WO2019146338A1 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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WO2019146338A1
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substrate
liquid
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chemical solution
conductive liquid
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克栄 東
雄二 菅原
佑介 竹松
友也 石川
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株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing the surface of a substrate.
  • Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, substrates for liquid crystal displays, substrates for flat panel displays (FPDs) such as organic EL (electroluminescence) displays, etc., substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, magneto-optical disks Substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.
  • a single wafer type substrate processing apparatus for processing a substrate one by one is a processing chamber and a spin chuck for rotating the substrate while holding the substrate substantially horizontal in the processing chamber. And a nozzle for discharging a chemical solution toward the surface (surface on which a pattern (device) is formed) of the substrate rotated by the spin chuck.
  • a chemical solution is discharged from a nozzle toward, for example, the central portion of the surface of a substrate in a rotating state.
  • the chemical solution supplied to the central portion of the surface of the substrate receives centrifugal force generated by the rotation of the substrate, flows over the surface of the substrate toward the periphery, and spreads over the entire surface of the substrate. Thereby, the entire surface of the substrate is treated with the chemical solution.
  • charges may be accumulated (i.e., charged) on the surface of the substrate in the previous process (ion implantation, dry etching).
  • the surface of the substrate and the chemical solution come in contact with each other when the chemical solution from the nozzle contacts the surface of the substrate, and the surface of the substrate is abrupt.
  • a change in charge may occur, and electrostatic discharge (arching) may occur at or near the liquid deposition position of the chemical solution.
  • local defects may occur on the surface of the substrate, such as destruction of a pattern (device) or formation of a hole in the pattern.
  • Patent Document 1 in order to prevent the generation of electrostatic discharge on the surface of the substrate at the start of chemical solution supply, a static elimination liquid (such as carbonated water) having a conductivity lower than that of the chemical solution is It is known to supply to the surface.
  • a static elimination liquid such as carbonated water
  • a destaticizing solution for example, DIW (deionized water)
  • DIW deionized water
  • carbonated water is supplied to the surface of the substrate, and after the supply, carbonated water is applied to the surface of the substrate.
  • electrostatic discharge may also occur due to the supply of DIW to the surface of the substrate.
  • the present invention is a method of processing a substrate by supplying a chemical solution to the surface of a substrate on which a pattern is formed, the substrate holding step of holding the substrate, and the chemical solution supplying step of supplying the chemical solution to at least the surface of the substrate.
  • a low conductive liquid supplying step of supplying a low conductive liquid having conductivity lower than that of the chemical solution to the surface of the substrate in order to neutralize the substrate prior to the chemical solution supplying step;
  • a high conductivity liquid having conductivity lower than the chemical solution and higher than the low conductivity liquid is used to remove the substrate prior to the liquid supply process, not to the surface of the substrate but to the surface of the substrate.
  • the highly conductive liquid is first supplied not to the surface of the substrate but to the back surface of the substrate.
  • the charge is accumulated on the surface of the substrate (the device surface on which the device is formed). Therefore, even if a highly conductive liquid is supplied to the back surface of the substrate, electrostatic discharge occurs on the back surface of the substrate. There is almost no occurrence.
  • the conductivity of the high conductivity liquid is relatively high, the amount of charge accumulated in the substrate can be effectively reduced by the supply of the low conductivity liquid to the back surface of the substrate.
  • the charge that has entered the inside of the pattern on the front surface of the substrate can be extracted to the outer surface of the pattern.
  • the low conductivity liquid is then supplied to the surface of the substrate. This allows the low conductivity liquid to effectively remove the charge released to the outer surface of the pattern. Since the conductive liquid is supplied to the surface of the substrate after the amount of charge is reduced from the substrate, the occurrence of electrostatic discharge can be effectively suppressed or prevented. Moreover, since the conductive liquid is a low conductive liquid having a relatively low conductivity, the occurrence of electrostatic discharge can be more effectively suppressed or prevented.
  • the chemical solution is supplied to at least the surface of the substrate after the charge has been sufficiently removed by the low conductive liquid and the high conductive liquid.
  • the chemical treatment is performed. Therefore, generation of electrostatic discharge accompanying supply of the chemical solution to the surface of the substrate can be suppressed or prevented.
  • the method for treating a substrate includes, in parallel with the low conductive liquid supplying step, the low conductive liquid or the high conductive liquid on the back surface of the substrate in order to discharge the substrate.
  • the method further includes the step of supplying.
  • the low conductivity liquid or the high conductivity liquid is supplied to the back surface of the substrate in parallel with the supply of the low conductivity liquid to the front surface of the substrate.
  • the liquid is not supplied to the surface of the substrate in parallel with the high conductivity liquid supplying step.
  • electrostatic discharge may occur on the surface of the substrate due to the liquid deposition on the surface of the substrate.
  • the liquid is not supplied to the surface of the substrate in parallel with the supply of the highly conductive liquid to the back surface of the substrate.
  • the substrate processing method comprises: an opposing member having a substrate opposing surface opposing the entire area of the surface of the substrate in parallel with the highly conductive liquid supplying step; The method further includes a close positioning step of positioning at a close position close to the surface of
  • the highly conductive liquid is supplied to the back surface of the substrate while making the substrate facing surface of the facing member close to the surface of the substrate, that is, protecting the surface of the substrate by the substrate facing surface of the facing member. Therefore, wraparound of the highly conductive liquid from the back surface of the substrate to the surface side of the substrate and wraparound of the highly conductive liquid to the surface side of the substrate can be favorably suppressed or prevented.
  • the substrate processing method includes, after the low conductivity liquid supply step, prior to the chemical solution supply step, the substrate being subjected to the high conductivity on at least the surface of the substrate in order to discharge the substrate.
  • the method further includes a second highly conductive liquid supply step of supplying the conductive liquid.
  • the high conductivity liquid is supplied to at least the surface of the substrate before the chemical solution is supplied to the substrate. That is, low conductivity liquid ⁇ high conductivity liquid is supplied to the surface of the substrate in this order.
  • Low conductivity liquid ⁇ high conductivity liquid ⁇ chemical solution and conductivity liquid are sequentially supplied in the order of low conductivity, so generation of electrostatic discharge due to low conductivity liquid or high conductivity liquid As a result, the substrate can be satisfactorily destaticized while preventing the generation of hydrogen, and the generation of electrostatic discharge at the time of chemical solution supply can be effectively suppressed.
  • the substrate holding step includes the step of holding the substrate by bringing a conductive portion formed using a conductive material into contact with the peripheral portion of the substrate.
  • the substrate can be satisfactorily discharged through the low conductive liquid or the high conductive liquid.
  • the low conductivity liquid may also contain deionized water.
  • the highly conductive liquid may include a liquid containing ions.
  • the present invention comprises: a substrate holding unit for holding a substrate having a pattern formed on the surface; and a chemical solution supply unit for supplying a chemical solution having conductivity to the surface of the substrate held by the substrate holding unit.
  • a low conductivity liquid supply unit for supplying a low conductivity liquid having conductivity lower than that of the chemical solution on the surface of the substrate held by the substrate holding unit, and held by the substrate holding unit
  • a highly conductive liquid supply unit for supplying a highly conductive liquid having conductivity lower than the chemical solution and higher than the low conductivity liquid on the back surface opposite to the front surface of the substrate;
  • a control unit for controlling the low-conductivity liquid supply unit and the high-conductivity liquid supply unit;
  • a chemical solution supplying process for supplying a chemical solution to at least the surface of the substrate; and a low conductive liquid supplying process for supplying the low conductive liquid to the surface of the substrate in order to discharge the substrate prior to the chemical solution supplying process.
  • a high conductive liquid supply step Prior to the low
  • the highly conductive liquid is supplied not to the surface of the substrate but to the back surface of the substrate.
  • the charge is accumulated on the surface of the substrate (the device surface on which the device is formed). Therefore, even if a highly conductive liquid is supplied to the back surface of the substrate, electrostatic discharge occurs on the back surface of the substrate. There is almost no occurrence.
  • the conductivity of the high conductivity liquid is relatively high, the amount of charge accumulated in the substrate can be effectively reduced by the supply of the low conductivity liquid to the back surface of the substrate.
  • the charge that has entered the inside of the pattern on the front surface of the substrate can be extracted to the outer surface of the pattern.
  • the low conductivity liquid is then supplied to the surface of the substrate. This allows the low conductivity liquid to effectively remove the charge released to the outer surface of the pattern. Since the conductive liquid is supplied to the surface of the substrate after the amount of charge is reduced from the substrate, the occurrence of electrostatic discharge can be effectively suppressed or prevented. Moreover, since the conductive liquid is a low conductive liquid having a relatively low conductivity, the occurrence of electrostatic discharge can be more effectively suppressed or prevented.
  • the chemical solution is supplied to at least the surface of the substrate after the charge has been sufficiently removed by the low conductive liquid and the high conductive liquid.
  • the chemical treatment is performed. Therefore, generation of electrostatic discharge accompanying supply of the chemical solution to the surface of the substrate can be suppressed or prevented.
  • the substrate processing apparatus has a substrate facing surface facing the entire area of the surface of the substrate being held by the substrate holding unit, and the substrate facing surface is close to the surface of the substrate And an opposing member disposed at such a close position.
  • the substrate holding unit has a holding pin that contacts and supports the peripheral portion of the substrate, and includes a conductive pin formed using a conductive material.
  • the substrate can be satisfactorily discharged through the low conductive liquid or the high conductive liquid.
  • FIG. 1 is a schematic plan view for explaining an internal layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining an exemplary configuration of a processing unit provided in the substrate processing apparatus.
  • FIG. 3 is a block diagram for explaining an electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus and a cross-sectional view showing an enlarged surface of a substrate to be processed by the substrate processing apparatus.
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining a first example of substrate processing by the processing unit.
  • 5A to 5C are schematic views of the substrate when the respective steps of the first example of substrate processing are performed.
  • 6A to 6C are diagrams for explaining changes in the charged state of the substrate in each step of the first example of substrate processing.
  • FIG. 7A to 7C are diagrams for explaining the contents of the chemical solution supply process included in the first example of substrate processing.
  • FIG. 8 is a view showing test results of the static elimination test.
  • FIG. 9 is a flowchart for explaining a second example of substrate processing performed by the processing unit.
  • FIG. 10 is a flowchart for explaining a third example of substrate processing performed by the processing unit.
  • FIG. 1 is a schematic view from above of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 1 is a single wafer processing apparatus that processes a substrate W such as a silicon wafer one by one.
  • the substrate W is a disk-shaped substrate.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 that process a substrate W with a processing liquid and a rinse liquid, and a load port LP on which a substrate container that stores a plurality of substrates W processed by the processing unit 2 is mounted. And an indexer robot IR and a substrate transfer robot CR that transfer the substrate W between the load port LP and the processing unit 2, and a control device 3 that controls the substrate processing apparatus 1.
  • the indexer robot IR transfers the substrate W between the substrate container and the substrate transfer robot CR.
  • the substrate transfer robot CR transfers the substrate W between the indexer robot IR and the processing unit 2.
  • the plurality of processing units 2 have, for example, the same configuration.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2.
  • the processing unit 2 holds the substrate W in a horizontal posture in the box-shaped processing chamber 4 and the processing chamber 4 and rotates the substrate W around a vertical rotation axis A1 passing the center of the substrate W.
  • the lower liquid supply unit for supplying the rinse solution and the charge removal solution, and the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5, and the space above the substrate W is shielded from the atmosphere around it.
  • the processing chamber 4 includes a box-shaped partition wall 7 accommodating the spin chuck 5 and the like.
  • the spin chuck 5 As the spin chuck 5, a holding type chuck is adopted which holds the substrate W horizontally by holding the substrate W in the horizontal direction. Specifically, the spin chuck 5 is mounted substantially horizontally to the spin motor (rotation unit) 12, the lower spin shaft 13 integrated with the drive shaft of the spin motor 12, and the upper end of the lower spin shaft 13. And a disk-shaped spin base 14. The lower spin axis 13 is formed using a conductive material. The lower spin shaft 13 is connected to ground.
  • the spin base 14 includes a horizontal, circular upper surface 14 a having an outer diameter larger than the outer diameter of the substrate W.
  • the spin base 14 is formed using a conductive material.
  • a plurality of (three or more, for example, six) clamping pins 15 are disposed on the peripheral surface of the upper surface 14a.
  • the plurality of holding pins 15 are arranged at equal intervals, for example, at appropriate intervals on the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the substrate W at the upper surface peripheral portion of the spin base 14.
  • the holding pin 15 is a so-called conductive pin formed using a conductive material.
  • lower spin axis 13, spin base 14 and holding pin 15 are each formed of a conductive material (for example, a conductive material containing carbon, a metal material), and lower spin axis 13 Is connected to ground. Therefore, when the conductive liquid (a low conductive liquid, a high conductive liquid, and a chemical solution described later) is supplied to the front surface or the back surface of the substrate W held by the spin chuck 5, the substrate W via the liquid Is discharged.
  • a conductive material for example, a conductive material containing carbon, a metal material
  • the opposing member 6 includes an opposing plate 17 and an upper surface nozzle 30 penetrating the central portion of the opposing plate 17 in the vertical direction.
