CN107240565B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107240565B
CN107240565B CN201710137651.9A CN201710137651A CN107240565B CN 107240565 B CN107240565 B CN 107240565B CN 201710137651 A CN201710137651 A CN 201710137651A CN 107240565 B CN107240565 B CN 107240565B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
unit
resistance value
holding
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710137651.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107240565A (zh
Inventor
饭野正
井原亨
甲斐義广
德永容一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN107240565A publication Critical patent/CN107240565A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107240565B publication Critical patent/CN107240565B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C25D17/08—Supporting racks, i.e. not for suspending
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/007—Current directing devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/02—Carrying-off electrostatic charges by means of earthing connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够适当地保护基板以避免基板发生电气故障的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备导电性的保持部、导通路径部、供给部、接地部以及可变电阻部。保持部用于保持基板。导通路径部与保持部接触，由导电性材料形成。供给部对被保持部保持着的基板供给处理液。接地部的一端部与导通路径部连接，接地部的另一端部连接于接地电位。可变电阻部设置于接地部，能够变更电阻值。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往，已知一种通过对半导体晶圆、玻璃基板等基板供给处理液来对基板进行处理的基板处理装置。
在这种基板处理装置中，例如当处理液流过基板的表面时有可能由于摩擦带电等而产生静电。因此，在专利文献1所记载的基板处理装置中，通过利用导电性材料构成保持部的至少一部分，来防止静电滞留于保持部，从而使得不对被保持部保持着的基板产生静电的影响。
专利文献1：日本特开2003-092343号公报
发明内容
发明要解决的问题
优选的是，用于对基板进行除电的导通路径基本上是低电阻。然而，根据一系列的基板处理的状况，有时并不优选导通路径为低电阻，例如有可能由于导通路径的电阻值过低而电流急剧地流过基板，从而基板上的图案损伤。
实施方式的一个方式的目的在于提供一种能够适当地保护基板以避免基板发生电气故障的基板处理装置和基板处理方法。
用于解决问题的方案
实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置具备导电性的保持部、导通路径部、供给部、接地部以及可变电阻部。保持部用于保持基板。导通路径部与保持部接触，由导电性材料形成。供给部对被保持部保持着的基板供给处理液。接地部的一端部与导通路径部连接，接地部的另一端部连接于接地电位。可变电阻部设置于接地部，能够变更电阻值。
发明的效果
根据实施方式的一个方式，能够适当地保护基板以避免基板发生电气故障。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。
图2是表示处理单元的结构的概要截面图。
图3是底板和旋转环的俯视图。
图4是表示从晶圆向旋转轴的导通路径的结构的图。
图5是表示从旋转轴向接地电位的导通路径的结构的图。
图6是表示可变电阻部的结构的一例的图。
图7是用于说明电阻值的变更处理的一例的时序图。
图8是表示可变电阻部的结构的另一例的图。
图9是用于说明电阻值的变更处理的另一例的时序图。
图10是表示第一变形例所涉及的导通路径的结构的图。
图11是表示第二变形例所涉及的导通路径的结构的图。
图12是表示第三变形例所涉及的导通路径的结构的图。
图13是用于说明带电量估计处理的内容的图。
图14是用于说明带电量估计处理的内容的图。
图15是表示测定基板的结构的图。
图16是表示表面电位测定部的结构的图。
图17是整流部的放大示意图。
图18是整流部的示意截面图。
附图标记说明
W：晶圆；1：基板处理系统；2：输入输出站；3：处理站；4：控制装置；16：处理单元；18：控制部；61：底板；61b：支承销；61f：导电性构件；80：旋转机构；81：旋转轴；82：电动机；83：轴承；150：接地部；160：可变电阻部。
具体实施方式
以下，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此外，本发明并不限定于以下所示的实施方式。
另外，以下，为了便于说明，存在以下情况：对于由多个构件构成的结构要素，只对多个构件中的一部分标注附图标记，对于该一部分以外的其它部分省略附图标记的标注。
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态收纳。
输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。
输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。
处理单元16用于对由基板输送装置17输送过来的晶圆W进行预先设定的基板处理。
