TWI634607B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents
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Abstract
在基板處理裝置1中，對因乾式處理而導致裝置帶電的基板9，於利用處理液施行處理前，利用除靜電液施行去除靜電處理。在去除靜電處理中，利用較大於處理液比電阻的第1比電阻除靜電液液置基板9的上面91全體。藉此，可在防止基板9上的裝置發生損傷情況下，將基板9的上面91全體較緩和地去除靜電。接著，使除靜電液的比電阻減少至較小於第1比電阻的第2比電阻。然後，利用第2比電阻除靜電液液置基板9的上面91全體。藉此，可在防止基板9的上面91遭受損傷情況下，促進裝置內的電荷朝除靜電液移動，俾可依短時間施行基板9上面91的去除靜電。
Description
本發明係關於對基板施行處理的技術。
自習知起，在半導體基板(以下簡稱「基板」)的製造步驟中，使用基板處理裝置，對具有氧化膜等絕緣膜的基板施行各式各樣的處理。例如藉由對表面上已形成有光阻圖案的基板供應處理液，而對基板的表面施行蝕刻等處理。又，待蝕刻等結束後，亦施行除去基板上之光阻的處理。
利用基板處理裝置施行處理的基板，在被搬入基板處理裝置前，將先施行乾式蝕刻、電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)等乾式步驟。此種乾式步驟，因為會在裝置內產生電荷而帶電，導致基板被依帶電狀態搬入基板處理裝置(所謂「夾帶帶電」)。而，在基板處理裝置中，若將諸如SPM液之類較小比電阻(specific electrical resistance)的處理液供應給基板上，則裝置內的電荷會從裝置急遽地朝處理液移動(即，朝處理液中放電)，致使會有因該移動所伴隨的發熱導致裝置出現損傷的可能性。此處雖有考慮在處理液供應給基板之前，利用靜電消除裝置對基板施行去除
靜電，但當基板的帶電量較大時，較難有效率地施行去除靜電。
日本專利特開2013-77624號公報(文獻1)的基板處理裝置，係在利用處理液施行處理之前，將比電阻較大於處理液的純水等除靜電液供應給基板上，並利用除靜電液在基板上面全體進行液置。藉此，基板會被較緩和地去除靜電。然後，從基板上除去除靜電液，再將SPM液等處理液供應給基板上，因而可防止上述因電荷急遽移動所伴隨的基板損傷。
但是，如文獻1的基板處理裝置，在利用除靜電液液置基板上面後，為能將基板施行去除靜電至所需水準，需要較長時間。另一方面，基板處理裝置渴求能縮短基板處理所需要的時間。
本發明傾向於對基板施行處理的基板處理裝置及基板處理方法。本發明目的在於：在防止基板主面遭受損傷，且依短時間施行主面的去除靜電。
本發明的基板處理裝置係具備有：基板保持部、處理液供應部、除靜電液供應部、比電阻調節部、及控制部；其中，該基板保持部係依主面朝向上側的狀態保持著基板；該處理液供應部係對上述基板的上述主面上供應處理液；該除靜電液供應部係對上述基板的上述主面上供應除靜電液；該比電阻調節部係調節上述除靜電液的比電阻；該控制部係藉由控制著上述處理液供應部、上述除靜電
液供應部及上述比電阻調節部，而將比電阻較大於上述處理液的第1比電阻上述除靜電液，供應給上述基板的上述主面上，並利用上述除靜電液液置上述主面全體後，再使供應給上述主面上的述除靜電液之比電阻，減少至較小於上述第1比電阻的第2比電阻，藉由利用上述第2比電阻的上述除靜電液液置上述主面全體，而使上述主面上的電荷減少後，將上述處理液供應給上述基板的上述主面上並施行既定處理。根據該基板處理裝置，可在防止基板主面遭受損傷，且於短時間內施行主面的去除靜電。
本發明一較佳實施形態，上述第1比電阻的上述除靜電液係純水。
本發明另一較佳實施形態，上述比電阻調節部係藉由使上述第1比電阻的上述除靜電液中之離子濃度增加，而使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
更佳，上述比電阻調節部係使二氧化碳溶解於上述第1比電阻的上述除靜電液，而增加上述離子濃度，藉此使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
或者，上述比電阻調節部係在使第1溶質溶解於上述第1比電阻的上述除靜電液，而使上述離子濃度增加後，再藉由使第2溶質溶解於上述除靜電液中而更增加上述離子濃度，藉此使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
本發明另一較佳實施形態，上述比電阻調節部係藉由使上述第1比電阻的上述除靜電液溫度上升，而使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
本發明另一較佳實施形態，上述第2比電阻係達上述處理液的比電阻以上。
本發明另一較佳實施形態中，各自對應於基板上可形成的複數種類裝置之複數去除靜電處理資訊，係預先記憶於上述控制部；在上述基板的上述主面上預先形成裝置；上述複數去除靜電處理資訊係包括有分別將上述第1比電阻、上述第2比電阻、及供應給上述主面上的上述除靜電液之比電阻，從上述第1比電阻變更為上述第2比電阻時所需要的比電阻調節時間；上述控制部係根據上述複數去除靜電處理資訊中對應於上述主面上之上述裝置種類的1個去除靜電處理資訊，控制著上述比電阻調節部。
本發明另一較佳實施形態中，各自對應於基板上可形成的複數種類裝置之複數除靜電液種資訊，係預先記憶於上述控制部；上述除靜電液供應部可將上述除靜電液的種類在複數液種間進行切換；在上述基板的上述主面上預先形成裝置；上述控制部係根據上述複數除靜電液種資訊中對應於上述主面上之上述裝置種類的1個除靜電液種資訊，切換上述除靜電液的種類。