  • the opposing plate 17 has, on its lower surface, a horizontally disposed circular substrate opposing surface 17 a that faces the entire upper surface of the substrate W.
  • the upper surface nozzle 30 functions as a central axis nozzle.
  • the upper surface nozzle 30 is disposed above the spin chuck 5.
  • the upper surface nozzle 30 is supported by a support arm 22.
  • the top nozzle 30 is non-rotatable with respect to the support arm 22.
  • the upper surface nozzle 30 moves up and down together with the opposing plate 17 and the support arm 22.
  • the upper surface nozzle 30 has, at its lower end portion, an ejection port 30 a facing the central portion of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5.
  • the supporting arm 22 is coupled to an opposing member elevating unit 27 configured to include an electric motor, a ball screw, and the like.
  • the opposing member lifting unit 27 raises and lowers the opposing member 6 (the opposing plate 17 and the upper spin shaft 18) and the upper surface nozzle 30 together with the support arm 22 in the vertical direction.
  • the facing member elevating unit 27 has a facing position where the facing plate 17 is close to the top surface of the substrate W whose substrate facing surface 17a is held by the spin chuck 5 (the position shown by the two-dot chain line in FIG. (Refer to FIG. 2) and the retracted position (indicated by the solid line in FIG. 2) which is retracted upward largely from the proximity position.
  • the opposing member lifting unit 27 can hold the opposing plate 17 at the close position (the position shown in FIG. 5A), the upper position (the position shown in FIGS. 5B and 5C), and the retracted position.
  • the proximity position is such a position that the substrate facing surface 17 a is disposed at a minute distance (for example, about 0.3 mm) between the substrate facing surface 17 a and the top surface of the substrate W.
  • the upper position is a position at which the distance between the substrate facing surface 17a and the upper surface of the substrate W is larger than the proximity position and smaller than the retracted position.
  • the upper liquid supply unit includes an upper surface nozzle 30, and a first upper supply unit 31, a second upper supply unit 32, and a third upper supply unit 33 for supplying the processing liquid to the upper surface nozzle 30, respectively.
  • the first upper supply unit 31 includes an upper common pipe 35 whose one end is connected to the upper surface nozzle 30 and an upper mixing valve unit UMV connected to the other end of the upper common pipe 35.
  • the upper mixing valve unit UMV includes an upper connection portion 36 for supplying liquid to the upper common pipe 35, and a plurality of valves. Inside the upper connection portion 36, a circulation space for the liquid to flow is formed.
  • the upper mixing valve unit UMV further includes a DIW upper pipe 37, an SC2 upper pipe 38 and an upper suction pipe 39 connected to the upper connection portion 36, respectively.
  • a plurality of valves included in the upper mixing valve unit UMV include a DIW upper valve 42 for opening and closing the DIW upper piping 37, an SC2 upper valve 43 for opening and closing the SC2 upper piping 38, and an upper suction valve 44 for opening and closing the upper suction piping 39. And.
  • DIW deionized water
  • DIW upper pipe 37 When the DIW upper valve is opened in a state in which the other valves included in the upper liquid supply unit are closed, DIW is supplied to the upper surface nozzle 30, whereby DIW is discharged downward from the discharge port 30a.
  • the SC2 upper pipe 38 is configured to be supplied with SC2 (a mixed solution containing HCl and H 2 O 2 ) from an SC2 source.
  • SC2 a mixed solution containing HCl and H 2 O 2
  • the SC2 upper valve 43 is opened with the other valves included in the upper liquid supply unit closed, whereby SC2 is supplied to the upper surface nozzle 30, whereby the SC2 is discharged downward from the discharge port 30a.
  • a suction device (not shown) is connected to the downstream end of the upper suction pipe 39.
  • the suction device is, for example, an ejector-type suction device.
  • Ejector-type suction devices include vacuum generators and aspirators.
  • the inside of the upper suction pipe 39 is suctioned by depressurizing the inside of the suction device, and as a result, the operation of the suction device is validated.
  • the upper suction valve 44 is opened with the other valves included in the upper liquid supply unit closed, so that the inside of the upper suction pipe 39 is suctioned, and the upper connection portion
  • the liquid in the internal space (distribution space) 36 and the liquid in the upper common pipe 35 are aspirated by the suction device.
  • the second upper supply unit 32 includes an SC1 upper pipe 46 connected to the upper surface nozzle 30 and an SC1 upper valve 47 interposed in the SC1 upper pipe 46.
  • the SC1 upper pipe 46 is configured to be supplied with SC1 (a mixed solution containing NH 4 OH and H 2 O 2 ) from the SC1 supply source.
  • SC1 upper valve 47 is opened with the other valves included in the upper liquid supply unit closed, whereby SC1 is supplied to the upper surface nozzle 30, whereby the SC1 is discharged downward from the discharge port 30a.
  • the third upper supply unit 33 includes an HF upper pipe 48 connected to the upper surface nozzle 30 and an HF upper valve 49 interposed in the HF upper pipe 48.
  • the HF upper pipe 48 is adapted to be supplied with HF from an HF source.
  • HF upper valve 49 is opened with the other valves included in the upper liquid supply unit closed, HF is supplied to the upper surface nozzle 30, whereby the HF is discharged downward from the discharge port 30a.
  • the HF is, for example, diluted dilute hydrofluoric acid (DHF).
  • the low conductivity liquid supply unit is configured by the upper surface nozzle 30, the DIW upper pipe 37 and the DIW upper valve 42.
  • the lower liquid supply unit includes a lower surface nozzle 50, and a first lower supply unit 51, a second lower supply unit 52, and a third lower supply unit 53 for supplying the processing liquid to the lower surface nozzle 50, respectively.
  • the first lower supply unit 51 includes a lower common pipe 55 whose one end is connected to the lower surface nozzle 50 and a lower mixing valve unit DMV connected to the other end of the lower common pipe 55.
  • the lower mixing valve unit DMV includes a lower connection portion 56 for feeding the lower common pipe 55 and a plurality of valves. Inside the lower connection portion 56, a circulation space for flowing the liquid is formed.
  • the lower mixing valve unit DMV further includes a DIW lower pipe 57, an SC2 lower pipe 58, a CO 2 lower water pipe 60, and a lower suction pipe 59 connected to the lower connection portion 56, respectively.
  • the plurality of valves included in the lower side liquid supply unit includes a DIW lower valve 62 for opening and closing the DIW lower piping 57, an SC2 lower valve 63 for opening and closing the SC2 lower piping 58, and CO 2 for opening and closing the CO 2 water lower piping 60. It includes a lower water valve 65 and a lower suction valve 64 for opening and closing the lower suction pipe 59.
  • DIW from a DIW supply source is supplied to the DIW lower piping 57.
  • DIW lower valve 62 is opened in a state where the other valves included in the lower mixing valve unit DMV are closed, DIW is supplied to the lower surface nozzle 50, and thereby DIW is discharged upward from the discharge port 50a.
  • the SC2 lower piping 58 is supplied with SC2 from the SC2 supply source.
  • the SC2 lower valve 63 is opened with the other valves included in the lower liquid supply unit closed, thereby supplying SC2 to the lower surface nozzle 50, whereby the SC2 is discharged upward from the discharge port 50a.
  • CO 2 Underwater pipe 60 the CO 2 water from CO 2 water source are supplied.
  • CO 2 Underwater valve 65 is opened in the closed state of the other valves included in the lower liquid supply unit, CO 2 water is supplied to the lower surface nozzle 50, thereby, the CO 2 water from the discharge port 50a It is discharged upward.
  • a suction device (not shown) is connected to the downstream end of the lower suction pipe 59.
  • the suction device is, for example, an ejector-type suction device.
  • Ejector-type suction devices include vacuum generators and aspirators.
  • the pressure in the suction device is reduced, so that the inside of the lower suction pipe 59 is sucked, and as a result, the operation of the suction device is validated.
  • the lower suction valve 64 is opened while the other valves included in the lower liquid supply unit are closed, so that the inside of the lower suction pipe 59 is suctioned, and the lower connection is established.
  • the liquid in the internal space (flowing space) of the portion 56 and the liquid in the lower common pipe 55 are suctioned by the suction device.
  • the second lower supply unit 52 includes an SC1 lower pipe 66 connected to the lower surface nozzle 50, and an SC1 lower valve 67 interposed in the SC1 lower pipe 66.
  • the SC1 lower piping 66 is supplied with SC1 from the SC1 supply source.
  • the SC1 lower valve 67 is opened with the other valves included in the lower liquid supply unit closed, thereby supplying SC1 to the lower surface nozzle 50, whereby the SC1 is discharged upward from the discharge port 50a.
  • the third lower supply unit 53 includes an HF lower pipe 68 connected to the lower surface nozzle 50 and an HF lower valve 69 interposed in the HF lower pipe 68.
  • the HF lower pipe 68 is adapted to be supplied with HF from an HF source. By opening the HF lower valve 69 with the other valves included in the lower liquid supply unit closed, HF is supplied to the lower surface nozzle 50, whereby HF is discharged upward from the discharge port 50a.
  • the HF is, for example, diluted diluted hydrofluoric acid (DHF).
  • a high conductivity liquid supply unit is configured by the lower surface nozzle 50, the CO 2 lower water pipe 60, and the CO 2 lower water valve 65.
  • FIG. 3A is a block diagram for explaining the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus 1.
  • Control device 3 is configured using, for example, a microcomputer.
  • the control device 3 has an arithmetic unit such as a CPU, a fixed memory device, a storage unit such as a hard disk drive, and an input / output unit.
  • the storage unit stores a program to be executed by the arithmetic unit.
  • the control device 3 is connected with a spin motor 12, an opposing member lifting unit 27 and the like as a control target.
  • the control device 3 controls the operation of the spin motor 12, the opposing member lifting unit 27 and the like according to a predetermined program.
  • controller 3 follows the predetermined program, and the DIW upper valve 42, SC2 upper valve 43, upper suction valve 44, SC1 upper valve 47, HF upper valve 49, DIW lower valve 62, SC2 lower valve 63, lower
  • the suction valve 64, the CO 2 lower water valve 65, the SC1 lower valve 67, and the HF lower valve 69 are opened and closed.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view showing the surface Wa of the substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 1 in an enlarged manner.
  • the substrate W to be processed is, for example, a silicon wafer, and the pattern 100 is formed on the surface Wa which is the pattern formation surface.
  • the pattern 100 is, for example, a fine pattern.
  • the pattern 100 may have a structure 101 having a convex shape (columnar shape) arranged in a matrix.
  • the line width W1 of the structure 101 is, for example, about 3 nm to 45 nm
  • the gap W2 of the pattern 100 is, for example, about 10 nm to several ⁇ m.
  • the film thickness T of the pattern 100 is, for example, about 0.2 ⁇ m to 1.0 ⁇ m.
  • the pattern 100 may have, for example, an aspect ratio (a ratio of the film thickness T to the line width W1) of, for example, about 5 to 500 (typically, about 5 to 50).
  • the pattern 100 may be one in which line-shaped patterns formed by fine trenches are repeatedly arranged.
  • the pattern 100 may be formed by providing a plurality of fine holes (voids or pores) in the thin film.
  • Pattern 100 includes, for example, an insulating film.
  • the pattern 100 may also include a conductor film. More specifically, the pattern 100 is formed of a laminated film in which a plurality of films are laminated, and may further include an insulating film and a conductor film.
  • the pattern 100 may be a pattern composed of a single layer film.
  • the insulating film may be a silicon oxide film (SiO 2 film) or a silicon nitride film (SiN film).
  • the conductor film may be an amorphous silicon film into which an impurity for reducing resistance is introduced, or may be a metal film (for example, a TiN film).
  • the pattern 100 may be a hydrophilic film.
  • a hydrophilic film a TEOS film (a kind of silicon oxide film) can be exemplified.
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining the contents of a first example of substrate processing performed in the processing unit 2.
  • 5A to 5C are schematic views of the substrate when the respective steps of the first example of substrate processing are performed.
  • 6A to 6C are diagrams for explaining changes in the charged state of the substrate W in each step of the first example of substrate processing.
  • a first example of substrate processing will be described with reference to FIGS. 1 to 4. 5A to 6C will be described as appropriate.
  • the first example of substrate processing is cleaning processing for removing foreign matter (particles) from the surface of the substrate W.
  • a second substrate processing example and a third substrate processing example described later are also cleaning processing for removing foreign matter from the surface of the substrate W.
  • An unprocessed substrate W (for example, a circular substrate having a diameter of 300 mm) is carried from the substrate container C into the processing unit 2 by the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR, carried into the processing chamber 4 and the substrate W is mounted on the surface Wa (Pattern formation surface. Device formation surface. See FIG. 3B etc.) Upward, delivered to the spin chuck 5 and the substrate W is held by the spin chuck 5 (substrate holding step) S1 in FIG. W delivery). In this state, the back surface Wb (see FIG. 6A etc.) of the substrate W is directed downward.
  • Wa Pattern formation surface. Device formation surface. Device formation surface. See FIG. 3B etc.
  • charges may be accumulated (that is, charged) in the substrate W in the previous process (ion implantation, dry etching).
