CN109564859B - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理方法包括：基板保持工序，保持在一侧主面形成有图案的基板；电荷供给工序，将一种极性的电荷供给至所述基板；第一电压施加工序，与所述电荷供给工序并行，将另一种极性的电压施加至经由电介体配置于所述基板的另一侧主面的第一电极；第二电压施加工序，在所述第一电压施加工序后，一边保持解除所述基板的接地连接的状态，一边将所述一种极性的电压施加至所述第一电极；以及干燥工序，与所述第二电压施加工序并行，通过从所述基板的一侧主面去除液体而使所述基板干燥。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种用于处理在基板的一侧主面形成有图案的基板的基板处理方法以及基板处理装置。处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，利用处理液处理半导体晶片等基板的表面。一张一张地处理基板的单张式的基板处理装置包括：旋转卡盘，将基板保持为大致水平，并使该基板旋转；以及喷嘴，对被该旋转卡盘旋转的基板的表面供给处理液。在典型的基板处理工序中，对被旋转卡盘保持的基板供给药液。之后，对基板供给冲洗液，由此，将基板上的药液置换成冲洗液。之后，进行去除基板上的冲洗液并使基板干燥的干燥工序。
在处理基板时，为了抑制形成于基板的表面的图案倒塌，在专利文献1中，直接对硅基板施加电压，以使图案带电，由此，使相邻的图案彼此产生斥力(彼此远离对方的力)。
现有技术文献
专利文献
专利文献：日本专利5379663号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的发明人认为：在进行从基板表面去除液体的干燥处理时，相邻的图案彼此会吸引而接触，从而导致图案倒塌。推定其中的一个原因为：在相邻的图案间存在液体所引起的表面张力。即，推定在排除相邻的图案间的液体时，在相邻的图案彼此作用因表面张力所引起的引力，从而导致图案倒塌。
在专利文献1所记载的手法中，能使相邻的图案彼此产生斥力。由于这样的斥力能抵消作用于相邻的图案彼此的引力，因此，能通过采用专利文献1所记载的手法来抑制图案的倒塌。
而且，本发明的发明人研究了，通过使用与专利文献1不同的手法，使相邻的图案彼此产生斥力，从而有效地抑制基板的一侧主面的图案。
因此，本发明的一个目的在于，提供一种能有效地抑制基板的图案的倒塌的基板处理方法以及基板处理装置。
用于解决课题的手段
本发明提供一种基板处理方法，包括：基板保持工序，保持在一侧主面形成有图案的基板；电荷供给工序，将一种极性的电荷供给至所述基板；第一电压施加工序，与所述电荷供给工序并行，将另一种极性的电压施加至经由电介体配置于所述基板的另一侧主面的第一电极；第二电压施加工序，在所述第一电压施加工序后，一边保持解除所述基板的接地连接的状态，一边将所述一种极性的电压施加至所述第一电极；以及干燥工序，与所述第二电压施加工序并行，通过从所述基板的一侧主面去除液体而使所述基板干燥。
“一种极性”是指，正极性及负极性中的一方，“另一种极性”是指，正极性及负极性中的另一方。
此外，“基板的一侧主面”是指，设备形成面即表面以及与所述表面相反的背面中的一方，“基板的另一侧主面”是指，所述表面及所述背面中的另一方。
此外，所述电介体并非仅为配置于所述基板的另一侧主面与所述第一电极之间的固体电介体，也包括存在于所述基板的另一侧主面与所述第一电极之间的气体(例如，空气)的宗旨。
根据此方法，与用于将一种极性的电荷供给至基板的电荷供给工序并行地，将另一种极性的电压施加至第一电极。由此，能够将供给至基板的一种极性的电荷吸引至基板的另一侧主面，从而能够将一种极性的电荷蓄积于基板的内部。
在第一电压施加工序后，一边保持解除所述基板的接地连接的状态，一边进行用于将另一种极性的电压施加至第一电极的第二电压施加工序。此外，与第二电压施加工序并行地，进行从基板的一侧主面去除液体的干燥工序。
使基板与周围绝缘，由此，能够阻止蓄积于基板的内部的一种极性的电荷流出至基板外。在该状态下，将一种极性的电压施加至第一电极，由此，蓄积于基板的内部的一种极性的电荷与第一电极相斥而集中至基板的一侧主面。因此，在图案上产生电偏移，一种极性的电荷集中至各个图案，各个图案带电为一种极性。由此，在相邻的图案间作用斥力(库伦力)。
另一方面，当在相邻的图案间存在液面时，在液面与图案之间的边界位置作用液体的表面张力。即，引力(表面张力)作用于相邻的图案之间。然而，该引力(表面张力)通过因图案的带电所引起的斥力(库伦力)而被抵消。因此，能够一边降低作用于图案的力，一边从基板的一侧主面去除液体。由此，能够一边有效地抑制图案的倒塌，一边使基板干燥。
在本发明的一实施方式中，所述方法可以还包括绝缘液体液膜保持工序，所述绝缘液体液膜保持工序与所述第二电压施加工序并行，使具有在纯水的电阻率以上的电阻率的绝缘液体的液膜保持于所述基板的一侧主面；所述干燥工序包括从所述基板的一侧主面去除绝缘液体的工序。
根据该方法，由于与第二电压施加工序并行地在基板的一侧主面保持绝缘液体的液膜，因此，能够抑制或防止蓄积于基板的一种极性的电荷经由形成于基板的一侧主面的液膜流出。由此，在第二电压施加工序中，能够将更多量的一种极性的电荷集中于基板的一侧主面。因此，能增强作用于相邻的图案之间的斥力(库伦力)。
所述绝缘液体也可以包括低表面张力液体，所述低表面张力液体具有比纯水的表面张力低的表面张力。在该情况下，由于减轻作用于相邻的图案间的表面张力，因此，能进一步抑制图案的倒塌。
所述方法也可以还包括第一间隔调整工序，所述第一间隔调整工序与所述第二电压施加工序并行，用于变更所述第一电极与所述基板的另一侧主面之间的间隔。
根据该方法，通过变更第一电极与基板的另一侧主面之间的间隔，能调整集中于基板的一侧主面的一种极性的电荷的量。由此，能够调整在相邻的图案之间所产生的斥力(库伦力)的大小。
所述方法也可以还包括第三电压施加工序，所述第三电压施加工序与所述第二电压施加工序并行，用于将所述另一种极性的电压施加至与所述基板的一侧主面隔着规定间隔地相对的第二电极。
根据该方法，通过将另一种极性的电压施加至与基板的一侧主面隔着规定间隔相对第二电极，能够在第二电压施加工序中将多量的一种极性的电荷集中于基板的一侧主面。
此外，通过将另一种极性的电压施加至与基板的一侧主面隔着规定间隔相对的第二电极，也能促进图案内的分极。
因此，能增强作用于相邻的图案间的斥力(库伦力)。
所述方法也可以还包括第二间隔变更工序，所述第二间变更整工序与所述第三电压施加工序并行，用于变更所述第二电极与所述基板的另一侧主面之间的间隔。
根据该方法，通过变更第二电极与基板的一侧主面之间的间隔，能调整集中于基板的一侧主面的一种极性的电荷的量。由此，能调整在相邻的图案间产生的斥力(库伦力)的大小。
所述基板保持工序也可以还包括：第一基板保持工序，与所述电荷供给工序并行，通过多个保持销支撑所述基板，所述多个保持销包括至少一个使用导电性材料所形成的导电销；以及第二基板保持工序，与所述第二电压施加工序并行，不使用所述导电销支撑所述基板而通过使用绝缘材料所形成的绝缘销支撑所述基板。
根据该方法，在第一基板保持工序中，通过包括至少一个导电销的多个保持销支撑基板。因此，在电荷供给工序中，也能够经由导电销将一种极性的电荷供给至基板。此外，在第二基板保持工序中，仅以绝缘销支撑基板。因此，能够将基板保持为解除接地连接的状态。
所述电荷供给工序也可以包括一边将导电液体供给至所述基板，一边将所述一种极性的电荷赋予至所述导电液体的工序。
根据该方法，被赋予导电液体的一种极性的电荷经由导电液体被供给至与导电液体接触的基板。这样，能够通过比较简单的手法将一种极性的电荷赋予基板。
本发明提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，保持在一侧主面形成有图案的基板；电荷供给单元，将一种极性的电荷供给至被所述基板保持单元保持的基板；第一电极，经由电介体配置于被所述基板保持单元保持的基板的另一侧主面；第一电源装置，用于将电压施加至所述第一电极；干燥单元，用于从被所述基板保持单元保持的基板的一侧主面排除液体；以及控制装置，控制所述电荷供给单元、所述第一电源装置以及所述干燥单元；所述控制装置执行如下工序：电荷供给工序，将电压施加至被所述基板保持单元保持的基板，并将一种极性的电荷供给至所述基板；第一电压施加工序，与所述电荷供给工序并行，将另一种极性的电压施加至经由电介体配置于所述基板的另一侧主面的第一电极；第二电压施加工序，在所述第一电压施加工序后，一边保持解除所述基板的接地连接的状态，一边将所述一种极性的电压施加至所述第一电极；以及干燥工序，与所述第二电压施加工序并行，通过从所述基板的一侧主面去除液体而使所述基板干燥。
“一种极性”是指，正极性及负极性中的一方，“另一种极性”是指，正极性及负极性中的另一方。
此外，“基板的一侧主面”是指，设备形成面即表面以及与所述表面相反的背面中的一方，“基板的另一侧主面”是指，所述表面及所述背面中的另一方。
此外，所述电介体并非仅为配置于所述基板的另一侧主面与所述第一电极之间的固体电介体，也包括存在于所述基板的另一侧主面与所述第一电极之间的气体(例如，空气)的宗旨。
根据该结构，与用于将一种极性的电荷供给至基板的电荷供给工序并行地，将另一种极性的电压施加至第一电极。由此，能够将供给至基板的一种极性的电荷吸引至基板的另一侧主面，从而能够将一种极性的电荷蓄积于基板的内部。
在第一电压施加工序后，一边保持解除所述基板的接地连接的状态，一边进行将另一种极性的电压施加至第一电极的第二电压施加工序。此外，与第二电压施加工序并行地，进行从基板的一侧主面去除液体的干燥工序。
使基板与周围绝缘，由此，能够阻止蓄积于基板的内部的一种极性的电荷流出至基板外。在该状态下，将一种极性的电压施加至第一电极，由此，蓄积于基板的内部的一种极性的电荷与第一电极相斥而集中至基板的一侧主面。因此，在图案上产生电偏移，一种极性的电荷集中至各个图案，各个图案带电为一种极性。由此，在相邻的图案间作用斥力(库伦力)。
另一方面，当在相邻的图案间存在液面时，在液面与图案之间的边界位置作用液体的表面张力。即，引力(表面张力)作用于相邻的图案之间。然而，该引力(表面张力)通过因图案的带电所引起的斥力(库伦力)而被抵消。因此，能够一边降低作用于图案的力，一边从基板的一侧主面去除液体。由此，能够一边有效地抑制图案的倒塌，一边使基板干燥。
在本发明的实施方式的一中，所述基板处理装置还包括接地连接单元，所述接地连接单元用于将被所述基板保持单元保持的基板进行接地连接，并且能够将所述基板的接地连接切换为连接或解除。
根据该结构，能简单地切换基板接地连接的状态以及解除基板接地连接的状态。
所述基板处理装置也可以还包括包括固体电介体，所述固体电介体配置在被所述基板保持单元保持的基板的另一侧主面与所述第一电极之间，并与所述基板的另一侧主面相对。在该情况下，能简单地实现使电介体安装于基板的另一侧主面与第一电极之间的结构。
所述固体电介体也可以具有与所述基板的另一侧主面接触的接触面。在该情况下，即使在通过电极将基板接触支撑的情况下，也能使电介体可靠地安装于基板的另一侧主面与第一电极之间。此外，由于能够将电极与基板的另一侧主面之间保持在恒定距离，因此，能够高精度地控制蓄积于基板的另一侧主面的一种极性的电荷的量或者集中于基板的一侧主面的一种极性的电荷的量。
所述基板处理装置也可以还包括绝缘液体供给单元，所述绝缘液体供给单元将具有在纯水的电阻率以上的电阻率的绝缘液体供给至所述基板的一侧主面。
根据该结构，由于存在于基板的一侧主面的液体为绝缘液体，因此，能在第二电压施加工序中抑制或防止蓄积于基板的一种极性的电流经由存在于基板的一侧主面的液体流出。由此，能在第二电压施加工序中将更多量的一种极性的电荷集中于基板的一侧主面。因此，能增强作用于相邻的图案间的斥力(库伦力)。
所述绝缘液体也可以包括低表面张力液体，所述低表面张力液体具有比纯水的表面张力低的表面张力。在该情况下，由于减轻作用于相邻的图案间的表面张力，因此，能更进一步地抑制图案的倒塌。