另外，基板处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，其包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)以及存储卡等。
在如所述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13将晶圆W自载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将被载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出并将其输入到处理单元16中。
在利用处理单元16对被输入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出并将其载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。
接着，参照图2来说明处理单元16的概要结构。图2是表示处理单元16的结构的概要截面图。
如图2所示，处理单元16具备回收杯50、保持部60、旋转环70、旋转机构80、基板升降机构90、处理液供给部100、顶板110、升降机构120以及非活性气体供给部130。
此外，回收杯50、保持部60以及旋转环70被收纳在省略图示的腔室中。在腔室的顶部设置有省略图示的FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)。FFU在腔室内形成下降流。
保持部60具备底板61和多个支承销61b。底板61被设置为水平，其中央具有圆形的凹部61a。此外，此处底板61是与后述的旋转轴81一体地形成的，但是底板61与旋转轴81也可以相互独立地形成。
多个支承销61b沿着保持部60的圆周方向以大致等间隔设置于保持部60的上表面。各支承销61b被设置为以使前端部朝向上方的方式从保持部60突出，以使晶圆W从保持部60浮起的状态从晶圆W的下方支承晶圆W。
旋转环70配置在被保持部60支承着的晶圆W的外周外侧，设置为将晶圆W的周缘部遍及整周地包围。另外，旋转环70与保持部60连结，设置为能够与保持部60一体地旋转。
此外，旋转环70作为液体接收部发挥功能，将由后述的处理液供给部100向晶圆W的背面侧供给并在晶圆W的处理中使用过的处理液引导至排液杯51，以将该处理液排出。另外，旋转环70还发挥如下的作用：防止被供给到晶圆W的背面侧且从旋转的晶圆W向外周侧飞散的处理液弹回而再次返回到晶圆W上或蔓延晶圆W的上表面侧。
旋转机构80具备旋转轴81和电动机82。旋转轴81以能够使底板61旋转的方式支承底板61。具体地说，旋转轴81被设置为从底板61朝向下方延伸，该旋转轴81具有在中心设置有贯通孔81a的圆筒状的形状。
电动机82使旋转轴81绕铅垂轴旋转。通过该旋转轴81的旋转，保持部60与旋转环70一体地旋转。参照图5来在后面记述旋转机构80的具体结构。
基板升降机构90被设置为能够在底板61的凹部61a和旋转轴81的贯通孔81a内升降，该基板升降机构90具有提升销板91和提升轴92。提升销板91在其周缘具有多个、例如5个提升销91a。
提升轴92从提升销板91向下方延伸。在提升销板91和提升轴92的中心设置有处理液供给管100a。另外，提升轴92与气缸机构92a相连接，通过使提升轴92升降，来使提升销91a在比利用支承销61b支承晶圆W的高度位置低的位置与比上述高度位置高的位置之间升降。由此，使晶圆W升降来进行晶圆W向保持部60的装载以及晶圆W从保持部60的卸载。
处理液供给部100具有处理液供给管100a。如上述的那样，处理液供给管100a被设置为沿着提升销板91和提升轴92的内部空间延伸。
而且，处理液供给部100通过由处理液供给管100a将从处理液配管组100b的各配管供给的处理液引导至晶圆W的背面侧，来向晶圆W的背面侧供给处理液。此外，处理液供给管100a与形成于提升销板91的上表面的处理液供给口91b连通。
回收杯50具备排液杯51、排液管52、排气杯53以及排气管54。另外，回收杯50在上表面设置有开口55。回收杯50主要发挥以下作用：回收从被保持部60和旋转环70包围的空间排出的气体和液体。
排液杯51接收由旋转环70引导来的处理液。排液管52连接于排液杯51的底部，将由排液杯51接收到的处理液经由省略图示的排液配管组中的任意配管排出。
排气杯53被设置为在排液杯51的外侧或下方与排液杯51连通。在图2中，示出了设置为排气杯53在排液杯51的周缘内侧和下方与排液杯51连通的例子。
排气管54连接于排气杯53的底部，将排气杯53内的氮气等气体经由省略图示的排气配管组中的任意配管排出。
顶板110能够进行升降，设置为在下降了的状态下封住设置于回收杯50的上表面的开口55。另外，顶板110设置为在封住设置于回收杯50的上表面的开口55时，从被支承销61b支承着的晶圆W的上方覆盖该晶圆W。
此外，与被支承销61b支承着的晶圆W的周缘部相向的顶板110的周缘部被设置为以朝向晶圆W的方式向下方突出，在该顶板110的周缘部与晶圆W的周缘部之间形成间隙D1。间隙D1比被支承销61b支承着的晶圆W的中心部与顶板110之间的距离小。
升降机构120具备臂121和升降驱动部122。升降驱动部122设置在回收杯50的外侧，能够上下移动。臂121被设置为将顶板110与升降驱动部122连接。即，升降机构120利用升降驱动部122且借助臂121来使顶板110升降。
非活性气体供给部130具备非活性气体供给管131和非活性气体供给源132。非活性气体供给部130向晶圆W的上表面侧供给非活性气体。
非活性气体供给管131被设置为在顶板110和臂121的内部延伸，其一端与供给非活性气体的非活性气体供给源132连结。另外，另一端与非活性气体供给口110a连通。
此外，如图2所示，通过使臂121连接在顶板110的上表面的大致中心处，来将非活性气体供给口110a形成在顶板110的下表面的中心部，因此能够从顶板110的中心向下方供给非活性气体，并且能够使向晶圆W供给的非活性气体的流量在圆周方向上均匀。
另外，处理单元16具备接地部150和可变电阻部160。接地部150的一端部与旋转机构连接，另一端部连接于接地电位。可变电阻部160是设置于接地部150的电阻，能够变更电阻值。
<导通路径的结构>
在本实施方式所涉及的处理单元16中，通过使晶圆W上产生的电经由保持部60、旋转机构80、接地部150而流向接地电位，能够对晶圆W进行除电。在此，具体地说明晶圆W上产生的电的导通路径的结构。
首先，参照图3和图4来说明从晶圆W向旋转轴81的导通路径。图3是底板61和旋转环70的俯视图。另外，图4是表示从晶圆W向旋转轴81的导通路径的结构的图。
如图3所示，支承销61b例如由树脂形成，包含第一支承销61ba和第二支承销61bb这两种。在对第一支承销61ba与第二支承销61bb进行比较的情况下，与第二支承销61bb相比，第一支承销61ba由导电性更高的材料形成。