  • charges are mainly accumulated on the surface Wa of the substrate W, as shown in FIG. 6A. More specifically, the charge has entered the inside of the pattern 100 on the surface Wa of the substrate W.
  • a chemical solution electroconductive chemical solution such as SC1 or SC2 or the like
  • the surface Wa of the substrate W comes in contact with the chemical solution to cause a rapid charge change on the surface Wa of the substrate W
  • Electrostatic discharge may occur at or near the solution position.
  • the high conductive liquid supplying step S3 and the low conductive liquid supplying step S4 are performed to remove the substrate W.
  • the control device 3 controls the spin motor 12 to rotate the spin base 14 to a predetermined rotation speed (for example, less than about 500 rpm, for example, about 200 rpm). It is raised and maintained at the charge removal rotational speed (S2 in FIG. 4: start of substrate W rotation).
  • a predetermined rotation speed for example, less than about 500 rpm, for example, about 200 rpm. It is raised and maintained at the charge removal rotational speed (S2 in FIG. 4: start of substrate W rotation).
  • control device 3 controls the opposing member lifting unit 27 to lower the opposing plate 17 from the retracted position, and arranges the opposing plate 17 in the close position as shown in FIG. 5A.
  • the controller 3 controls the CO 2 water as a highly conductive liquid (a liquid having a conductivity lower than that of the chemical solution (for example, SC1 and SC2)) as shown in FIG. 5A. Is carried out not on the front surface Wa of the substrate W but on the back surface Wb of the substrate W (S3 in FIG. 4). Since the CO 2 water contains ions, it has a somewhat high conductivity.
  • the electrical resistivity (the lower the resistivity, the higher the conductivity) of the CO 2 water supplied to the substrate W in the high conductivity liquid supplying step S3 is, for example, in the range of 10 ⁇ 6 M ⁇ ⁇ cm to 20 M ⁇ ⁇ cm More specifically, about 20 M ⁇ ⁇ cm to about 30 M ⁇ ⁇ cm.
  • the control device 3 opens the CO 2 lower water valve 65.
  • CO 2 water is discharged from the discharge port 50 a of the lower surface nozzle 50 toward the central portion of the back surface Wb (that is, the lower surface) of the substrate W in a rotating state.
  • the CO 2 water deposited on the back surface Wb of the substrate W is moved to the peripheral portion of the substrate W by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W.
  • a liquid film of CO 2 water covering the entire area of the back surface Wb of the substrate W is formed.
  • the liquid deposition on the front surface Wa of the substrate W causes There is a possibility that electrostatic discharge may occur on the surface Wa of the substrate W.
  • CO is formed on the back surface Wb of the substrate W while arranging the facing member 6 at the close position, that is, while protecting the front surface Wa of the substrate W by the substrate facing surface 17a of the facing member 6. 2 Supply water. Therefore, the wraparound of the CO 2 water from the back surface Wb of the substrate W to the front surface Wa of the substrate W can be favorably suppressed or prevented.
  • inert gas piping may be further connected to the upper surface nozzle 30 of the opposing member 6, and inert gas valve (illustration omitted) may be interposed to inert gas piping.
  • an inert gas for example, N 2 gas, helium gas, argon gas, or a mixture thereof
  • the inert gas valve is controlled by the controller 3.
  • the control device 3 opens the inert gas valve in a state where the opposing member 6 is disposed at the close position, thereby the inert gas being inert to the upper surface nozzle 30 via the inert gas piping. Is supplied, and the inert gas is discharged downward toward the central portion of the surface Wa of the substrate W from the discharge port 30a. As a result, a flow of inert gas flowing from the central portion of the substrate W toward the peripheral portion is formed along the upper surface of the substrate W. Therefore, the wraparound of the CO 2 water from the back surface Wb of the substrate W to the front surface Wa of the substrate W can be further suppressed or prevented.
  • the control device 3 After completion of the high conductivity liquid supply step S3, the control device 3 opens the lower suction valve 64. Thus, the CO 2 water is sucked and removed from the inside of the lower common pipe 55 and the inner space of the lower connection portion 56. After removing the CO 2 water, the controller 3 closes the lower suction valve 64.
  • control device 3 controls the opposing member lifting unit 27 to raise the opposing plate 17 from the close position and arrange the same in the upper position as shown in FIG. 5B.
  • the control device 3 applies low conductivity liquids (chemical solutions (for example, SC1, SC2) and high conductivity liquids (for example, CO 2 water) to the front surface Wa of the substrate W and the rear surface Wb of the substrate W.
  • a low conductivity liquid supply step (S4 in FIG. 4) is performed to supply DIW as a liquid having a lower conductivity).
  • the conductivity of DIW is quite low because it contains few ions.
  • the electrical resistivity of DIW supplied to the substrate W in the low conductive liquid supplying step S4 is, for example, in the range of 10 M ⁇ ⁇ cm to 20 M ⁇ ⁇ cm, more specifically about 18 M ⁇ ⁇ cm.
  • the controller 3 opens the DIW upper valve 42.
  • DIW is discharged from the discharge port 30 a of the upper surface nozzle 30 toward the central portion of the surface Wa (that is, the upper surface) of the substrate W in a rotating state.
  • the DIW that has been deposited on the surface Wa of the substrate W moves to the peripheral portion of the substrate W due to the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W.
  • the control device 3 opens the DIW lower valve 62.
  • DIW is discharged from the discharge port 50 a of the lower surface nozzle 50 toward the central portion of the back surface Wb (that is, the lower surface) of the substrate W in a rotating state.
  • a liquid film of DIW is formed to cover the entire area of the back surface Wb of the substrate W.
  • the supply of CO 2 water to the back surface Wb of the substrate W effectively removes the charge drawn to the outer surface of the pattern 100 by the supply of DIW to the surface Wa of the substrate W, as shown in FIG. 6C. .
  • the conductive liquid (DIW) is supplied to the surface Wa of the substrate W after the amount of charge is reduced from the substrate W, the occurrence of electrostatic discharge can be effectively suppressed or prevented.
  • the conductive liquid is DIW having a relatively low conductivity, the occurrence of electrostatic discharge can be more effectively suppressed or prevented.
  • DIW is supplied to the rear surface Wb of the substrate W. Thereby, the charge accumulated in the substrate W can be more effectively removed.
  • the controller closes DIW upper valve 42 and DIW lower valve 62 to discharge DIW from upper surface nozzle 30 and lower surface nozzle Stop the DIW discharge from 50.
  • a predetermined second charge removal period for example, about 60 seconds
  • the control device 3 After completion of the low conductive liquid supply step S4, the control device 3 opens the upper suction valve 44. Thus, DIW is removed by suction from the inside of the upper common pipe 35 and the internal space of the upper connection portion 36. After removing the DIW, the controller 3 closes the upper suction valve 44.
  • control device 3 controls the spin motor 12 to increase the rotational speed of the spin base 14 to a predetermined liquid processing rotational speed (for example, about 500 rpm) and maintain the liquid processing rotational speed.
  • the control device 3 supplies a chemical solution to the surface Wa of the substrate W, and executes a chemical solution supplying step (S5 in FIG. 4) of processing (cleaning) the surface Wa of the substrate W.
  • the control device 3 supplies the chemical solution not only to the front surface Wa of the substrate W but also to the back surface Wb of the substrate W to process (clean) the back surface Wb of the substrate W Yes (simultaneous double-sided processing).
  • SC1 or SC2 is first supplied to the surface Wa of the substrate W.
  • SC1 and SC2 have high conductivity because they contain a large amount of ions.
  • the electrical resistivity of SC1 supplied to the substrate W is, for example, on the order of 10 ⁇ 3 M ⁇ ⁇ cm.
  • the electrical resistivity of SC2 supplied to the substrate W is, for example, about 10 ⁇ 5 M ⁇ ⁇ cm.
  • SC1 and SC2 are liquids having higher conductivity than CO 2 water. Therefore, when SC1 or SC2 is supplied to the surface Wa of the substrate W in a state where the surface Wa of the substrate W is not sufficiently neutralized (a large amount of electric charge is accumulated on the surface Wa of the substrate W), SC1 Alternatively, when the liquid SC is applied to the surface Wa of the substrate W, the surface Wa of the substrate W and the SC1 or SC2 contact each other to cause a rapid charge change on the surface Wa of the substrate W. There is a risk that electrostatic discharge may occur at or near the liquid deposition position.
  • the control device 3 supplies DIW as a rinse liquid to the surface Wa of the substrate W to rinse the chemical solution adhering to the surface Wa of the substrate W (S6 in FIG. To do).
  • DIW as a rinse liquid is supplied not to the front surface Wa of the substrate W but to the back surface Wb of the substrate W to process (clean) the back surface Wb of the substrate W (Simultaneous double sided processing).
  • the DIW is supplied to the front surface Wa and the rear surface Wb of the substrate W by opening the DIW upper valve 42 and the DIW lower valve 62 by the control device 3. Then, when a predetermined time period has elapsed after the DIW upper valve 42 and the DIW lower valve 62 are opened, the control device 3 closes the DIW upper valve 42 and the DIW lower valve 62. Thus, the supply of DIW to the front surface Wa and the rear surface Wb of the substrate W is stopped, and the rinse step S6 is completed. Although DIW was used as the rinse liquid, CO 2 water may be used as the rinse liquid.
  • control device 3 controls the opposing member lifting unit 27 to raise the opposing plate 17 to the retracted position.
  • the control device 3 executes a drying process (S7 in FIG. 4). Specifically, the control device 3 increases the rotational speed of the substrate W to a predetermined swing-off speed (for example, several thousand rpm) larger than the liquid processing rotational speed, and rotates the substrate W at the swing-off speed. As a result, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. Thus, the liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried.
  • a predetermined swing-off speed for example, several thousand rpm
  • the control device 3 controls the spin motor 12 to stop the rotation of the spin chuck 5 (that is, the rotation of the substrate W) (S8 in FIG. 4). Thereafter, the substrate transfer robot CR enters the internal space of the processing chamber 4 and carries out the processed substrate W out of the processing chamber 4 (S9 in FIG. 4).
  • the substrate W is transferred from the substrate transfer robot CR to the indexer robot IR, and is stored in the substrate container C by the indexer robot IR.
  • the chemical solution supply process S5 is a process of cleaning the front surface Wa and the back surface Wb of the substrate W using a chemical solution.
  • Examples of the chemical solution supply process S5 include a first chemical solution supply process S51, a second chemical solution supply process S52, and a third chemical solution supply process S53.
  • the first chemical solution supplying step S51 is a SC1 supplying step of supplying SC1 to the front surface Wa and the back surface Wb of the substrate W, and after the SC1 supplying step, DIW (a rinse liquid) on the front surface Wa and the back surface Wb of the substrate W Or an intermediate rinse step of supplying CO 2 water), an SC2 supply step of supplying SC2 to the front surface Wa and the rear surface Wb of the substrate W after the intermediate rinse step, and a front surface Wa of the substrate W after the SC2 supply step.
  • DIW a rinse liquid
  • DIW or CO 2 water
  • DHF diluted hydrofluoric acid
  • the second chemical solution supply step S52 is a SC2 supply step of supplying SC2 to the front surface Wa and the rear surface Wb of the substrate W, and after this SC2 supply step, DIW as a rinse liquid on the front surface Wa and the rear surface Wb of the substrate W Or an intermediate rinse step of supplying CO 2 water), and an SC1 supply step of supplying SC1 to the front surface Wa and the rear surface Wb of the substrate W after the intermediate rinse step.
  • the third chemical solution supply step S53 includes an SC1 supply step of supplying SC1 to the front surface Wa and the rear surface Wb of the substrate W.
  • the processing liquid (chemical solution or rinse liquid (in this embodiment, DIW, CO 2 water, SC 2)) from the upper surface nozzle 30 or the lower surface nozzle 50 using the upper mixing valve unit UMV or the lower mixing valve unit DMV
  • the corresponding upper suction valve 44 or lower suction valve 64 is opened, and the inside of the upper common piping 35 or lower common piping 55, And DIW or CO 2 water is removed by suction from the inner space of the upper connection 36 or the lower connection 56.
  • CO 2 water is supplied not to the front surface Wa of the substrate W but to the back surface Wb of the substrate W.
  • the substrate W is charged, charges are accumulated on the front surface Wa of the substrate W. Therefore, even if CO 2 water is supplied to the rear surface Wb of the substrate W, electrostatic discharge occurs on the rear surface Wb of the substrate W.
  • the conductivity of the CO 2 water is relatively high, the amount of charges accumulated in the substrate W can be effectively reduced by supplying the CO 2 water to the back surface Wb of the substrate W.
  • the charge that has entered the inside of the pattern 100 on the front surface Wa of the substrate W can be extracted to the outer surface of the pattern 100.
  • DIW is supplied to the surface Wa of the substrate W.
  • the charges drawn to the outer surface of the pattern 100 can be effectively removed by DIW.
  • the conductive liquid (DIW) is supplied to the surface Wa of the substrate W after the amount of charge is reduced from the substrate W, the occurrence of electrostatic discharge can be effectively suppressed or prevented.
  • the conductive liquid is DIW having a relatively low conductivity, the occurrence of electrostatic discharge can be more effectively suppressed or prevented.