所述基板处理装置也可以还包括第一间隔变更单元，所述第一间隔变更单元用于变更所述第一电极与所述基板的另一侧主面之间的间隔。
根据该结构，能变更第一电极与基板的另一侧主面之间的间隔。由此，能调整集中于基板的一侧主面的一种极性的电荷的量。其结果，能调整在相邻的图案间产生的斥力(库伦力)的大小。
所述基板处理装置也可以还包括：第二电极，与所述基板的一侧主面隔着规定间隔地配置；以及第二电源装置，用于将电压施加至所述第二电极；所述控制装置控制所述第二电源装置还执行第三电压施加工序，所述第三电压施加工序与所述第二电压施加工序并行，将所述另一种极性的电压施加至所述第二电极。
根据该结构，通过将另一种极性的电压施加至与基板的一侧主面隔着规定间隔相对的第二电极，能在第二电压施加工序中将多量的一种极性的电荷集中于基板的一侧主面。
此外，通过将另一种极性的电压施加至与基板的一侧主面隔着规定间隔相对的第二电极，也能促进图案内的分极。
因此，能增强作用于相邻的图案间的斥力(库伦力)。
所述基板处理装置也可以还包括第二间隔变更单元，所述第二间隔变更单元用于变更所述第二电极与所述基板的另一侧主面之间的间隔。
根据该结构，通过变更第二电极与基板的一侧主面之间的间隔，能调整集中于基板的一侧主面的一种极性的电荷的量。由此，能调整在相邻的图案间产生的斥力(库伦力)的大小。
所述基板处理装置也可以包括：多个保持销，用于接触支撑所述基板的周缘部，并且包括使用导电性材料所形成的导电销和使用绝缘材料所形成的绝缘销；以及保持销移动单元，使所述保持销移动。在该情况下，所述控制装置也可以控制所述保持销移动单元执行如下工序：第一基板保持工序，与所述电荷供给工序并行，通过包括至少一个所述导电销的多个所述保持销支撑所述基板；以及第二基板保持工序，与所述第二电压施加工序并行，不使用所述导电销支撑所述基板而通过多个所述绝缘销支撑所述基板。
根据该结构，在第一基板保持工序中，通过包括至少一个导电销的多个保持销支撑基板。因此，在电荷供给工序中，也能够经由导电销将一种极性的电荷供给至基板。此外，在第二基板保持工序中，仅以绝缘销支撑基板。因此，能够将基板保持为解除接地连接的状态。
所述基板处理装置也可以还包括：导电液体供给单元，用于将导电液体供给至所述基板的一侧主面；以及电源，将电压施加至从所述导电液体供给单元供给至所述基板的导电液体。在该情况下，所述控制装置也可以控制所述导电液体供给单元及所述电源，一边将导电液体供给至所述基板，一边将所述一种极性的电荷赋予所述导电液体，从而执行所述电荷供给工序。
根据该结构，被赋予导电液体的一种极性的电荷经由导电液体被供给至与导电液体接触的基板。这样，能够通过比较简单的手法将一种极性的电荷赋予至基板。
可通过参照附图和下面说明的实施方式，明确本发明中的上述或其他目的、特征和效果。
附图说明
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置的内部的布局的图解性的俯视图。
图2是用于说明所述基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图3是用于说明所述基板处理装置所具有的旋转卡盘的更具体的结构的俯视图。
图4A及图4B是用于将旋转卡盘所具有的可动销附近的结构放大表示的剖视图。在图4A及图4B中示出了伴随着第一开放永久磁铁的升降动作的包含于第一可动销群的可动销的状态变化。
图5A及图5B是用于将旋转卡盘所具有的可动销附近的结构放大表示的剖视图。在图5A及图5B中示出了伴随着第二开放永久磁铁的升降动作的包含于第二可动销群的可动销的状态变化。
图6A是用于表示第一可动销群及第二可动销群的状态的示意图。
图6B及图6C是用于表示第一可动销群及第二可动销群的状态的示意图。
图7A是用于表示第一可动销群及第二可动销群的状态的示意图。
图7B及图7C是用于表示第一可动销群及第二可动销群的状态的示意图。
图8A是用于说明处理对象的基板的一例的图解性的俯视图，图8B是一部分的图解性的剖视图。
图9是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电结构的框图。
图10是用于说明通过所述处理单元所执行的第一基板处理例的流程图。
图11是用于说明所述第一基板处理例的时序图。
图12A及图12B是用于说明所述第一基板处理例的图解性的图。
图12C及图12D是用于说明所述第一基板处理例的图解性的图，且示出了继续于图12B的步骤。
图13A及图13B是用于说明图12B及图12C分别所表示的工序中的基板的表面状态的图解性的剖视图。
图13C是用于说明图12D所示的干燥工序中的基板的表面状态的图解性的剖视图。
图14是用于说明本发明的第二实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图15是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电结构的框图。
图16是用于说明通过所述处理单元所执行的第二基板处理例的时序图。
图17是用于说明所述第二基板处理例的图解性的图。
图18是用于说明所述干燥工序中的基板的表面状态的图解性的剖视图。
图19是用于说明本发明的第三实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图20是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电结构的框图。
图21是用于说明通过所述处理单元所执行的第三基板处理例的时序图。
图22A及图22B是用于说明所述第三基板处理例的图解性的图。
图23A及图23B是用于说明图22A及图22B分别所示的步骤中的基板的表面状态的图解性的剖视图。
图24是用于说明本发明的第四实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图25A及图25B是用于说明通过所述处理单元所执行的基板处理例的图解性的图。
图26是用于说明本发明的第五实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图27是用于说明第一变形例的图。
图28是用于说明第二变形例的图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的内部的布局的图解性的俯视图。图2是用于说明所述基板处理装置所具有的处理单元的结构例的图解性的剖视图。图3是用于说明旋转卡盘5的更具体的结构的俯视图。图4A及图4B是将旋转卡盘5所具有的保持销16的附近的结构放大表示的剖视图。图5A及图5B是将旋转卡盘5所具有的保持销16的附近的结构放大表示的剖视图。
基板处理装置1是用于通过处理液或处理气体一张一张地处理半导体晶片等圆板状的基板W的单张式的装置。基板处理装置1包括：多个处理单元2，使用处理液处理基板W；装载埠(load port)LP，载置有容纳在处理单元2中被处理的多张基板W的容纳器(carrier)C；搬运机械手IR及CR，在装载埠LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制装置3，对基板处理装置1进行控制。搬运机械手IR使用手部H1在容纳器C与基板搬运机械手CR之间搬运基板W。基板搬运机械手CR使用手部H2在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有彼此相同的结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的图解性的剖视图。
处理单元2包括：箱形的腔室(chamber)4，具有内部空间；旋转卡盘(基板保持单元)5，在腔室4内将一张基板W保持为水平的姿势，并使基板W以通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转；第一药液供给单元6，用于将第一药液(例如，HF(hydrogenfluoride：氟化氢))供给至被旋转卡盘5保持的基板W的上表面(一侧的主面)；第二药液供给单元7，用于将第二药液(例如，SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨双氧水混合液)供给至基板W的上表面；纯水供给单元8，用于将作为清洗液的纯水(例如，去离子水)供给至基板W的上表面；绝缘液体供给单元9，用于将具有在纯水的电阻率以上的电阻率且具有比纯水还低的表面张力的作为绝缘液体的一例的HFE(hydrofluoroether：氢氟醚)供给至基板W的上表面；电荷供给单元10，将正极性及负极性中的一种极性的电荷(在本实施方式中为负电荷)供给至被旋转卡盘5保持的基板W；接地连接单元11，用于将被旋转卡盘5保持的基板W进行接地连接；第一电极12，经由电介体配置于被旋转卡盘5保持的基板W的下表面(另一侧的主面)；第一电源装置24，用于将电压施加至第一电极12；以及筒状的处理罩(processing cup)(未图示)，包围旋转卡盘5。
参照图2至图5B说明旋转卡盘5的结构。
如图2所示，旋转卡盘5具有能够以沿着铅垂方向的旋转轴线A1为中心旋转的旋转基座15。在旋转基座15的旋转中心的下表面固定有作为轨道轴的金属制的旋转轴14。旋转轴14是中空轴，沿着铅垂方向延伸，并且接受来自旋转马达(干燥单元)13的驱动力而以旋转轴线A1为中心旋转。
如图2所示，旋转卡盘5是还具有：多个(在本实施方式中为六个)保持销16，所述多个保持销沿着周向隔开大致等间隔地设置于旋转基座15的上表面的周缘部。各个保持销16构成为：在与具有大致水平的上表面的旋转基座15隔开恒定的间隔的上方的基板保持高度将基板W保持为水平。在本实施方式中，旋转卡盘5所具有的保持销16全部为接触部(图4A等的上轴部42)可动的可动销，该接触部与基板W的周缘部接触。
如图3所示，各个保持销16沿着周向等间隔地配置于旋转基座15的上表面的周缘部。六个保持销16以彼此不相邻的每三个保持销16设定成相对应的驱动用永久磁铁26、27的磁极方向共通的一个群。换言之，六个保持销16包括：包含于第一可动销群的三个保持销(绝缘销，以下作为第一保持销16A)16A；以及包含于第二可动销群的三个保持销(导电销，以下作为第二保持销)16B。与三个第一保持销16A对应的第一驱动用永久磁铁26的磁极方向以及与三个第二保持销16B对应的第二驱动用永久磁铁27的磁极方向，和与旋转轴线A2正交的方向相互不同。第一保持销16A及第二保持销16B在旋转基座15的周向上交互地配置。若着眼于第一可动销群，则三个第一保持销16A等间隔(120°间隔)地配置。此外，若着眼于第二可动销群，则三个第二保持销16B等间隔(120°间隔)地配置。
如图4A至图5B所示，各个保持销16包括与旋转基座15结合的下轴部41和一体性地形成于下轴部41的上端的上轴部42，下轴部41及上轴部42分别形成为圆柱形状。上轴部42与下轴部41的中心轴线偏心地设置。将下轴部41的上端与上轴部42的下端之间连接的表面形成从上轴部42朝向下轴部41的周面下降的锥面43。
第一保持销16A是使用绝缘材料所形成的所谓的绝缘销。在本实施方式中，下轴部41、上轴部42、锥面43以及支撑轴45中的至少一部分使用绝缘材料所形成。特别优选地，与基板W的周缘部接触的上轴部42使用绝缘材料所形成。
第二保持销16B是使用导电性材料所形成的所谓的导电销。下轴部41、上轴部42、锥面43、支撑轴45以及轴承44全部使用导电性材料所形成。