本發明另一較佳實施形態，更進一步具備有對上述基板另一主面供應除靜電液的另一除靜電液供應部；上述控制部係藉由控制上述另一除靜電液供應部，而在朝上述基板的上述主面供應上述除靜電液之前、或者與朝上述主面供應上述除靜電液並行，朝上述基板的上述另一主面供應除靜電液。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點，經參照所附圖式進行以下本發明的詳細說明而可清楚明瞭。
1、1a、1b‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧基板保持部
3‧‧‧處理液供應部
4‧‧‧杯部
5‧‧‧基板旋轉機構
6、6b‧‧‧除靜電液供應部
6a‧‧‧下部除靜電液供應部
7‧‧‧比電阻調節部
8‧‧‧控制部
9‧‧‧基板
31‧‧‧硫酸供應部
32‧‧‧過氧化氫水供應部
33‧‧‧混合液生成部
34‧‧‧處理液噴嘴
35‧‧‧處理液噴嘴轉動機構
61‧‧‧純水供應部
62‧‧‧添加物供應部
62a‧‧‧添加物供應部
63‧‧‧添加物混合部
64‧‧‧除靜電液噴嘴
64a‧‧‧下部去除靜電噴嘴
65‧‧‧除靜電液噴嘴轉動機構
66‧‧‧流量計
67‧‧‧比電阻計
71‧‧‧添加物閥
72‧‧‧添加物閥
73‧‧‧加熱部
91‧‧‧(基板之)上面
92‧‧‧(基板之)下面
331‧‧‧混合閥
332‧‧‧處理液配管
333‧‧‧攪拌流通管
351‧‧‧旋轉軸
352‧‧‧機械臂
611‧‧‧純水配管
621‧‧‧添加物配管
622‧‧‧添加物配管
631‧‧‧除靜電液配管
632‧‧‧除靜電液閥
633‧‧‧分支配管
634‧‧‧下部除靜電液閥
651‧‧‧旋轉軸
652‧‧‧機械臂
901‧‧‧虛線
902‧‧‧實線
905‧‧‧實線
905a‧‧‧最初尖峰
905b‧‧‧尖峰
906‧‧‧虛線
907‧‧‧單點鏈線
908‧‧‧實線
S11~S19、S21、S31、S41、S42、S131、S132‧‧‧步驟
圖1係第1實施形態的基板處理裝置之構成圖。
圖2係基板的處理流程圖。
圖3A係去除靜電處理前後的基板上之表面電位分佈圖。
圖3B係去除靜電處理前後的基板上之表面電位分佈圖。
圖4係基板與除靜電液間之電位差經時變化之概念圖。
圖5係基板處理一部分流程之圖。
圖6係基板處理裝置另一例圖。
圖7係基板處理一部分流程之圖。
圖8係第2實施形態的基板處理裝置之構成圖。
圖9係基板處理一部分流程之圖。
圖10係基板處理一部分流程之圖。
圖11係第3實施形態的基板處理裝置之構成圖。
圖1所示係本發明第1實施形態的基板處理裝置1之構成圖。
如圖1所示，基板處理裝置1係每次處理1片半導體基板9(以下簡稱「基板9」)的單片式裝置。基板處理裝置1係對基板9供應SPM(硫酸/過氧化氫混合)液，並施行SPM處理(即，基板9上的光阻膜之除去處理)。
基板處理裝置1係具備有：基板保持部2、處理液供應部3、杯部4、基板旋轉機構5、除靜電液供應部6、比電阻調節部7、以及對該等機構進行控制的控制部8。基板保持部2係在將基板9其中一主面91(以下稱「上面91」)朝上側的狀態，保持著基板9。在基板9的上面91預先形成裝置。
處理液供應部3係朝基板9的上面91吐出SPM液等處理液，而對上面91上供應處理液。在除靜電液供應部6中，朝基板9的上面91吐出除靜電液，而對上面91上供應除靜電液。比電阻調節部7係調節除靜電液的比電阻。基板旋轉機構5係以通過基板9的中心且垂直於基板9之上面91的旋轉軸為中心，將基板9一起與基板保持部2進行水平旋轉。杯部4係包圍著基板9與基板保持部2的周圍，承接從旋轉中的基板9朝周圍飛散的處理液等液體。在基板處理裝置1中，將基板保持部2、杯部4、基板旋轉機構5等收容於未圖示的腔室內。
處理液供應部3係具備有：硫酸供應部31、過氧化氫水供應部32、混合液生成部33、處理液噴嘴34、及處理液噴嘴轉動機構35。
硫酸供應部31係連接於混合液生成部33及未圖示硫酸供應源，對混合液生成部33供應硫酸。過氧化氫水供應部32係連接於混合液生成部33及未圖示過氧化氫水供應源，對混合液生成部33供應過氧化氫水。硫酸供應源及過氧化氫水供應源係例如設置於基板處理裝置1的外部。
混合液生成部33係具備有：混合閥331、處理液配管332、及攪拌流通管333。混合閥331連接於硫酸供應部31及過氧化氫水供應部32。處理液配管332係將混合閥331與處理液噴嘴34予以連接。攪拌流通管333係設置於處理液配管332上。
在處理液供應部3中，從硫酸供應部31朝混合閥331供應經加熱硫酸，並將常溫(即與室溫同程度的溫度)過氧化氫水供應給混合閥331。供應給混合閥331的硫酸溫度係例如約130℃~150℃。
在混合閥331中，將硫酸與過氧化氫水予以混合，而生成屬於混合液的SPM液(硫酸-過氧化氫水)。屬於處理液的SPM液係通過處理液配管332及攪拌流通管333而送入處理液噴嘴34。在攪拌流通管333中，藉由攪拌SPM液而促進硫酸與過氧化氫水的化學反應。
處理液噴嘴34係配置於基板9的上方，從前端朝基板9的上面91吐出處理液。處理液噴嘴轉動機構35係具備有從旋轉軸351朝水平方向延伸且安裝有處理液噴嘴34的機械臂352。處理液噴嘴轉動機構35係將處理液噴嘴34與機械臂352以旋轉軸351為中心進行水平轉動。
在除靜電液供應部6中，將控制比電阻的除靜電液供應給基板9的上面91上。除靜電液係純水(DIW：deionized water，去離子水)、或含有離子的液體。除靜電液的比電阻較佳係0.05MΩ‧cm以上且18MΩ‧cm以下。該含離子的液體係利用於例如使二氧化碳(CO2)溶解於純水時。
