JP2019129205A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 508
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 259
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 167
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 101
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 91
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 91
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract description 5
- 229940079593 drug Drugs 0.000 abstract description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 81
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
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Abstract
Description
また、基板の帯電量を徐々に低下させるべく、炭酸水よりも導電率の低い除電液(たとえばDIW(脱イオン水))を基板の表面に供給し、その供給後に、基板の表面に炭酸水を供給することも考えられる。しかしながら、基板の帯電量が多い場合には、基板の表面へのDIWの供給によっても静電気放電が発生するおそれもある。
そこで、本発明の目的は、基板の表面への液体の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、これにより、基板の表面における局所的な欠陥の発生を抑制または防止できる、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
次いで、基板の表面に低導電性液体が供給される。これにより、パターンの外表面に逃がされた電荷を、低導電性液体によって効果的に除去できる。基板から電荷の量が減少された後に基板の表面に導電性液体が供給されるので、静電気放電の発生を効果的に抑制または防止できる。しかも、その導電性液体が、比較的導電率の低い低導電性液体であるので、静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
これにより、基板の表面への液体(低導電性液体、高導電性液体、薬液)の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、ゆえに、基板の表面における局所的な欠陥の発生を抑制または防止できる。
この方法によれば、基板の表面への低導電性液体の供給に並行して、基板の裏面に、低導電性液体または高導電性液体が供給される。これにより、基板に蓄積している電荷を、より一層効果的に除去できる。ゆえに、薬液の供給時における静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
基板の裏面への高導電性液体の供給に並行して基板の表面に液体を供給すると、基板の表面の液体の着液により、基板の表面に静電気放電が発生するおそれがある。
これに対し、この方法によれば、基板の裏面への高導電性液体の供給に並行して基板の表面に液体を供給しない。これにより、基板の表面における静電気放電の発生を、より効果的に抑制または防止できる。
この方法によれば、対向部材の基板対向面を基板の表面に近接させながら、すなわち、対向部材の基板対向面によって基板の表面を保護しながら、基板の裏面に高導電性液体を供給する。そのため、基板の裏面から基板の表面側への高導電性液体の回り込みや、基板の表面側への高導電性液体の回り込みを良好に抑制または防止できる。
この方法によれば、低導電性液体が基板に供給された後、基板に薬液が供給されるまでの間に、基板の少なくとも表面に高導電性液体が供給される。つまり、基板の表面に、低導電性液体→高導電性液体の順に供給する。低導電性液体→高導電性液体→薬液と、導電性の液体が、導電性の低いものから順に段階的に供給されるため、低導電性液体や高導電性液体に起因する静電気放電の発生を防止しながら基板を良好に除電することができ、また、薬液供給時における静電気放電の発生を効果的に抑制することができる。
この方法によれば、低導電性液体または高導電性液体を介して、基板を良好に除電できる。
前記の目的を達成するための請求項9に記載の発明は、表面にパターンが形成された基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の前記表面に、導電性を有する薬液を供給するための薬液供給ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の前記表面に、前記薬液よりも低い導電性を有する低導電性液体を供給するための低導電性液体供給ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板において前記表面とは反対側の裏面に、前記薬液よりも低くかつ前記低導電性液体よりも高い導電性を有する高導電性液体を供給するための高導電性液体供給ユニットと、前記薬液供給ユニット、前記低導電性液体供給ユニットおよび前記高導電性液体供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記薬液を基板の少なくとも前記表面に供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の前記表面に、前記低導電性液体を供給する低導電性液体供給工程と、前記低導電性液体供給工程に先立って、前記高導電性液体を、基板の前記表面ではなく、基板において前記表面とは反対側の裏面に供給する高導電性液体供給工程とを実行する、基板処理装置を提供する。
