の前記主面上に供給して前記主面全体を前記除電液にてパドルした後、前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗を前記第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗まで減少させ、前記第２比抵抗の前記除電液にて前記主面全体をパドルすることにより前記主面上の電荷を減少させた後、前記処理液を前記基板の前記主面上に供給して所定の処理を行う制御部と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記第１比抵抗の前記除電液が純水であることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記比抵抗調節部が、前記第１比抵抗の前記除電液中のイオン濃度を増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とすることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記比抵抗調節部が、前記第１比抵抗の前記除電液に二酸化炭素を溶解させて前記イオン濃度を増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とすることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記比抵抗調節部が、前記第１比抵抗の前記除電液に第１溶質を溶解させて前記イオン濃度を増大させた後、前記除電液に第２溶質を溶解させて前記イオン濃度をさらに増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とすることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記比抵抗調節部が、前記第１比抵抗の前記除電液の温度を上昇させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とすることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記第２比抵抗が、前記処理液の比抵抗以上であることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電処理情報が、前記制御部に予め記憶されており、
   前記基板の前記主面上にデバイスが予め形成されており、
   前記複数の除電処理情報がそれぞれ、前記第１比抵抗、前記第２比抵抗、および、前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗を前記第１比抵抗から前記第２比抵抗へと変更する際に要する比抵抗調節時間を含み、
   前記制御部が、前記複数の除電処理情報のうち前記主面上の前記デバイスの種類に対応する１つの除電処理情報に基づいて前記比抵抗調節部を制御することを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電液種情報が、前記制御部に予め記憶されており、
   前記除電液供給部において、前記除電液の種類を複数の液種の間で切り替え可能であり、
   前記基板の前記主面上にデバイスが予め形成されており、
   前記制御部が、前記複数の除電液種情報のうち前記主面上の前記デバイスの種類に対応する１つの除電液種情報に基づいて、前記除電液の種類を切り替えることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、
    前記基板の他方の主面に除電液を供給する他の除電液供給部をさらに備え、
    前記制御部が前記他の除電液供給部を制御することにより、前記基板の前記主面への前記除電液の供給よりも前に、または、前記主面への前記除電液の供給と並行して、前記基板の前記他方の主面に除電液が供給されることを特徴とする基板処理装置。
11. 基板を処理する基板処理方法であって、
    ａ）主面を上側に向けた状態で保持される基板の前記主面上に第１比抵抗の除電液を供給して前記主面全体を前記除電液にてパドルする工程と、
    ｂ）前記ａ）工程よりも後に、前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗を前記第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗まで減少させ、前記第２比抵抗の前記除電液にて前記主面全体をパドルすることにより、前記主面上の電荷を減少させる工程と、
    ｃ）前記ｂ）工程よりも後に、前記第１比抵抗よりも比抵抗が小さい処理液を前記基板の前記主面上に供給して所定の処理を行う工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
12. 請求項１１に記載の基板処理方法であって、
    前記ａ）工程における前記第１比抵抗の前記除電液が純水であることを特徴とする基板処理方法。
13. 請求項１１または１２に記載の基板処理方法であって、
    前記ｂ）工程において、前記第１比抵抗の前記除電液中のイオン濃度を増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とすることを特徴とする基板処理方法。
14. 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
    前記ｂ）工程において、前記第１比抵抗の前記除電液に二酸化炭素を溶解させて前記イオン濃度を増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とすることを特徴とする基板処理方法。
15. 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
    前記ｂ）工程が、
    ｂ１）前記第１比抵抗の前記除電液に第１溶質を溶解させて前記イオン濃度を増大させる工程と、
    ｂ２）前記ｂ１）工程よりも後に、前記除電液に第２溶質を溶解させて前記イオン濃度をさらに増大させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とする工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
16. 請求項１１ないし１５のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記ｂ）工程において、前記第１比抵抗の前記除電液の温度を上昇させることにより、前記除電液の比抵抗を前記第２比抵抗とすることを特徴とする基板処理方法。
17. 請求項１１ないし１６のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記第２比抵抗が、前記処理液の比抵抗以上であることを特徴とする基板処理方法。
18. 請求項１１ないし１７のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記ａ）工程よりも前に、基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電処理情報を記憶する工程をさらに備え、
    前記複数の除電処理情報がそれぞれ、前記第１比抵抗、前記第２比抵抗、および、前記基板の前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗を前記第１比抵抗から前記第２比抵抗へと変更する際に要する比抵抗調節時間を含み、
    前記ｂ）工程において、前記複数の除電処理情報のうち前記基板の前記主面上に予め形成されたデバイスの種類に対応する１つの除電処理情報に基づいて、前記主面上に供給される前記除電液の比抵抗が調節されることを特徴とする基板処理方法。
19. 請求項１１ないし１８のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記基板の前記主面上に供給される前記除電液の種類が、複数の液種の間で切り替え可能であり、
    前記基板処理方法が、
    ｄ）前記ａ）工程よりも前に、基板上に形成され得るデバイスの複数の種類にそれぞれ対応する複数の除電液種情報を記憶する工程と、
    ｅ）前記ｄ）工程よりも後、かつ、前記ａ）工程よりも前に、前記複数の除電液種情報のうち前記基板の前記主面上に予め形成されたデバイスの種類に対応する１つの除電液種情報に基づいて、前記基板の前記主面上に供給される前記除電液の種類を決定する工程と、
    をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
20. 請求項１１ないし１９のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記ａ）工程よりも前に、または、前記ａ）工程および前記ｂ）工程の少なくとも一方と並行して、前記基板の他方の主面に除電液を供給する工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。

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