除靜電液供應部6係具備有：純水供應部61、添加物供應部62、添加物混合部63、除靜電液噴嘴64、除靜電液噴嘴轉動機構65、流量計66、及比電阻計67。純水供應部61係連接於添加物混合部63及未圖示純水供應源，對添加物混合部63供應純水。流量計66係設置於將純水供應部61與添加物混合部63予以相連接的純水配管611上，測定在純水配管611中流動的純水流量。添加物供應部62係連接於添加物混合部63與未圖示添加物供應源，對添加物混合部63供應添加物。從添加物供應部62供應的添加物係例如二氧化碳氣體。純水供應源及添加物供應源係例如設置於基板處理裝置1的外部。
在添加物混合部63中，於來自純水供應部61的純水中，混合有來自添加物供應部62的添加物，而生成屬於除靜電液之含有離子的液體。當添加物係供應二氧化碳的情況，係在添加物混合部63中，將二氧化碳溶解於純水，而生成屬於除靜電液的二氧化碳水(CO2水)。除靜電液係從添加物混合部63經由除靜電液配管631輸送至除靜電液噴嘴64。另一方面，當停止來自添加物供應部62的
添加物供應時，從純水供應部61朝添加物混合部63供應的純水，當作除靜電液，並經由除靜電液配管631而輸送至除靜電液噴嘴64。在除靜電液配管631上設有除靜電液閥632。除靜電液閥632係針對從添加物混合部63被送出至除靜電液噴嘴64的除靜電液之流量，進行調節的除靜電液供應量調節部。
除靜電液噴嘴64係配置於基板9的上方，從前端朝基板9的上面91吐出除靜電液。除靜電液噴嘴轉動機構65係具備有從旋轉軸651朝水平方向延伸且安裝有除靜電液噴嘴64的機械臂652。除靜電液噴嘴轉動機構65係將除靜電液噴嘴64與機械臂652以旋轉軸651為中心進行水平轉動。
比電阻調節部7係具備有添加物閥71。添加物閥71係設置於將添加物供應部62與添加物混合部63相連接的添加物配管621上。添加物閥71係將從添加物供應部62朝添加物混合部63供應的添加物量進行調節之添加物供應量調節部。藉由利用比電阻調節部7調節供應給添加物混合部63的添加物量，調節在添加物混合部63中將混合於來自純水供應部61的純水中之添加物量。藉此，從添加物混合部63送出的除靜電液中之離子濃度被調節。若除靜電液中的離子濃度增加，則除靜電液的比電阻會減少，若除靜電液中的離子濃度減少，則除靜電液的比電阻會增加。
在基板處理裝置1中，根據來自比電阻計67的輸出(即除靜電液配管631內的除靜電液之比電阻測定值)，利用控制部8對比電
阻調節部7的添加物閥71進行回饋控制。藉此，於添加物混合部63中混合於純水中的添加物量受控制，使從添加物混合部63輸送至除靜電液配管631的除靜電液中之離子濃度受控制。結果，除靜電液的比電阻成為所需的比電阻。
圖2所示係基板處理裝置1的基板9之處理流程之圖。以下係針對從添加物供應部62所供應的添加物為二氧化碳之情況進行說明。在基板處理裝置1中，首先搬入基板9並利用基板保持部2保持。基板9係在被搬入基板處理裝置1之前，經由乾式蝕刻、電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)等乾式步驟。經施行乾式步驟過的基板9，會於上面91上的裝置內產生電荷，使基板9呈帶電狀態。
接著，在除靜電液供應部6中，於除靜電液噴嘴64位於較基板9的外周緣更靠外側的待機位置狀態下，利用控制部8控制除靜電液供應部6的除靜電液閥632，並開始從除靜電液噴嘴64吐出除靜電液。然後，根據來自比電阻計67的輸出，利用控制部8對添加物閥71施行回饋控制。藉此，在添加物混合部63中溶解於純水的二氧化碳量受到控制。即，除靜電液中的離子濃度受到控制。結果，除靜電液的比電阻成為預先記憶於控制部8中的第1比電阻(步驟S11)。
第1比電阻係較大於從處理液供應部3供應給基板9的處理液之比電阻。當第1比電阻係例如約18MΩ‧cm的情況，除靜電液為純水。以下，針對第1比電阻的除靜電液(即比電阻等於第1比電
阻的除靜電液)係純水的情況進行說明。此情況，在步驟S11中，關閉添加物閥71，並停止從添加物供應部62朝添加物混合部63的二氧化碳供應。
其次，利用除靜電液噴嘴轉動機構65，使除靜電液噴嘴64從待機位置移動，如圖1所示，除靜電液噴嘴64前端的吐出口朝向基板9之上面91的中心部。此時，基板旋轉機構5係利用控制部8控制為停止、或依低旋轉速度進行旋轉狀態。所以，基板9呈未旋轉狀態、或者依低旋轉速度(例如10~200rpm)進行旋轉的狀態。然後，從除靜電液噴嘴64朝基板9的上面91上供應第1比電阻的除靜電液，並從基板9的中心部擴展至上面91全體。藉此，在基板9的上面91上形成第1比電阻的除靜電液之薄層(例如厚度約1mm的層)，上面91全體利用第1比電阻的除靜電液被液置(步驟S12)。在基板處理裝置1中，基板9之上面91上的裝置內電荷，會從裝置朝除靜電液移動，使上面91上的電荷減少。
若基板9的上面91全體利用除靜電液被液置，則利用控制部8控制比電阻調節部7，並開啟添加物閥71。藉此，從添加物供應部62朝添加物混合部63供應二氧化碳，並利用添加物混合部63溶解於來自純水供應部61的純水。所以，從添加物混合部63送出至除靜電液噴嘴64的第1比電阻，其除靜電液中的離子濃度會增加，而除靜電液的比電阻則減少。在基板處理裝置1中，自開始從添加物供應部62供應二氧化碳起經既定時間後，對基板9的上面91上所供應除靜電液之比電阻，減少至較第1比電阻更小的第2比電阻
(步驟S13)。換言之，比電阻調節部7係藉由使二氧化碳溶解於第1比電阻的除靜電液中，而增加除靜電液中的離子濃度，使除靜電液的比電阻成為第2比電阻。
第2比電阻亦係與第1比電阻同樣地，預先記憶於控制部8中。第2比電阻較佳係達上述處理液的比電阻以上。更佳第2比電阻係稍大於處理液的比電阻。在控制部8中，亦記憶著將供應給基板9之上面91上的除靜電液之比電阻，由第1比電阻變更為第2比電阻時的所需時間(以下稱「比電阻調節時間」)。控制部8係在執行步驟S11~S13的期間，根據含有第1比電阻、第2比電阻及比電阻調節時間的去除靜電處理資訊，控制著比電阻調節部7的添加物閥71之開度。