如图4A至图5B所示，各个保持销16以下轴部41能够以与下轴部41的中心轴线同轴的旋转轴线A2为中心旋转的方式与旋转基座15结合。更详细而言，在下轴部41的下端部设置有支撑轴45，该支撑轴45经由轴承44被支撑于旋转基座15。在支撑轴45的下端结合有磁铁保持构件28，该磁铁保持构件28保持第一驱动用永久磁铁26及第二驱动用永久磁铁27。第一驱动用永久磁铁26及第二驱动用永久磁铁27例如将磁极方向朝向与保持销16的旋转轴线A2正交的方向配置。第一驱动用永久磁铁26是与第一保持销16A对应的驱动用永久磁铁。第二驱动用永久磁铁27是与第二保持销16B对应的驱动用永久磁铁。第一驱动用永久磁铁26及第二驱动用永久磁铁27设置为：在外力未施加于与该驱动用永久磁铁26、27对应的保持销16的状态下，具有在与旋转轴线A2正交的方向彼此相反且相等的磁极方向。第一驱动用永久磁铁26及第二驱动用永久磁铁27在旋转基座15的周向上交互地配置。
在旋转基座15设置有与保持销16的数量相同数量的闭塞永久磁铁29、30。闭塞永久磁铁29、30与保持销16一对一对应地设置，并且与所对应的保持销16相邻地配置。如图3所示，在本实施方式中，闭塞永久磁铁29、30在对应的保持销16的周围，更靠比保持销16的俯视时的中心位置还远离旋转轴线A1的方向配置。各个闭塞永久磁铁29、30容纳于磁铁保持构件31，该磁铁保持构件31与对应的磁铁保持构件28相邻地设置。
多个闭塞永久磁铁29、30包括与第一保持销16A对应的三个第一闭塞永久磁铁29和与第二保持销16B对应的三个第二闭塞永久磁铁30。换言之，第一闭塞永久磁铁29与第一驱动用永久磁铁26对应，第二闭塞永久磁铁30与第二驱动用永久磁铁27对应。第一闭塞永久磁铁29及第二闭塞永久磁铁30在旋转基座15的周向上交互地配置。第一闭塞永久磁铁29及第二闭塞永久磁铁30设置为，相对于旋转基座15不能升降。
如上所述，第一驱动用永久磁铁26及第二驱动用永久磁铁27设置为：具有在与旋转轴线A2正交的方向彼此相反且相等的磁极方向。第一闭塞永久磁铁29及第二闭塞永久磁铁30设置为：用于将磁力赋予对应的第一驱动用永久磁铁26及第二驱动用永久磁铁27，并对对应的保持销16的上轴部42朝保持位置施力。因此，第一闭塞永久磁铁29及第二闭塞永久磁铁30也设置为，具有在与旋转轴线A2正交的方向彼此相反且相等的磁极方向。
第一驱动用永久磁铁26接受来自第一闭塞永久磁铁29的吸引磁力，使上轴部42向接近旋转轴线A1的保持位置移动。即，第一保持销16A通过第一闭塞永久磁铁29的吸引磁力向保持位置被施力。
第二驱动用永久磁铁27接受来自第二闭塞永久磁铁30的吸引磁力，使上轴部42向接近旋转轴线A1的保持位置移动。即，第二保持销16B通过第二闭塞永久磁铁30的吸引磁力向保持位置被施力。因此，在驱动用永久磁铁26、27未接受来自下述的开放永久磁铁32、34的吸引磁力时，保持销16位于远离旋转轴线A1的开放位置。
如图2所示，在旋转基座15的下方设置有第一开放永久磁铁32及第二开放永久磁铁34。第一开放永久磁铁32及第二开放永久磁铁34的磁极方向均为沿着上下方向的方向，但为彼此相反方向。在第一开放永久磁铁32的上表面例如为N极的情况下，第二开放永久磁铁34的上表面具有相反极性的S极。
如图3所示，在本实施方式中，第一开放永久磁铁32及第二开放永久磁铁34分别设置有三个。在俯视时，三个第一开放永久磁铁32及三个第二开放永久磁铁34在旋转基座15的周向上交互地配置。
如图3所示，三个第一开放永久磁铁32呈以旋转轴线A1为中心的圆弧状，并在彼此共通的高度位置且在旋转基座15的周向上隔开间隔地配置。三个第一开放永久磁铁32具有彼此相等的规格(specification)，并在与旋转轴线A1同轴的圆周上沿周向隔开等间隔地配置。各个第一开放永久磁铁32沿着与旋转轴线A1正交的平面(水平面)配置。
如图3所示，各个第一开放永久磁铁32的周向长度(角度)是约60°。在第一开放永久磁铁32连结有第一升降单元33，该第一升降单元33使所述多个第一开放永久磁铁32一并升降。第一升降单元33是例如包括在上下方向上能够伸缩的汽缸的结构，并被该汽缸支撑。此外，第一升降单元33也可以使用电动马达来构成。此外，第一升降单元33也可以使第一开放永久磁铁32单独地升降。
第一开放永久磁铁32是用于使第一开放永久磁铁32与第一驱动用永久磁铁26之间产生吸引磁力，并通过该吸引磁力对第一保持销16A向开放位置施力的磁铁。在第一开放永久磁铁32配置于磁极在上下方向接近第一驱动用永久磁铁26的上位置，并且第一开放永久磁铁32在横向与第一驱动用永久磁铁26相对的状态下，磁力(吸引磁力)作用于第一开放永久磁铁32与第一驱动用永久磁体26之间。
如图3所示，三个第二开放永久磁铁34呈以旋转轴线A1为中心的圆弧状，并在彼此共通的高度位置且在旋转基座15的周向上隔开间隔地配置。三个第二开放永久磁铁34具有彼此相等的规格，并在与旋转轴线A1同轴的圆周上沿着周向隔开等间隔地配置。各个第二开放永久磁铁34沿着与旋转轴线A1正交的平面(水平面)配置。
如图3所示，各个第二开放永久磁铁34的周向长度(角度)是约60°。在第二开放永久磁铁34连结有第二升降单元35，该第二升降单元35使所述多个第二开放永久磁铁34一并升降。第二升降单元35是例如包括在上下方向上能够伸缩的汽缸的结构，并被该汽缸支撑。此外，第二升降单元35也可以使用电动马达来构成。此外，第二升降单元35也可以使第二开放永久磁铁34单独地升降。
第二开放永久磁铁34是用于使第二开放永久磁铁34与第二驱动用永久磁铁27之间产生吸引磁力，并通过该吸引磁力对第二保持销16B向开放位置施力的磁铁。在第二开放永久磁铁34配置于磁极在上下方向上接近第二驱动用永久磁铁27的上位置，并且在第二开放永久磁铁34在横向与第二驱动用永久磁铁27相对的状态下，磁力(吸引磁力)是作用于第二开放永久磁铁34与第二驱动用永久磁体27之间。
如图2所示，分别使用第一升降单元33及第二升降单元35使第一开放永久磁铁32及第二开放永久磁铁34升降。因此，能够相互独立地进行第一开放永久磁铁32及第二开放永久磁铁34的升降。
如图2所示，电荷供给单元10包括开关38以及电源36(直流电源)。旋转轴14经由开关38与电源36连接。电源36与开关38连接，以能够将正极性及负极性中的一种极性(例如，负极性)的直流电压施加至旋转轴14。
如上所述，第二保持销16B使用导电性材料形成，旋转基座15及轴承44使用金属材料所形成。因此，第二保持销16B经由通过旋转基座15及轴承44的导电路径与金属制的旋转轴14电连接。并且，第二保持销16B与基板W的周缘部接触并对其支撑，旋转轴14经由开关38与电源36连接。因此，在将开关38变为导通状态时，来自电源36的一种极性(负极性)的直流电压从旋转轴14经由所述导电路径从第二保持销16B施加至基板W。由此，对基板W供给一种极性的电荷(负电荷)。即，电荷供给单元10除了包括开关38及电源36以外，还包括第二保持销16B、旋转轴14、旋转基座15以及轴承44。
如图2所示，接地连接单元11对被旋转卡盘5保持的基板W被接地连接的状态和解除基板W的接地连接的状态进行切换。接地连接单元11包括接地结构37以及开关38。在本实施方式中，接地结构37兼作为电源36用的接地，开关38不仅作为电荷供给单元10的一部分，还作为接地连接单元11的一部分发挥作用。
在旋转卡盘5中，用于使基板W接地的结构仅为接地结构37，并未设置有其他结构。因此，在使开关38变为断开状态时，不仅停止从电源36向基板W施加直流电压，还通过解除旋转轴14(旋转基座15)与接地结构37之间的导通状态，切断基板W的接地连接。
如图2所示，处理单元2还包括与基板W的下表面(另一侧主面)相对的相对构件19。相对构件19包括：圆板状的第一相对部19A，配置于被旋转卡盘5保持的基板W与旋转基座15之间；以及支撑部19B，将第一相对部19A支撑成水平姿势。第一相对部19A包括平坦的圆形的上表面、平坦的圆形的下表面以及具有比基板W还小的直径的外周面。
在本实施方式中，第一相对部19A包括：圆板状的主体部20，被保持为水平的姿势；板状的第一电极12，配置于主体部20的上表面；以及薄膜状的固体电介体23，覆盖第一电极12的上表面。即，固体电介体23构成第一相对部19A的上表面。
第一相对部19A的第一电极12使用金属等导电性材料所形成。第一电极12包括一对的阳极及阴极。施加至第一电极12的电压例如为-几kV至+几kV的范围。第一电极12的半径比基板W的半径还小。第一电极12的半径与基板W的半径之间的差小。
第一相对部19A的固体电介体23由合成树脂(例如，聚酰亚胺、PVC(poly-vinylchloride：聚氯乙烯)、PVA(polyvinyl alcohol：聚乙烯醇)等)或陶瓷等绝缘材料所制成。此外，固体电介体23的外径比基板W的外径还小。固体电介体23的半径与基板W的半径之间的差小。这样，由于固体电介体23的半径与基板W的半径之间的差小，因此，固体电介体23的上表面与基板W的下表面的大致整体区域相对。
主体部20也可以使用与固体电介体23相同的材料所形成，也可以使用其他的材料所形成。
支撑部19B从第一相对部19A的中央部沿着旋转轴线A1朝向下方延伸，并固定于第一相对部19A的下表面。支撑部19B也可以与主体部20为一体，也可以是与主体部20不同的构件。支撑部19B被插入至旋转基座15及旋转轴14。支撑部19B与旋转基座15及旋转轴14不接触。支撑部19B设置为相对于腔室4不能旋转，但相对于腔室4能够升降。即，即使旋转卡盘5旋转，相对构件19也不会旋转。因此，在旋转卡盘5使基板W旋转时，基板W及相对构件19以旋转轴线A1为中心相对旋转。
如图2所示，处理单元2还包括第一相对部升降单元(第一间隔变更单元)21，所述第一相对部升降单元21经由支撑部19B与第一相对部19A连结。第一相对部升降单元21使第一相对部19A在上位置(图12B等所示的位置)与下位置(如图12A等所示的位置)之间升降，该上位置是第一相对部19A的上表面接近基板W的下表面的位置，该下位置是第一相对部19A的上表面远离基板W的下表面的位置。
在第一相对部19A配置于上位置的状态下，第一相对部19A的上表面(固体电介体23的上表面)以与基板W的下表面平行地相对的方式，配置于被多个保持销16把持的基板W的下方。在该状态下，第一相对部19A的上表面接近被多个保持销16把持的基板W的下表面。换言之，第一电极12经由固体电介体23及作为电介体的空气配置于基板W的下表面。此外，在该状态下，第一相对部19A的外周面被多个保持销16包围。
如图2所示，第一电源装置24将直流电压施加至第一电极12。第一电源装置24经由配线22与第一电极12连接。配线22的一部分配置于第一相对部19A及支撑部19B内。第一电源装置24与电极施加用的电源(未图示，与电源36为不同的电源)连接。电源的电压经由第一电源装置24与配线22施加至第一电极12。
第一电源装置24包括：接通/断开部，进行对第一电极12的电压的施加以及停止电压的施加的切换；电压变更部，变更施加至第一电极12的电压的大小；以及极性变更部，使施加至第一电极12的电压的极性在正极性与负极性之间变更。
如图2所示，第一药液供给单元6包括第一药液喷嘴51。第一药液喷嘴51是例如以连续流动的状态喷出液体的直式喷嘴(straight nozzle)，在旋转卡盘5的上方将喷出口朝向基板W的上表面中央部固定地配置。来自第一药液供给源的第一药液经由第一药液阀52供给至第一药液喷嘴51。当第一药液阀52打开时，供给至第一药液喷嘴51的连续流动的第一药液从设定于第一药液喷嘴51的顶端的喷出口喷出。此外，当第一药液阀52关闭时，停止向第一药液喷嘴51喷出第一药液。
如图2所示，第二药液供给单元7包括第二药液喷嘴53。第二药液喷嘴53是例如以连续流动的状态喷出液体的直式喷嘴，在旋转卡盘5的上方将喷出口朝向基板W的上表面中央部固定地配置。来自第二药液供给源的第二药液经由第二药液阀54供给至第二药液喷嘴53。在第二药液阀54打开时，供给至第二药液喷嘴53的连续流动的第二药液从设定于第二药液喷嘴53的顶端的喷出口喷出。此外，在第二药液阀54关闭时，停止向第二药液喷嘴53喷出第二药液。
如图2所示，纯水供给单元8包括纯水喷嘴55。纯水喷嘴55是例如以连续流动的状态喷出液体的直式喷嘴，在旋转卡盘5的上方将喷出口朝向基板W的上表面中央部固定地配置。来自纯水供给源的纯水经由纯水阀56供给至纯水喷嘴55。在纯水阀56打开时，供给至纯水喷嘴55的连续流动的纯水从设定于纯水喷嘴55的顶端的喷出口喷出。此外，在纯水阀56关闭时，停止向纯水喷嘴55喷出纯水。