另外，与第一支承销61ba相比，第二支承销61bb由对药品的耐久性更高的材料形成。此外，第二支承销61bb由于重视耐久性等原因，也可以由不具有导电性的材料形成。
如图3中由虚线的封闭曲线包围地表示的那样，第一支承销61ba例如设置有3个，这些第一支承销61ba在底板61的周缘沿圆周方向以大致等间隔、即大致120度的间隔配置。
另外，第二支承销61bb在第一支承销61ba与第一支承销61ba之间且底板61的周缘沿圆周方向以大致等间隔例如各设置有3个。因而，作为支承销61b，以大致30度的间隔配置共计12个。
如图4中的箭头所示的那样，晶圆W上产生的电从作为导电性材料的第一支承销61ba向底板61的内部传递。
在底板61的内部设置有导电性构件61f，该导电性构件61f与第一支承销61ba接触。由此，来自第一支承销61ba的电被传递到导电性构件61f。
导电性构件61f延伸至旋转轴81附近，被引导至导电性构件61f的电向旋转轴81传递。旋转轴81由导电性材料形成。
这样，在本实施方式中，形成了从第一支承销61ba起经由导电性构件61f的导通路径，晶圆W上产生的电从第一支承销61ba经由底板61的导电性构件61f而传递到旋转轴81。
此外，在本实施方式中，12个支承销61b中有3个为第一支承销61ba，但是并不对第一支承销61ba的个数、比率等进行限定。能够根据是否能够适当地对晶圆W进行除电来适当调整第一支承销61ba的个数。
接着，参照图5来说明从旋转轴81向接地电位的导通路径的结构。图5是表示从旋转轴81向接地电位的导通路径的结构的图。
如图5所示，旋转机构80具备旋转轴81、电动机82以及轴承83。另外，电动机82具备外壳82a、定子82b以及转子82c。
外壳82a例如形成为筒状，在内部收纳定子82b和转子82c。外壳82a由导电性构件形成。定子82b设置在外壳82a的内周面。转子82c配置为隔着空隙而与该定子82b的内周侧相向。转子82c设置在旋转轴81的外周面，配置为与定子82b相向。
轴承83设置在外壳82a与旋转轴81之间，以能够使旋转轴81旋转的方式支承旋转轴81。轴承83例如是球轴承，由导电性构件形成。
接地部150例如是接地线，其一端部与外壳82a连接，另一端部连接于接地电位。
这样，在本实施方式中，形成了从旋转轴81起经由轴承83、外壳82a以及接地部150的导通路径。因而，晶圆W上产生的电首先如图4所示那样从第一支承销61ba经由底板61的导电性构件61f而传递到旋转轴81，之后，如图5所示那样从旋转轴81经由轴承83、外壳82a以及接地部150而传递到接地电位。由此，能够对晶圆W进行除电。
这样，在本实施方式中，旋转机构80相当于“导通路径部”的一例，但是导通路径部只要与保持部60接触并由导电性材料形成即可，并不需要一定是旋转机构。因而，本申请所公开的基板处理装置和基板处理方法还能够应用于不具有旋转机构的基板处理装置。
<可变电阻部的结构和动作>
另外，优选的是，用于对基板进行除电的导通路径的电阻值基本上较低。然而，在一系列的基板处理中，有时不优选将导通路径的电阻值始终设为低的状态。
例如，在从处理液供给口91b(参照图2)供给的处理液本身带电的情况下，当导通路径的电阻值低(例如为0)时，电流急剧地流过晶圆W而发生放电，由此有可能导致基板上的图案损伤。此外，晶圆W虽然被进行了绝缘处理，但是稍微具有导电性，因此在处理液着落于晶圆W的瞬间有电流流过。
因此，在本实施方式所涉及的处理单元16中，在接地部150设置可变电阻部160，能够利用可变电阻部160变更上述导通路径的电阻值。具体地说，通过可变电阻部160使开始进行处理液向晶圆W的供给起的规定期间的导通路径的电阻值比其它期间的导通路径的电阻值高，由此抑制上述放电的发生。
在此，参照图6来说明可变电阻部160的结构的一例。图6是表示可变电阻部160的结构的一例的图。
如图6所示，接地部150的另一端部被分支为第一路径150a和第二路径150b，第一路径150a和第二路径150b分别连接于接地电位。
可变电阻部160具备第一电阻器161、第二电阻器162、第一开关SW1以及第二开关SW2。
第一电阻器161和第二电阻器162例如是具有固定的电阻值的电阻器，第一电阻器161设置于第一路径150a，第二电阻器162设置于第二路径150b。第二电阻器162的电阻值(第二电阻值)高于第一电阻器161的电阻值(第一电阻值)。
第一开关SW1和第二开关SW2将向接地部150连接的电阻器在第一电阻器161与第二电阻器162之间切换。第一开关SW1设置于第一路径150a，第二开关SW2设置于第二路径150b。第一开关SW1和第二开关SW2基于来自控制部18的控制信号而被接通/断开。
接着，参照图7来说明可变电阻部160的电阻值的变更定时。图7是用于说明电阻值的变更处理的一例的时序图。
如图7所示，控制部18在使晶圆W支承于保持部60的支承销61b上之后，对旋转机构80进行控制来使晶圆W以第一转速R1旋转。之后，控制部18开始进行处理液从处理液供给口91b向晶圆W的背面侧的供给。处理液的供给持续进行处理液供给期间T。
接着，当处理液供给期间T结束时，控制部18使处理液从处理液供给口91b的供给停止。之后，控制部18通过使晶圆W的转速从R1增加至R2，来进行晶圆W的甩干(干燥处理)。当干燥处理结束时，控制部18使晶圆W的旋转停止。
在上述的一系列的基板处理中，控制部18在处理液供给期间T内对可变电阻部160进行控制，以使得紧接在该处理液供给期间T开始之后的第一期间T1内的可变电阻部160的电阻值比之后的第二期间T2内的可变电阻部160的电阻值高。
具体地说，控制部18在第一期间T1使电阻值比较高的第二电阻器162与接地部150连接。然后，当第一期间T1结束时，控制部18通过将第二开关SW2设为断开状态并且将第一开关SW1设为闭合状态，来使电阻值比第二电阻器162的电阻值低的第一电阻器161与接地部150连接。
由此，能够使紧接在开始进行处理液向晶圆W的供给之后的第一期间T1内的导通路径的电阻值高于之后的第二期间T2内的导通路径的电阻值。因而，即使带电的处理液着落于晶圆W，也难以在晶圆W上流过电流，从而难以发生放电现象，因此能够防止因放电导致的图案的损伤。
此外，如上述的那样，保持部60的支承销61b(参照图2)使用导电性树脂形成。该导电性树脂的电阻值的偏差大。因此，第二电阻器162优选为具有如下电阻值的电阻器，该电阻值是使预先决定为支承销61b的电阻值的值(例如平均值等)与第二电阻器162的电阻值的合计值为规定的管理值以内那样的电阻值。
