JP2009238862A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピンチャック3は、ウエハWをほぼ水平な姿勢でその裏面(下面)を吸着して保持する保持電極板5を備えている。保持電極板5には、直流回路22の電源の負極が接続されている。保持電極板5の上方には、対向電極板10が設けられている。対向電極板10には、直流回路22の電源の正極が接続されている。対向電極板10と、ウエハWの表面とを隙間dを隔てて対向させ、対向電極板10と保持電極板5との間に電位差が与えられる。この状態で、処理液ノズルからSPMが供給される。
【選択図】図1
Description
たとえば、ウエハを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、複数本のチャックピンでウエハをほぼ水平に保持しつつ、そのウエハを回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転されるウエハの表面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。処理時には、スピンチャックによってウエハが回転されつつ、その基板の表面にノズルから処理液が供給される。
そこで、チャックピンを導電性材料(たとえばカーボンを含む樹脂系材料)で形成し、処理中におけるウエハの帯電を抑制しているものがある(たとえば特許文献1)。
しかしながら、ウエハに対するSPMを用いた処理の後は、ウエハの表面に局所的な酸化(局所酸化)が見られる。具体的には、導電性材料からなるチャックピンの当接部分の周辺で、局所的な酸化が見られる。ウエハの表面に局所酸化があると、ウエハに酸化膜除去処理を施した後に、ウエハの膜厚が面内でばらつくおそれがある。
図6は、SPMを用いた処理時におけるウエハの酸化メカニズムを説明するための図であり、シリコン(Silicon Anode)と、導電性材料の一例として示すカーボン(Carbon Cathode)との境界付近にSPMを供給したときの界面状況を示している。
Si+2H2O → SiO2+4H++4e− ・・・(1)
ウエハの表面に供給されたSPMが、ウエハを保持するチャックピンに接触すると、以下のような還元反応が生じる。
2H++2e− → H2 ・・・(2)
このため、シリコンの酸化反応で得られた電子が、チャックピンに奪われ、チャックピンにおける還元反応に用いられる。これにより、チャックピン近傍ではウエハから電子が奪われやすい環境となるから、前記式(1)の反応、すなわち、酸化反応が促進される(ガルバニック効果)。とくに、ウエハに供給されるSPMが高温(たとえば150℃以上)であるときには、ウエハの表面でシリコンの酸化がより一層促進される。したがって、SPMを用いた処理では、SPMが供給されるウエハを導電性のチャックピンで挟持することは好ましくない。
ウエハの表面にDIWが供給されると、ウエハの表面では、前記の式(1)に示すようにシリコンと水(H2O)との酸化反応が生じ、ウエハの表面にシリコン酸化膜(SiO2)が形成される。
むろん、処理液を用いた処理時には、ウエハの局所酸化だけでなく、ウエハの酸化そのものが抑制されることが望ましい。
この方法によれば、シリコン基板と対向電極板との間に電位差が与えられて、シリコン基板が負に帯電される。そして、シリコン基板が負に帯電された状態のまま、当該シリコン基板に対して処理液が供給される。前述のとおり、シリコン基板の酸化は、当該シリコン基板の表面において負の電荷が不足している状況で進行すると考えられる。そこで、この発明では、シリコン基板を負に帯電させ、その状態でシリコン基板の表面に処理液を供給するようにしている。これにより、シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる。
この方法によれば、保持電極板によるシリコン基板の保持状態では、シリコン基板の裏面のほぼ全域が保持面に接触している。これにより、シリコン基板の全域をほぼ均一に負に帯電させることができる。これにより、シリコン基板の全域で酸化を防止または抑制することができる。これにより、処理液を用いた処理後のシリコン基板に局所的な酸化が生じることをより確実に抑制することができる。
この方法によれば、シリコン基板に供給された処理液が保持電極板に接触することを抑制または防止できる。そのため、シリコン基板と保持面との境界部に処理液が接触することにより生じるガルバニック効果を回避できるから、シリコン基板の裏面における局所酸化を抑制または防止できる。
この方法によれば、シリコン基板に対して酸化性処理液が供給される。シリコン基板が負に帯電されているので、当該シリコン基板に酸化性処理液が供給されても、ほとんど酸化されない。これにより、酸化性処理液がシリコン基板に供給される場合であっても、シリコン基板の酸化を抑制または防止することができる。
請求項6記載の発明は、前記処理液供給工程が、純水を供給する工程(S6,S8,S26,S28)を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
請求項7記載の発明は、前記シリコン基板の帯電量を調節する帯電量調節工程をさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、対向電極板とシリコン基板との距離が小さくなるのに従って、シリコン基板の帯電量が増加し、対向電極板とシリコン基板との距離が大きくなるのに従って、シリコン基板の帯電量が減少する。これにより、比較的簡単な構成で、シリコン基板の帯電量を調節することができる。
この方法によれば、シリコン基板に対して処理液を用いた処理が施された後は、シリコン基板が除電される。これにより、処理後のシリコン基板に電荷が残存することを防止することができる。
また、請求項10記載に記載の発明のように、前記除電工程は、除電電流を調節する電流調節工程(S32)を含んでいてもよい。除電電流が、たとえば予め定める範囲内の大きさになるように調節されていることが好ましい。これにより、シリコン基板の帯電量の急激な減少が防止される。これにより、シリコン基板に作り込まれたデバイスにダメージを与えることなく、シリコン基板を除電することができる。
請求項12記載の発明は、前記基板保持手段は、前記シリコン基板の裏面に接触して当該基板を保持する保持面(7)を有する保持電極板(5)を含む、請求項11記載の基板処理装置である。
請求項13記載の発明は、前記保持面が、前記シリコン基板を保持した状態で、前記シリコン基板の裏面の外周縁よりも内方に後退した外周縁(8)を有している、請求項12記載の基板処理装置である。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を図解的に示す断面図である。
基板処理装置1は、たとえば、シリコン基板の一例である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを剥離するためのレジスト除去処理に用いられる枚葉式の装置である。
スピンチャック3は、真空吸着式のチャックである。このスピンチャック3は、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸4と、このスピン軸4の上端に取り付けられて、ウエハWをほぼ水平な姿勢でその裏面(下面)を吸着して保持する保持電極板5と、スピン軸4と同軸に結合された回転軸を有するモータ6とを備えている。これにより、ウエハWの裏面が保持電極板5に吸着保持された状態で、モータ6を回転駆動させることにより、そのウエハWを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、保持電極板5とともに鉛直軸線(回転軸線C)まわりに回転させることができる。