如图2所示，绝缘液体供给单元9包括绝缘液体喷嘴57。绝缘液体喷嘴57是例如以连续流动的状态喷出液体的直式喷嘴，在旋转卡盘5的上方将喷出口朝向基板W的上表面中央部固定地配置。来自绝缘液体供给源的绝缘液体(HFE)经由绝缘液体阀58供给至绝缘液体喷嘴57。在绝缘液体阀58打开时，供给至绝缘液体喷嘴57的连续流动的绝缘液体从设定于绝缘液体喷嘴57的顶端的喷出口喷出。此外，在绝缘液体阀58关闭时，停止向绝缘液体喷嘴57喷出绝缘液体。
此外，第一药液喷嘴51、第二药液喷嘴53、纯水喷嘴55以及绝缘液体喷嘴57无须分别相对于旋转卡盘5固定地配置，例如，也可以采用所谓的扫瞄喷嘴(scan nozzle)的方式，该扫描喷嘴在旋转卡盘5的上方安装至可在水平面内摇动的臂，并通过该臂的摇动来扫描基板W的上表面中的处理液的着液位置。
如图4A至图5B所示，保持销16在与旋转轴线A2偏心的位置具有上轴部42。即，上轴部42的中心轴线B与旋转轴线A2偏离。因此，上轴部42通过下轴部41的旋转而在(中心轴线B)远离旋转轴线A1的开放位置(参照后述的图4A及图5A)与(中心轴线B)接近旋转轴线A1的保持位置(参照后述的图4B及图5B)之间位移。保持销16的上轴部42通过弹簧等弹性按压构件(未图示)的弹性按压力向开放位置被施力。在保持销16位于开放位置的状态下，在保持销16与基板W的周端面之间形成有规定的间隙。
图4A示出了第一开放永久磁铁32位于下位置的状态，图4B示出了第一开放永久磁铁32位于上位置的状态。图5A示出了第二开放永久磁铁34位于下位置的状态，图5B示出了第二开放永久磁铁34位于上位置的状态。
即使在第一开放永久磁铁32与第一驱动用永久磁铁26之间的角度位置对齐的状态，如图4A所示，在第一开放永久磁铁32位于下位置的状态下，来自第一开放位置永久磁铁32的磁力不会作用于第一驱动用永久磁铁26。因此，第一保持销16A是位于保持位置。在该状态下，第一驱动用永久磁铁26配置为，例如N极朝向旋转基座15的径向的内侧且S极朝向旋转基座15的径向的外侧。
使第一开放永久磁铁32从图4A所示的状态上升并配置于上位置。通过第一开放永久磁铁32的上表面接近第一驱动用永久磁铁26，在第一驱动用永久磁铁26产生吸引磁力，从而在第一驱动用永久磁铁26与第一开放永久磁铁32之间产生吸引力。在第一开放永久磁铁32配置于上位置的状态下，作用于第一驱动用永久磁铁26的吸引磁力的大小大幅地超过来自第一闭塞永久磁铁29的吸引磁力，由此，上轴部42从接近旋转轴线A1的保持位置向远离旋转轴线A1(参照图2)的开放位置移动。由此，第一保持销16A向开放位置被施力。在该状态下，如图4B所示，第一驱动用永久磁铁26配置为，例如S极朝向旋转基座15的径向的内侧且N极朝向旋转基座15的径向的外侧。
即使在第二开放永久磁铁34与第二驱动用永久磁铁27之间的角度位置对齐的状态，如图5A所示，在第二开放永久磁铁34位于下位置的状态下，来自第二开放位置永久磁铁34的磁力不会作用于第二驱动用永久磁铁27。因此，第二保持销16B位于保持位置。在该状态下，第二驱动用永久磁铁27配置为，例如S极朝向旋转基座15的径向的内侧且N极朝向旋转基座15的径向的外侧。
使第二开放永久磁铁34从图5A所示的状态上升并配置于上位置。通过第二开放永久磁铁34的上表面接近第二驱动用永久磁铁27，在第二驱动用永久磁铁27产生吸引磁力，从而在第二驱动用永久磁铁27与第二开放永久磁铁34之间产生吸引力。在第二开放永久磁铁34配置于上位置的状态下，作用于第二驱动用永久磁铁27的吸引磁力的大小大幅地超过来自第二闭塞永久磁铁30的吸引磁力，由此，上轴部42从接近旋转轴线A1的保持位置向远离旋转轴线A1(参照图2)的开放位置移动。由此，第二保持销16B向开放位置被施力。在该状态下，如图5B所示，第二驱动用永久磁铁27配置为，例如N极朝向旋转基座15的径向的内侧且S极朝向旋转基座15的径向的外侧。
图6A至图6C以及图7A至图7C是表示第一可动销群以及第二可动销群的状态的示意图。图6A、图6B、图7A以及图7B示出了开放永久磁铁32、34、以及开放永久磁铁32、34的状态，图6C及图7C示出了各个保持销16的开闭状况。
如上所述，开放永久磁铁32、34在旋转基座15的周向上以60°的等间隔配置，另外，保持销16也以60°的等间隔配置。因此，如图6A及图7A所示，能够制造出各个第一开放永久磁铁32与各个第一驱动用永久磁铁26之间的角度位置对齐且各个第二开放永久磁铁34与各个第二驱动用永久磁铁27之间的角度位置对齐的初始状态。
图6A至图6C示出了将第一开放永久磁铁32配置于上位置且将第二开放永久磁铁34配置于下位置的状态。在该情况下，如图6A所示，在旋转基座15处于所述初始状态且静止的状态下，三个第一保持销16A配置于开放位置(open)，三个第二保持销16B配置于保持位置(close)。
考虑使旋转基座15从图6A所示的状态旋转的状态。旋转基座15的转速设为液体处理速度(例如，约1000rpm)。在旋转基座15的旋转状态下，在伴随着旋转基座15的旋转而旋转的驱动用永久磁铁26、27所通过的环状区域形成有磁场产生区域59(参照图6B)。该磁场产生区域59的周向长度(角度)比所对应的第一开放永久磁铁32的周向长度(角度)长。由于第一开放永久磁铁32的周向长度(角度)为60°且第一开放永久磁铁32在旋转基座15的周向设置有三个，因此，在使基板W以液体处理速度(例如，约1000rpm)旋转时，在伴随着旋转基座15的旋转而旋转的驱动用永久磁铁26、27所通过的环状区域形成有整周环状的磁场产生区域59(参照图6B)。
由于磁场产生区域59(参照图6B)呈整周环状，因此，不论旋转基座15的旋转姿势如何，来自第一开放永久磁铁32的吸引磁力都作用于第一驱动用永久磁铁26。因此，如图6C所示，在旋转基座15的旋转状态下，三个第一保持销16A配置于开放位置(open)。三个第二保持销16B自然配置于保持位置(close)。此时，基板W被三个第二保持销16B支撑，从而能够良好地旋转。
图7A至图7C示出了将第二开放永久磁铁34配置于上位置且将第一开放永久磁铁32配置于下位置的状态。在该情况下，如图7A所示，在旋转基座15处于所述初始状态且静止的状态下，三个第二保持销16B配置于开放位置(open)，且三个第二保持销16A配置于保持位置(close)。
考虑使旋转基座15从图7A所示的状态旋转的状态。旋转基座15的转速设为液体处理速度(例如，约1000rpm)。在旋转基座15的旋转状态下，在伴随着旋转基座15的旋转而旋转的驱动用永久磁铁26、27所通过的环状区域形成有磁场产生区域60(参照图7B)。该磁场产生区域60的周向长度(角度)比所对应的第二开放永久磁铁34的周向长度(角度)长。由于第二开放永久磁铁34的周向长度(角度)为60°且第二开放永久磁铁34在旋转基座15的周向上设置有三个，因此，在使基板W以液体处理速度(例如，约1000rpm)旋转时，在伴随着旋转基座15的旋转而旋转的驱动用永久磁铁26、27所通过的环状区域形成有整周环状的磁场产生区域60(参照图7B)。
由于磁场产生区域60(参照图7B)呈整周环状，因此，不论旋转基座15的旋转姿势如何，来自第二开放永久磁铁34的吸引磁力都作用于第二驱动用永久磁铁27。因此，如图7C所示，在旋转基座15的旋转状态下，三个第二保持销16B配置于开放位置(open)。三个第一保持销16A自然配置于保持位置(close)。此时，基板W被三个第一保持销16A支撑，从而能够良好地旋转。
这样，在基板W的旋转状态下，通过对将第一开放永久磁铁32配置于上位置且将第二开放永久磁铁34配置于下位置的状态(参照图6A至图6C)以及将第二开放永久磁铁34配置于上位置且将第一开放永久磁铁32配置于下位置的状态(参照图7A至图7C)进行切换，能够切换通过三个第一保持销16A接触并支撑基板W的状态(第二基板保持工序)以及通过三个第二保持销16B接触并支撑基板W的状态(第一基板保持工序)。
图8A是用于显示处理对象的基板W的一例的图解性的俯视图，图8B是一部分的图解性的剖视图。基板W是例如在硅(Si)基板61(半导体基板的一例)的表面形成有微细的薄膜图案(图案)62的基板。薄膜图案62也可以以例如线宽W1为10nm至45nm左右且相邻的图案间之间隔W2为10nm至数μm左右的方式形成。此外，在实际上观察以这种方式形成有微细的尺寸的薄膜图案62的硅基板61的情况下，虽然无法以图8A及图8B所示的尺寸确认薄膜图案62，但为了容易说明，在图8A中放大表示形成于基板W上的薄膜图案62。
薄膜图案62至少包括绝缘膜。更具体而言，薄膜图案62也可以由层叠膜63所构成。层叠膜63也可以例如从硅基板61侧按序层叠第一绝缘膜64、第二绝缘膜65以及导体膜66而构成。第一绝缘膜64及第二绝缘膜65也可以为氧化硅膜。此外，导体膜66也可以为导入有用于低电阻化的杂质的非晶硅膜，也可以为金属膜(例如，金属配线膜)。
用于形成薄膜图案62的层叠膜63的膜厚T是例如50nm至5μm左右。此外，层叠膜63例如也可以为高宽比(膜厚T相对于线宽W1的比)为例如5至500左右。
图9是用于说明基板处理装置1的主要部分的电结构的框图。
控制装置3是使用例如微型计算机所构成。控制装置3具有CPU(CentralProcessing Unit：中央处理器)等运算单元、固定存储设备、硬盘驱动器等存储单元、以及输入输出单元。在存储单元中存储有运算单元执行的程序。
此外，在控制装置3连接有作为控制对象的旋转马达13、第一相对部升降单元21、第一升降单元33、第二升降单元35、开关38以及第一电源装置24等。控制装置3按照预定的程序，控制旋转马达13、第一升降单元33、第二升降单元35以及第一相对部升降单元21等的动作。此外，控制装置3按照预定的程序，对开关38进行开闭。在本实施方式中，通过开关38的开闭，来切换对基板W施加一种极性(例如，负极性)的直流电压且基板W被接地连接的状态和停止对基板W施加电压且解除基板W的接地连接的状态。此外，控制装置3按照预定的程序，控制第一电源装置24，进行对第一电极12(参照图2)施加电压以及停止电压的施加的切换、变更施加至第一电极12的电压的大小、使施加至第一电极12的电压的极性在正极性与负极性之间变更。而且，控制装置3按照预定的程序，对第一药液阀52、第二药液阀54、纯水阀56以及绝缘液体阀58等进行开闭。
图10是用于说明通过处理单元2所执行的第一基板处理例的流程图。图11是用于说明第一基板处理例的时序图。图12A至图12D是用于说明第一基板处理例的图解性的图。图13A及图13B是用于说明图12B及图12C分别所示的工序中的基板W的表面状态的图解性的剖视图。图13C是用于说明图12D所示的干燥工序中的基板的表面状态的图解性的剖视图。
通过处理单元2所执行的第一基板处理例是清洗处理或蚀刻处理。以下，参照图1至图5B以及图8A至图11说明第一基板处理例。适当地参照图12A至图12D以及图13A至图13C。
在通过处理单元2实施第一基板处理例时，未处理的基板W被搬入至腔室4的内部(图10的步骤S0)。在基板W的表面(薄膜图案62的形成面)形成有薄膜图案62(参照图8A、图8B)。
具体而言，控制装置3使保持着基板W的基板搬运机械手CR的手部H2进入至腔室4的内部。由此，基板W在基板W的上表面朝向上方的状态下被交接至旋转卡盘5。之后，基板W被旋转卡盘5保持(基板保持工序)。此时，基板W并非是被六个保持销16全部接触支撑，基板W被三个第二保持销16B(导电销)接触支撑。具体而言，控制装置3通过将第一开放永久磁铁32配置于上位置且将第二开放永久磁铁34配置于下位置(参照图6A至图6C)，能够通过三个第二保持销16B(导电销)接触支撑基板W。
在通过三个第二保持销16B(导电销)把持基板W后，控制装置3通过旋转马达13使基板W开始旋转(图10的步骤S1)。基板W上升至预定的液体处理速度(在约10rpm至1200rpm的范围内，例如约1000rpm)，并维持在该液体处理速度。