次いで、基板の表面に低導電性液体が供給される。これにより、パターンの外表面に逃がされた電荷を、低導電性液体によって効果的に除去できる。基板から電荷の量が減少された後に基板の表面に導電性液体が供給されるので、静電気放電の発生を効果的に抑制または防止できる。しかも、その導電性液体が、比較的導電率の低い低導電性液体であるので、静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
これにより、基板の表面への液体(低導電性液体、高導電性液体、薬液)の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、ゆえに、基板の表面における局所的な欠陥の発生を抑制または防止できる。
この構成によれば、対向部材の基板対向面を基板の表面に近接させながら、すなわち、対向部材の基板対向面によって基板の表面を保護しながら、基板の裏面に高導電性液体を供給ことが可能である。この場合、基板の裏面から基板の表面側への高導電性液体の回り込みや、基板の表面側への高導電性液体の回り込みを良好に抑制または防止できる。
この構成によれば、低導電性液体または高導電性液体を介して、基板を良好に除電できる。
図1は、この発明の一実施の形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施の形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液およびリンス液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容する基板収容器が載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送するインデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。インデクサロボットIRは、基板収容器と基板搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、箱形の処理チャンバー4と、処理チャンバー4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面(基板Wの表面(パターン形成面)Wa(図5A等を参照))に液体(処理液(薬液およびリンス液)および除電液)を供給するための上側液体供給ユニットと、スピンチャック5に保持されている基板Wの下面(基板Wの裏面Wb(図5A等を参照))に液体(処理液(薬液およびリンス液)および除電液)を供給するための下側液体供給ユニットと、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に対向し、基板Wの上方の空間をその周囲の雰囲気から遮断する対向部材6と、スピンチャック5の側方を取り囲む筒状の処理カップ(図示しない)とを含む。
スピンチャック5として、基板Wを水平方向に挟んで基板Wを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック5は、スピンモータ(回転ユニット)12と、このスピンモータ12の駆動軸と一体化された下スピン軸13と、下スピン軸13の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース14とを含む。下スピン軸13は、導電性材料を用いて形成されている。下スピン軸13はアース接続されている。
この実施の形態では、上面ノズル30は、中心軸ノズルとして機能する。上面ノズル30は、スピンチャック5の上方に配置されている。上面ノズル30は、支持アーム22によって支持されている。上面ノズル30は、支持アーム22に対して回転不能である。上面ノズル30は、対向板17および支持アーム22と共に昇降する。上面ノズル30は、その下端部に、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面中央部に対向する吐出口30aを形成している。
対向部材昇降ユニット27は、対向板17を、基板対向面17aがスピンチャック5に保持されている基板Wの上面に近接する近接位置(図2に二点鎖線で示す位置。図5Aも併せて参照)と、近接位置よりも大きく上方に退避した退避位置(図2に実線で示す位置)の間で昇降させる。対向部材昇降ユニット27は、近接位置(図5Aに示す位置)、上位置(図5Bおよび図5Cに示す位置)、および退避位置で対向板17を保持可能である。近接位置は、基板対向面17aが基板Wの上面との間に微小間隔(たとえば約0.3mm)を隔てて配置されるような位置である。上位置は、基板対向面17aと基板Wの上面との間の間隔が近接位置よりも大きく、かつ退避位置よりも小さい位置である。