基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置30を備えている。この制御装置30には、制御対象として、モータ6、対向電極板昇降駆動機構21、SPMバルブ17、SC1バルブ18およびDIWバルブ19などが接続されている。
図3は、基板処理装置1で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。
ウエハWは、その表面を上方に向けて、スピンチャック3の保持電極板5に保持される(ステップS1)。なお、このウエハWの搬入時においては、その搬入の妨げにならないように、対向電極板10が、スピンチャック3の上方に離間した離間位置(図1に二点鎖線で示す位置)に配置されている。
ウエハWの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置30は、SPMバルブ17を開いて、処理液ノズル13の吐出口からウエハWの表面の中心部に向けてSPMを吐出させる(ステップS5)。ウエハWの表面に供給されたSPMは、ウエハWの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハWの表面に対するSPMを用いた処理が達成される。
SPMを用いた処理時には、ウエハWの表面と対向電極板10の基板対向面11との間が所定の隙間d(たとえば10mm程度)に設定されている。この隙間dは、ウエハWの表面に供給されたSPMがウエハWの表面で跳ね返って対向電極板10に付着しない程度の大きさである。
また、制御装置30は、モータ8を制御して、ウエハWをスピンドライ回転速度(たとえば3000rpm)まで加速させる(ステップS9)。これにより、リンス処理後のウエハWの表面に付着しているDIWを遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ処理が実施される。
さらに、保持電極板5によるウエハWの保持状態では、保持電極板5の保持面7をウエハWの裏面のほぼ全域に接触させているので、ウエハWの全域がほぼ均一に負に帯電する。これにより、ウエハWの全域で酸化を防止または抑制することができる。これにより、SC1処理後にウエハWに局所的な酸化が生じることを確実に抑制することができる。
図4は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置40の構成を図解的に示す断面図である。
この図4の実施形態において、前述の実施形態(図1〜図3に示す実施形態)に示された各部に対応する部分には、図1〜図3と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
図5は、基板処理装置40で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。
レジスト除去処理に際しては、前述の図3と同様、図示しない搬送ロボットによって、処理室内にイオン注入処理後のウエハWが搬入されて、ウエハWは、その表面を上方に向けてスピンチャック3の保持電極板5に保持される(ステップS21)。ウエハWがスピンチャック3に保持されると、制御装置30は、対向電極板昇降駆動機構21を制御して、対向電極板10を、離間位置(図4に二点鎖線で示す位置)から近接位置(図4に実線で示す位置)まで下降させる(ステップS22)。また、制御装置30は、スイッチ24をオンし、直流回路22を閉じて、対向電極板10と保持電極板5との間に電位差を付与する(ステップS23)。これにより、対向電極板10は正に帯電し、また、保持電極板5およびウエハWが負に帯電する。
以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
また、たとえば、DIWを用いた処理やSC1を用いた処理と、SPMを用いた処理とで、対向電極板10とウエハWの表面との間の隙間dを変えることもできる。DIWを用いた処理やSC1を用いた処理時には、SPMを用いた処理時よりも、対向電極板10とウエハWの表面との間の隙間dが大きくすることもできる。この場合、制御装置30は、SPMを用いた処理(ステップS5,S25)の終了後、対向電極板昇降駆動機構21を制御して、対向電極板10を上方に移動させる。これにより、ウエハWの帯電量を調節する(低下させる)ことができる。
また、ステップS6,S8,S26,S28のDIW処理時に、常温のDIWに代えて、高温(たとえば80℃)のDIWをウエハWに供給することもできる。ウエハWが負に帯電されていると、DIWがかかる高温であっても、ウエハWからDIW中にシリコンがほとんど溶出しない。このため、高温のDIWをウエハWに供給しても、一連のウエハWへの処理後に、ウエハW上にウォータマークが生じることがない。このため、スピンドライ時間を短縮させることも可能である。
3 スピンチャック(基板保持手段)
5 保持電極板
7 保持面
8 外周縁
10 対向電極板
13 処理液ノズル(処理液供給手段)
23 電源
W ウエハ(シリコン基板)
Claims (13)
- シリコン基板の表面に対向するように対向電極板を配置する対向電極配置工程と、
前記シリコン基板と前記対向電極板との間に電位差を与え、前記シリコン基板を負に帯電させる帯電工程と、
この帯電工程と並行して、前記シリコン基板の表面に処理液を供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法。 - 保持電極板の保持面に前記シリコン基板の裏面を接触させて当該シリコン基板を保持する基板保持工程をさらに含み、
前記対向電極配置工程が、前記保持電極板の保持面に保持されたシリコン基板の表面に対向するように前記対向電極板を配置する工程を含み、
前記帯電工程が、前記保持電極板と前記対向電極板との間に電位差を与える工程を含む、請求項1記載の基板処理方法。 - 前記基板保持工程が、前記保持電極板の前記保持面を前記シリコン基板の裏面のほぼ全域に接触させる工程を含む、請求項2記載の基板処理方法。
- 前記保持面が、前記シリコン基板を保持した状態で、前記シリコン基板の裏面の外周縁よりも内方に後退した外周縁を有している、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記処理液供給工程が、酸化性処理液を供給する工程を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記処理液供給工程が、純水を供給する工程を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記シリコン基板の帯電量を調節する帯電量調節工程をさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記帯電量調節工程は、前記対向電極板と前記シリコン基板との距離を変更する距離変更工程を含む、請求項7記載の基板処理方法。
- 前記処理液供給工程の後に、前記シリコン基板を除電する除電工程をさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記除電工程は、除電電流を調節する電流調節工程を含む、請求項9記載の基板処理方法。
- シリコン基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持される基板の表面に対向するように配置された対向電極板と、
前記基板保持手段に保持されたシリコン基板と前記対向電極板との間に電位差を与え、前記シリコン基板を負に帯電させる電源と、
前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段とを含む、基板処理装置。 - 前記基板保持手段は、前記シリコン基板の裏面に接触して当該基板を保持する保持面を有する保持電極板を含む、請求項11記載の基板処理装置。