接着，控制装置3进行使用第一药液(例如，HF)处理基板W的上表面的第一药液工序(即，HF工序，图10的步骤S2)。具体而言，控制装置3使第一药液阀52打开，从第一药液喷嘴51朝基板W的上表面中央部喷出第一药液。供给至基板W的上表面中央部的第一药液受到基板W的旋转所产生的离心力，在基板W的上表面上朝向基板W的周缘部流动。由此，第一药液遍布基板W的上表面的整个区域，从而通过第一药液处理基板W的上表面的整个区域。
在从喷出第一药液开始经过预定的期间时，结束第一药液工序(步骤S2)。具体而言，控制装置3使第一药液阀52关闭，从而停止从第一药液喷嘴51喷出第一药液。
接着，控制装置3进行用于冲洗附着于基板W的上表面的第一药液的第一纯水工序(图10的步骤S3)。具体而言，控制装置3使纯水阀56打开，从而从纯水喷嘴55朝向基板W的上表面中央部喷出纯水。供给至基板W的上表面中央部的纯水受到基板W的旋转所产生的离心力，在基板W的上表面上朝向基板W的周缘部流动。由此，纯水遍布基板W的上表面的整个区域，在基板W的上表面的整个区域，冲洗附着于基板W的上表面的第一药液。
在从喷出纯水开始经过预定的期间时，结束第一纯水工序(步骤S3)。具体而言，控制装置3使纯水阀56关闭，从而停止从纯水喷嘴55喷出纯水。
接着，控制装置3进行使用第二药液(例如，SC1)处理基板W的上表面的第二药液工序(即，SC1工序，图10的步骤S4)。具体而言，控制装置3使第二药液阀54打开，从而从第二药液喷嘴53朝向基板W的上表面中央部喷出第二药液。供给至基板W的上表面中央部的第二药液受到基板W的旋转所产生的离心力，在基板W的上表面上朝向基板W的周缘部流动。由此，第二药液遍布基板W的上表面的整个区域，由此，通过第二药液处理基板W的上表面的整个区域。
在从喷出第二药液开始经过预定的期间时，结束第二药液工序(步骤S4)。具体而言，控制装置3使第二药液阀54关闭，从而停止从第二药液喷嘴53喷出第二药液。
接着，控制装置3进行用于冲洗附着于基板W的上表面的第二药液的第二纯水工序(图10的步骤S5，参照图12A)。具体而言，控制装置3使纯水阀56打开，从而从纯水喷嘴55朝向基板W的上表面中央部喷出纯水。供给至基板W的上表面中央部的纯水受到基板W的旋转所产生的离心力，在基板W的上表面上朝向基板W的周缘部流动。由此，纯水遍布基板W的上表面的整个区域，在基板W的上表面的整个区域，冲洗附着于基板W的上表面的第二药液。
在从喷出纯水开始经过预定的期间时，结束第二纯水工序(步骤S5)。具体而言，控制装置3使纯水阀56关闭，从而停止从纯水喷嘴55喷出纯水。
在本实施方式中，接着，控制装置3执行将绝缘液体的液膜71(参照图12B等)保持于基板W的上表面的绝缘液体液膜保持工序。具体而言，控制装置3一边维持基板W以液体处理速度旋转，一边使绝缘液体阀58打开而从绝缘液体喷嘴57朝向基板W的上表面中央部喷出绝缘液体。供给至基板W的上表面中央部的绝缘液体受到基板W的旋转所产生的离心力，在基板W的上表面上朝向基板W的周缘部流动。由此，在基板W的上表面上保持有覆盖基板W的上表面的整个区域的绝缘液体的液膜71。
在基板W的上表面保持有绝缘液体的液膜71后，控制装置3执行将一种极性的电荷(负电荷)供给至基板W的电荷供给工序(图10的步骤S6)。此外，控制装置3与电荷供给工序(步骤S6)并行地执行将另一种极性(例如，正极性)的电压施加至第一电极12的第一电压施加工序。
具体而言，控制装置3控制第一相对部升降单元21，使到目前为止配置于下位置的第一相对部19A上升，并使其配置于上位置(图12B等所示的位置)。此外，控制装置3将开关38从目前为止的断开状态切换为导通状态(参照图12B)。由此，来自电源36的一种极性(负极性)的直流电压经由旋转轴14、旋转基座15以及第二保持销16B被施加至硅基板61。由此，一种极性的电荷(负电荷)被供给至硅基板61。
此外，与第一电压施加工序并行地将另一种极性(正极性)的直流电压施加至第一电极12。因此，如图13A所示，从电源36供给至硅基板61的一种极性的电荷(负电荷)被吸引至经由电介体配置于第一电极12的硅基板61的下表面。
此外，由于在硅基板61的上表面保持有绝缘液体的液膜71，因此，薄膜图案62的整体被浸渍于绝缘液体即绝缘液体的液膜71。因此，能够抑制或防止供给至硅基板61的一种极性的电荷(负电荷)经由硅基板61的上表面上的液膜流出。由此，能在第一电压施加工序中将更多量的一种极性的电荷(负电荷)蓄积于硅基板61的内部。
在从将开关38切换为导通状态后经过预定的期间时，控制装置3控制旋转马达13，使基板W停止旋转。在基板W停止旋转后，控制装置3将开关38从目前为止的导通状态切换为断开状态。由此，如图13B所示，停止从电源36对基板W供给一种极性的电荷(负电荷)。
此外，通过将开关38切换为断开状态，解除旋转轴14(旋转基座15)与接地结构37之间的导通状态(图10的步骤S7，参照图12C)。
此外，与接地连接的解除同步地，控制装置3是控制第一升降单元33及第二升降单元35，从通过三个第二保持销16B(导电销)接触支撑基板W的状态切换为通过三个第一保持销16A(绝缘销)接触支撑基板W的状态(参照图12C)。由此，解除基板W(亦即硅基板61)与旋转基座15(旋转轴14)之间的导通状态。
这样，通过解除旋转轴14(旋转基座15)与接地结构37之间的导通状态，并且解除基板W(亦即硅基板61)与旋转基座15(旋转轴14)之间的导通状态，从而解除基板W(即，硅基板61)的接地连接。
在通过三个第一保持销16A(绝缘销)把持基板W后，控制装置3控制旋转马达13，使基板W再次开始旋转。基板W上升至液体处理速度，并维持在该液体处理速度。
当基板W的转速达至液体处理速度后经过预定的期间时，控制装置3将施加至第一电极12的电压的极性从另一种极性(正极性)切换成一种极性(负极性)。换言之，控制装置3执行用于将一种极性(负极性)的电压施加至第一电极12的第二电压施加工序。即，在第二电压施加工序中，一边保持解除基板W的接地连接的状态，一边将直流电压施加至第一电极12。
在该情况下，由于在基板W的上表面保持有绝缘液体的液膜71，因此，进入相邻的薄膜图案62之间的液体为绝缘液体。因此，能够阻止蓄积于硅基板61的内部的一种极性的电荷(负电荷)经由基板W的上表面上的液膜流出。由此，在第二电压施加工序中，能够将更多量的一种极性的电荷(负电荷)集中于硅基板61的上表面。
当从施加至第一电极12的电压的极性的切换经过预定的期间时，控制装置3使绝缘液体阀58关闭，从而停止从绝缘液体喷嘴57喷出绝缘液体。由此，停止向基板W的上表面供给绝缘液体。
停止喷出绝缘液体后的一段时间内，基板W的转速是维持在液体处理速度。在该状态下，受到产生于基板W的离心力，其结果，基板W的上表面上的绝缘液体被排出至基板W外，基板W上的绝缘液体的液膜71的厚度是变薄。然而，绝缘液体的液膜71的厚度被保持为，液膜71的上表面比薄膜图案62的上端高。即，即使在该情况下，绝缘液体也进入相邻的薄膜图案62之间。
在从停止喷出绝缘液体经过预定的期间时，控制装置3执行一边保持对第一电极12施加一种极性(负极性)的电压，一边使基板W干燥的工序(图10的步骤S8：干燥工序)。具体而言，如图12D所示，控制装置3控制旋转马达13，使基板W加速至比液体处理速度大的旋转干燥速度(例如约1500rpm)，并使基板W以该旋转干燥速度旋转。由此，大的离心力施加至基板W上的绝缘液体，从而附着于基板W的绝缘液体被甩开至基板W的周围。这样一来，从基板W去除绝缘液体而使基板W干燥。
在从基板W开始高速旋转经过预定的期间时，控制装置3控制旋转马达13，使旋转卡盘5停止基板W的旋转。此外，控制装置3控制第一相对部升降单元21，使目前为止配置于上位置的第一相对部19A向下位置下降。
然后，控制装置3控制第一升降单元33，将目前为止配置于下位置的第一开放永久磁铁32配置于上位置。由此，三个第一保持销16A(绝缘销)从保持位置向开放位置移动。由此，全部的保持销16设置于开放位置，由此，解除基板W的把持。然后，从腔室4内搬出基板W(图10的步骤S9)。
如图13C所示，在干燥工序(步骤S8)中，绝缘液体进入相邻的薄膜图案62之间。在排除绝缘液体的过程中，由于绝缘液体的表面张力，在相邻的薄膜图案62之间作用引力。
另一方面，一种极性(负极性)的电压施加于第一电极12。由此，蓄积于硅基板61的内部的一种极性的电荷(负电荷)与第一电极12相斥而集中于硅基板61的上表面。
多量的一种极性的电荷(负电荷)集中于硅基板61的上表面，其结果，在构成薄膜图案62的绝缘膜64、65产生分极。其结果，这些上表面带电为一种极性(负极性)。
此外，一种极性(负极性)的电荷被感应至导体膜66的上表面。通过在各个薄膜图案62产生这种现象，在相邻的薄膜图案62的顶端部之间产生斥力(库伦力)。该斥力抵销绝缘液体的表面张力所引起的引力，由此，能够抑制或防止干燥工序(步骤S8)中的薄膜图案62的倒塌。
而且，在本实施方式中作为绝缘液体所使用的绝缘液体是表面张力比纯水还小的HFE。通过使用这样的低表面张力的绝缘液体，能够更有效地抑制或防止干燥工序(步骤S8)中的薄膜图案62的倒塌。
如上所述，根据第一实施方式，与将一种极性的电荷(负电荷)供给至基板W的电荷供给工序(步骤S6)并行地，将另一种极性(正极性)的电压施加至第一电极12。由此，能够将供给至基板W的一种极性的电荷(负电荷)吸引至基板W的下表面，其结果，能够将一种极性的电荷(负电荷)蓄积在基板W的内部。
在第一电压施加工序后，一边保持解除基板W的接地连接的状态，一边进行将另一种极性(正极性)的电压施加至第一电极12的第二电压施加工序。此外，与第二电压施加工序并行地进行从基板W的上表面去除绝缘液体的干燥工序(步骤S8)。
在该状态下，将一种极性(负极性)的电压施加至第一电极12，由此，蓄积于基板W的内部的一种极性的电荷(负电荷)与第一电极12相斥而集中至基板W的上表面。因此，在薄膜图案62产生电偏移，如图13C所示，一种极性的电荷(负电荷)集中至各个薄膜图案62(的顶端部)，各个薄膜图案62(的前端部)带电为一种极性(负极性)。由此，在相邻的薄膜图案62之间作用斥力(库伦力)。
另一方面，在薄膜图案62所含有的相邻的薄膜图案62之间存在液面时，在液面与薄膜图案62之间的边界位置作用液体的表面张力。即，引力(表面张力)作用于相邻的薄膜图案62之间。然而，该引力(表面张力)通过因薄膜图案62的带电所引起的斥力(库伦力)而被抵消。因此，能够一边降低作用于薄膜图案62的力，一边从基板W的上表面去除绝缘液体。由此，能够一边有效地抑制薄膜图案62的倒塌，一边使基板W干燥。
图14是用于说明本发明的第二实施方式的基板处理装置201所具有的处理单元202的结构例的图解性的剖视图。
在第二实施方式中，对与所述第一实施方式(图1至图13所示的实施方式)共通的部分赋予与图1至图13的情况相同的附图标记，并省略说明。
与处理单元2的主要的不同点在于：处理单元202具有遮断板203，该遮断板203与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面相对。
遮断板203配置于旋转卡盘5的上方。遮断板203被沿上下方向延伸的支轴204支撑为水平的姿势。遮断板203为具有比基板W的外径大的外径的圆板状。
遮断板203包括被保持为水平的姿势的圆板状的第二相对部221。第二相对部221为具有比基板W外径小的外径的圆板状。第二相对部221的中心轴线配置于旋转轴线A1上。第二相对部221配置于基板W的上方。与基板W相对的第二相对部221的下表面与基板W的上表面平行，且与基板W的上表面的大致整个区域相对。中心喷嘴210的下端部配置于沿上下方向贯通第二相对部221的中央部的贯通孔内。
处理单元202还包括第二相对部升降单元(第二间隔变更单元)205，所述第二相对部升降单元205经由支轴204与第二相对部221连结。处理单元202也可以具有遮断板旋转单元，该遮断板旋转单元使遮断板203以遮断板203的中心线为中心旋转。第二相对部升降单元205使第二相对部221在接近位置(图17所示的位置)与退避位置(图14所示的位置)之间升降，该接近位置是第二相对部221的下表面接近基板W的上表面的位置，该退避位置是设置于接近位置的上方的位置。