  • the chemical solution supplying step S5 is performed on at least the surface Wa of the substrate W after the electric charges have been sufficiently removed by DIW and CO 2 water. Therefore, in the chemical solution supplying step S5, the generation of electrostatic discharge accompanying the supply of SC1 and SC2 to the surface Wa of the substrate W can be suppressed or prevented.
  • the sample is subjected to the substrate processing method (cleaning process) according to the example and the comparative example described below.
  • the first substrate processing example (cleaning processing) shown in FIG. 4 described above was performed on the sample held by the spin chuck 5 and in the rotating state using the processing unit 2.
  • Comparative Examples 1 to 9 A substrate W (semiconductor wafer with an outer diameter of 300 (mm)) on which a pattern 100 (see FIG. 3B) is disposed on the surface Wa. It was kept at 5 (see FIG. 2). The sample held in the spin chuck 5 and in the rotating state was subjected to a cleaning process using the processing unit 2. Comparative Examples 1 to 9 are different from the above-described embodiment shown in FIG. 4 in the contents of the charge removal step (the high conductive liquid supply step S3 and the low conductive liquid supply step S4 in FIG. 4).
  • Comparative Example 1 The step corresponding to the high conductive liquid supply step S3 and the step corresponding to the low conductive liquid supply step S4 are not performed. That is, the chemical solution supply step S5 is performed first.
  • Comparative Example 2 A step of supplying CO 2 water to the front surface Wa of the substrate W instead of the rear surface Wb of the substrate W is performed instead of the high conductivity liquid supply step S3. The process corresponding to the low conductive liquid supply process S4 is not performed. That is, after the supply of the CO 2 water to the surface Wa of the substrate W, the chemical solution supply step S5 is performed.
  • Comparative Example 3 A highly conductive liquid supply step S3 was performed. The process corresponding to the low conductive liquid supply process S4 is not performed. That is, the post-chemical solution supplying step S5 of the high conductive liquid supplying step S3 is performed.
  • Comparative Example 4 Instead of the highly conductive liquid supplying step S3, a step of supplying CO 2 water not only to the back surface Wb of the substrate W but also to the surface Wa of the substrate W is executed. The process corresponding to the low conductive liquid supply process S4 is not performed. That is, after the supply of the CO 2 water to the surface Wa of the substrate W, the chemical solution supply step S5 is performed.
  • Comparative example 5 The step corresponding to the high conductivity liquid supply step S3 is not performed. A step corresponding to the low conductive liquid supply step S4 is performed first. In this process, the process of supplying DIW to the front surface Wa of the substrate W instead of the rear surface Wb of the substrate W is performed.
  • Comparative Example 6 The step corresponding to the high conductivity liquid supply step S3 is not performed. A step corresponding to the low conductive liquid supply step S4 is performed first. In this process, the process of supplying DIW to the back surface Wb of the substrate W instead of the front surface Wa of the substrate W is performed.
  • Comparative Example 7 The step corresponding to the high conductivity liquid supply step S3 is not performed.
  • the low conductivity liquid supply step S4 is performed first.
  • Comparative Example 8 A step of supplying CO 2 water not only to the back surface Wb of the substrate W but also to the surface Wa of the substrate W is executed instead of the highly conductive liquid supply step S3. After this step, a low conductive liquid supply step S4 is performed.
  • Comparative Example 9 A step of supplying CO 2 water not to the back surface Wb of the substrate W but to the surface Wa of the substrate W is performed in place of the highly conductive liquid supply step S3. After this step, a low conductive liquid supply step S4 is performed.
  • Comparative Example 1 Comparative Example 3 and Comparative Example 6, the chemical solution having high conductivity is first supplied to the surface Wa of the substrate W. Before the start of the supply of the chemical solution, the surface Wa of the substrate W is not sufficiently destaticized. Therefore, it is considered that the electrostatic discharge occurred with the supply of the chemical solution to the surface Wa of the substrate W.
  • FIG. 9 is a flowchart for explaining a second example of substrate processing performed by the processing unit 2.
  • the second substrate processing example shown in FIG. 9 is different from the first substrate processing example shown in FIG. 4 etc. in that the low conductivity liquid supply process is replaced with the low conductivity liquid supply process S4 to have low conductivity.
  • the point is that the liquid supply process S11 is adopted.
  • DIW is supplied not to both the front surface Wa and the rear surface Wb of the substrate W, but only to the front surface Wa of the substrate W.
  • high conductivity is provided to the back surface Wb of the substrate W while DIW as the low conductivity liquid is supplied to the front surface Wa of the substrate W in the low conductivity liquid supply step S4. It is also possible to supply CO 2 water as a liquid.
  • FIG. 10 is a flowchart for explaining a third example of substrate processing performed by the processing unit 2.
  • the third substrate processing example shown in FIG. 10 is different from the first substrate processing example shown in FIG. 4 etc. in that the substrate W is neutralized after the low conductive liquid supplying step S4 and prior to the chemical solution supplying step S5.
  • the substrate W is neutralized after the low conductive liquid supplying step S4 and prior to the chemical solution supplying step S5.
  • at least the surface Wa of the substrate W both the surface Wa and the back surface Wb (or only the surface Wa)
  • CO as a highly conductive liquid (a liquid having a conductivity lower than that of the chemical solution (for example SC1 or SC2))
  • the second highly conductive liquid supply step S21 for supplying water is performed.
  • the upper mixing valve unit UMV is a CO 2 water pipe 40 connected to the upper connecting portion 36, further include a CO 2 water valve 45 for opening and closing the CO 2 water pipe 40 It is also good.
  • CO 2 water valve 45 is opened in the closed state of the other valves included in the upper liquid supply unit, CO 2 water is supplied to the upper surface nozzle 30, thereby, from the discharge port 30a CO 2 water downward It is discharged.
  • the substrate W after DIW is supplied to the substrate W, CO 2 water is supplied to at least the surface Wa of the substrate W until the chemical solution is supplied to the substrate W. That is, DIW ⁇ CO 2 water is supplied to the front surface Wa of the substrate W in order. Since the DIW ⁇ CO 2 water ⁇ chemical solution and the conductive liquid are supplied to the substrate in order from the one with the lowest conductivity, the substrate W can be prevented while preventing the electrostatic discharge caused by DIW or CO 2 water. Therefore, the generation of electrostatic discharge at the time of chemical solution supply can be effectively suppressed.
  • both surfaces (front surface Wa and back surface Wb) of the substrate W are treated using a chemical solution as an example, one surface of the substrate W (surface Wa or surface)
  • the back surface Wb) may be treated with a chemical solution.