另外，优选的是，在电源切断的状态下，也将第一路径150a和第二路径150b中的某一个连接于接地电位。在此，优选的是，导通路径的电阻值基本上较低。因此，优选的是，对第一开关SW1使用b触点，对第二开关SW2使用a触点。b触点是指通常为闭合状态且通过被输入电信号而成为断开状态的触点。a触点是指通常为断开状态且通过被输入电信号而成为闭合状态的触点。此外，不限于此，也可以对第一开关SW1使用a触点、对第二开关SW2使用b触点。
接着，参照图8和图9来说明可变电阻部160的其它结构例和该可变电阻部160的电阻值的变更定时。图8是表示可变电阻部160的结构的另一例的图。另外，图9是用于说明电阻值的变更处理的另一例的时序图。
如图8所示，可变电阻部160也可以是按照从控制部18输入的信号来变更电阻值的可变电阻器。
如图9所示，在可变电阻部160是可变电阻器的情况下，在开始进行处理液供给处理之前，控制部18将可变电阻部160的电阻值设为比较高的第一电阻值，在开始进行处理液向晶圆W的供给之后，在处理液供给期间T，控制部18使可变电阻部160的电阻值缓慢地下降。在该情况下，也能够防止电流急剧地流过刚刚有液体着落的晶圆W，因此能够防止因放电导致的图案的损伤。
<第一变形例>
另外，在上述的实施方式中，使晶圆W上产生的电经由支承销61b、导电性构件61f、旋转轴81、轴承83、外壳82a以及接地部150而向接地电位释放。
然而，轴承83的转速越高则电阻值越高。这是因为随着转速变高，轴承83所具有的球的周围被油膜覆盖，从而轴承83从轨道面浮起，由此接近绝缘状态。这样，如果导通路径中包含电阻值基于转速而变动的轴承83，则有可能导致导通路径的电阻值不稳定化。
因此，在第一变形例中，参照图10来说明不包含轴承83的导通路径的结构。图10是表示第一变形例所涉及的导通路径的结构的图。
如图10所示，旋转机构80还具备导电性的容器84、导电性的连接构件85以及绝缘性的支承构件86，接地部150的一端部与容器84连接。
容器84中贮存有导电性的液体L。作为液体L，能够使用离子液体、液体金属。连接构件85例如由金属形成，其一端部经由刷85a而与旋转轴81的周面电接触，另一端部被浸渍于液体L中。支承构件86用于支承容器84。
第一变形例所涉及的导通路径如上述那样构成，晶圆W上产生的电经由支承销61b、导电性构件61f、旋转轴81、连接构件85、液体L、容器84以及接地部150而流向接地电位。
另外，第一变形例所涉及的处理单元16具备绝缘性的轴承83A来代替导电性的轴承83。
这样，通过构成不包含轴承83A的路径来作为晶圆W上产生的电的导通路径，能够使导通路径的电阻值稳定化。另外，通过使用绝缘性的轴承83A，能够防止意料之外的路径导通。
<第二变形例>
在上述的第一变形例中，使连接构件85与旋转轴81的周面接触，但是连接构件也可以连接于旋转轴81的与负荷侧相反的一侧的端部。参照图11来说明该第二变形例。图11是表示第二变形例所涉及的导通路径的结构的图。
如图11所示，第二变形例所涉及的旋转轴81A是实心状的构件。而且，第二变形例所涉及的连接构件85A具有沿长边方向延伸的棒形状，与上述旋转轴81A同轴地连接于该旋转轴81A的与负荷侧相反的一侧的端部。
在像这样构成的情况下，也能够与第一变形例同样地使导通路径的电阻值稳定化。
<第三变形例>
在如上述的第二变形例那样使连接构件85A与旋转轴81A同轴地旋转的情况下，还能够使用导电性的轴承来代替容器84。参照图12来说明该第三变形例。图12是示出第三变形例所涉及的导通路径的结构的图。
如图12所示，连接构件85A的另一端部以该连接构件85A能够旋转的方式被导电性的轴承87支承。轴承87被支承构件86支承。接地部150与轴承87连接。
这样，也可以使晶圆W上产生的电从连接构件85A经由轴承87而流向接地部150。
<第四变形例>
另外，底板61(参照图2)由树脂形成。树脂容易产生静电，所产生的静电有可能对晶圆W产生不良影响。因此，优选的是，例如定期地检查底板61是否过度地带电。
在此，例如考虑如下情况：作业者将未图示的面板打开并进入到处理单元16内，通过手动作业测定底板61的带电量。然而，手动作业的测定误差大，并且还有可能由于将面板打开而有异物混入到处理单元16内。另外，还有时由于处理单元16的尺寸而使手动作业的测定本身变得困难。另一方面，还考虑在处理单元16内设置表面电位计，但是由于存在耐药品性等问题而并不优选。
因此，在第四变形例中，参照图13～图16来说明通过简易的方法测定底板61的带电量的方法。图13和图14是用于说明带电量估计处理的内容的图。另外，图15是表示测定基板的结构的图，图16是表示测定部的结构的图。
如图13所示，在第四变形例所涉及的带电量估计处理中，使用测定用基板Wm。测定用基板Wm是绝缘性的基板，其下表面粘贴有导电性薄片S。
在此，当底板61带电时，在测定用基板Wm产生正电荷。在该状态下，当如图14所示那样使提升销91a上升来使测定用基板Wm离开支承销61b时，测定用基板Wm带正电。关于其带电量，理论上与在测定用基板Wm被支承销61b支承着的状态时从底板61接受的静电感应电位具有相同的值而极性相反。
在第四变形例所涉及的带电量测定处理中，在使提升销91a上升而使测定用基板Wm离开支承销61b之后，使用基板输送装置17(参照图1)来将测定用基板Wm输送到后述的测定部。此外，提升销91a具有绝缘性，末端执行器171和支承部171a具有导电性。
如图15所示，基板输送装置17例如具备两叉状的末端执行器171。在末端执行器171的上表面设置有多个、例如4个支承部171a，测定用基板Wm被载置在支承部171a上。
粘贴在测定用基板Wm的下表面的导电性薄片S被粘贴在末端执行器171的与支承部171a对应的部位以外的部位。即，末端执行器171的支承部171a所接触的位置具有绝缘性。因而，能够抑制测定用基板Wm的带电量在输送测定用基板Wm的过程中的变化。
此外，在此，使用在绝缘性的基板上粘贴导电性薄片S而成的测定用基板Wm进行带电量估计处理，但是在基板本身具有导电性的情况下，例如也可以使用产品基板来进行带电量测定处理，而无需使用该测定用基板Wm。在该情况下，末端执行器171的支承部171a优选具有绝缘性。
如图16所示，基板处理系统1具备对测定用基板Wm的带电量进行测定的测定部190。测定部190例如配置于交接部14(参照图1)，但是测定部190的配置位置不限定于交接部14。例如，也可以在处理站3设置专用的配置位置，在该位置配置测定部190。
测定部190例如具备支承构件191、表面电位计192以及放电用的开关SW3，该支承构件191从测定用基板Wm的下方支承该测定用基板Wm，该表面电位计192对被支承构件191支承着的测定用基板Wm的表面电位进行测定。在测定过程中，开关SW3处于闭合状态，当测定结束时，开关SW3按照来自控制部18的控制信号而成为断开状态。通过开关SW3变为断开状态，测定用基板Wm被除电。