第二相对部221包括：圆板状的主体部222，被保持为水平的姿势；以及板状的第二电极223，配置于主体部222的下表面。即，第二电极223构成第二相对部221的下表面。
第二电极223包括一对阳极及阴极。施加至第二电极223的电压是例如为几kV。第二电极223为环状。第二电极223的外径比基板W的外径还小。第二电极223的半径与基板W的半径之间的差小。这样，由于第二电极223的半径与基板W的半径之间的差小，因此，第二电极223的上表面与基板W的下表面的大致整个区域相对。在第二相对部221配置于接近位置的状态下，第二电极223的下表面隔着微小间隔与基板W的上表面(即，薄膜图案62(参照图18等)的上端部)相对。
此外，也可以在第二电极223的下表面配置有覆盖第二电极223的下表面的整个区域的与固体电介体23同等的薄膜状的固体电介体。
处理单元202还包括第二电源装置224，所述第二电源装置224用于将电压施加至第二电极223。第二电源装置224将另一种极性(正极性)的直流电压施加至第二电极223。第二电源装置224经由配线225与第二电极223连接。第二电源装置224与电极施加用的电源(未图示，与电源36为不同的电源)连接。电源的电压经由第二电源装置224与配线225施加至第二电极223。
第二电源装置224包括：接通/断开部，进行对第二电极223施加电压及停止施加电压的切换；电压变更部，变更施加至第二电极223的电压的大小；以及极性变更部，使施加至第二电极223的电压的极性在正极性与负极性之间变更。
处理单元2还包括中心喷嘴210，所述中心喷嘴210经由在遮断板203的下表面中央部开口的中央喷出口203将处理液朝向下方喷出。喷出处理液的中心喷嘴210的喷出口配置于沿上下方向贯通遮断板203的中央部的贯通孔内。中心喷嘴210的喷出口配置于中央喷出口230的上方。中心喷嘴210与遮断板203一起沿铅垂方向升降。
处理单元2还包括：第一药液供给单元206，将第一药液供给至中央喷出口230；第二药液供给单元207，将第二药液供给至中央喷出口230；纯水供给单元208，将纯水供给至中央喷出口230；以及绝缘液体供给单元209，将绝缘液体(HFE)供给至中央喷出口230。第一药液供给单元206、第二药液供给单元207、纯水供给单元208以及绝缘液体供给单元209分别用于取代第一实施方式的第一药液供给单元6、第二药液供给单元7、纯水供给单元8以及绝缘液体供给单元9。
第一药液供给单元206包括：第一药液配管211，用于将第一药液供给至中心喷嘴210；以及第一药液阀212，用于开闭第一药液配管211。
第二药液供给单元207包括：第二药液配管213，用于将第二药液供给至中心喷嘴210；以及第二药液阀214，用于开闭第二药液配管213。
纯水供给单元208包括：纯水配管215，用于将纯水供给至中心喷嘴210；以及纯水阀216，用于开闭纯水配管215。
绝缘液体供给单元209包括：绝缘液体配管217，用于将绝缘液体供给至中心喷嘴210；以及绝缘液体阀218，用于开闭绝缘液体配管217。
当在关闭第二药液阀214、纯水阀216以及绝缘液体阀218的状态下打开第一药液阀212时，向中心喷嘴210供给第一药液，并从中央喷出口230朝向下方喷出第一药液。
当在关闭第一药液阀212、纯水阀216以及绝缘液体阀218的状态下打开第二药液阀214时，向中心喷嘴210供给第二药液，并从中央喷出口230朝向下方喷出第二药液。
当在关闭第一药液阀212、第二药液阀214以及绝缘液体阀218的状态下打开纯水阀216时，向中心喷嘴210供给纯水，并从中央喷出口230朝向下方喷出纯水。
当在关闭第一药液阀212、第二药液阀214以及纯水阀216的状态下打开绝缘液体阀218时，向中心喷嘴210供给绝缘液体，并从中央喷出口230朝向下方喷出绝缘液体。
图15是用于说明基板处理装置201的主要部分的电结构的框图。
参照图15，仅说明与图9不同的部分。在控制装置3连接有作为控制对象的第二相对部升降单元205及第二电源装置224等。控制装置3按照预定的程序，控制第二相对部升降单元205等的动作。此外，控制装置3按照预定的程序，控制第二电源装置224，进行对第二电极223(参照图14)施加电压以及停止施加电压的切换、变更施加至第二电极223的电压的大小、使施加至第二电极223的电压的极性在正极性与负极性之间变更。而且，控制装置3按照预定的程序，对第一药液阀212、第二药液阀214、纯水阀216以及绝缘液体阀218等进行开闭。
图16是用于说明通过处理单元202所执行的第二基板处理例的时序图。图17是用于说明第二基板处理例的图解性的图。图18是用于说明干燥工序(步骤S8)中的基板W的表面状态的图解性的剖视图。
与第一基板处理例同样地，通过处理单元202所执行的第二基板处理例是清洗处理或蚀刻处理。以下，参照图14至图16说明第二基板处理例。适当地参照图17及图18。
第二基板处理例的许多点是与第一基板处理例重复。因此，在第二基板处理例的说明中，仅说明与第一基板处理例不同的部分。
在从基板W的搬入(图10的步骤S0)至基板W的接地连接的解除(图10的步骤S7)的各工序中，第二基板处理例与第一基板处理例的不同点在于：从中心喷嘴210向基板W的上表面喷出处理液(第一药液、第二药液、纯水以及绝缘液体)，除此以外，第二基板处理例与第一基板处理例共通。
在基板W的接地连接解除(图10的步骤S7)之后，使基板W开始旋转。基板W上升至液体处理速度，并维持在该液体处理速度。
如图16所示，在基板W的转速达到液体处理速度后经过预定的期间时，控制装置3将施加至第一电极12的电压的极性从另一种极性(正极性)切换为一种极性(负极性)。
此外，如图17及图18所示，控制装置3控制第二相对部升降单元205，将第二相对部221配置于接近位置。而且，控制装置3控制第二电源装置224，如图17所示，将另一种极性(正极性)的直流电压施加至第二电极223。
即，在第二实施方式中，与第二电压施加工序并行地，对第二电极223施加另一种极性(正极性)的电压(第三电压施加工序)。
而且，控制装置3一边保持向第一电极12施加一种极性(负极性)的电压且向第二电极223施加另一种极性(正极性)的电压，一边使基板W干燥(相当于图10的步骤S8的工序)。当从基板W开始高速旋转经过预定的期间时，控制装置3控制旋转马达13，使旋转卡盘5停止旋转基板W。此外，控制装置3控制第一相对部升降单元21，使目前为止配置于上位置的第一相对部19A向下位置下降，并且控制第二相对部升降单元205，使目前为止配置于接近位置的第二相对部221向退避位置上升。
之后，控制装置3控制第一升降单元33，解除基板W的把持。之后，从腔室4内搬出基板W(相当于图10的步骤S9的工序)。
在第二实施方式中，除了在第一实施方式中所说明的作用效果之外，还能达到以下的作用效果。
即，通过将另一种极性(正极性)的电压施加至第二电极223，能够将多量的一种极性的电荷(负电荷)集中至基板W(硅基板61(参照图18等))的上表面。通过一边将另一种极性(正极性)的电压施加至第二电极223，一边进行干燥工序(步骤S8)，能够促进于在绝缘膜64、65所产生的分极，进而，能够将更多量的一种极性(负极性)的电荷感应至导体膜66的上表面。由此，能够增强作用于相邻的薄膜图案62之间的斥力(库伦力)。因此，能够更有效地抑制或防止干燥工序(步骤S8)中的薄膜图案62的倒塌。
图19是用于说明本发明第三实施方式的基板处理装置301所具有的处理单元302的结构例的图解性的剖视图。
在第三实施方式中，对与所述第一实施方式(图1至图13所示的实施方式)共通的部分赋予与图1至图13的情况相同的附图标记，并省略说明。
与处理单元2的主要不同点在于：处理单元302具有作为基板保持单元的旋转卡盘305，以取代旋转卡盘5。此外，处理单元302还具有导电液体供给单元303，导电液体供给单元303将具有比纯水的电阻率小的电导率的导电液体(例如，碳酸水)供给至基板W的上表面。此外，与处理单元2不同，处理单元302并不具有电荷供给单元10及接地连接单元11。
旋转卡盘305包括：圆板状的旋转基座307，被保持为水平的姿势；多个(例如，六个)卡盘销308，从旋转基座307的上表面的周缘部朝上方突出；以及卡盘开闭单元309，使多个卡盘销308在闭位置与开位置之间开闭，该闭位置是多个卡盘销308把持基板W的位置，该开位置是解除多个卡盘销308对基板W的把持的位置。各个卡盘销308中的与基板W接触的接触部使用绝缘材料所形成。即，卡盘销308是不具有导电性的所谓的绝缘销。在通过多个卡盘销308支撑基板W的状态下，基板W为解除接地连接的状态。
旋转卡盘305还包括：旋转轴310，从旋转基座307的中央部沿着旋转轴线A1向下方延伸；以及旋转马达(干燥单元)311，通过使旋转轴310旋转，使旋转基座307及卡盘销308以旋转轴线A1为中心旋转。控制装置3控制旋转马达311，使基板W以旋转轴线A1为中心旋转。
旋转轴310为中空轴，沿着铅垂方向延伸，并且接受来自旋转马达311的驱动力而以旋转轴线A1为中心旋转。插入有旋转基座307以及旋转轴310的相对构件19的支撑部19B。
导电液体供给单元303包括导电液体喷嘴321。导电液体喷嘴321是例如为以连续流动的状态喷出液体的直式喷嘴，在旋转卡盘305的上方将喷出口朝向基板W的上表面中央部固定地配置。在导电液体喷嘴321连接有被供给来自导电液体供给源的导电液体的导电液体配管322。在导电液体配管322的中途部安装有导电液体阀323，该导电液体阀323用于切换从导电液体喷嘴321喷出导电液体以及停止供给导电液体。当打开导电液体阀323时，从设定于导电液体喷嘴321的下端的喷出口喷出从导电液体配管322供给至导电液体喷嘴321的连续流动的导电液体。此外，当关闭导电液体阀323时，停止向导电液体喷嘴321喷出导电液体。
在导电液体配管322中，在导电液体阀323的上游侧存在导电部分，从电源325经由配线324将一种极性(负极性)的直流电压供给至该导电部分。当从电源325将电压供给至导电液体配管322的导电部分时，对流通于导电液体配管322的导电液体赋予一种极性的电荷(负电荷)。
此外，导电液体喷嘴321无需相对于旋转卡盘305固定地配置，例如，也可以采用所谓的扫瞄喷嘴的方式，该扫描喷嘴在旋转卡盘305的上方安装于能够在水平面内摇动的臂，并通过该臂的摇动扫描基板W的上表面中的处理液的着液位置。
图20是用于说明基板处理装置301的主要部分的电结构的框图。
此外，在控制装置3连接有作为控制对象的旋转马达311、第一相对部升降单元21、第一电源装置24、卡盘开闭单元306以及电源325等。控制装置3按照预定的程序，控制旋转马达311、第一相对部升降单元21以及卡盘开闭单元306等的动作。控制装置3按照预定的程序，控制电源325，进行对导电液体配管322的导电部分施加电压以及停止施加电压的切换、变更施加至导电液体配管322的导电部分的电压的大小、使施加至导电液体配管322的导电部分的电压的极性在正极性与负极性之间变更。而且，控制装置3按照预定的程序，对第一药液阀52、第二药液阀54、纯水阀56、绝缘液体阀58以及导电液体阀323等进行开闭。
图21是用于说明通过处理单元302所执行的第三基板处理例的时序图。
与第一基板处理例同样地，通过处理单元302所执行的第三基板处理例是清洗处理或蚀刻处理。以下，参照图19至图21说明第三基板处理例。适当地参照图22A、图22B、图23A以及图23B。
第三基板处理例的许多点与第一基板处理例重复。因此，在第三基板处理例的说明中，仅说明与第一基板处理例不同的部分。
在通过处理单元302实施第三基板处理例时，未处理的基板W被搬入至腔室4的内部(相当于图10的步骤S0的工序)。具体而言，控制装置3使保持基板W的基板搬运机械手CR(参照图1)的手部H2(参照图1)进入至腔室4的内部。由此，基板W在基板W的表面朝向上方的状态下被交接至旋转卡盘305。之后，控制装置3控制卡盘开闭单元309，将多个卡盘销308控制到闭位置。由此，通过多个卡盘销308夹持基板W。