第1の上供給ユニット31は、上面ノズル30に一端が接続された上共通配管35と、上共通配管35の他端に接続された上ミキシングバルブユニットUMVとを含む。上ミキシングバルブユニットUMVは、上共通配管35に送液する上接続部36と、複数のバルブとを含む。上接続部36の内部には、液体が流通するための流通空間が形成されている。上ミキシングバルブユニットUMVは、上接続部36にそれぞれ接続された、DIW上配管37、SC2上配管38および上吸引配管39をさらに含む。上ミキシングバルブユニットUMVに含まれる複数のバルブは、DIW上配管37を開閉するDIW上バルブ42と、SC2上配管38を開閉するSC2上バルブ43と、上吸引配管39を開閉する上吸引バルブ44とを含む。
SC2上配管38には、SC2供給源からのSC2(HClとH2O2とを含む混合液)が供給されるようになっている。上側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でSC2上バルブ43が開かれることにより、上面ノズル30にSC2が供給され、これにより、吐出口30aからSC2が下向きに吐出される。
下側液体供給ユニットは、下面ノズル50と、下面ノズル50にそれぞれ処理液を供給する第1の下供給ユニット51、第2の下供給ユニット52および第3の下供給ユニット53とを含む。
SC2下配管58には、SC2供給源からのSC2が供給されるようになっている。下側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でSC2下バルブ63が開かれることにより、下面ノズル50にSC2が供給され、これにより、吐出口50aからSC2が上向きに吐出される。
下吸引配管59の下流端には、吸引装置(図示しない)が接続されている。吸引装置は、たとえばエジェクタ式の吸引装置である。エジェクタ式の吸引装置は、真空発生器やアスピレータを含む。吸引装置の稼働状態において、吸引装置の内部が減圧されることにより、下吸引配管59の内部が吸引され、その結果、吸引装置の働きが有効化される。吸引装置の働きが有効化された状態において、下側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態で下吸引バルブ64が開かれることにより、下吸引配管59の内部が吸引され、下接続部56の内部空間(流通空間)の液体、および下共通配管55の内部の液体が吸引装置によって吸引される。
図3Aは、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置3はCPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニッ
ト、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
また、制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、DIW上バルブ42、SC2上バルブ43、上吸引バルブ44、SC1上バルブ47、HF上バルブ49、DIW下バルブ62、SC2下バルブ63、下吸引バルブ64、CO2水下バルブ65、SC1下バルブ67、HF下バルブ69を開閉する。
図3Bは、基板処理装置1による処理対象の基板Wの表面Waを拡大して示す断面図である。処理対象の基板Wは、たとえばシリコンウエハであり、そのパターン形成面である表面Waにパターン100が形成されている。パターン100は、たとえば微細パターンである。パターン100は、図3Bに示すように、凸形状(柱状)を有する構造体101が行列状に配置されたものであってもよい。この場合、構造体101の線幅W1はたとえば3nm〜45nm程度に、パターン100の隙間W2はたとえば10nm〜数μm程度に、それぞれ設けられている。パターン100の膜厚Tは、たとえば、0.2μm〜1.0μm程度である。また、パターン100は、たとえば、アスペクト比(線幅W1に対する膜厚Tの比)が、たとえば、5〜500程度であってもよい(典型的には、5〜50程度である)。
パターン100は、たとえば絶縁膜を含む。また、パターン100は、導体膜を含んでいてもよい。より具体的には、パターン100は、複数の膜を積層した積層膜により形成されており、さらには、絶縁膜と導体膜とを含んでいてもよい。パターン100は、単層膜で構成されるパターンであってもよい。絶縁膜は、シリコン酸化膜(SiO2膜)やシリコン窒化膜(SiN膜)であってもよい。また、導体膜は、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜であってもよいし、金属膜(たとえばTiN膜)であってもよい。
図4は、処理ユニット2において実行される第1の基板処理例の内容を説明するための流れ図である。図5A〜5Cは、第1の基板処理例の各工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。図6A〜6Cは、第1の基板処理例の各工程における、基板Wの帯電状態の変化を説明するための図である。
未処理の基板W(たとえば直径300mmの円形基板)は、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRによって基板収容器Cから処理ユニット2に搬入され、処理チャンバー4内に搬入され、基板Wがその表面Wa(パターン形成面。デバイス形成面。図3B等参照)を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡され、スピンチャック5に基板Wが保持される(基板保持工程。図4のS1:基板W搬入)。この状態において、基板Wの裏面Wb(図6A等参照)は下方を向いている。
また、制御装置3は、対向部材昇降ユニット27を制御して、対向板17を退避位置から下降させて、図5Aに示すように近接位置に配置する。