  • the chemical liquid is first supplied to the surface Wa of the substrate W in the chemical liquid supplying step S5, it is exemplified SC1 and SC2, including other chemical (ozone water or SPM (H 2 SO 4 and the H 2 O 2 Mixed solution), HF etc. may be sufficient.
  • SC1 and SC2 including other chemical (ozone water or SPM (H 2 SO 4 and the H 2 O 2 Mixed solution), HF etc. may be sufficient.
  • a combination of highly conductive liquid with low conductivity liquid it has been illustrated a combination of CO 2 water and DIW, a combination of the other, and aqueous NH 3 and DIW, NH 4 OH aqueous solution (1: 100) And combinations of H 2 SO 4 aqueous solution and DIW, combinations of HCl aqueous solution (1: 50, dilute hydrochloric acid) and DIW, combinations of HF aqueous solution (1: 500. dilute hydrofluoric acid) and DIW, etc. It can be illustrated.
  • the cleaning process for cleaning the substrate W has been exemplified as the first to third substrate processing examples, the present invention can also be applied to an etching process for etching the substrate W using an etching solution.
  • the substrate processing apparatus 1 processes the surface of the substrate W made of a semiconductor wafer
  • the substrate processing apparatus is a liquid crystal display substrate, organic EL (electroluminescence).
  • An apparatus for processing substrates such as substrates for flat panel displays (FPDs) such as display devices, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, ceramic substrates, substrates for solar cells, etc. It is also good.
  • FPDs flat panel displays
  • the effect of the present invention is particularly remarkable when the surface of the substrate W exhibits hydrophobicity.
  • Substrate processing apparatus 3 Controller 4: Processing chamber 5: Spin chuck (substrate holding unit) 30: Top nozzle (low conductivity liquid supply unit) 37: DIW upper piping (low conductivity liquid supply unit) 42: DIW upper valve (low conductivity liquid supply unit) 50: Bottom nozzle (highly conductive liquid supply unit)

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Abstract

基板処理方法は、パターンが形成された基板の表面に薬液を供給して基板を処理する方法であって、基板を保持する基板保持工程と、前記薬液を基板の少なくとも前記表面に供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の前記表面に、前記薬液よりも低い導電性を有する低導電性液体を供給する低導電性液体供給工程と、前記低導電性液体供給工程に先立って、基板を除電すべく、前記薬液よりも低くかつ前記低導電性液体よりも高い導電性を有する高導電性液体を、基板の前記表面ではなく、基板において前記表面とは反対側の裏面に供給する高導電性液体供給工程とを含む。

Description

基板処理方法および基板処理装置
　この発明は、基板の表面を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
　半導体装置の製造工程では、たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、処理チャンバーと、処理チャンバー内において、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の表面（パターン（デバイス）が形成される面）に向けて薬液を吐出するためのノズルとを備えている。
　このような基板処理装置を用いた基板処理では、たとえば、回転状態の基板の表面のたとえば中央部に向けて、ノズルから薬液が吐出される。基板の表面の中央部に供給された薬液は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れ、基板の表面の全域に行き渡る。これにより、基板の表面の全域に薬液による処理が施される。
　処理チャンバーに搬入されてきた基板には、その前工程（イオン注入、ドライエッチング）によって、基板の表面に電荷が蓄積している（すなわち帯電している）ことがある。処理チャンバーに搬入されてきた基板の表面に電荷が蓄積していると、ノズルからの薬液の、基板の表面への着液時に、基板の表面と薬液とが接触して基板の表面において急激な電荷の変化が生じ、薬液の着液位置またはその近傍で静電気放電（アーキング）が発生するおそれがある。その結果、パターン（デバイス）が破壊したり、パターンに穴が穿いたりする等、基板の表面に局所的な欠陥が発生することがある。
　そこで、下記特許文献１では、薬液供給開始時における基板の表面における静電気放電の発生を防止すべく、薬液供給の開始前に、薬液よりも導電率の低い除電液（たとえば炭酸水）を基板の表面に供給することが知られている。
米国特許出願公開第２００９／２１１６１０号明細書
　しかしながら、処理チャンバーに搬入されてくる基板の帯電量が多い場合がある。炭酸水を用いた除電は電荷移動が速いため、炭酸水の基板への着液の際に、基板の表面と炭酸水との接触に伴って静電気放電が発生することがある。
　また、基板の帯電量を徐々に低下させるべく、炭酸水よりも導電率の低い除電液（たとえばＤＩＷ（脱イオン水））を基板の表面に供給し、その供給後に、基板の表面に炭酸水を供給することも考えられる。しかしながら、基板の帯電量が多い場合には、基板の表面へのＤＩＷの供給によっても静電気放電が発生するおそれもある。
　すなわち、基板への薬液の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止すると共に、基板への除電液（炭酸水やＤＩＷ）の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止する必要がある。換言すると、基板への液体の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止する必要がある。
　そこで、本発明の目的は、基板の表面への液体の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、これにより、基板の表面における局所的な欠陥の発生を抑制または防止できる、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
　この発明は、パターンが形成された基板の表面に薬液を供給して基板を処理する方法であって、基板を保持する基板保持工程と、前記薬液を基板の少なくとも前記表面に供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の前記表面に、前記薬液よりも低い導電性を有する低導電性液体を供給する低導電性液体供給工程と、前記低導電性液体供給工程に先立って、基板を除電すべく、前記薬液よりも低くかつ前記低導電性液体よりも高い導電性を有する高導電性液体を、基板の前記表面ではなく、基板において前記表面とは反対側の裏面に供給する高導電性液体供給工程とを含む、基板処理方法を提供する。
　この方法によれば、基板への薬液の供給に先立って、まず、基板の表面ではなく基板の裏面に高導電性液体が供給される。基板が帯電している場合、基板の表面（デバイスが形成されたデバイス面）に電荷が蓄積しているので、高導電性液体を基板の裏面に供給しても、基板の裏面で静電気放電が発生することはほとんどない。また、高導電性液体の導電率が比較的高いので、基板の裏面への低導電性液体の供給により、基板に蓄積している電荷の量を効果的に減少させることができる。
　また、高導電性液体の基板の裏面への供給により、基板の表面のパターンの内部に入り込んだ電荷を、パターンの外表面に引き出すことができる。
　次いで、基板の表面に低導電性液体が供給される。これにより、パターンの外表面に逃がされた電荷を、低導電性液体によって効果的に除去できる。基板から電荷の量が減少された後に基板の表面に導電性液体が供給されるので、静電気放電の発生を効果的に抑制または防止できる。しかも、その導電性液体が、比較的導電率の低い低導電性液体であるので、静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
　そして、低導電性液体および高導電性液体によって十分に電荷が除去された後の基板の少なくとも表面に、薬液が供給される。これにより、薬液処理が実行される。したがって、基板の表面への薬液の供給に伴う静電気放電の発生を、抑制または防止できる。
　これにより、基板の表面への液体（低導電性液体、高導電性液体、薬液）の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、ゆえに、基板の表面における局所的な欠陥の発生を抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記低導電性液体供給工程に並行して、基板の前記裏面に、基板を除電すべく、前記低導電性液体または前記高導電性液体を供給する工程をさらに含む。
　この方法によれば、基板の表面への低導電性液体の供給に並行して、基板の裏面に、低導電性液体または高導電性液体が供給される。これにより、基板に蓄積している電荷を、より一層効果的に除去できる。ゆえに、薬液の供給時における静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
　この発明の他の実施形態では、前記高導電性液体供給工程に並行して、基板の前記表面に液体を供給しない。
　基板の裏面への高導電性液体の供給に並行して基板の表面に液体を供給すると、基板の表面の液体の着液により、基板の表面に静電気放電が発生するおそれがある。
　これに対し、この方法によれば、基板の裏面への高導電性液体の供給に並行して基板の表面に液体を供給しない。これにより、基板の表面における静電気放電の発生を、より効果的に抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記高導電性液体供給工程に並行して、基板の前記表面の全域に対向する基板対向面を有する対向部材を、前記基板対向面が基板の前記表面に近接するような近接位置に配置する近接位置配置工程をさらに含む。
　この方法によれば、対向部材の基板対向面を基板の表面に近接させながら、すなわち、対向部材の基板対向面によって基板の表面を保護しながら、基板の裏面に高導電性液体を供給する。そのため、基板の裏面から基板の表面側への高導電性液体の回り込みや、基板の表面側への高導電性液体の回り込みを良好に抑制または防止できる。
　この発明のさらに他の実施形態では、前記基板処理方法が、前記低導電性液体供給工程の後、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の少なくとも前記表面に、前記高導電性液体を供給する第２の高導電性液体供給工程をさらに含む。
　この方法によれば、低導電性液体が基板に供給された後、基板に薬液が供給されるまでの間に、基板の少なくとも表面に高導電性液体が供給される。つまり、基板の表面に、低導電性液体→高導電性液体の順に供給する。低導電性液体→高導電性液体→薬液と、導電性の液体が、導電性の低いものから順に段階的に供給されるため、低導電性液体や高導電性液体に起因する静電気放電の発生を防止しながら基板を良好に除電することができ、また、薬液供給時における静電気放電の発生を効果的に抑制することができる。
　この発明の一実施形態では、前記基板保持工程が、導電性材料を用いて形成された導電部を基板の周縁部に接触させることにより基板を保持する工程を含む。
　この方法によれば、低導電性液体または高導電性液体を介して、基板を良好に除電できる。
　また、前記低導電性液体が脱イオン水を含んでいてもよい。前記高導電性液体がイオンを含有する液体を含んでいてもよい。
　この発明は、表面にパターンが形成された基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の前記表面に、導電性を有する薬液を供給するための薬液供給ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板の前記表面に、前記薬液よりも低い導電性を有する低導電性液体を供給するための低導電性液体供給ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている基板において前記表面とは反対側の裏面に、前記薬液よりも低くかつ前記低導電性液体よりも高い導電性を有する高導電性液体を供給するための高導電性液体供給ユニットと、前記薬液供給ユニット、前記低導電性液体供給ユニットおよび前記高導電性液体供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記薬液を基板の少なくとも前記表面に供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の前記表面に、前記低導電性液体を供給する低導電性液体供給工程と、前記低導電性液体供給工程に先立って、前記高導電性液体を、基板の前記表面ではなく、基板において前記表面とは反対側の裏面に供給する高導電性液体供給工程とを実行する、基板処理装置を提供する。
　この構成によれば、基板への薬液の供給に先立って、まず、基板の表面ではなく基板の裏面に高導電性液体が供給される。基板が帯電している場合、基板の表面（デバイスが形成されたデバイス面）に電荷が蓄積しているので、高導電性液体を基板の裏面に供給しても、基板の裏面で静電気放電が発生することはほとんどない。また、高導電性液体の導電率が比較的高いので、基板の裏面への低導電性液体の供給により、基板に蓄積している電荷の量を効果的に減少させることができる。
　また、高導電性液体の基板の裏面への供給により、基板の表面のパターンの内部に入り込んだ電荷を、パターンの外表面に引き出すことができる。
　次いで、基板の表面に低導電性液体が供給される。これにより、パターンの外表面に逃がされた電荷を、低導電性液体によって効果的に除去できる。基板から電荷の量が減少された後に基板の表面に導電性液体が供給されるので、静電気放電の発生を効果的に抑制または防止できる。しかも、その導電性液体が、比較的導電率の低い低導電性液体であるので、静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
　そして、低導電性液体および高導電性液体によって十分に電荷が除去された後の基板の少なくとも表面に、薬液が供給される。これにより、薬液処理が実行される。したがって、基板の表面への薬液の供給に伴う静電気放電の発生を、抑制または防止できる。
　これにより、基板の表面への液体（低導電性液体、高導電性液体、薬液）の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、ゆえに、基板の表面における局所的な欠陥の発生を抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットによってされている基板の前記表面の全域に対向する基板対向面を有し、前記基板対向面が基板の前記表面に近接するような近接位置に配置される対向部材をさらに含む。