在夹持基板W后，控制装置3通过旋转马达311使基板W开始旋转(相当于图10的步骤S1的工序)。基板W上升至预定的液体处理速度(在约10rpm至1200rpm的范围内，例如，约1000rpm)，并维持在该液体处理速度。接着，执行第一药液工序(相当于图10的步骤S2的工序)。从第一药液工序(步骤S2)至第二纯水工序(相当于图10的步骤S5的工序)的各工序与第一基板处理例同等。
在第二纯水工序(步骤S5)结束后，控制装置3执行将导电液体的液膜371(参照图22A及图23A)保持于基板W的上表面的导电液体液膜保持工序。具体而言，控制装置3一边维持基板W以液体处理速度旋转，一边从电源325将电压施加至导电液体配管322的导电部分且打开导电液体阀323。由此，向基板W的上表面中央部喷出带电为一种极性(负极性)的导电液体。供给至基板W的上表面中央部的导电液体受到基板W的旋转所引起的离心力，在基板W的上表面上向基板W的周缘部流动。由此，如图22A所示，在基板W的上表面上保持有覆盖基板W的上表面的整个区域的导电液体的液膜371。
在基板W的上表面上保持有带电为一种极性(负极性)的导电液体的液膜371，由此，如图23A所示，将一种极性的电荷(负电荷)供给至基板W。由此，执行电荷供给工序(相当于图10的步骤S6的工序)。即，在第三基板处理例中，电荷供给工序(步骤S6)的手法是与第一基板处理例不同。在第三基板处理例中，导电液体阀323、配线324以及电源325作为电荷供给单元发挥作用。
此外，在第三实施方式的电荷供给工序中，不仅对硅基板61，也对导体膜66供给一种极性的电荷(负电荷)。
此外，与第一实施方式的电荷供给工序(步骤S6)的情况同样，与第一电压施加工序并行地，对第一电极12施加另一种极性(正极性)的直流电压。因此，经由导电液体供给至硅基板61的一种极性的电荷(负电荷)被吸引至经由电介体配置于第一电极12的硅基板61的下表面(参照图23A)。此外，供给至导体膜66的一种极性的电荷(负电荷)也被吸引至下表面侧。由此，在第一电压施加工序中，能够将更多量的一种极性的电荷(负电荷)蓄积至基板W的内部。
当从开始向基板W的上表面喷出导电液体经过预定的期间时，控制装置3使导电液体阀323关闭，从而停止从导电液体喷嘴321喷出导电液体。此外，控制装置3控制电源325，从而停止对导电液体配管322的导电部分施加电压。由此，停止从电源325对基板W供给一种极性的电荷(负电荷)。
接着，如图22B所示，控制装置3执行将绝缘液体的液膜71(参照图23B)保持于基板W的上表面的绝缘液体液膜保持工序。具体而言，控制装置3一边维持基板W以液体处理速度旋转，一边使绝缘液体阀58打开而从绝缘液体喷嘴57朝向基板W的上表面中央部喷出绝缘液体。供给至基板W的上表面中央部的绝缘液体受到基板W的旋转所引起的离心力，在基板W的上表面上朝向基板W的周缘部流动。由此，在基板W的上表面上保持有覆盖基板W的上表面的整个区域的绝缘液体的液膜71。
当从开始朝基板W的上表面喷出绝缘液体经过预定的期间时，控制装置3将施加至第一电极12的电压的极性从另一种极性(正极性)切换为一种极性(负极性)，并执行第二电压施加工序。如上所述，在通过多个卡盘销308支撑基板W的状态下，基板W为解除接地连接的状态。因此，在第二电压施加工序中，一边保持解除基板W的接地连接的状态，一边对第一电极12施加直流电压。由此，在第二电压施加工序中，能够将更多量的一种极性的电荷(负电荷)集中至硅基板61的上表面。此外，供给至导体膜66的一种极性的电荷(负电荷)也能够集中至硅基板61的上表面。
当从施加至第一电极12的电压的极性的切换经过预定的期间时，控制装置3使绝缘液体阀58关闭。当从停止喷出绝缘液体起经过预定的期间时，执行干燥工序。干燥工序与图10的步骤S8的干燥工序同等。
在干燥工序结束后，控制装置3控制旋转马达311，使旋转卡盘305停止旋转基板W。此外，控制装置3控制卡盘开闭单元309，将多个卡盘销308控制至开位置。由此，解除基板W的夹持。之后，从腔室4内搬出基板W(相当于图10的步骤S9的工序)。
图24是用于说明本发明的第四实施方式的基板处理装置401所具有的处理单元402的结构例的图解性的剖视图。图25A及图25B是用于说明由所述处理单元402所执行的基板处理例的示意图。在图25B中，将图25A所示的基板W的周边的一部分放大表示。
在第四实施方式中，对与所述第一实施方式(图1至图13所示的实施方式)共通的部分赋予与图1至图13的情况相同的附图标记，并省略说明。
与处理单元2的主要不同点在于：处理单元402能够在利用旋转卡盘保持基板W的状态下使第一相对部19A的上表面与基板W的下表面接触。此外，将第一相对部19A设置为能够与被旋转卡盘保持的基板W一起旋转。即，在第四实施方式中，能够一边使第一相对部19A的上表面与基板W的下表面接触，一边使其与基板W一起旋转。
在第四实施方式中，用来取代相对构件19的相对构件403包括与第一实施方式同等的第一相对部19A以及将第一相对部19A支撑为水平姿势的支撑部403B。支撑部403B从第一相对部19A的中央部沿着旋转轴线A1向下方延伸，并固定至第一相对部19A的下表面。支撑部403B与主体部20可以为一体，也可以为与主体部20不同的构件。支撑部403B被插入旋转基座15及旋转轴14。
支撑部403B设置为，相对于腔室4不能旋转但能相对于腔室4升降。支撑部403B的外周与旋转轴14的内周花键嵌合。即，伴随着旋转卡盘5的旋转，相对构件403以旋转轴线A1为中心进行相对旋转。具体而言，内花键部405也可以设置于旋转轴14的内周，与内花键部405嵌合的外花键部404也可以形成于支撑部403B的外周。也可以与此相反。因此，当旋转卡盘5使基板W旋转时，基板W及相对构件403以旋转轴线A1为中心相对旋转。
在第四实施方式中，在用于使第一电源装置24与第一电极12电连接的配线22的中途部安装有集电环(slip ring)406。因此，即使相对构件403(第一相对部19A及支撑部403B)相对于旋转卡盘5旋转，也能够从第一电源装置24将电压良好地施加至第一电极12。
通过处理单元402所执行的处理例与第一基板处理例的不同点在于：在从电荷供给工序(相当于图10的步骤S6的工序)至干燥工序(相当于图10的步骤S8的工序)的各工序中，在第一相对部19A位于上位置时，如图25A及图25B所示，第一相对部19A的上表面(即，固体电介体23的上表面)与基板W的下表面接触(在图25A中，示出了电荷供给工序(步骤S6)的情况)。即，固体电介体23的上表面为与基板W的下表面接触的接触面407。除此的外的部分，通过处理单元402所执行的处理例与第一基板处理例共通。
在本实施方式中，即使在通过第一电极12接触支撑基板W的情况下，也能够将电介体可靠地安装于基板W的下表面与第一电极12之间。此外，由于能够将第一电极12与基板W的下表面之间保持在一定的距离，因此，能够高精度地控制蓄积于基板W的下表面的一种极性的电荷(负电荷)的量或者集中于基板W的上表面的一种极性的电荷(负电荷)的量。因此，通过将固体电介体23的厚度保持为较薄，能够将一种极性的电荷(负电荷)多量地蓄积至基板W的下表面，另外，能够将一种极性的电荷(负电荷)多量地集中于基板W的上表面。
图26是用于说明本发明的第五实施方式的基板处理装置501所具有的处理单元502的结构例的图解性的剖视图。
在第五实施方式中，对与所述的第一实施方式(图1至图13所示的实施方式)共通的部分赋予与图1至图13的情况相同的附图标记，并省略说明。
与处理单元2的主要不同点在于：处理单元502还具有气刀单元(干燥单元)503。
气刀单元503包括：气刀喷嘴504，将作为非活性气体的一例的氮气吹送至被旋转卡盘5保持的基板W的上表面；非活性气体配管505，用于将非活性气体供给至气刀喷嘴504；以及非活性气体阀506，用于开闭非活性气体配管505。
气刀喷嘴504具有在沿水平方向延伸的规定的一个方向上长的狭缝喷出口507。气刀喷嘴504以沿着所述一个方向且遍及基板W的所述一个方向的整个宽度的带状的长条(plot)喷出非活性气体。来自气刀喷嘴504的狭缝喷出口507的非活性气体的吹送方向也可以相对于铅垂方向倾斜。
此外，在气刀喷嘴504连接有气刀移动单元508。连接有连接有气刀移动单元508。气刀移动单元508使气刀喷嘴504沿与所述一个方向交叉的方向(例如，正交方向)水平移动。
处理单元502所执行的处理例与第一基板处理例的不同点在于：在干燥工序(相当于图10的步骤S8的工序)中，并不使基板W甩开干燥，而通过将非活性气体吹送至基板W的上表面，从基板W的上表面去除绝缘液体，由此，使基板W的上表面干燥。
具体而言，当停止喷出绝缘液体经过预定的期间时，控制装置3一边保持对第一电极12施加一种极性(负极性)的电压且将基板W的旋转保持在液体处理速度，一边控制非活性气体阀506，从狭缝喷出口507吹送非活性气体。此外，与来自狭缝喷出口507的非活性气体的吹送并行，控制装置3控制气刀移动单元508，使气刀喷嘴504水平移动。使气刀喷嘴504在基板W的所述一个方向侧的端部的上方以及与基板W的所述一个方向相反一侧的端部的上方之间移动，由此，能够对基板W的上表面的整个区域吹送非活性气体，由此，能从基板W的上表面的整个区域去除绝缘液体，从而使基板W干燥。
以上虽已说明本发明的五个实施方式，但本发明也可以以其他方式来实施。
例如，在所述的第一实施方式至第五实施方式中，也可以与第二电压施加工序并行地变更第一电极12与基板W的下表面之间的间隔(第一间隔变更工序)。通过控制装置3控制第一相对部升降单元21而使第一相对部19A上升和/或下降，来实现第一电极12与基板W的下表面之间的间隔变更。
通过使第一电极12接近基板W的下表面，能够增大集中至基板W的上表面的一种极性的电荷(负电荷)的量。与此相应地，也能够增强薄膜图案62中的绝缘膜64、65的分极程度。另一方面，通过使第一电极12远离基板W的下表面，能减少集中至基板W的上表面的一种极性的电荷(负电荷)的量。与此相应地，也能减弱薄膜图案62中的绝缘膜64、65的分极程度。即，通过与第二电压施加工序并行地变更第一电极12与基板W的下表面之间的间隔，能调整作用于相邻的薄膜图案62(参照图18等)之间的斥力(库伦力)。
此外，在所述的第二实施方式中，也可以与第三电压施加工序(对第二电极223施加电压)并行地变更第二电极223与基板W的上表面之间的间隔(第二间隔变更工序)。通过控制装置3控制第二相对部升降单元205而使第二相对部221上升和/或下降，来实现第二电极223与基板W的上表面之间的间隔变更。
通过使第二电极223接近基板W的上表面，能增大集中至基板W的上表面的一种极性的电荷(负电荷)的量。与此相应地，也能减弱薄膜图案62中的绝缘膜64、65的分极程度。另一方面，通过使第二电极223远离基板W的上表面，能减少集中至基板W的上表面的一种极性的电荷(负电荷)的量。与此相应地，也能减弱薄膜图案62中的绝缘膜64、65的分极程度。即，通过与第三电压施加工序并行地变更第二电极223与基板W的上表面之间的间隔，能调整作用于相邻的薄膜图案62(参照图18等)之间的斥力(库伦力)。
在该情况下，也可以并行地进行第二电压施加工序中的第一电极12与基板W的下表面之间的间隔变更以及第三电压施加工序中的第二电极223与基板W的上表面之间的间隔变更。
此外，在所述的第一实施方式、第二实施方式、第四实施方式以及第五实施方式中，虽然说明了旋转基座15为金属制，但只要能另外确保旋转轴14与三个第二保持销16B之间的电导通，也能使用(绝缘性的)树脂形成旋转基座。
此外，在所述的第一实施方式、第二实施方式、第四实施方式以及第五实施方式中，虽然说明了接地结构37不仅用于基板W的接地，还兼用于电源36用的接地，但接地结构37也可以与电源36用的接地单独地设置。在该情况下，用于切换基板W的接地连接状态及其解除状态的开关也可以与开关38单独地设置。
此外，在第四实施方式中，也可以通过固体电介体23的上表面(接触面407)与基板W的下表面之间的摩擦接触，来使固体电介体23支撑基板W的下表面。