控制部18(参照图1)当从测定部190获取到测定结果时，基于获取到的测定结果来估计底板61的带电量。
具体地说，关于由测定部190测定出的测定用基板Wm的带电量，如上述那样，理论上与底板61的带电量具有相同的值而极性相反。因此，控制部18将极性与获取到的测定结果的极性相反的带电量估计为底板61的带电量。
这样，通过基于测定部190的测定结果估计底板61的带电量，能够不通过作业者的手动作业而通过消除了耐药品性等问题的简易的方法来测定底板61的带电量。
此外，测定用基板Wm的带电量实际上比底板61的带电量少与从支承销61b离开的距离相应的量。因此，控制部18也可以考虑由于测定用基板Wm从支承销61b离开而产生的带电量的减少量来估计底板61的带电量。由此，能够提高底板61的带电量的估计精度。
例如在底板61带电-6kV的情况下，理论上测定用基板Wm带电+6kV，但是带电量减少与测定用基板Wm从支承销61b上升的距离相应的量而成为带电+5kV。在该情况下，控制部18通过对作为测定部190的测定结果的+5kV加上与测定用基板Wm从支承销61b起的上升距离相应的校正量+1kV而得到+6kV，能够将底板61的带电量估计为-6kV。
此外，例如能够事先将上述校正量与测定用基板Wm从支承销61b起的上升距离相关联地存储到存储部19中，控制部18能够在带电量估计处理中从存储部19获取与使测定用基板Wm从支承销61b起上升的距离对应的校正量，使用获取到的校正量来校正测定结果。此外，控制部18也可以通过计算来算出与测定用基板Wm从支承销61b起的上升距离相应的校正量。
另外，控制部18也可以在所估计出的底板61的带电量超过规定阈值的情况下进行规定的异常应对处理。例如，控制部18能够使用未图示的灯、扬声器来通知底板61的带电量超过了阈值、或者中止基板处理来作为异常应对处理。
在此，对利用提升销91a使被保持部60保持着的测定用基板Wm上升之后由基板输送装置17从提升销91a接收测定用基板Wm并向测定部190输送的情况下的例子进行说明。但是不限于此，也可以是，基板输送装置17从保持部60直接接收测定用基板Wm并向测定部190输送。在该情况下，也能够与上述同样地估计底板61的带电量。
<第五变形例>
另外，如图2所示，与被支承销61b支承着的晶圆W的周缘部相向的顶板110的周缘部被设置为以朝向晶圆W的方式向下方突出，在该顶板110的周缘部与晶圆W的周缘部之间形成间隙D1。
间隙D1比被支承销61b支承着的晶圆W的中心部与顶板110之间的距离小。因此，从晶圆W的中心部流向周缘部的气流的流速有可能在间隙D1中下降。另外，由于气流的粘性还容易产生摩擦电阻。
因此，在第五变形例中，参照图17和图18来说明用于抑制该间隙D1中的气流紊乱的结构。图17是整流部的放大示意图。另外，图18是整流部的示意截面图。此外，图17是相当于图2的H部的部分的放大示意图。
如图17所示，顶板110在与间隙D1对应的部分具备整流部180。
整流部180在下表面即与晶圆W的周缘部相向的面具有多个凹部181。这样，整流部180通过下表面具有所谓的凹穴形状，能够降低间隙D1处的摩擦电阻。
在此，从晶圆W的中心部朝向周缘部的气流例如根据处理单元16的排气量、晶圆W的转速而变动。因此，整流部180构成为能够根据该气流的变动来调整整流效果的强弱。
具体地说，如图18所示，整流部180具备中空状的主体部182。主体部182经由供给管183而与流体供给部184连接。流体供给部184对主体部182的内部空间供给流体。另外，流体供给部184还能够吸引被供给到主体部182的内部空间的流体。从流体供给部184供给的流体例如设为氮气、氩气等非活性气体，但是也可以是纯水等液体。
另外，上述的凹部181由形成于主体部182的下表面的开口181a以及粘贴于该开口181a的具有伸缩性的膜181b构成。
整流部180如上述的那样构成，通过按照来自控制部18的控制从流体供给部184对主体部182的内部空间供给流体或者从主体部182的内部空间吸引流体，来使内部空间的压力变化，由此能够调整凹部181的膜181b的凹凸。
由此，根据排气量、转速等气流变化的状况来调整凹部181的深度，由此能够适当地对流过间隙D1中流动的气流进行整流。
此外，在处理单元16中，在结束处理液供给处理并转到干燥处理时，晶圆W的转速增加(参照图7)。因此，控制部18在转到干燥处理的情况下，对流体供给部184进行控制来从主体部182的内部空间吸引流体，从而使凹部181变深。由此，能够在进行干燥处理时适当地对间隙D1中流动的气流进行整流。
另外，在使用多个处理液的情况下，有时按每个处理液切换排气量。因此，控制部18也可以在切换处理液时对流体供给部184进行控制来调整凹部181的深度。例如，在处理液供给后利用纯水进行冲洗处理之后利用IPA(异丙醇)进行置换处理的情况下，在从冲洗处理转向置换处理时，有时使排气量降低。在该情况下，控制部18在从冲洗处理转向置换处理的情况下，对流体供给部184进行控制来向主体部182的内部空间供给流体，以使凹部181变浅。由此，能够在进行置换处理时适当地对间隙D1中流动的气流进行整流。
如上述的那样，本实施方式所涉及的处理单元16(基板处理装置的一例)具备导电性的保持部60、导电性的旋转机构80(导通路径部的一例)、处理液供给部100(供给部的一例)、接地部150以及可变电阻部160。保持部60用于保持晶圆W(基板的一例)。旋转机构80与保持部60接触，由导电性材料形成。处理液供给部100对被保持部60保持着的晶圆W供给处理液。接地部150的一端部与旋转机构80连接，另一端部连接于接地电位。可变电阻部160设置于接地部150，能够变更电阻值。
因而，根据本实施方式所涉及的处理单元16，能够根据基板处理的状况变更晶圆W上产生的电的导通路径的电阻值，因此能够在一系列的基板处理中适当地保护晶圆W以避免晶圆W发生电气故障。
另外，处理单元16具备对可变电阻部160进行控制的控制部18。控制部18在处理液供给期间T内，对可变电阻部160进行控制，以使得紧接在该处理液供给期间T开始之后的可变电阻部160的电阻值高于之后的可变电阻部160的电阻值，其中，该处理液供给期间T是从开始进行处理液向晶圆W的供给起直到该处理液的供给结束为止的期间。
由此，在导通路径的电阻值低的情况下，能够抑制由于带电的处理液着落于晶圆W而引起的放电现象的发生，因此能够在一系列的基板处理中适当地保护晶圆W以避免晶圆W发生电气故障。
另外，可变电阻部160具备第一电阻器161、第二电阻器162、第一开关SW1以及第二开关SW2(切换部的一例)。第一电阻器161具有第一电阻值。第二电阻器162具有比第一电阻值高的第二电阻值。第一开关SW1和第二开关SW2将向接地部150连接的电阻器在第一电阻器161与第二电阻器162之间切换。另外，控制部18对第一开关SW1和第二开关SW2进行控制，在紧接在处理液供给期间T开始之后使第二电阻器162与接地部150连接，之后，使第一电阻器161与接地部150连接。