　この構成によれば、対向部材の基板対向面を基板の表面に近接させながら、すなわち、対向部材の基板対向面によって基板の表面を保護しながら、基板の裏面に高導電性液体を供給ことが可能である。この場合、基板の裏面から基板の表面側への高導電性液体の回り込みや、基板の表面側への高導電性液体の回り込みを良好に抑制または防止できる。
　この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットが、基板の周縁部を接触支持する保持ピンであって、導電性材料を用いて形成された導電ピンを有する。
　この構成によれば、低導電性液体または高導電性液体を介して、基板を良好に除電できる。
　本発明における前述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図３は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図および前記基板処理装置による処理対象の基板の表面を拡大して示す断面図である。 図４は、前記処理ユニットによる第１の基板処理例を説明するための流れ図である。 図５Ａ～５Ｃは、前記第１の基板処理例の各工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。 図６Ａ～６Ｃは、前記第１の基板処理例の各工程における、基板の帯電状態の変化を説明するための図である。 図７Ａ～７Ｃは、第１の基板処理例に含まれる薬液供給工程の内容を説明するための図である。 図８は、除電試験の試験結果を示す図である。 図９は、前記処理ユニットにより実行される第２の基板処理例を説明するための流れ図である。 図１０は、前記処理ユニットにより実行される第３の基板処理例を説明するための流れ図である。
　図１は、この発明の一実施の形態に係る基板処理装置１を上から見た模式図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施の形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理液およびリンス液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器が載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。インデクサロボットＩＲは、基板収容器と基板搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。
　図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
　処理ユニット２は、箱形の処理チャンバー４と、処理チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（基板Ｗの表面（パターン形成面）Ｗａ（図５Ａ等を参照））に液体（処理液（薬液およびリンス液）および除電液）を供給するための上側液体供給ユニットと、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面（基板Ｗの裏面Ｗｂ（図５Ａ等を参照））に液体（処理液（薬液およびリンス液）および除電液）を供給するための下側液体供給ユニットと、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に対向し、基板Ｗの上方の空間をその周囲の雰囲気から遮断する対向部材６と、スピンチャック５の側方を取り囲む筒状の処理カップ（図示しない）とを含む。
　処理チャンバー４は、スピンチャック５等を収容する箱型の隔壁７を含む。
　スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ（回転ユニット）１２と、このスピンモータ１２の駆動軸と一体化された下スピン軸１３と、下スピン軸１３の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１４とを含む。下スピン軸１３は、導電性材料を用いて形成されている。下スピン軸１３はアース接続されている。
　スピンベース１４は、基板Ｗの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面１４ａを含む。スピンベース１４は、導電性材料を用いて形成されている。上面１４ａには、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持ピン１５が配置されている。複数個の挟持ピン１５は、スピンベース１４の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けてたとえば等間隔に配置されている。挟持ピン１５は、導電性材料を用いて形成されたいわゆる導電ピンである。
　前述のように、下スピン軸１３、スピンベース１４および挟持ピン１５が、それぞれ導電性材料（たとえば、カーボンを含む導電性材料、金属材料）を用いて形成されており、かつ、下スピン軸１３がアース接続されている。そのため、導電性を有する液体（後述する低導電性液体、高導電性液体および薬液）がスピンチャック５に保持されている基板Ｗの表面または裏面に供給されると、当該液体を介して基板Ｗが除電される。
　対向部材６は、対向板１７と、対向板１７の中央部を上下方向に貫通する上面ノズル３０とを含む。対向板１７は、その下面に基板Ｗの上面全域に対向する、水平に配置された円形の基板対向面１７ａを有している。
　この実施の形態では、上面ノズル３０は、中心軸ノズルとして機能する。上面ノズル３０は、スピンチャック５の上方に配置されている。上面ノズル３０は、支持アーム２２によって支持されている。上面ノズル３０は、支持アーム２２に対して回転不能である。上面ノズル３０は、対向板１７および支持アーム２２と共に昇降する。上面ノズル３０は、その下端部に、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面中央部に対向する吐出口３０ａを形成している。
　支持アーム２２には、電動モータ、ボールねじ等を含む構成の対向部材昇降ユニット２７が結合されている。対向部材昇降ユニット２７は、対向部材６（対向板１７および上スピン軸１８）および上面ノズル３０を、支持アーム２２と共に鉛直方向に昇降する。
　対向部材昇降ユニット２７は、対向板１７を、基板対向面１７ａがスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に近接する近接位置（図２に二点鎖線で示す位置。図５Ａも併せて参照）と、近接位置よりも大きく上方に退避した退避位置（図２に実線で示す位置）の間で昇降させる。対向部材昇降ユニット２７は、近接位置（図５Ａに示す位置）、上位置（図５Ｂおよび図５Ｃに示す位置）、および退避位置で対向板１７を保持可能である。近接位置は、基板対向面１７ａが基板Ｗの上面との間に微小間隔（たとえば約０．３ｍｍ）を隔てて配置されるような位置である。上位置は、基板対向面１７ａと基板Ｗの上面との間隔が近接位置よりも大きく、かつ退避位置よりも小さい位置である。
　上側液体供給ユニットは、上面ノズル３０と、上面ノズル３０にそれぞれ処理液を供給する第１の上供給ユニット３１、第２の上供給ユニット３２および第３の上供給ユニット３３とを含む。
　第１の上供給ユニット３１は、上面ノズル３０に一端が接続された上共通配管３５と、上共通配管３５の他端に接続された上ミキシングバルブユニットＵＭＶとを含む。上ミキシングバルブユニットＵＭＶは、上共通配管３５に送液する上接続部３６と、複数のバルブとを含む。上接続部３６の内部には、液体が流通するための流通空間が形成されている。上ミキシングバルブユニットＵＭＶは、上接続部３６にそれぞれ接続された、ＤＩＷ上配管３７、ＳＣ２上配管３８および上吸引配管３９をさらに含む。上ミキシングバルブユニットＵＭＶに含まれる複数のバルブは、ＤＩＷ上配管３７を開閉するＤＩＷ上バルブ４２と、ＳＣ２上配管３８を開閉するＳＣ２上バルブ４３と、上吸引配管３９を開閉する上吸引バルブ４４とを含む。
　ＤＩＷ上配管３７には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷ（脱イオン水）が供給されるようになっている。上側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＤＩＷ上バルブが開かれることにより、上面ノズル３０にＤＩＷが供給され、これにより、吐出口３０ａからＤＩＷが下向きに吐出される。
　ＳＣ２上配管３８には、ＳＣ２供給源からのＳＣ２（ＨＣｌとＨ２Ｏ２とを含む混合液）が供給されるようになっている。上側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＳＣ２上バルブ４３が開かれることにより、上面ノズル３０にＳＣ２が供給され、これにより、吐出口３０ａからＳＣ２が下向きに吐出される。
　上吸引配管３９の下流端には、吸引装置（図示しない）が接続されている。吸引装置は、たとえばエジェクタ式の吸引装置である。エジェクタ式の吸引装置は、真空発生器やアスピレータを含む。吸引装置の稼働状態において、吸引装置の内部が減圧されることにより、上吸引配管３９の内部が吸引され、その結果、吸引装置の働きが有効化される。吸引装置の働きが有効化された状態において、上側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態で上吸引バルブ４４が開かれることにより、上吸引配管３９の内部が吸引され、上接続部３６の内部空間（流通空間）の液体、および上共通配管３５の内部の液体が吸引装置によって吸引される。
　第２の上供給ユニット３２は、上面ノズル３０に接続されたＳＣ１上配管４６と、ＳＣ１上配管４６に介装されたＳＣ１上バルブ４７とを含む。ＳＣ１上配管４６には、ＳＣ１供給源からのＳＣ１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）が供給されるようになっている。上側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＳＣ１上バルブ４７が開かれることにより、上面ノズル３０にＳＣ１が供給され、これにより、吐出口３０ａからＳＣ１が下向きに吐出される。
　第３の上供給ユニット３３は、上面ノズル３０に接続されたＨＦ上配管４８と、ＨＦ上配管４８に介装されたＨＦ上バルブ４９とを含む。ＨＦ上配管４８には、ＨＦ供給源からのＨＦが供給されるようになっている。上側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＨＦ上バルブ４９が開かれることにより、上面ノズル３０にＨＦが供給され、これにより、吐出口３０ａからＨＦが下向きに吐出される。この実施の形態では、ＨＦは、たとえば、希釈された希釈フッ酸（ＤＨＦ）である。
　この実施の形態では、上面ノズル３０、ＤＩＷ上配管３７およびＤＩＷ上バルブ４２によって、低導電性液体供給ユニットが構成されている。
　下側液体供給ユニットは、下面ノズル５０と、下面ノズル５０にそれぞれ処理液を供給する第１の下供給ユニット５１、第２の下供給ユニット５２および第３の下供給ユニット５３とを含む。
　第１の下供給ユニット５１は、下面ノズル５０に一端が接続された下共通配管５５と、下共通配管５５の他端に接続された下ミキシングバルブユニットＤＭＶとを含む。下ミキシングバルブユニットＤＭＶは、下共通配管５５に送液する下接続部５６と、複数のバルブとを含む。下接続部５６の内部には、液体が流通するための流通空間が形成されている。下ミキシングバルブユニットＤＭＶは、下接続部５６にそれぞれ接続された、ＤＩＷ下配管５７、ＳＣ２下配管５８、ＣＯ２水下配管６０および下吸引配管５９をさらに含む。下側液体供給ユニットに含まれる複数のバルブは、ＤＩＷ下配管５７を開閉するＤＩＷ下バルブ６２と、ＳＣ２下配管５８を開閉するＳＣ２下バルブ６３と、ＣＯ２水下配管６０を開閉するＣＯ２水下バルブ６５と、下吸引配管５９を開閉する下吸引バルブ６４とを含む。
　ＤＩＷ下配管５７には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。下ミキシングバルブユニットＤＭＶに含まれる他のバルブを閉じた状態でＤＩＷ下バルブ６２が開かれることにより、下面ノズル５０にＤＩＷが供給され、これにより、吐出口５０ａからＤＩＷが上向きに吐出される。
　ＳＣ２下配管５８には、ＳＣ２供給源からのＳＣ２が供給されるようになっている。下側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＳＣ２下バルブ６３が開かれることにより、下面ノズル５０にＳＣ２が供給され、これにより、吐出口５０ａからＳＣ２が上向きに吐出される。
　ＣＯ２水下配管６０には、ＣＯ２水供給源からのＣＯ２水が供給されるようになっている。下側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＣＯ２水下バルブ６５が開かれることにより、下面ノズル５０にＣＯ２水が供給され、これにより、吐出口５０ａからＣＯ２水が上向きに吐出される。
　下吸引配管５９の下流端には、吸引装置（図示しない）が接続されている。吸引装置は、たとえばエジェクタ式の吸引装置である。エジェクタ式の吸引装置は、真空発生器やアスピレータを含む。吸引装置の稼働状態において、吸引装置の内部が減圧されることにより、下吸引配管５９の内部が吸引され、その結果、吸引装置の働きが有効化される。吸引装置の働きが有効化された状態において、下側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態で下吸引バルブ６４が開かれることにより、下吸引配管５９の内部が吸引され、下接続部５６の内部空間（流通空間）の液体、および下共通配管５５の内部の液体が吸引装置によって吸引される。
　第２の下供給ユニット５２は、下面ノズル５０に接続されたＳＣ１下配管６６と、ＳＣ１下配管６６に介装されたＳＣ１下バルブ６７とを含む。ＳＣ１下配管６６には、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるようになっている。下側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＳＣ１下バルブ６７が開かれることにより、下面ノズル５０にＳＣ１が供給され、これにより、吐出口５０ａからＳＣ１が上向きに吐出される。
　第３の下供給ユニット５３は、下面ノズル５０に接続されたＨＦ下配管６８と、ＨＦ下配管６８に介装されたＨＦ下バルブ６９とを含む。ＨＦ下配管６８には、ＨＦ供給源からのＨＦが供給されるようになっている。下側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＨＦ下バルブ６９が開かれることにより、下面ノズル５０にＨＦが供給され、これにより、吐出口５０ａからＨＦが上向きに吐出される。この実施の形態では、ＨＦはたとえば、希釈された希釈フッ酸（ＤＨＦ）である。
　この実施の形態では、下面ノズル５０、ＣＯ２水下配管６０およびＣＯ２水下バルブ６５によって、高導電性液体供給ユニットが構成されている。
　図３Ａは、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。　　　
　制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
　また、制御装置３には、制御対象として、スピンモータ１２、対向部材昇降ユニット２７等が接続されている。制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１２、対向部材昇降ユニット２７等の動作を制御する。
　また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、ＤＩＷ上バルブ４２、ＳＣ２上バルブ４３、上吸引バルブ４４、ＳＣ１上バルブ４７、ＨＦ上バルブ４９、ＤＩＷ下バルブ６２、ＳＣ２下バルブ６３、下吸引バルブ６４、ＣＯ２水下バルブ６５、ＳＣ１下バルブ６７、ＨＦ下バルブ６９を開閉する。
　以下では、パターン形成面（デバイス形成面）である、表面（表面）Ｗａにパターン１００が形成された基板Ｗを処理する場合について説明する。
　図３Ｂは、基板処理装置１による処理対象の基板Ｗの表面Ｗａを拡大して示す断面図である。処理対象の基板Ｗは、たとえばシリコンウエハであり、そのパターン形成面である表面Ｗａにパターン１００が形成されている。パターン１００は、たとえば微細パターンである。パターン１００は、図３Ｂに示すように、凸形状（柱状）を有する構造体１０１が行列状に配置されたものであってもよい。この場合、構造体１０１の線幅Ｗ１はたとえば３ｎｍ～４５ｎｍ程度に、パターン１００の隙間Ｗ２はたとえば１０ｎｍ～数μｍ程度に、それぞれ設けられている。パターン１００の膜厚Ｔは、たとえば、０．２μｍ～１.０μｍ程度である。また、パターン１００は、たとえば、アスペクト比（線幅Ｗ１に対する膜厚Ｔの比）が、たとえば、５～５００程度であってもよい（典型的には、５～５０程度である）。
　また、パターン１００は、微細なトレンチにより形成されたライン状のパターンが、繰り返し並ぶものであってもよい。また、パターン１００は、薄膜に、複数の微細穴（ボイド（void）またはポア（pore））を設けることにより形成されていてもよい。
　パターン１００は、たとえば絶縁膜を含む。また、パターン１００は、導体膜を含んでいてもよい。より具体的には、パターン１００は、複数の膜を積層した積層膜により形成されており、さらには、絶縁膜と導体膜とを含んでいてもよい。パターン１００は、単層膜で構成されるパターンであってもよい。絶縁膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）であってもよい。また、導体膜は、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜であってもよいし、金属膜（たとえばＴｉＮ膜）であってもよい。