此外，在第一实施方式至第三实施方式以及第五实施方式中，如图27所示，也能废除固体电介体23。在该情况下，第一电极12构成第一相对部19A的上表面。该变形例能仅适用于，在利用旋转卡盘保持基板W时，基板W的下表面与第一相对部19A的上表面不接触的结构的处理单元。
此外，在所述的第一实施方式、第二实施方式、第四实施方式以及第五实施方式中，虽然说明了从基板W开始旋转时通过三个第二保持销16B(导电销)接触支撑基板W，但只要利用三个第二保持销16B对基板W的接触支撑最晚在电荷供给工序(图10的步骤S6)开始时为止进行即可。在电荷供给工序(图10的步骤S6)开始时为止，也可以通过三个第一保持销16A(绝缘销)接触支撑基板W，也可以通过全部六个保持销16接触支撑基板W。
此外，在所述的第一实施方式至第五实施方式中，说明了在电荷供给工序(图10的步骤S6)开始后至干燥工序(图10的步骤S8)开始为止的期间，除了使基板W停止的情况之外，将基板W的旋转维持在液体处理速度。然而，也可以在电荷供给工序(图10的步骤S6)开始后至干燥工序(图10的步骤S8)开始为止的期间的至少一部分的期间中，将基板W维持在浸液速度。“浸液速度”是指下述的速度：在使基板W以浸液速度旋转时，作用于基板W的上表面的液体的离心力比在该液体与基板W的上表面之间作用的表面张力小，或者所述离心力与所述表面张力大致平衡。通过使基板W以浸液速度旋转，基板W的旋转以零或低的速度进行，其结果，只会对液体的液膜作用零或者小的离心力，因此，在基板W的上表面滞留液体而形成液膜。
此外，也可以将所述的第三实施方式与第二实施方式结合。也可以将所述的第四实施方式与第二实施方式和/或第三实施方式结合。也可以将所述的第五实施方式与第三实施方式和/或第四实施方式结合。
此外，举例说明了作为有机溶剂的一例的HFE来作为具有比纯水的表面张力低的表面张力的绝缘液体，但作为这样的绝缘液体，除了HFE以外，也能够列举甲苯、丙酮等有机溶剂。
此外，从绝缘液体供给单元9供给至基板W的上表面的绝缘液体并未限定于具有比纯水的表面张力低的表面张力的绝缘液体，也可以为具有与纯水的表面张力同等的表面张力的绝缘液体，或者具有比纯水的表面张力高的表面张力的绝缘液体。
此外，举例说明了作为导电液体的碳酸水，但除了碳酸水以外，也可以列举食盐水或稀盐酸等的电解液等。
此外，在所述的说明中，虽然说明了一种极性为负极性而另一种极性为正极性，但也可以为一种极性为正极性而另一种极性为负极性。
此外，处理对象的基板W的表面的薄膜图案并未限定于图8A及图8B所示的薄膜图案62。也可以在薄膜图案所含有的层叠膜的至少一部分具有导体膜。例如，如图28所示，形成于硅基板61的表面的薄膜图案62A所含有的层叠膜63A也可以例如从硅基板61侧按顺序层叠导体膜66A、第一绝缘膜64A以及第二绝缘膜65A而构成。
此外，在所述的各个基板处理例中，执行使用彼此不同的药液来处理基板W的两个药液工序(第一药液工序(图10的步骤S2)以及第二药液工序(图10的步骤S4))，来作为药液工序。然而，药液工序也可以为一个，也可以为三个以上。在药液工序为一个(废除第一药液工序(图10的步骤S2))的情况下，仅执行一个纯水工序(废除第一纯水工序(图10的步骤S3))。
此外，在所述的各个实施方式中，虽然说明了基板处理装置1、201、301、401、501为处理圆板状的基板W的装置的情况，然而，基板处理装置1、201、301、401、501也可以为处理液晶显示装置用玻璃基板等多边形的基板的装置。
虽然详细地说明了本发明的实施方式，但这些实施方式仅为用于明确本发明的技术性内容所使用的具体例，本发明不应被这些具体例限定地解释，本发明的范围仅由随附的权利要求所限定。
本发明与2016年9月12日在日本特许厅所提出的日本特愿2016-177882号相对应，该申请的全部公开通过引用编入于此。
附图标记说明：
1 基板处理装置
3 控制装置
5 旋转卡盘(基板保持单元)
9 绝缘液体供给单元
10 电荷供给单元
11 接地连接单元
12 第一电极
13 旋转马达(干燥单元)
16 保持销
16A 第一保持销(绝缘销)
16B 第二保持销(导电销)
17 第一可动销群
18 第二可动销群
21 第一相对部升降单元(第一间隔变更单元)
23 固体电介体
24 第一电源装置
61 硅基板
62 薄膜图案(图案)
201 基板处理装置
205 第二相对部升降单元(第二间隔变更单元)
223 第二电极
224 第二电源装置
301 基板处理装置
303 导电液体供给单元
305 旋转卡盘(基板保持单元)
311 旋转马达(干燥单元)
325 电源
401 基板处理装置
406 接触面
501 基板处理装置
503 气刀单元(干燥单元)
W 基板

Claims (19)

1.一种基板处理方法，
包括：
基板保持工序，保持在一侧主面形成有图案的基板；
电荷供给工序，将一种极性的电荷供给至所述基板；
第一电压施加工序，与所述电荷供给工序并行，将另一种极性的电压施加至经由电介体配置于所述基板的另一侧主面的第一电极；
在所述第一电压施加工序中，将所述基板从接地连接的状态切换为解除接地连接的状态的工序；
第二电压施加工序，在所述第一电压施加工序后，一边保持解除所述基板的接地连接的状态，一边将所述一种极性的电压施加至所述第一电极；以及
干燥工序，与所述第二电压施加工序并行，通过从所述基板的一侧主面去除液体而使所述基板干燥。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还包括绝缘液体液膜保持工序，所述绝缘液体液膜保持工序与所述第二电压施加工序并行，使具有在纯水的电阻率以上的电阻率的绝缘液体的液膜保持于所述基板的一侧主面；
所述干燥工序包括从所述基板的一侧主面去除绝缘液体的工序。
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，
所述绝缘液体包括低表面张力液体，所述低表面张力液体具有比纯水的表面张力低的表面张力。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还包括第一间隔变更工序，所述第一间隔变更工序与所述第二电压施加工序并行，用于变更所述第一电极与所述基板的另一侧主面之间的间隔。
5.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还包括第三电压施加工序，所述第三电压施加工序与所述第二电压施加工序并行，用于将所述另一种极性的电压施加至与所述基板的一侧主面隔着规定间隔地相对的第二电极。
6.如权利要求5所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还包括第二间隔变更工序，所述第二间隔变更工序与所述第三电压施加工序并行，用于变更所述第二电极与所述基板的一侧主面之间的间隔。
7.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板保持工序还包括：
第一基板保持工序，与所述电荷供给工序并行，通过多个保持销支撑所述基板，所述多个保持销包括至少一个使用导电性材料所形成的导电销；以及
第二基板保持工序，与所述第二电压施加工序并行，不使用所述导电销支撑所述基板而通过使用绝缘材料所形成的绝缘销支撑所述基板。
8.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述电荷供给工序包括一边将导电液体供给至所述基板，一边将所述一种极性的电荷赋予至所述导电液体的工序。
9.一种基板处理装置，
包括：
基板保持单元，保持在一侧主面形成有图案的基板；
电荷供给单元，将一种极性的电荷供给至被所述基板保持单元保持的基板；
第一电极，经由电介体配置于被所述基板保持单元保持的基板的另一侧主面；
第一电源装置，用于将电压施加至所述第一电极；
干燥单元，用于从被所述基板保持单元保持的基板的一侧主面排除液体；以及
控制装置，控制所述电荷供给单元、所述第一电源装置以及所述干燥单元；
所述控制装置执行如下工序：
电荷供给工序，将电压施加至被所述基板保持单元保持的基板，并将一种极性的电荷供给至所述基板；
第一电压施加工序，与所述电荷供给工序并行，将另一种极性的电压施加至经由电介体配置于所述基板的另一侧主面的第一电极；
在所述第一电压施加工序中，将所述基板从接地连接的状态切换为解除接地连接的状态的工序；
第二电压施加工序，在所述第一电压施加工序后，一边保持解除所述基板的接地连接的状态，一边将所述一种极性的电压施加至所述第一电极；以及
干燥工序，与所述第二电压施加工序并行，通过从所述基板的一侧主面去除液体而使所述基板干燥。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括接地连接单元，所述接地连接单元用于将被所述基板保持单元保持的基板进行接地连接，并且能够将所述基板的接地连接切换为连接或解除。
11.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括固体电介体，所述固体电介体配置在被所述基板保持单元保持的基板的另一侧主面与所述第一电极之间，并与所述基板的另一侧主面相对。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述固体电介体具有与所述基板的另一侧主面接触的接触面。
13.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括绝缘液体供给单元，所述绝缘液体供给单元将具有在纯水的电阻率以上的电阻率的绝缘液体供给至所述基板的一侧主面。
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其中，
所述绝缘液体包括低表面张力液体，所述低表面张力液体具有比纯水的表面张力低的表面张力。
15.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括第一间隔变更单元，所述第一间隔变更单元用于变更所述第一电极与所述基板的另一侧主面之间的间隔。
16.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括：
第二电极，与所述基板的一侧主面隔着规定间隔地配置；以及
第二电源装置，用于将电压施加至所述第二电极；
所述控制装置控制所述第二电源装置还执行第三电压施加工序，所述第三电压施加工序与所述第二电压施加工序并行，将所述另一种极性的电压施加至所述第二电极。
17.如权利要求16所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括第二间隔变更单元，所述第二间隔变更单元用于变更所述第二电极与所述基板的另一侧主面之间的间隔。
18.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置包括：
多个保持销，用于接触支撑所述基板的周缘部，并且包括使用导电性材料所形成的导电销和使用绝缘材料所形成的绝缘销；以及
保持销移动单元，使所述保持销移动；
所述控制装置控制所述保持销移动单元执行如下工序：
第一基板保持工序，与所述电荷供给工序并行，通过包括至少一个所述导电销的多个所述保持销支撑所述基板；以及
第二基板保持工序，与所述第二电压施加工序并行，不使用所述导电销支撑所述基板而通过多个所述绝缘销支撑所述基板。
19.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括：
导电液体供给单元，用于将导电液体供给至所述基板的一侧主面；以及
电源，将电压施加至从所述导电液体供给单元供给至所述基板的导电液体；
所述控制装置控制所述导电液体供给单元及所述电源，一边将导电液体供给至所述基板，一边将所述一种极性的电荷赋予所述导电液体，从而执行所述电荷供给工序。
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