由此，能够使紧接在开始进行处理液向晶圆W的供给之后的期间内的导通路径的电阻值高于之后的期间内的导通路径的电阻值。因而，即使带电的处理液着落于晶圆W，也难以在晶圆W上流过电流，从而难以发生放电现象，因此能够防止因放电导致的图案损伤。因而，在一系列的基板处理中能够适当地保护晶圆W以避免晶圆W发生电气故障。
另外，可变电阻部160也可以是按照从控制部18输入的信号来变更电阻值的可变电阻器。在该情况下，也能够在一系列的基板处理中适当地保护晶圆W以避免晶圆W发生电气故障。
另外，旋转机构80具备导电性的旋转轴81、81A、电动机82、导电性的容器84以及导电性的连接构件85、85A。旋转轴81、81A与保持部60电接触，以能够使保持部60旋转的方式支承保持部60。电动机82使旋转轴81、81A旋转。容器84用于贮存导电性的液体L。连接构件85、85A的一端部与旋转轴81、81A电接触，另一端部被浸渍于液体L中。另外，接地部150的一端部与旋转机构80中的容器84连接。
另外，连接构件85A具有沿长边方向延伸的棒形状，与旋转轴81A同轴地连接于旋转轴81A的与负荷侧相反的一侧的端部。
这样，通过构成不包含轴承的路径来作为晶圆W上产生的电的导通路径，能够使导通路径的电阻值稳定。
另外，旋转机构80具备绝缘性的轴承83A，该轴承83A设置在电动机82与旋转轴81、81A之间，以能够使转轴81、81A旋转的方式支承旋转轴81、81A。这样，通过使用绝缘性的轴承83A，能够防止意料之外的路径导通。
另外，处理单元16具备测定部190、基板输送装置17(基板输送部的一例)以及控制部18(估计部的一例)。测定部190测定晶圆W的带电量。基板输送装置17将被保持部60保持着的晶圆W向测定部190输送。控制部18基于测定部190的测定结果来估计保持部60的带电量。
这样，通过基于测定部190的测定结果估计保持部60的带电量，能够不通过作业者的手动作业而通过消除了耐药品性等问题的简易的方法来测定保持部60的带电量。
另外，控制部18使用测定部190的测定结果以及与向基板输送装置17输送测定用基板Wm时利用气缸机构92a将测定用基板Wm从保持部60起移动的位移量相应的校正量，来估计保持部60的带电量。由此，能够提高保持部60的带电量的估计精度。
本领域技术人员能够容易地导出更多的效果、变形例。因此，本发明的更广范围的方式并不限定于以上那样表示且记述的特定的详细内容和代表性的实施方式。因而，只要不脱离由权利要求书及与其均等的范围定义的概括性的发明的概念的精神或范围，能够进行各种变更。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
导电性的保持部，其用于保持基板；
导通路径部，其与所述保持部接触，由导电性材料形成；
供给部，其对被所述保持部保持着的基板供给处理液；
接地部，其一端部与所述导通路径部连接，另一端部连接于接地电位；
可变电阻部，其设置于所述接地部，能够变更电阻值；以及
控制部，其对所述可变电阻部进行控制，
其中，在从开始进行所述处理液向所述基板的供给起直到所述处理液向所述基板的供给结束为止的期间内，所述控制部对所述可变电阻部进行控制，以使得紧接在该期间开始之后的所述可变电阻部的电阻值高于之后的所述可变电阻部的电阻值。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述可变电阻部具备：
第一电阻器，其具有第一电阻值；
第二电阻器，其具有比所述第一电阻值高的第二电阻值；以及
切换部，其在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间切换向所述接地部连接的电阻器，
所述控制部对所述切换部进行控制，在紧接在所述期间开始之后使所述第二电阻器与所述接地部连接，之后，使所述第一电阻器与所述接地部连接。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述可变电阻部是按照从所述控制部输入的信号来变更电阻值的可变电阻器。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述导通路径部是使所述保持部旋转的旋转机构。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述旋转机构具备：
导电性的旋转轴，其与所述保持部电接触，以能够使所述保持部旋转的方式支承所述保持部；
电动机，其使所述旋转轴旋转；
导电性的容器，其贮存有导电性的液体；以及
导电性的连接构件，其一端部与所述旋转轴电接触，另一端部被浸渍于所述液体中，
所述接地部的一端部与所述旋转机构中的所述容器连接。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述连接构件具有沿长边方向延伸的棒形状，与所述旋转轴同轴地连接于所述旋转轴与负荷侧相反的一侧的端部。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述旋转机构具备绝缘性的轴承，该轴承设置在所述电动机与所述旋转轴之间，以能够使所述旋转轴旋转的方式支承所述旋转轴。
8.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：
测定部，其测定所述基板的带电量；
基板输送部，其将被所述保持部保持着的所述基板向所述测定部输送；以及
估计部，其基于所述测定部的测定结果来估计所述保持部的带电量。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述估计部使用所述测定结果以及校正量，来估计所述保持部的带电量，该校正量是与从所述保持部接受所述基板时所述基板从所述保持部起的上升量相应的校正量。
10.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下工序：
保持工序，保持基板；
供给工序，对连接于接地电位的所述基板供给处理液；以及
电阻值变更工序，在所述供给工序中变更可变电阻部的电阻值，该可变电阻部能够变更所述基板与所述接地电位之间的电阻值，
控制工序，在从开始进行所述处理液向所述基板的供给起直到所述处理液向所述基板的供给结束为止的期间内，对所述可变电阻部进行控制，以使得紧接在该期间开始之后的所述可变电阻部的电阻值高于之后的所述可变电阻部的电阻值。
CN201710137651.9A 2016-03-29 2017-03-09 基板处理装置和基板处理方法 Active CN107240565B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-065660 2016-03-29