在基板處理裝置1中，從除靜電液噴嘴64朝基板9的上面91上供應第2比電阻的除靜電液(即比電阻等於第2比電阻的除靜電液)，並從基板9的中心部擴展至上面91全體。藉此，基板9的上面91全體係利用第2比電阻的除靜電液被液置(步驟S14)。然後，在基板9的上面91全體利用第2比電阻的除靜電液被液置狀態下，僅維持既定時間。在基板處理裝置1中，基板9的上面91上之裝置內電荷會從裝置朝除靜電液移動，而使基板9的上面91上之電荷減少。若基板9的上面91上之電荷減少至既定水準，則結束基板9的去除靜電處理。在利用第2比電阻除靜電液進行的基板9之液置處理中，從除靜電液噴嘴64的第2比電阻除靜電液之供應係可持續進行、亦可停止。
圖3A及圖3B所示係去除靜電處理前後的基板9，其上面91的表面電位分佈圖。圖3A所示係基板9的1個直徑上之表面電位分佈。圖3B所示係正交於圖3A所對應直徑的1個直徑上之表面電位分佈。圖3A及圖3B的橫軸係表示基板9直徑上的位置，縱軸係表示在該位置的電位。虛線901係表示去除靜電處理前的電位分佈，實線902係表示去除靜電處理後的電位分佈。如圖3A及圖3B所示，利用上述去除靜電處理，基板9之上面91上的電荷會減少，基板9之上面91的電位呈全體性降低。
若上述去除靜電處理結束，則利用除靜電液噴嘴轉動機構65使除靜電液噴嘴64返回待機位置。接著，藉由利用控制部8控制著基板旋轉機構5，增加基板9的旋轉速度。當上述去除靜電處理係依基板9停止的狀態施行時，開始基板9的旋轉。藉由基板9的旋轉，在基板9上面91上的除靜電液係朝基板9的邊緣移動，並從基板9的邊緣朝外側飛散而從基板9上除去(步驟S15)。從基板9飛散的除靜電液係利用杯部4承接。在基板處理裝置1中，基板旋轉機構5係發揮藉由旋轉基板9而除去上面91上之液體的液體除去部功效。
若除靜電液的除去結束，則降低利用基板旋轉機構5進行的基板9之旋轉速度，而變更為SPM處理時的旋轉速度。又，開始利用處理液噴嘴轉動機構35進行處理液噴嘴34的轉動，處理液噴嘴34在基板9的中心部與邊緣之間重複進行往復運動。
其次，藉由利用控制部8控制著處理液供應部3，被加熱至約130℃~150℃的硫酸會從硫酸供應部31供應給混合閥331，而常溫的過氧化氫水則從過氧化氫水供應部32供應給混合閥331。在混合閥331中，經加熱硫酸與常溫過氧化氫水混合，並生成比電阻較小於上述第1比電阻的SPM液。SPM液的溫度係因硫酸與過氧化氫水間之反應，而成為較高於從硫酸供應部31供應的硫酸溫度，例如約150℃~195℃。
SPM液係通過處理液配管332及攪拌流通管333，再從處理液噴嘴34供應給基板9的上面91上。換言之，利用處理液供應部3，在經加熱硫酸與過氧化氫水呈混合狀態下，供應給基板9的上面91上。SPM液係利用基板9的旋轉而擴展於基板9的上面91全體，並從基板9的邊緣朝外側飛散並利用杯部4承接。在基板處理裝置1中，對基板9進行的SPM液供應係連續進行剛好既定時間，而施行對基板9的SPM處理，即利用SPM液中所含卡洛酸(Caro's acid)的強氧化力，施行基板9上的光阻膜除去處理(步驟S16)。另外、在基板處理裝置1中，亦可從在基板9中心部上方停止的處理液噴嘴34，執行SPM液等的供應。
若SPM處理(即利用處理液進行的藥液處理)結束，則在持續從過氧化氫水供應部32供應過氧化氫水的狀態下，停止從硫酸供應部31的硫酸供應。所以，從處理液噴嘴34朝已被除去光阻膜的基板9之上面91上供應過氧化氫水。藉此，在混合閥331、處理液配
管332、攪拌流通管333及處理液噴嘴34內殘留的SPM液被除去。又，供應給基板9之上面91上的過氧化氫水會利用基板9的旋轉而擴展至上面91全體，並將基板9上殘留屬於處理液的SPM液，從基板9的邊緣朝外側推出並除去(步驟S17)。
若SPM液的除去結束，則停止從處理液噴嘴34的過氧化氫水供應，並利用處理液噴嘴轉動機構35，使處理液噴嘴34朝基板9外側的待機位置移動。接著，施行對基板9的上面91供應清洗液的清洗處理(步驟S18)。清洗液係利用例如純水、二氧化碳水。清洗液係可從未圖示清洗液供應部供應、亦可利用除靜電液供應部6供應。
清洗液係利用基板9的旋轉而擴展至基板9的上面91全體。藉此，在基板9上殘留的過氧化氫水被沖洗掉。若清洗處理連續進行僅既定時間，即停止清洗液的供應。然後，增加基板9的旋轉速度，執行利用基板9的旋轉將基板9上殘留之清洗液予以除去的乾燥處理(步驟S19)。然後，停止基板9的旋轉，再從基板處理裝置1中搬出基板9。
如上所說明，在基板處理裝置1中，於對因乾式蝕刻或電漿CVD等乾式處理而導致裝置帶電的基板9，利用屬於處理液的SPM液施行處理之前，利用除靜電液施行去除靜電處理。在去除靜電處理中，利用較大於處理液之比電阻的第1比電阻除靜電液，液置基板9的上面91全體。藉此，基板9的上面91全體被較緩和地去除
靜電。當施行該去除靜電處理之際，因為基板9之上面91上的裝置內電荷不會急遽朝除靜電液移動(即朝處理液中放電)並發熱，因而可防止基板9上的裝置發生損傷情形。
再者，在基板處理裝置1中，於利用第1比電阻除靜電液施行液置處理後，再使除靜電液的比電阻減少至較小於第1比電阻的第2比電阻。然後，利用第2比電阻除靜電液液置基板9的上面91全體。藉此，可在防止基板9的上面91發生損傷(即上面91上的裝置損傷)，且促進該裝置內的電荷朝除靜電液移動，俾能在短時間內施行基板9上面91的去除靜電。
圖4所示係基板處理裝置1在施行去除靜電處理時，基板9與除靜電液間之電位差的經時變化概念圖。以下，參照圖4，針對上述基板處理裝置1的效果進行詳細說明。圖4中的橫軸係表示從開始朝基板9上供應除靜電液起的經過時間。圖4中的縱軸係表示基板9與除靜電液間的電位差絕對值。實線905係表示基板處理裝置1在進行上述去除靜電處理時，基板9與除靜電液間之電位差(以下亦簡稱「電位差」)。