高導電性液体供給工程S3において、基板Wの裏面WbへのCO2水の供給に並行して基板Wの表面Waに液体を供給しないので、基板Wの表面Waにおける静電気放電の発生を、より効果的に抑制または防止できる。
なお、対向部材6の上面ノズル30にさらに不活性ガス配管(図示省略)を接続し、不活性ガス配管に不活性ガスバルブ(図示省略)を介装してもよい。この場合、不活性ガス配管には不活性ガス供給源から不活性ガス(たとえば、N2ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス)が供給される。不活性ガスバルブは、制御装置3により制御される。この場合、高導電性液体供給工程S3において、制御装置3は、対向部材6を近接位置に配置した状態で不活性ガスバルブを開くことにより、不活性ガス配管を介して上面ノズル30に不活性ガスが供給され、吐出口30aから基板Wの表面Waの中央部に向けて、不活性ガスが下向きに吐出される。これにより、基板Wの上面に沿って、基板Wの中央部から周縁部に向けて流れる不活性ガスの気流が形成される。ゆえに、基板Wの裏面Wbから基板Wの表面Wa側へのCO2水の回り込みを、さらに良好に抑制または防止できる。
高導電性液体供給工程S3の終了後、制御装置3は、下吸引バルブ64を開く。これにより、下共通配管55の内部および下接続部56の内部空間からCO2水が吸引除去される。CO2水の除去後、制御装置3は、下吸引バルブ64を閉じる。
次いで、制御装置3は、図5Bに示すように、基板Wの表面Waおよび基板Wの裏面Wbに、低導電性液体(薬液(たとえばSC1、SC2)および高導電性液体(たとえばCO2水)よりも低い導電性を有する液体)としてのDIWを供給する低導電性液体供給工程(図4のS4)を実行する。DIWはイオンをほとんど含有していないために、その導電率はかなり低い。低導電性液体供給工程S4において基板Wに供給されるDIWの電気抵抗率は、たとえば10MΩ・cm〜20MΩ・cmの範囲で、より具体的には約18MΩ・cmである。
DIWの吐出開始から予め定める第2の除電期間(たとえば約60秒間)が経過すると、制御装置は、DIW上バルブ42およびDIW下バルブ62を閉じて、上面ノズル30からのDIWの吐出および下面ノズル50からのDIWの吐出を停止する。これにより、低導電性液体供給工程S4が終了する。
また、制御装置3は、スピンモータ12を制御してスピンベース14の回転速度を、所定の液処理回転速度(たとえば約500rpm)まで上昇させ、その液処理回転速度に維持させる。
薬液供給工程S5の終了に次いで、制御装置3は、基板Wの表面Waに、リンス液としてのDIWを供給して、基板Wの表面Waに付着している薬液を洗い流すリンス工程(図4のS6)を実行する。この実施の形態に係るリンス工程S6では、基板Wの表面Waだけでなく、基板Wの裏面Wbにもリンス液としてのDIWを供給して、基板Wの裏面Wbを処理(洗浄)している(同時両面処理)。
次いで、制御装置3は、乾燥工程(図4のS7)を実行する。具体的には、制御装置3は、液処理回転速度よりも大きい所定の振り切り速度(たとえば数千rpm)まで基板Wの回転速度を上昇させ、その振り切り速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液体が除去され、基板Wが乾燥する。
薬液供給工程S5の例として、第1の薬液供給工程S51、第2の薬液供給工程S52および第3の薬液供給工程S53がある。
第3の薬液供給工程S53は、基板Wの表面Waおよび裏面WbにSC1を供給するSC1供給工程を含む。
次いで、基板Wの表面WaにDIWが供給される。これにより、パターン100の外表面に引き出された電荷を、DIWによって効果的に除去できる。また、基板Wから電荷の量が減少された後に基板Wの表面Waに導電性液体(DIW)が供給されるので、静電気放電の発生を効果的に抑制または防止できる。しかも、その導電性液体が、比較的導電率の低いDIWであるので、静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
これにより、基板Wの表面Waへの液体(DIW、CO2水、薬液)の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、ゆえに、基板Wの表面Waにおける局所的な欠陥の発生を抑制または防止できる。
除電試験では、次に述べる実施例および比較例に係る基板処理方法(洗浄処理)を試料に施す。
実施例:表面Waにパターン100(図3B参照)が配置された基板W(半導体ウエハ。外径300(mm))を試料として採用し、表面Waを上方に向けた状態でスピンチャック5(図2参照)に保持させた。スピンチャック5に保持されて回転状態にある試料に対し、処理ユニット2を用いて前述の図4に示す第1の基板処理例(洗浄処理)を実行した。
比較例2:高導電性液体供給工程S3に代えて、CO2水を、基板Wの裏面Wbではなく、基板Wの表面Waに供給する工程を実行する。低導電性液体供給工程S4に相当する工程は行われない。すなわち、基板Wの表面WaへのCO2水の供給後、薬液供給工程S5が実行される。
比較例4:高導電性液体供給工程S3に代えて、CO2水を、基板Wの裏面Wbだけでなく基板Wの表面Waにも供給する工程を実行する。低導電性液体供給工程S4に相当する工程は行われない。すなわち、基板Wの表面WaへのCO2水の供給後、薬液供給工程S5が実行される。
比較例6:高導電性液体供給工程S3に相当する工程が行われていない。低導電性液体供給工程S4に相当する工程が最初に実行される。この工程では、DIWを、基板Wの表面Waではなく、基板Wの裏面Wbに供給する工程を実行する。