JP2016065660A JP6462620B2 (ja) 2016-03-29 2016-03-29 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107240565A CN107240565A (zh) 2017-10-10
CN107240565B true CN107240565B (zh) 2021-11-16

Family

ID=59960730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710137651.9A Active CN107240565B (zh) 2016-03-29 2017-03-09 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10851468B2 (zh)
JP (1) JP6462620B2 (zh)
KR (1) KR102315641B1 (zh)
CN (1) CN107240565B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
JP6691836B2 (ja) * 2016-06-20 2020-05-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11270902B2 (en) * 2017-03-09 2022-03-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Electrostatic substrate holder
CN110047790B (zh) * 2018-01-15 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 双轴机构和半导体处理设备
CN108461387B (zh) * 2018-03-19 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 功率馈入机构、旋转基座装置及半导体加工设备
WO2019179159A1 (zh) * 2018-03-19 2019-09-26 北京北方华创微电子装备有限公司 功率馈入机构、旋转基座装置及半导体加工设备
KR102097009B1 (ko) * 2018-06-11 2020-05-28 세메스 주식회사 스핀척 및 기판처리장치
JP7203593B2 (ja) * 2018-12-25 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7189013B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置の運転方法
KR102310465B1 (ko) * 2019-08-20 2021-10-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102331650B1 (ko) * 2019-09-25 2021-11-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 노즐 유닛
JP7403362B2 (ja) * 2020-03-26 2023-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR20210128064A (ko) * 2020-04-16 2021-10-26 주식회사 제우스 기판 처리용 통전장치

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4652345A (en) * 1983-12-19 1987-03-24 International Business Machines Corporation Method of depositing a metal from an electroless plating solution
US4696729A (en) * 1986-02-28 1987-09-29 International Business Machines Electroplating cell
US6136163A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
JP2008004880A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
CN101266850A (zh) * 2007-03-13 2008-09-17 松下电器产业株式会社 静电应对部件和利用了该静电应对部件的电子部件模块
JP2009238862A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
CN100570817C (zh) * 2006-03-01 2009-12-16 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板操控方法
CN102782832A (zh) * 2010-04-16 2012-11-14 朗姆研究公司 接地的卡盘
CN104272438A (zh) * 2012-03-28 2015-01-07 诺发系统公司 用于清洁电镀衬底保持器的方法和装置
KR20150040546A (ko) * 2013-10-07 2015-04-15 세메스 주식회사 반송 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
CN104867852A (zh) * 2014-02-24 2015-08-26 朗姆研究公司 用于晶片状物品的液体处理的装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092343A (ja) 2001-09-17 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持機構、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
US6685815B2 (en) * 2002-01-14 2004-02-03 Applied Materials Inc. Electroplating of semiconductor wafers