- 前記保持面が、前記シリコン基板を保持した状態で、前記シリコン基板の裏面の外周縁よりも内方に後退した外周縁を有している、請求項12記載の基板処理装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9340761B2 (en) | 2013-09-02 | 2016-05-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US9403187B2 (en) | 2013-09-02 | 2016-08-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
WO2016152394A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20170283977A1 (en) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2018107455A (ja) * | 2018-01-15 | 2018-07-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN109564859A (zh) * | 2016-09-12 | 2019-04-02 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
US10464107B2 (en) | 2013-10-24 | 2019-11-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6386523A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JPH07297157A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-11-10 | Nippon Steel Corp | 半導体基板上の異物除去装置 |
JP2000228383A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Hitachi Ltd | 板状部品の洗浄装置およびその方法 |
JP2005005351A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Sharp Corp | ウェット剥離洗浄方法およびウェット剥離洗浄装置 |
-
2008
- 2008-03-26 JP JP2008080471A patent/JP5215013B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6386523A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JPH07297157A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-11-10 | Nippon Steel Corp | 半導体基板上の異物除去装置 |
JP2000228383A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Hitachi Ltd | 板状部品の洗浄装置およびその方法 |
JP2005005351A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Sharp Corp | ウェット剥離洗浄方法およびウェット剥離洗浄装置 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9403187B2 (en) | 2013-09-02 | 2016-08-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US9340761B2 (en) | 2013-09-02 | 2016-05-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US10464107B2 (en) | 2013-10-24 | 2019-11-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN107408503B (zh) * | 2015-03-26 | 2020-10-30 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和基板处理方法 |
TWI611475B (zh) * | 2015-03-26 | 2018-01-11 | Screen Holdings Co Ltd | 基板處理裝置及基板處理方法 |
WO2016152394A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016184701A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101980994B1 (ko) | 2015-03-26 | 2019-05-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR20170122247A (ko) | 2015-03-26 | 2017-11-03 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN107408503A (zh) * | 2015-03-26 | 2017-11-28 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和基板处理方法 |
US10851468B2 (en) | 2016-03-29 | 2020-12-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20170113089A (ko) * | 2016-03-29 | 2017-10-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN107240565A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-10-10 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP2017183389A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20170283977A1 (en) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR102315641B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2021-10-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN107240565B (zh) * | 2016-03-29 | 2021-11-16 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
CN109564859A (zh) * | 2016-09-12 | 2019-04-02 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
CN109564859B (zh) * | 2016-09-12 | 2023-07-18 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
JP2018107455A (ja) * | 2018-01-15 | 2018-07-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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