平行於橫軸的直線之實線908係表示因基板9上的裝置與除靜電液間之接觸，而導致因急遽電荷移動造成裝置發生損傷的電位差。即，若電位差的經時變化尖峰大於實線908，則基板9上的裝置會發生損傷。
虛線906係表示假設未使除靜電液的比電阻從第1比電阻進行變化的情況下，持續施行去除靜電處理時，基板9與除靜電液間之電位差。此情況，電位差的經時變化尖峰係實線905的最初尖峰905a，因而裝置不會發生損傷。然而，因為電位差的減少速度緩慢，因而導致去除靜電處理所需要的時間拉長。單點鏈線907係表示假設開始朝基板9上供應時，除靜電液的比電阻係第2比電阻，然後亦是在未使除靜電液的比電阻從第2比電阻改變而持續施行去除靜電處理時，基板9與除靜電液間之電位差。此情況，因為電位差的經時變化尖峰較大於實線908，因而會有基板9上的裝置發生損傷之可能性。
相對於此，在圖1所示基板處理裝置1中，首先利用第1比電阻除靜電液液置基板9的上面91全體。此時，如實線905所示，電位差經時變化的最初尖峰905a成為實線908以下，而防止基板9上的裝置發生損傷。接著，利用第2比電阻除靜電液液置基板9的上面91全體。此時，電位差的經時變化會產生第2個尖峰905b，尖峰905b亦在實線908以下，俾防止基板9上的裝置出現損傷。又，在較尖峰905b更後面，相較於虛線906之下，電位差迅速減少，因而相較於僅利用第1比電阻除靜電液施行去除靜電處理的情況，可依短時間施行基板9上面91的去除靜電。
在基板處理裝置1中，如上述，藉由對經施行去除靜電處理後的基板9供應處理液，即便基板9接觸到比電阻較小的處理液，但仍不會有從基板9出現大量電荷朝處理液急遽移動情形。所以，當
利用處理液施行基板9處理時，仍可防止因電荷移動造成基板9上的裝置損傷，即可防止基板9遭損傷。
如上述，從除靜電液供應部6朝基板9最初供應的第1比電阻除靜電液係純水。依此，藉由最初將比電阻較大的除靜電液供應給基板9的上面91上，當利用第1比電阻除靜電液施行液置處理時，可更加防止基板9上的裝置發生損傷。又，在基板處理裝置1中，藉由利用比電阻調節部7使第1比電阻除靜電液中的離子濃度增加，而使除靜電液的比電阻成為第2比電阻。依此，在基板處理裝置1中，藉由調節除靜電液中的離子濃度，而可輕易地調節除靜電液的比電阻。
再者，在基板處理裝置1中，藉由使較容易處置的二氧化碳溶解於第1比電阻的除靜電液中，而增加除靜電液中的離子濃度，使除靜電液的比電阻成為第2比電阻。所以，可更輕易地調節除靜電液的比電阻。又，在基板處理裝置1中，當基板9的清洗處理係使用二氧化碳水時，對基板9上供應清洗液的清洗液供應部係可利用除靜電液供應部6。所以，可在基板處理裝置1不致大型化、且基板處理裝置1的構造不致複雜化，而執行基板9的去除靜電處理。
除靜電液的第2比電阻雖亦可非小於處理液的比電阻，但如上述，較佳係達處理液的比電阻以上。若第2比電阻等於處理液的比電阻，則在利用處理液施行基板9的處理時，在裝置與處理液間發生電荷急遽移動(即放電)的可能性極低。所以，藉由將第2比電阻
設為處理液的比電阻以上，可不致將除靜電液的比電阻從第1比電阻過度降低，俾可抑制去除靜電處理所需要時間增加。另外，為能在縮短去除靜電處理所需要時間情況下，更加防止利用處理液進行處理時的放電，第2比電阻更佳係等於處理液的比電阻、或者稍大於處理液的比電阻程度。
在基板處理裝置1中，上述去除靜電處理資訊中所含的第1比電阻、第2比電阻及比電阻調節時間，係配合在基板9上面91上所形成裝置的種類而有各種變更。例如當裝置尺寸較小的情況，第1比電阻及第2比電阻較大，比電阻調節時間較長。又，當裝置尺寸較大(即對因電荷移動所造成損傷的耐性較高)時，第1比電阻及第2比電阻較小，比電阻調節時間較短。
基板處理裝置1的控制部8中，如圖5所示，於步驟S11之前，各自對應於基板上可形成的複數種類裝置，而預先記憶複數去除靜電處理資訊(步驟S21)。該複數去除靜電處理資訊係包括有分別對應於裝置的第1比電阻、第2比電阻及比電阻調節時間。在控制部8中，從該等複數去除靜電處理資訊中，對應於預先形成在由基板保持部2所保持基板9上面91上之裝置種類，選擇1個去除靜電處理資訊。在步驟S11~S14的去除靜電處理中，根據該1個去除靜電處理資訊，如上述，利用控制部8控制比電阻調節部7。藉此，可執行配合基板9上面91上的裝置特性之適當去除靜電處理。
基板處理裝置1係如圖6所示，亦可更進一步具備朝向基板9
另一主面92(以下稱「下面92」)吐出供應除靜電液的另一除靜電液供應部6a。另一除靜電液供應部6a(以下稱「下部除靜電液供應部6a」)係具備有：下部去除靜電噴嘴64a、分支配管633、及下部除靜電液閥634。下部去除靜電噴嘴64a係配置於基板9的下方，且與基板9下面92的中央部在上下方向呈對向。分支配管633係從除靜電液供應部6的除靜電液配管631分支，並連接於下部去除靜電噴嘴64a。下部除靜電液閥634係設置於分支配管633上。藉由開啟下部除靜電液閥634，被從添加物混合部63送出的除靜電液，係經由分支配管633被輸送至下部去除靜電噴嘴64a，再從下部去除靜電噴嘴64a供應給基板9下面92的中央部。另外，圖6中，省略控制部8的圖示(圖8與圖11亦同)。
基板處理裝置1中，如圖7所示，在步驟S11與步驟S12之間，藉由利用控制部8控制著下部除靜電液供應部6a，而從下部去除靜電噴嘴64a朝基板9的下面92供應第1比電阻除靜電液(步驟S31)。此時，基板9較佳係旋轉。步驟S31只要在較朝基板9上面91供應除靜電液之前實施，亦可較步驟S11之前實施。此情況，除靜電液係供應例如純水。
藉由從下部去除靜電噴嘴64a朝基板9的下面92供應除靜電液，上述在上面上設有裝置的基板本體內之電荷(例如因在與杯部4間的感應帶電而生成的電荷)，會朝供應給下面92的除靜電液移動而減少。換言之，基板本體被去除靜電。藉此，可抑制基板本體的電荷朝裝置移動。結果，當對基板9的上面91施行去除靜電處理