比較例8:高導電性液体供給工程S3に代えて、CO2水を、基板Wの裏面Wbだけでなく基板Wの表面Waにも供給する工程を実行する。この工程後、低導電性液体供給工程S4が実行される。
試験結果を、図8に示す。実施例では、静電気放電が発生しなかった。これに対し、比較例1〜9では、基板Wの表面Waの中央部に静電気放電の痕跡が見られた。比較例2、比較例4、比較例8および比較例9では、高い導電性を有するCO2水を最初に基板Wの表面に供給している。このCO2水の供給に伴って静電気放電が発生したものと考えられる。
以上、この発明の一実施の形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
図10は、処理ユニット2により実行される第3の基板処理例を説明するための流れ図である。
また、薬液供給工程S5において基板Wの表面Waに最初に供給される薬液として、SC1やSC2を例示したが、他の薬液(オゾン水やSPM(H2SO4とH2O2とを含む混合液)、HF等)であってもよい。
また、前述の実施の形態において、基板処理装置1が半導体ウエハからなる基板Wの表面を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機EL(electroluminescence)表示装置などのFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。ただし、本発明の効果は、基板Wの表面が疎水性を示す場合にとくに顕著に発揮される。
3 :制御装置
4 :処理チャンバー
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
30 :上面ノズル(低導電性液体供給ユニット)
37 :DIW上配管(低導電性液体供給ユニット)
42 :DIW上バルブ(低導電性液体供給ユニット)
50 :下面ノズル(高導電性液体供給ユニット)
Claims (11)
- パターンが形成された基板の表面に薬液を供給して基板を処理する方法であって、
基板を保持する基板保持工程と、
前記薬液を基板の少なくとも前記表面に供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の前記表面に、前記薬液よりも低い導電性を有する低導電性液体を供給する低導電性液体供給工程と、
前記低導電性液体供給工程に先立って、基板を除電すべく、前記薬液よりも低くかつ前記低導電性液体よりも高い導電性を有する高導電性液体を、基板の前記表面ではなく、基板において前記表面とは反対側の裏面に供給する高導電性液体供給工程とを含む、基板処理方法。 - 前記低導電性液体供給工程に並行して、基板の前記裏面に、基板を除電すべく、前記低導電性液体または前記高導電性液体を供給する工程をさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記高導電性液体供給工程に並行して、基板の前記表面に液体を供給しない、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記高導電性液体供給工程に並行して、基板の前記表面の全域に対向する基板対向面を有する対向部材を、前記基板対向面が基板の前記表面に近接するような近接位置に配置する近接位置配置工程をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記低導電性液体供給工程の後、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の少なくとも前記表面に、前記高導電性液体を供給する第2の高導電性液体供給工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板保持工程が、
導電性材料を用いて形成された導電部を基板の周縁部に接触させることにより基板を保持する工程を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記低導電性液体が脱イオン水を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記高導電性液体がイオンを含有する液体を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 表面にパターンが形成された基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持されている基板の前記表面に、導電性を有する薬液を供給するための薬液供給ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持されている基板の前記表面に、前記薬液よりも低い導電性を有する低導電性液体を供給するための低導電性液体供給ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持されている基板において前記表面とは反対側の裏面に、前記薬液よりも低くかつ前記低導電性液体よりも高い導電性を有する高導電性液体を供給するための高導電性液体供給ユニットと、