　また、パターン１００は、親水性膜であってもよい。親水性膜として、ＴＥＯＳ膜（シリコン酸化膜の一種）を例示できる。
　図４は、処理ユニット２において実行される第１の基板処理例の内容を説明するための流れ図である。図５Ａ～５Ｃは、第１の基板処理例の各工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。図６Ａ～６Ｃは、第１の基板処理例の各工程における、基板Ｗの帯電状態の変化を説明するための図である。
　図１～図４を参照しながら、第１の基板処理例について説明する。図５Ａ～６Ｃについては、適宜説明する。第１の基板処理例は、基板Ｗの表面から異物（パーティクル）を除去するための洗浄処理である。後述する第２の基板処理例および第３の基板処理例も同様に、基板Ｗの表面から異物を除去するための洗浄処理である。
　未処理の基板Ｗ（たとえば直径３００ｍｍの円形基板）は、インデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲによって基板収容器Ｃから処理ユニット２に搬入され、処理チャンバー４内に搬入され、基板Ｗがその表面Ｗａ（パターン形成面。デバイス形成面。図３Ｂ等参照）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡され、スピンチャック５に基板Ｗが保持される（基板保持工程。図４のＳ１：基板Ｗ搬入）。この状態において、基板Ｗの裏面Ｗｂ（図６Ａ等参照）は下方を向いている。
　処理チャンバー４の内部空間に搬入されてきた基板には、その前工程（イオン注入、ドライエッチング）によって、基板Ｗに電荷が蓄積している（すなわち帯電している）ことがある。基板Ｗが帯電している場合、図６Ａに示すように、電荷は、主として、基板Ｗの表面Ｗａに蓄積している。より具体的には、電荷は、基板Ｗの表面Ｗａのパターン１００の内部に入り込んでいる。基板Ｗに対し、薬液（ＳＣ１やＳＣ２等の導電性の薬液）を供給すると、基板Ｗの表面Ｗａと薬液とが接触して基板Ｗの表面Ｗａにおいて急激な電荷の変化が生じ、薬液の着液位置またはその近傍で静電気放電が発生するおそれがある。その結果、パターン１００が破壊したり、パターン１００に穴が穿いたりする等、基板Ｗの表面Ｗａに局所的な欠陥が発生することがある。そのため、薬液供給工程Ｓ５に先立って、基板Ｗを除電すべく、高導電性液体供給工程Ｓ３および低導電性液体供給工程Ｓ４が実行される。
　基板搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、制御装置３は、スピンモータ１２を制御してスピンベース１４の回転速度を、所定の除電回転速度（約５００ｒｐｍ未満で、たとえば約２００ｒｐｍ）まで上昇させ、その除電回転速度に維持させる（図４のＳ２：基板Ｗ回転開始）。
　また、制御装置３は、対向部材昇降ユニット２７を制御して、対向板１７を退避位置から下降させて、図５Ａに示すように近接位置に配置する。
　基板Ｗの回転が除電回転速度に達すると、制御装置３は、図５Ａに示すように、高導電性液体（薬液（たとえばＳＣ１、ＳＣ２）よりも低い導電性を有する液体）としてのＣＯ２水を、基板Ｗの表面Ｗａではなく、基板Ｗの裏面Ｗｂに供給する高導電性液体供給工程（図４のＳ３）を実行する。ＣＯ２水はイオンを含有しているために、ある程度高い導電率を有している。高導電性液体供給工程Ｓ３において基板Ｗに供給されるＣＯ２水の電気抵抗率（電気抵抗率が低い方が導電率が高い）は、たとえば１０－６ＭΩ・ｃｍ～２０ＭΩ・ｃｍの範囲で、より具体的には約２０ＭΩ・ｃｍ～約３０ＭΩ・ｃｍである。
　具体的には、制御装置３は、ＣＯ２水下バルブ６５を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの裏面Ｗｂ（すなわち下面）の中央部に向けて、下面ノズル５０の吐出口５０ａからＣＯ２水が吐出される。基板Ｗの裏面Ｗｂに着液したＣＯ２水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域を覆うＣＯ２水の液膜が形成される。
　ＣＯ２水の導電率が比較的高いので、基板Ｗの裏面Ｗｂへの高導電性液体としてのＣＯ２水の供給により、基板Ｗのパターン１００に蓄積している電荷の量を効果的に減少させることができる。また、基板Ｗの裏面ＷｂへのＣＯ２水の供給により、図６Ｂに示すように、基板Ｗの表面Ｗａのパターン１００の内部に入り込んだ電荷を、パターン１００の外表面に引き出すことができる。すなわち、基板Ｗの裏面Ｗｂへの高導電性液体としてのＣＯ２水の供給により、基板Ｗの表面Ｗａにおける局所的な電荷配置を拡散することができる。基板Ｗの表面Ｗａ（パターン１００）に電荷が蓄積されているので、基板Ｗの裏面ＷｂにＣＯ２水を供給しても、基板Ｗの裏面Ｗｂで静電気放電が発生することはほとんどない。
　高導電性液体供給工程Ｓ３において、仮に、基板Ｗの裏面ＷｂへのＣＯ２水の供給に並行して基板Ｗの表面Ｗａに液体を供給すると、基板Ｗの表面Ｗａの液体の着液により、基板Ｗの表面Ｗａに静電気放電が発生するおそれがある。
　高導電性液体供給工程Ｓ３において、基板Ｗの裏面ＷｂへのＣＯ２水の供給に並行して基板Ｗの表面Ｗａに液体を供給しないので、基板Ｗの表面Ｗａにおける静電気放電の発生を、より効果的に抑制または防止できる。
　また、高導電性液体供給工程Ｓ３において、対向部材６を近接位置に配置しながら、すなわち、対向部材６の基板対向面１７ａによって基板Ｗの表面Ｗａを保護しながら、基板Ｗの裏面ＷｂにＣＯ２水を供給する。そのため、基板Ｗの裏面Ｗｂから基板Ｗの表面Ｗａ側へのＣＯ２水の回り込みを良好に抑制または防止できる。
　なお、対向部材６の上面ノズル３０にさらに不活性ガス配管（図示省略）を接続し、不活性ガス配管に不活性ガスバルブ（図示省略）を介装してもよい。この場合、不活性ガス配管には不活性ガス供給源から不活性ガス（たとえば、Ｎ２ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス）が供給される。不活性ガスバルブは、制御装置３により制御される。この場合、高導電性液体供給工程Ｓ３において、制御装置３は、対向部材６を近接位置に配置した状態で不活性ガスバルブを開くことにより、不活性ガス配管を介して上面ノズル３０に不活性ガスが供給され、吐出口３０ａから基板Ｗの表面Ｗａの中央部に向けて、不活性ガスが下向きに吐出される。これにより、基板Ｗの上面に沿って、基板Ｗの中央部から周縁部に向けて流れる不活性ガスの気流が形成される。ゆえに、基板Ｗの裏面Ｗｂから基板Ｗの表面Ｗａ側へのＣＯ２水の回り込みを、さらに良好に抑制または防止できる。
　ＣＯ２水の吐出開始から予め定める第１の除電期間（たとえば約６０秒間）が経過すると、制御装置３は、ＣＯ２水下バルブ６５を閉じて下面ノズル５０からのＣＯ２水の吐出を停止する。これにより、高導電性液体供給工程Ｓ３が終了する。
　高導電性液体供給工程Ｓ３の終了後、制御装置３は、下吸引バルブ６４を開く。これにより、下共通配管５５の内部および下接続部５６の内部空間からＣＯ２水が吸引除去される。ＣＯ２水の除去後、制御装置３は、下吸引バルブ６４を閉じる。
　また、制御装置３は、対向部材昇降ユニット２７を制御して、対向板１７を近接位置から上昇させて、図５Ｂに示すように上位置に配置する。
　次いで、制御装置３は、図５Ｂに示すように、基板Ｗの表面Ｗａおよび基板Ｗの裏面Ｗｂに、低導電性液体（薬液（たとえばＳＣ１、ＳＣ２）および高導電性液体（たとえばＣＯ２水）よりも低い導電性を有する液体）としてのＤＩＷを供給する低導電性液体供給工程（図４のＳ４）を実行する。ＤＩＷはイオンをほとんど含有していないために、その導電率はかなり低い。低導電性液体供給工程Ｓ４において基板Ｗに供給されるＤＩＷの電気抵抗率は、たとえば１０ＭΩ・ｃｍ～２０ＭΩ・ｃｍの範囲で、より具体的には約１８ＭΩ・ｃｍである。
　具体的には、制御装置３は、ＤＩＷ上バルブ４２を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの表面Ｗａ（すなわち上面）の中央部に向けて、上面ノズル３０の吐出口３０ａからＤＩＷが吐出される。基板Ｗの表面Ｗａに着液したＤＩＷは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの表面Ｗａの全域を覆うＤＩＷの液膜が形成される。併せて、制御装置３は、ＤＩＷ下バルブ６２を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの裏面Ｗｂ（すなわち下面）の中央部に向けて、下面ノズル５０の吐出口５０ａからＤＩＷが吐出される。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域を覆うＤＩＷの液膜が形成される。
　基板Ｗの裏面ＷｂへのＣＯ２水の供給により、図６Ｃに示すように、パターン１００の外表面に引き出された電荷が、基板Ｗの表面ＷａへのＤＩＷの供給によって効果的に除去される。また、基板Ｗから電荷の量が減少された後に基板Ｗの表面Ｗａに導電性液体（ＤＩＷ）が供給されるので、静電気放電の発生を効果的に抑制または防止できる。しかも、その導電性液体が、比較的導電率の低いＤＩＷであるので、静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
　また、基板Ｗの表面ＷａへのＤＩＷの供給に並行して、基板Ｗの裏面Ｗｂに、ＤＩＷが供給される。これにより、基板Ｗに蓄積している電荷を、より一層効果的に除去できる。　　　
　ＤＩＷの吐出開始から予め定める第２の除電期間（たとえば約６０秒間）が経過すると、制御装置は、ＤＩＷ上バルブ４２およびＤＩＷ下バルブ６２を閉じて、上面ノズル３０からのＤＩＷの吐出および下面ノズル５０からのＤＩＷの吐出を停止する。これにより、低導電性液体供給工程Ｓ４が終了する。
　低導電性液体供給工程Ｓ４の終了後、制御装置３は、上吸引バルブ４４を開く。これにより、上共通配管３５の内部および上接続部３６の内部空間からＤＩＷが吸引除去される。ＤＩＷの除去後、制御装置３は、上吸引バルブ４４を閉じる。
　また、制御装置３は、スピンモータ１２を制御してスピンベース１４の回転速度を、所定の液処理回転速度（たとえば約５００ｒｐｍ）まで上昇させ、その液処理回転速度に維持させる。
　次いで、制御装置３は、図５Ｃに示すように、基板Ｗの表面Ｗａに薬液を供給して、基板Ｗの表面Ｗａを処理（洗浄）する薬液供給工程（図４のＳ５）を実行する。この実施の形態に係る薬液供給工程Ｓ５では、制御装置３は、基板Ｗの表面Ｗａだけでなく、基板Ｗの裏面Ｗｂにも薬液を供給して、基板Ｗの裏面Ｗｂを処理（洗浄）している（同時両面処理）。薬液供給工程Ｓ５では、最初に、基板Ｗの表面ＷａにＳＣ１またはＳＣ２が供給される。ＳＣ１およびＳＣ２は、多量のイオンを含有しているために、高い導電率を有している。基板Ｗに供給されるＳＣ１の電気抵抗率は、たとえば１０－３ＭΩ・ｃｍのオーダーである。また、基板Ｗに供給されるＳＣ２の電気抵抗率は、たとえば約１０－５ＭΩ・ｃｍ程度である。
　ＳＣ１およびＳＣ２は、ＣＯ２水よりも高い導電性を有する液体である。そのため、基板Ｗの表面Ｗａが十分に除電されていない状態（基板Ｗの表面Ｗａに多量の電荷が蓄積されている状態）で、基板Ｗの表面ＷａにＳＣ１またはＳＣ２が供給されると、ＳＣ１またはＳＣ２の基板Ｗの表面Ｗａへの着液時に、基板Ｗの表面ＷａとＳＣ１またはＳＣ２とが接触して基板Ｗの表面Ｗａにおいて急激な電荷の変化が生じ、基板Ｗの表面Ｗａにおける薬液の着液位置またはその近傍で静電気放電が発生するおそれがある。
　しかしながら、ＤＩＷおよびＣＯ２水によって十分に電荷が除去された後の基板Ｗの表面ＷａにＳＣ１またはＳＣ２が供給されるので、薬液供給工程Ｓ５において、基板Ｗの表面ＷａへのＳＣ１やＳＣ２の着液時に、静電気放電が発生しない。
　薬液供給工程Ｓ５の終了に次いで、制御装置３は、基板Ｗの表面Ｗａに、リンス液としのＤＩＷを供給して、基板Ｗの表面Ｗａに付着している薬液を洗い流すリンス工程（図のＳ６）を実行する。この実施の形態に係るリンス工程Ｓ６では、基板Ｗの表面Ｗａだでなく、基板Ｗの裏面Ｗｂにもリンス液としてのＤＩＷを供給して、基板Ｗの裏面Ｗｂを処理（洗浄）している（同時両面処理）。
　制御装置３によりＤＩＷ上バルブ４２およびＤＩＷ下バルブ６２を開くことで、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面ＷｂへＤＩＷが供給される。そして、ＤＩＷ上バルブ４２およびＤＩＷ下バルブ６２が開かれてから予め定める期間が経過すると、制御装置３はＤＩＷ上バルブ４２およびＤＩＷ下バルブ６２を閉じる。これにより、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面ＷｂへのＤＩＷの供給が停止され、リンス工程Ｓ６が終了する。リンス液としてＤＩＷを用いたが、リンス液としてＣＯ２水を用いるようにしてもよい。
　その後、制御装置３は、対向部材昇降ユニット２７を制御して、対向板１７を退避位置に上昇させる。
　次いで、制御装置３は、乾燥工程（図４のＳ７）を実行する。具体的には、制御装置３は、液処理回転速度よりも大きい所定の振り切り速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗの回転速度を上昇させ、その振り切り速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。
　乾燥工程Ｓ７の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１２を制御してスピンチャック５の回転（すなわち、基板Ｗの回転）を停止させる（図４のＳ８）。その後、基板搬送ロボットＣＲが、処理チャンバー４の内部空間に進入して、処理済みの基板Ｗを処理チャンバー４外へと搬出する（図４のＳ９）。その基板Ｗは、基板搬送ロボットＣＲからインデクサロボットＩＲへと渡され、インデクサロボットＩＲによって、基板収容器Ｃに収納される。
　図７Ａ～７Ｃは、第１の基板処理例に含まれる薬液供給工程Ｓ５の内容を説明するための図である。薬液供給工程Ｓ５は、薬液を用いて基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面Ｗｂを洗浄する工程である。
　薬液供給工程Ｓ５の例として、第１の薬液供給工程Ｓ５１、第２の薬液供給工程Ｓ５２および第３の薬液供給工程Ｓ５３がある。
　第１の薬液供給工程Ｓ５１は、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面ＷｂにＳＣ１を供給するＳＣ１供給工程と、このＳＣ１供給工程の後、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面Ｗｂに、リンス液としてのＤＩＷ（またはＣＯ２水）を供給する中間リンス工程と、この中間リンス工程の後、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面ＷｂにＳＣ２を供給するＳＣ２供給工程と、このＳＣ２供給工程の後、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面Ｗｂに、リンス液としてのＤＩＷ（またはＣＯ２水）を供給する中間リンス工程と、この中間リンス工程の後、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面ＷｂにＤＨＦ（希釈フッ酸）を供給するＤＨＦ供給工程とを含む。
　第２の薬液供給工程Ｓ５２は、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面ＷｂにＳＣ２を供給するＳＣ２供給工程と、このＳＣ２供給工程の後、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面Ｗｂに、リンス液としてのＤＩＷ（またはＣＯ２水）を供給する中間リンス工程と、この中間リンス工程の後、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面ＷｂにＳＣ１を供給するＳＣ１供給工程とを含む。
　第３の薬液供給工程Ｓ５３は、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面ＷｂにＳＣ１を供給するＳＣ１供給工程を含む。
　また、上ミキシングバルブユニットＵＭＶまたは下ミキシングバルブユニットＤＭＶを用いた、上面ノズル３０または下面ノズル５０からの処理液（薬液またはリンス液（この実施の形態では、ＤＩＷ、ＣＯ２水、ＳＣ２））の供給の場合には、上面ノズル３０または下面ノズル５０からの処理液の吐出の終了後、対応する上吸引バルブ４４または下吸引バルブ６４が開かれ、上共通配管３５または下共通配管５５の内部、および上接続部３６または下接続部５６の内部空間から、ＤＩＷまたはＣＯ２水が吸引除去される。
　以上により、この実施の形態によれば、基板Ｗへの薬液（ＳＣ１またはＳＣ２）の供給に先立って、まず、基板Ｗの表面Ｗａではなく基板Ｗの裏面ＷｂにＣＯ２水が供給される。基板Ｗが帯電している場合、基板Ｗの表面Ｗａに電荷が蓄積しているので、ＣＯ２水を基板Ｗの裏面Ｗｂに供給しても、基板Ｗの裏面Ｗｂで静電気放電が発生することはほとんどない。また、ＣＯ２水の導電率が比較的高いので、基板Ｗの裏面ＷｂへのＣＯ２水の供給により、基板Ｗに蓄積している電荷の量を効果的に減少させることができる。