及利用處理液施行的處理時，可更加防止基板9上的裝置因放電而造成損傷發生。又，藉由朝基板9下面92的除靜電液供應，係在朝基板9上面91供應除靜電液之前實施，而可在較對基板9上面91施行去除靜電處理之前，可使基板本體內的電荷減少，因而當對基板9的上面91施行去除靜電處理、及利用處理液施行處理時，可更加防止基板9上的裝置因放電而造成損傷發生。
在圖6所示基板處理裝置1中，朝基板9下面92供應除靜電液的(步驟S31)，亦可與步驟S12~S14中之朝基板9上面91的除靜電液供應依任何時序並行實施。換言之，步驟S31亦可與步驟S12、及步驟S13、S14中之至少其中一者並行實施。此情況，從下部去除靜電噴嘴64a朝基板9下面92供應的除靜電液之比電阻，係等於朝基板9上面91供應的除靜電液之比電阻。藉由從下部去除靜電噴嘴64a朝基板9下面92供應除靜電液，則與上述同樣地，基板本體被去除靜電，俾抑制從基板本體朝裝置的電荷移動。結果，可更加防止基板9上的裝置因放電而造成損傷發生。
圖6所示基板處理裝置1中，下部除靜電液供應部6a係與除靜電液供應部6共用著純水供應部61、添加物供應部62及添加物混合部63等，但下部除靜電液供應部6a亦可獨立於除靜電液供應部6而連接於除靜電液的其他供應源。此情況，可使從下部除靜電液供應部6a朝基板9下面92供應的除靜電液種類與比電阻，不同於從除靜電液供應部6供應給基板9上面91的除靜電液種類與比電阻。
圖8所示係第2實施形態的基板處理裝置1a之構成圖。在基板處理裝置1a中，設有與圖1所示除靜電液供應部6為不同構造的除靜電液供應部6b，且比電阻調節部7係更進一步具備有另一添加物閥72。其餘構成均與圖1所示基板處理裝置1同樣，在以下說明中就對應的構成賦予相同元件符號。
除靜電液供應部6b係除圖1所示除靜電液供應部6的各構成之外，更具備有：另一添加物供應部62a、與另一添加物配管622。添加物配管622係將添加物供應部62a與添加物混合部63相連接。在添加物配管622上設有比電阻調節部7的添加物閥72。在以下說明中，為能輕易區分添加物供應部62、62a，而將添加物供應部62、62a分別稱為「第1添加物供應部62」及「第2添加物供應部62a」。又，將添加物閥71、72分別稱為「第1添加物閥71」及「第2添加物閥72」。
第2添加物供應部62a係連接於添加物混合部63及未圖示添加物供應源，對添加物混合部63供應添加物。第2添加物供應部62a所連接的添加物供應源，係例如設置於基板處理裝置1a的外部。第2添加物供應部62a所連接的添加物供應源係不同於第1添加物供應部62所連接的上述添加物供應源。又，從第2添加物供應部62a供應給添加物混合部63的添加物，係不同於從第1添加物供應部62供應給添加物混合部63的添加物。以下，將由第1添加物供應部62供應的添加物稱為「第1溶質」，經由第2添加物供
應部62a供應的添加物稱為「第2溶質」。第1溶質係例如二氧化碳氣體。第2溶質係例如液狀鹽酸。第2添加物閥72係屬於針對從第2添加物供應部62a朝添加物混合部63所供應第2溶質的量，進行調節之添加物供應量調節部。
除靜電液供應部6b中，藉由利用控制部8(參照圖1)控制著比電阻調節部7的第1添加物閥71及第2添加物閥72，而可使在從純水供應部61供應給添加物混合部63的純水中溶解之溶質，於第1溶質與第2溶質之間切換。藉此，從除靜電液噴嘴64朝基板9上面91上供應的除靜電液種類，而可在複數液種間切換。當第1溶質係二氧化碳、第2溶質係鹽酸的情況，從除靜電液噴嘴64供應的除靜電液係可在純水、二氧化碳水及稀鹽酸之間切換。藉由將除靜電液設為稀鹽酸，相較於使二氧化碳溶解於純水中直到達飽和為止的除靜電液，可更加降低比電阻。換言之，已溶解第2溶質的除靜電液之比電阻，係可較低於已溶解第1溶質的除靜電液之比電阻。
基板處理裝置1a的控制部8中，如圖9所示，在步驟S11之前對應於基板上可形成的複數種類裝置，預先記憶複數除靜電液種資訊(步驟S41)。在控制部8中，於步驟S41之後、且上述步驟S11之前，從該複數除靜電液種資訊中，對應預先在由基板保持部2所保持基板9的上面91上形成之裝置種類，選擇1個除靜電液種資訊。然後，根據該1個除靜電液種資訊，決定在步驟S12~S14中供應給基板9上面91上的除靜電液種類(步驟S42)。
在基板處理裝置1a中，藉由利用控制部8控制比電阻調節部7，而切換從除靜電液噴嘴64吐出的除靜電液種類，並設為由步驟S42所決定的種類。然後，如上述，根據基板9上面91上的裝置種類所對應之1個去除靜電處理資訊，於利用控制部8控制比電阻調節部7，且對基板9上面91施行去除靜電處理(步驟S11~S14)。
例如，當在基板9上面91上所形成裝置係較小的情況，第2比電阻除靜電液係在純水中已溶解屬於第1溶質的二氧化碳之二氧化碳水，當該裝置係較大的情況，則第2比電阻除靜電液係使純水中溶解屬於第2溶質的鹽酸之稀鹽酸。又，當基板9上的裝置最好不要與酸性除靜電液接觸的種類之情況，則第2溶質非為鹽酸，可使用例如氨。此情況，第2比電阻除靜電液使用在純水中溶解氨的氨水。
依此，基板處理裝置1a中，藉由配合在基板9上面91上所形成裝置的種類切換除靜電液的種類，而可施行配合基板9上面91上的裝置特性之適當去除靜電處理。
基板處理裝置1a中，配合在基板9上面91上形成的裝置種類等，亦可於上述去除靜電處理的途中變更除靜電液的種類。例如，在步驟S12中，將第1比電阻除靜電液的純水供應給基板9的上面91上，而利用純水液置上面91全體。步驟S13中，首先如圖10所示，使第1比電阻除靜電液中溶解來自第1添加物供應部62的
第1溶質(例如二氧化碳)，而使除靜電液中的離子濃度增加(步驟S131)。然後，使除靜電液中溶解來自第2添加物供應部62a的第2溶質(例如鹽酸)，而使除靜電液中的離子濃度更增加，藉此使除靜電液的比電阻成為第2比電阻(步驟S132)。步驟S132中，從第1添加物供應部62朝添加物混合部63的第1溶質供應，係可持續進行、亦可停止。