前記薬液供給ユニット、前記低導電性液体供給ユニットおよび前記高導電性液体供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、前記薬液を基板の少なくとも前記表面に供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の前記表面に、前記低導電性液体を供給する低導電性液体供給工程と、前記低導電性液体供給工程に先立って、前記高導電性液体を、基板の前記表面ではなく、基板において前記表面とは反対側の裏面に供給する高導電性液体供給工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記基板保持ユニットによってされている基板の前記表面の全域に対向する基板対向面を有し、前記基板対向面が基板の前記表面に近接するような近接位置に配置される対向部材をさらに含む、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持ユニットが、基板の周縁部を接触支持する保持ピンであって、導電性材料を用いて形成された導電ピンを有する、請求項9または10に記載の基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018009157A JP7281868B2 (ja) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN201880087065.0A CN111630635A (zh) | 2018-01-23 | 2018-12-21 | 基板处理方法及基板处理装置 |
PCT/JP2018/047265 WO2019146338A1 (ja) | 2018-01-23 | 2018-12-21 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR1020207023365A KR102497589B1 (ko) | 2018-01-23 | 2018-12-21 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
TW107147219A TWI700743B (zh) | 2018-01-23 | 2018-12-26 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018009157A JP7281868B2 (ja) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019129205A true JP2019129205A (ja) | 2019-08-01 |
JP7281868B2 JP7281868B2 (ja) | 2023-05-26 |
Family
ID=67395862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018009157A Active JP7281868B2 (ja) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7281868B2 (ja) |
KR (1) | KR102497589B1 (ja) |
CN (1) | CN111630635A (ja) |
TW (1) | TWI700743B (ja) |
WO (1) | WO2019146338A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113532065A (zh) * | 2020-04-16 | 2021-10-22 | 杰宜斯科技有限公司 | 基板处理装置及方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009200365A (ja) | 2008-02-23 | 2009-09-03 | Sony Corp | 基板の処理方法 |
JP6612632B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2019-11-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2018
- 2018-01-23 JP JP2018009157A patent/JP7281868B2/ja active Active
- 2018-12-21 KR KR1020207023365A patent/KR102497589B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-21 CN CN201880087065.0A patent/CN111630635A/zh active Pending
- 2018-12-21 WO PCT/JP2018/047265 patent/WO2019146338A1/ja active Application Filing
- 2018-12-26 TW TW107147219A patent/TWI700743B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019146338A1 (ja) | 2019-08-01 |
JP7281868B2 (ja) | 2023-05-26 |
CN111630635A (zh) | 2020-09-04 |
TW201933468A (zh) | 2019-08-16 |
TWI700743B (zh) | 2020-08-01 |
KR102497589B1 (ko) | 2023-02-07 |
KR20200100855A (ko) | 2020-08-26 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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