　また、ＣＯ２水の基板Ｗの裏面Ｗｂへの供給により、基板Ｗの表面Ｗａのパターン１００の内部に入り込んだ電荷を、パターン１００の外表面に引き出すことができる。
　次いで、基板Ｗの表面ＷａにＤＩＷが供給される。これにより、パターン１００の外表面に引き出された電荷を、ＤＩＷによって効果的に除去できる。また、基板Ｗから電荷の量が減少された後に基板Ｗの表面Ｗａに導電性液体（ＤＩＷ）が供給されるので、静電気放電の発生を効果的に抑制または防止できる。しかも、その導電性液体が、比較的導電率の低いＤＩＷであるので、静電気放電の発生を、より一層効果的に抑制または防止できる。
　そして、ＤＩＷおよびＣＯ２水によって十分に電荷が除去された後の基板Ｗの少なくとも表面Ｗａに、薬液供給工程Ｓ５が実行される。したがって、薬液供給工程Ｓ５において、基板Ｗの表面ＷａへのＳＣ１やＳＣ２の供給に伴う静電気放電の発生を、抑制または防止できる。
　これにより、基板Ｗの表面Ｗａへの液体（ＤＩＷ、ＣＯ２水、薬液）の供給に伴う静電気放電の発生を抑制または防止でき、ゆえに、基板Ｗの表面Ｗａにおける局所的な欠陥の発生を抑制または防止できる。
　次に、除電試験について説明する。
　除電試験では、次に述べる実施例および比較例に係る基板処理方法（洗浄処理）を試料に施す。
　実施例：表面Ｗａにパターン１００（図３Ｂ参照）が配置された基板Ｗ（半導体ウエハ。外径３００（ｍｍ））を試料として採用し、表面Ｗａを上方に向けた状態でスピンチャック５（図２参照）に保持させた。スピンチャック５に保持されて回転状態にある試料に対し、処理ユニット２を用いて前述の図４に示す第１の基板処理例（洗浄処理）を実行した。
　比較例１～９：表面Ｗａにパターン１００（図３Ｂ参照）が配置された基板Ｗ（半導体ウエハ。外径３００（ｍｍ））を試料として採用し、表面Ｗａを上方に向けた状態でスピンチャック５（図２参照）に保持させた。スピンチャック５に保持されて回転状態にある試料に対し、処理ユニット２を用いて洗浄処理を施した。比較例１～９が、前述の図４に示す実施例と相違するのは、除電工程（図４の高導電性液体供給工程Ｓ３および低導電性液体供給工程Ｓ４）の内容である。
　比較例１：高導電性液体供給工程Ｓ３に相当する工程、および低導電性液体供給工程Ｓ４に相当する工程がそれぞれ行われていない。すなわち、薬液供給工程Ｓ５が最初に実行される。
　比較例２：高導電性液体供給工程Ｓ３に代えて、ＣＯ２水を、基板Ｗの裏面Ｗｂではなく、基板Ｗの表面Ｗａに供給する工程を実行する。低導電性液体供給工程Ｓ４に相当する工程は行われない。すなわち、基板Ｗの表面ＷａへのＣＯ２水の供給後、薬液供給工程Ｓ５が実行される。
　比較例３：高導電性液体供給工程Ｓ３を行った。低導電性液体供給工程Ｓ４に相当する工程は行われない。すなわち、高導電性液体供給工程Ｓ３の後薬液供給工程Ｓ５が実行される。
　比較例４：高導電性液体供給工程Ｓ３に代えて、ＣＯ２水を、基板Ｗの裏面Ｗｂだけでなく基板Ｗの表面Ｗａにも供給する工程を実行する。低導電性液体供給工程Ｓ４に相当する工程は行われない。すなわち、基板Ｗの表面ＷａへのＣＯ２水の供給後、薬液供給工程Ｓ５が実行される。
　比較例５：高導電性液体供給工程Ｓ３に相当する工程が行われていない。低導電性液体供給工程Ｓ４に相当する工程が最初に実行される。この工程では、ＤＩＷを、基板Ｗの裏面Ｗｂではなく、基板Ｗの表面Ｗａに供給する工程を実行する。
　比較例６：高導電性液体供給工程Ｓ３に相当する工程が行われていない。低導電性液体供給工程Ｓ４に相当する工程が最初に実行される。この工程では、ＤＩＷを、基板Ｗの表面Ｗａではなく、基板Ｗの裏面Ｗｂに供給する工程を実行する。
　比較例７：高導電性液体供給工程Ｓ３に相当する工程が行われていない。低導電性液体供給工程Ｓ４が最初に実行される。
　比較例８：高導電性液体供給工程Ｓ３に代えて、ＣＯ２水を、基板Ｗの裏面Ｗｂだけでなく基板Ｗの表面Ｗａにも供給する工程を実行する。この工程後、低導電性液体供給工程Ｓ４が実行される。
　比較例９：高導電性液体供給工程Ｓ３に代えて、ＣＯ２水を、基板Ｗの裏面Ｗｂではなく、基板Ｗの表面Ｗａに供給する工程を実行する。この工程後、低導電性液体供給工程Ｓ４が実行される。
　試験結果を、図８に示す。実施例では、静電気放電が発生しなかった。これに対し、比較例１～９では、基板Ｗの表面Ｗａの中央部に静電気放電の痕跡が見られた。比較例２、比較例４、比較例８および比較例９では、高い導電性を有するＣＯ２水を最初に基板Ｗの表面に供給している。このＣＯ２水の供給に伴って静電気放電が発生したものと考えられる。
　比較例５および比較例７では、低い導電性を有するＤＩＷが最初に基板Ｗの表面Ｗａに供給されている。このＤＩＷの供給によっても基板Ｗの表面Ｗａ（特に、図６Ａに示すようにパターン１００の内部に入り込んだ電荷）が十分に除電されておらず、そのため、その後に続く基板Ｗの表面Ｗａへの薬液の供給に伴って静電気放電が発生したものと考えられる。
　比較例１、比較例３および比較例６では、高い導電性を有する薬液が最初に基板Ｗの表面Ｗａに供給されている。薬液の供給開始前に、基板Ｗの表面Ｗａが十分に除電されておらず、そのため、基板Ｗの表面Ｗａへの薬液の供給に伴って静電気放電が発生したものと考えられる。
　以上、この発明の一実施の形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
　図９は、処理ユニット２により実行される第２の基板処理例を説明するための流れ図である。図９に示す第２の基板処理例が図４等に示す第１の基板処理例と相違する点は、低導電性液体供給工程として、低導電性液体供給工程Ｓ４に代えて、低導電性液体供給工程Ｓ１１を採用した点である。低導電性液体供給工程Ｓ１１では、ＤＩＷを、基板Ｗの表面Ｗａおよび裏面Ｗｂの両面ではなく、基板Ｗの表面Ｗａのみに供給している。
　また、図４に示す第１の基板処理例において、低導電性液体供給工程Ｓ４において、基板Ｗの表面Ｗａに低導電性液体としてのＤＩＷを供給しながら、基板Ｗの裏面Ｗｂに高導電性液体としてのＣＯ２水を供給するようにしてもよい。
　図１０は、処理ユニット２により実行される第３の基板処理例を説明するための流れ図である。
　図１０に示す第３の基板処理例が図４等に示す第１の基板処理例と相違する点は、低導電性液体供給工程Ｓ４の後、薬液供給工程Ｓ５に先立って、基板Ｗを除電すべく、基板Ｗの少なくとも表面Ｗａ（表面Ｗａおよび裏面Ｗｂの双方（または表面Ｗａのみ））に、高導電性液体（薬液（たとえばＳＣ１、ＳＣ２）よりも低い導電性を有する液体）としてのＣＯ２水を供給する第２の高導電性液体供給工程Ｓ２１を実行するようにした点である。
　図２に破線で示すように、上ミキシングバルブユニットＵＭＶは、上接続部３６に接続されたＣＯ２水上配管４０と、ＣＯ２水上配管４０を開閉するＣＯ２水上バルブ４５とをさらに含んでいてもよい。上側液体供給ユニットに含まれる他のバルブを閉じた状態でＣＯ２水上バルブ４５が開かれることにより、上面ノズル３０にＣＯ２水が供給され、これにより、吐出口３０ａからＣＯ２水が下向きに吐出される。
　この第３の基板処理例によれば、ＤＩＷが基板Ｗに供給された後、基板Ｗに薬液が供給されるまでの間に、基板Ｗの少なくとも表面ＷａにＣＯ２水が供給される。つまり、基板Ｗの表面Ｗａに、ＤＩＷ→ＣＯ２水の順に供給する。ＤＩＷ→ＣＯ２水→薬液と、導電性の液体が、導電性の低いものから順に段階的に基板に供給されるため、ＤＩＷやＣＯ２水に起因する静電気放電の発生を防止しながら基板Ｗを良好に除電することができ、これにより、薬液供給時における静電気放電の発生を効果的に抑制することができる。
　また、薬液供給工程Ｓ５として、基板Ｗの両面（表面Ｗａおよび裏面Ｗｂ）を、薬液を用いて処理するものを例に挙げたが、薬液供給工程Ｓ５が、基板Ｗの一方面（表面Ｗａまたは裏面Ｗｂ）を、薬液を用いて処理するものであってもよい。
　また、薬液供給工程Ｓ５において基板Ｗの表面Ｗａに最初に供給される薬液として、ＳＣ１やＳＣ２を例示したが、他の薬液（オゾン水やＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とを含む混合液）、ＨＦ等）であってもよい。
　また、高導電性液体と低導電性液体との組合せとして、ＣＯ２水とＤＩＷとの組み合わせを例示したが、その他に、ＮＨ３水とＤＩＷとの組み合わせ、ＮＨ４ＯＨ水溶液（１：１００）とＤＩＷとの組み合わせ、Ｈ２ＳＯ４水溶液とＤＩＷとの組み合わせ、ＨＣｌ水溶液（１：５０。希塩酸）とＤＩＷとの組み合わせ、ＨＦ水溶液（１：５００。希フッ酸）とＤＩＷとの組み合わせ等を例示することができる。
　また、第１～第３の基板処理例として、基板Ｗを洗浄する洗浄処理を例に挙げたが、エッチング液を用いて基板Ｗをエッチングするエッチング処理に本発明を適用することもできる。
　また、前述の実施の形態において、基板処理装置１が半導体ウエハからなる基板Ｗの表面を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。ただし、本発明の効果は、基板Ｗの表面が疎水性を示す場合にとくに顕著に発揮される。
　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
　この出願は、２０１８年１月２３日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－００９１５７号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
１　　　：基板処理装置
３　　　：制御装置
４　　　：処理チャンバー
５　　　：スピンチャック（基板保持ユニット）
３０　　：上面ノズル（低導電性液体供給ユニット）
３７　　：ＤＩＷ上配管（低導電性液体供給ユニット）
４２　　：ＤＩＷ上バルブ（低導電性液体供給ユニット）
５０　　：下面ノズル（高導電性液体供給ユニット）

Claims (11)

  1. 　パターンが形成された基板の表面に薬液を供給して基板を処理する方法であって、
    　基板を保持する基板保持工程と、
    　前記薬液を基板の少なくとも前記表面に供給する薬液供給工程と、
    　前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の前記表面に、前記薬液よりも低い導電性を有する低導電性液体を供給する低導電性液体供給工程と、
    　前記低導電性液体供給工程に先立って、基板を除電すべく、前記薬液よりも低くかつ前記低導電性液体よりも高い導電性を有する高導電性液体を、基板の前記表面ではなく、基板において前記表面とは反対側の裏面に供給する高導電性液体供給工程とを含む、基板処理方法。
  2. 　前記低導電性液体供給工程に並行して、基板の前記裏面に、基板を除電すべく、前記低導電性液体または前記高導電性液体を供給する工程をさらに含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記高導電性液体供給工程に並行して、基板の前記表面に液体を供給しない、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記高導電性液体供給工程に並行して、基板の前記表面の全域に対向する基板対向面を有する対向部材を、前記基板対向面が基板の前記表面に近接するような近接位置に配置する近接位置配置工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  5. 　前記低導電性液体供給工程の後、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の少なくとも前記表面に、前記高導電性液体を供給する第２の高導電性液体供給工程をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  6. 　前記基板保持工程が、
    　導電性材料を用いて形成された導電部を基板の周縁部に接触させることにより基板を保持する工程を含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  7. 　前記低導電性液体が脱イオン水を含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  8. 　前記高導電性液体がイオンを含有する液体を含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  9. 　表面にパターンが形成された基板を保持する基板保持ユニットと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている基板の前記表面に、導電性を有する薬液を供給するための薬液供給ユニットと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている基板の前記表面に、前記薬液よりも低い導電性を有する低導電性液体を供給するための低導電性液体供給ユニットと、
    　前記基板保持ユニットによって保持されている基板において前記表面とは反対側の裏面に、前記薬液よりも低くかつ前記低導電性液体よりも高い導電性を有する高導電性液体を供給するための高導電性液体供給ユニットと、
    　前記薬液供給ユニット、前記低導電性液体供給ユニットおよび前記高導電性液体供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
    　前記制御装置が、前記薬液を基板の少なくとも前記表面に供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程に先立って、基板を除電すべく、基板の前記表面に、前記低導電性液体を供給する低導電性液体供給工程と、前記低導電性液体供給工程に先立って、前記高導電性液体を、基板の前記表面ではなく、基板において前記表面とは反対側の裏面に供給する高導電性液体供給工程とを実行する、基板処理装置。
  10. 　前記基板保持ユニットによってされている基板の前記表面の全域に対向する基板対向面を有し、前記基板対向面が基板の前記表面に近接するような近接位置に配置される対向部材をさらに含む、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 　前記基板保持ユニットが、基板の周縁部を接触支持する保持ピンであって、導電性材料を用いて形成された導電ピンを有する、請求項９または１０に記載の基板処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210323036A1 (en) * 2020-04-15 2021-10-21 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210128061A (ko) * 2020-04-16 2021-10-26 주식회사 제우스 기판 처리 장치 및 방법
JP2022086363A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092343A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持機構、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP2006080392A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Seiko Epson Corp 基板処理装置、半導体基板、半導体部品および半導体装置
JP2015119128A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2015192088A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100900628B1 (ko) * 2006-09-15 2009-06-02 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2009200365A (ja) 2008-02-23 2009-09-03 Sony Corp 基板の処理方法
JP6612632B2 (ja) * 2016-01-26 2019-11-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092343A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持機構、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP2006080392A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Seiko Epson Corp 基板処理装置、半導体基板、半導体部品および半導体装置
JP2015119128A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2015192088A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210323036A1 (en) * 2020-04-15 2021-10-21 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment device
CN113522883A (zh) * 2020-04-15 2021-10-22 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置

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