依此，在基板處理裝置1a中，藉由在第1比電阻除靜電液中溶解第1溶質後，更使溶解第2溶質，而使除靜電液的比電阻成為第2比電阻，藉此可增加在步驟S13中的除靜電液之比電阻調節幅度。換言之，可加大第1比電阻與第2比電阻間之差。
在圖8所示基板處理裝置1a中，第2添加物供應部62a未必一定要連接於第1添加物供應部62所連接的添加物混合部63。例如，亦可在基板處理裝置1a中設置另一組純水供應部61、添加物混合部63及除靜電液噴嘴64，而第2添加物供應部62a則連接於該添加物混合部63。
圖11所示係第2實施形態的基板處理裝置1b之構成圖。在基板處理裝置1b中，比電阻調節部7係具備有加熱部73。其他構成係與圖1所示基板處理裝置1相同，在以下說明中就對應的構成賦予相同元件符號。
加熱部73係設置於除靜電液供應部6的純水配管611上，將
從純水供應部61朝添加物混合部63輸送的純水予以加熱。純水的比電阻係隨溫度提高而變小。基板處理裝置1b中，從除靜電液噴嘴64朝基板9上面91上供應的除靜電液係例如純水。在基板處理裝置1b中，根據來自比電阻計67的輸出，藉由控制部8(參照圖1)對比電阻調節部7的加熱部73進行回饋控制，而控制著從除靜電液噴嘴64朝基板9上面91上供應的除靜電液溫度，藉此控制該除靜電液的比電阻。
基板處理裝置1b的基板9處理流程，係與圖2所示大致相同。在步驟S11中，藉由利用控制部8控制著加熱部73，控制除靜電液的溫度，使除靜電液的比電阻成為第1比電阻。又，步驟S13中，藉由利用控制部8控制加熱部73，而提升第1比電阻的除靜電液溫度，藉此除靜電液的比電阻成為第2比電阻。依此，在基板處理裝置1b中，藉由調節除靜電液的溫度，可輕易地調節除靜電液的比電阻。
在基板處理裝置1b中，例如亦可在除靜電液配管631上設置用以測定除靜電液溫度的溫度測定部，並根據由該溫度測定部輸出的除靜電液溫度，利用控制部8對加熱部73進行回饋控制。又，從添加物供應部62供應的添加物(例如二氧化碳)依既定濃度溶解於純水中的液體，亦可利用為除靜電液。又，除靜電液的比電阻控制亦可藉由針對除靜電液溫度、及除靜電液中的離子濃度兩者進行控制而實施。
基板處理裝置1、1a係可進行各種變更。
例如第1比電阻只要較大於從處理液供應部3朝基板9所供應處理液的比電阻，亦可未滿18MΩ‧cm。所以，第1比電阻除靜電液亦可非為純水，而是如二氧化碳水之類含離子的液體。
步驟S13係與步驟S12並行實施，亦可在剛完成步驟S12之後(即剛完成利用第1比電阻除靜電液液置基板9上面91全體之後)，從除靜電液噴嘴64朝基板9上面91，供應比電阻較小於第1比電阻的除靜電液。
從添加物供應部62朝添加物混合部63供應的添加物亦可為二氧化碳以外者。該添加物係可利用例如鹽酸、氨或過氧化氫水。
步驟S15中，亦可藉由對基板9上面91上供應液狀異丙醇(以下稱「IPA」)，而從基板9的上面91上除去除靜電液。經除靜電液除去後的IPA係利用基板9的旋轉，而從基板9的邊緣朝外側飛散並被從基板9上除去。
在步驟S16中，亦可將SPM液以外的處理液供應給基板9上，並對基板9施行其他處理。例如亦可在已形成有光阻膜的基板9上供應處理液的緩衝氫氟酸(BHF)，而施行基板9的蝕刻處理。基板處理裝置1、1a、1b中，如上述，可防止因帶電基板9與處理液相接觸而造成電荷急遽移動所伴隨的基板9損傷。所以，基板處理裝
置1、1a、1b的構造特別適用於利用如SPM液、緩衝氫氟酸，比電阻非常小之處理液施行處理的裝置。
只要不致因除靜電液與處理液之混合而造成不良影響，亦可省略從基板9上的除靜電液除去(步驟S15)，而於基板9上面91上有存在除靜電液的狀態下，供應處理液並施行基板9的處理。
上述實施形態及各變化例的構成係在不致相互矛盾前提下，亦可適當組合。
雖針對發明進行詳細描述說明，惟前述說明僅止於例示而已，並非限定說明。所以，在不脫逸本發明範圍之前提下，亦可採取多數變化與態樣。
Claims (20)
- 一種基板處理裝置，係對基板施行處理的基板處理裝置，具備有：基板保持部，依主面朝向上側的狀態保持基板；處理液供應部，對上述基板的上述主面上供應處理液；除靜電液供應部，對上述基板的上述主面上供應除靜電液；比電阻調節部，係調節上述除靜電液的比電阻；及控制部，藉由控制上述處理液供應部、上述除靜電液供應部及上述比電阻調節部，而將比電阻較大於上述處理液的第1比電阻之上述除靜電液，供應給上述基板的上述主面上，並利用上述除靜電液液置上述主面全體後，再使供應給上述主面上的上述除靜電液之比電阻，減少至較小於上述第1比電阻的第2比電阻，藉由利用上述第2比電阻的上述除靜電液液置上述主面全體，而使上述主面上的電荷減少後，將上述處理液供應給上述基板的上述主面上並施行既定處理；各自對應於基板上可形成的複數種類裝置之複數去除靜電處理資訊，係預先記憶於上述控制部；在上述基板的上述主面上預先形成裝置；上述複數去除靜電處理資訊係分別包括有將上述第1比電阻、上述第2比電阻、及供應給上述主面上的上述除靜電液之比電阻，從上述第1比電阻變更為上述第2比電阻時所需要的比電阻調節時間；上述控制部係根據上述複數去除靜電處理資訊中對應於上述主面上之上述裝置種類的1個去除靜電處理資訊，控制上述比電阻調 節部。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述第1比電阻的上述除靜電液係純水。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述比電阻調節部係藉由使上述第1比電阻的上述除靜電液中之離子濃度增加，而使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述比電阻調節部係使二氧化碳溶解於上述第1比電阻的上述除靜電液，而增加上述離子濃度，藉此使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述比電阻調節部係在使第1溶質溶解於上述第1比電阻的上述除靜電液，而使上述離子濃度增加後，再藉由使第2溶質溶解於上述除靜電液中而更增加上述離子濃度，藉此使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，上述比電阻調節部係藉由使上述第1比電阻的上述除靜電液溫度上升，而使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，上述第2比電阻係上述處理液的比電阻以上。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，各自對應於基板上可形成的複數種類裝置之複數除靜電液種資訊，係預先記憶於上述控制部；上述除靜電液供應部係可將上述除靜電液的種類在複數液種間進行切換； 在上述基板的上述主面上預先形成裝置；上述控制部係根據上述複數除靜電液種資訊中對應於上述主面上之上述裝置種類的1個除靜電液種資訊，切換上述除靜電液的種類。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有對上述基板另一主面供應除靜電液的另一除靜電液供應部；上述控制部係藉由控制上述另一除靜電液供應部，而在朝上述基板的上述主面供應上述除靜電液之前，或者，與朝上述主面供應上述除靜電液並行，朝上述基板的上述另一主面供應除靜電液。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，藉由上述控制部所進行之控制，維持利用上述除靜電液使上述基板之上述主面全體被液置的狀態，並且，上述除靜電液之比電阻係從上述第1比電阻被減少至上述第2比電阻。
- 一種基板處理方法，係對基板施行處理的基板處理方法，包括有：a)對依主面朝上側狀態保持的基板之上述主面上，供應第1比電阻除靜電液，並利用上述除靜電液液置上述主面全體的步驟；b)在上述a)步驟之後，使對上述主面上所供應上述除靜電液的比電阻，減少至較小於上述第1比電阻的第2比電阻，再利用上述第2比電阻之上述除靜電液液置上述主面全體，而使上述主面上的電荷減少之步驟；以及c)在上述b)步驟之後，將比電阻較小於上述第1比電阻的處理液，供應給上述基板的上述主面上並施行既定處理的步驟； 在上述a)步驟之前，更進一步包括有：各自對應於基板上可形成的複數種類裝置，而記憶複數去除靜電處理資訊的步驟；上述複數去除靜電處理資訊係分別包括有：上述第1比電阻；上述第2比電阻；以及將對上述基板的上述主面上所供應上述除靜電液的比電阻，從上述第1比電阻變更為上述第2比電阻時所需要的比電阻調節時間；上述b)步驟中，根據上述複數去除靜電處理資訊中預先形成在上述基板的上述主面上之裝置種類相對應的1個去除靜電處理資訊，調節供應至上述主面上之上述除靜電液的比電阻。
- 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中，上述a)步驟中的上述第1比電阻之上述除靜電液係純水。
- 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中，上述b)步驟中，藉由使上述第1比電阻的上述除靜電液中之離子濃度增加，而使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
- 如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中，上述b)步驟中，藉由使二氧化碳溶解於上述第1比電阻的上述除靜電液中，增加上述離子濃度，而使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
- 如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中，上述b)步驟係包括有：b1)使第1溶質溶解於上述第1比電阻的上述除靜電液中，而使上述離子濃度增加的步驟；以及b2)在上述b1)步驟之後，使第2溶質溶解於上述除靜電液中，使上述離子濃度更增加，而使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比 電阻的步驟。
- 如申請專利範圍第11至15項中任一項之基板處理方法，其中，上述b)步驟中，藉由使上述第1比電阻上述除靜電液的溫度上升，而使上述除靜電液的比電阻成為上述第2比電阻。
- 如申請專利範圍第11至15項中任一項之基板處理方法，其中，上述第2比電阻係上述處理液的比電阻以上。
- 如申請專利範圍第11至15項中任一項之基板處理方法，其中，供應至上述基板的上述主面上之上述除靜電液種類係可在複數液種間切換；上述基板處理方法係更進一步包括有：d)在上述a)步驟之前，記憶各自對應於基板上可形成的複數種類裝置之複數除靜電液種資訊的步驟；以及e)在上述d)步驟之後、且上述a)步驟之前，根據上述複數除靜電液種資訊中，與預先形成在上述基板的上述主面上之裝置種類相對應的1個除靜電液種資訊，決定供應至上述基板的上述主面上之上述除靜電液種類的步驟。
- 如申請專利範圍第11至15項中任一項之基板處理方法，其中，更進一步包括有：在上述a)步驟之前、或與上述a)步驟及上述b)步驟中之至少其中一步驟並行，朝上述基板另一主面供應除靜電液的步驟。
- 如申請專利範圍第11至15項中任一項之基板處理方法，其中，上述b)步驟中，維持利用上述除靜電液使上述基板之上述主面全體被液置的狀態，並且，上述除靜電液之比電阻係從上述第1比電阻被減少至上述第2比電阻。
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