WO2008084524A1 (ja) * 2007-01-09 2008-07-17 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置
JP2008198836A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5911689B2 (ja) * 2011-09-29 2016-04-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4652345A (en) * 1983-12-19 1987-03-24 International Business Machines Corporation Method of depositing a metal from an electroless plating solution
US4696729A (en) * 1986-02-28 1987-09-29 International Business Machines Electroplating cell
US6136163A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
CN100570817C (zh) * 2006-03-01 2009-12-16 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板操控方法
JP2008004880A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
CN101266850A (zh) * 2007-03-13 2008-09-17 松下电器产业株式会社 静电应对部件和利用了该静电应对部件的电子部件模块
JP2009238862A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
CN102782832A (zh) * 2010-04-16 2012-11-14 朗姆研究公司 接地的卡盘
CN104272438A (zh) * 2012-03-28 2015-01-07 诺发系统公司 用于清洁电镀衬底保持器的方法和装置
KR20150040546A (ko) * 2013-10-07 2015-04-15 세메스 주식회사 반송 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
CN104867852A (zh) * 2014-02-24 2015-08-26 朗姆研究公司 用于晶片状物品的液体处理的装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170283977A1 (en) 2017-10-05
JP2017183389A (ja) 2017-10-05
KR102315641B1 (ko) 2021-10-21
KR20170113089A (ko) 2017-10-12
JP6462620B2 (ja) 2019-01-30
CN107240565A (zh) 2017-10-10
US10851468B2 (en) 2020-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107240565B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR102008061B1 (ko) 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법
KR102363201B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20030010449A1 (en) Automatic wafer processing and plating system
TWI653680B (zh) 基板洗淨裝置、基板處理裝置及基板洗淨方法
KR20160100839A (ko) 기판 처리 장치
US6524463B2 (en) Method of processing wafers and other planar articles within a processing cell
US6558750B2 (en) Method of processing and plating planar articles
KR20150125592A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN111066126A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
WO2002064861A2 (en) Substrate holder system with substrate extension apparatus and associated method
KR20180020897A (ko) 액처리 장치 및 배관의 감시 방법
CN111383961A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP6936422B1 (ja) めっき装置及び基板の膜厚測定方法
KR101972226B1 (ko) 기판 세정 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치
JP6042149B2 (ja) 基板搬送装置、基板処理装置、および、基板搬送方法
KR102201879B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102468100B1 (ko) 액처리 장치
JP2000018207A (ja) 処理装置
CN116364591A (zh) 用于处理基板的装置和处理液的静电监测方法
CN114446857A (zh) 传送手部和基板处理装置
TW202235688A (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
US20030013285A1 (en) Method of processing and plating wafers and other planar articles
KR20220130663A (ko) 도금 장치 및 도금 장치의 콘택트 부재 세정 방법
KR102595617B1 (ko) 도금 방법 및 도금 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant