CN1359142A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置,可以抑制半导体晶片等的基板上附着的粒子和水印等的污染物质,此基板处理装置10具有收容被处理基板(例如晶片W)的处理槽11和、向处理槽11的内部供给处理液(例如纯水)的处理液导入管21和、收容有机溶剂液S(例如IPA溶液)的蒸气发生槽61和、从处理槽11排出处理液的处理液排出槽30和、加热蒸气发生槽61内的有机溶剂液S的溶液加热装置62。蒸气发生槽61将从有机溶剂液S产生的蒸气导入到处理槽11的内部,溶剂加热装置62,当晶片W的表面是疏水性时,将蒸气发生槽61内的有机溶剂液S加热到50℃±5℃、当晶片W的表面是亲水性时,将有机溶剂液S加热到70℃±5℃。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及例如用于处理半导体晶片、液晶显示装置用的基板、记录盘用的基板或者屏蔽用的基板或其他的基板的基板处理装置。
背景技术
在半导体的制造工序中，为了洗净晶片的表面，通过药液或纯水等处理液处理晶片。例如，日本第103686/1994号发明专利公报揭示了表面干燥处理方法，其包括供给干燥蒸气，在水洗流体的上部生成干燥流体的液体层的工序和通过在晶片等的被干燥物的表面上用干燥流体直接置换此水洗流体，用液体层置换水洗流体的工序。被干燥物的表面与蒸气接触时具有与其蒸气实质相同的温度，用干燥流体置换水洗流体的速度，要选择十分慢的速度，以便用干燥流体置换水洗流体后，液滴不残留在被干燥物的表面，其结果，通过液滴的蒸发使要除去的水洗流体或干燥流体基本上没有的程度。
另外，在日本第3009699号发明专利公报揭示了基板的表面处理方法，其是将半导体晶片等的基板浸渍在液体的浴槽中后，从液体分离此基板，且使从液体分离基板的时候，液体和基板的表面直接与有机化合物的蒸气接触。此方法，有机化合物的蒸气在基板的温度下具有不饱和蒸气压，分离时此蒸气不凝缩在基板上，其有机化合物可溶解在液体中，且溶解在液体中时，从使其表面张力降低的有机化合物组中选择；基板在横渡液体表面时，要选择对于有机化合物的蒸气压、有机化合物的液体的溶解度及从基板液体分离的速度，以便以分离时实质上液体不残存在基板的方向和大小梯度设置在分离时上述液体的表面张力上。
本申请人至今也进行了很多关于半导体晶片等的处理方法的开发、提案，申请并取得了专利。例如日本专利第3017033号、美国专利第5,951,779号、日本发明专利申请第183469/1999号。
上述日本第3017033号专利是在密闭的容器中进行从被干燥介质的洗涤处理到干燥处理的一系列处理的处理方法，最终在一个容器内可实施从最终水洗到蒸气干燥的同时，在约35℃～60℃的低温度下使有机溶剂蒸气化，通过此蒸气干燥被干燥介质的方法。
另外，本申请人作为合案前的申请人，最初在日本作为日本第26423/1999号发明专利申请公开进行申请、然后在美国申请的美国专利第5,951,779号公开了在密闭的容器中进行从被干燥介质的洗涤处理到干燥处理的一系列处理的以下处理方法。
即，包括在进行最终的水洗处理后，在收容了被干燥介质的容器内供给温纯水的工序、在上述容器内的温纯水面的上部空间供给有机溶剂的蒸气的工序、在停止供给上述有机溶剂后，将上述温纯水一边从容器的底部侧吸引排液一边从其上部侧连续供给惰性气体的工序、在上述温纯水吸引排液结束后，通过继续上述吸引将容器内减压，干燥被干燥介质的工序。在至少将温纯水从容器的底部侧吸引排液的工序中，在上述温纯水吸引排液结束时，边管理控制边进行被干燥介质的干燥处理以保持容器内的减压度保持在预先设定减压的方法，特别是将热纯水的温度设定在30℃～65℃的范围、将设定减压度设定在-350～-150mmHg的范围的。
另外，日本第183469/1999号发明专利申请公开了表面干燥处理方法，其是具有在内部收容晶片等的被干燥物的干燥槽、在此干燥槽内供给处理液的处理液供给机构、在此干燥槽内供给加热有机溶剂的有机溶剂供给机构和供给含有有机溶剂的蒸气的蒸气供给机构。通过将有机溶剂加热到60℃～80℃，向液面供给此加热有机溶剂，在处理液的液面上形成含有有机溶剂的膜。
其中，特别是在日本第3017033号发明专利、第183469/1999号发明专利申请公开的干燥处理方法是通过药液洗涤晶片等表面后，用纯水等的处理液进行漂洗，进而使用异丙醇等有机溶剂使晶片干燥的处理。在以下的说明中，往往将异丙醇简称为IPA。
例如，通过用纯水洗涤晶片后，将晶片暴露于IPA的蒸气，在晶片的表面上凝缩IPA。通过此IPA的凝缩，附着在晶片上的纯水与IPA置换，纯水从晶片表面流落，随之粒子等的污染物质被洗下。然后，通过IPA蒸发，干燥晶片的表面。若在此干燥过程中基板的表面稍微残留水滴，在基板的表面形成被称为水印的氧化膜。由于水印与粒子同样成为使基板品质恶化的原因，所以希望极力避免这些污染物质附着在基板上。
在通过药液处理基板(例如晶片)时，基板的表面状态根据处理的种类而不同。例如，通过氟酸系药液处理的半导体晶片的表面成为疏水性，而除此以外的处理，一般基板的表面成为亲水性。对于以往的基板处理装置，基板表面与疏水性、亲水性无关，在相同的条件下发生蒸气。可是，通过本发明者们的研究，在基板表面是疏水性和亲水性时，表明残留在干燥后的基板的污染物质的量不同。本发明者们发现污染物质的附着量与有机溶剂蒸气的发生量有关。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供可将附着在基板表面的污染物质变得更少的基板处理装置。
为了完成上述目的，本发明的基板处理装置是具有收容应该处理基板的处理槽、在上述处理槽的内部供给处理液的处理液供给机构、收容有机溶剂液并将从该有机溶剂液发生的蒸气导入到上述处理槽的内部的蒸气发生槽、从上述处理槽排出上述处理液的处理液排出机构和为了加热上述蒸气发生槽内的有机溶剂液的溶剂加热装置，当收容在上述处理槽内的上述基板的表面是疏水性时，将上述有机溶剂液加热到第1温度，而在上述基板的表面是亲水性时，将上述有机溶剂液加热到比第1温度高的第2温度的溶剂加热装置。
在本发明中，在基板的表面是疏水性时，将蒸气发生槽内的有机溶剂液加热到第1温度。在基板的表面是亲水性时，将蒸气发生槽内的有机溶剂液加热到温度比较高的第2温度。在此蒸气发生槽内供给惰性气体，使有机溶剂液的蒸气发生后导入到处理槽中。加热到第2温度的有机溶剂液，比加热到第1温度的有机溶剂液发生大量的蒸气。通过此蒸气凝缩在基板的表面上，附着在基板上的处理液(例如纯水)与有机溶剂置换，处理液从基板表面流走的同时，粒子等的污染物质被洗下。然后通过有机溶剂蒸发，干燥基板的表面。
上述处理液的一个例子是纯水、有机溶剂的一个例子是异丙醇。此时，将上述第1温度作成50℃±5℃、将第2温度作成70℃±5℃。
本发明的基板处理装置也可具有收容加热到上述第1温度的有机溶剂液的第1溶剂加热槽、收容加热到上述第2温度的有机溶剂液的第2溶剂加热槽、将这些有机溶剂液加热槽和上述蒸气发生槽连接的配管系统、设置在上述配管系统上的、当收容在上述处理槽的基板的表面是疏水性时，将上述第1溶剂加热槽连通在上述蒸气发生槽上，当收容在上述处理槽的基板的表面是亲水性时，将上述第2溶剂加热槽连通在上述蒸气发生槽上的切换机构。
进而，本发明的基板处理装置也可具有在基板的表面是疏水性时，在蒸气发生槽内的有机溶剂液供给第1量的鼓泡用惰性气体，在基板的表面是亲水性时，供给比上述第1量多的第2量的鼓泡用惰性气体的惰性气体供给结构。
按照本发明，通过根据基板的表面状态控制有机溶剂蒸气发生量，可控制在基板表面上附着粒子或水印等污染物质，得到高品质的基板。另外，在使用IPA干燥用纯水洗涤的基板时，根据基板的表面状态，可抑制附着粒子或水印等污染物质，得到高品质的基板。
进而，在基板的表面是疏水性时，通过将蒸气发生槽内的IPA液保持在50℃±5℃、在基板的表面是亲水性时，保持在70℃±5℃，使得基板表面在任意状态，也可抑制附着粒子或水印等污染物质。另外，可将根据基板的表面状态的温度的有机溶剂迅速地供给到蒸气发生槽中。
另外，通过根据基板的表面状态抑制有机溶剂蒸气的发生量，可抑制在基板表面上附着粒子或水印等污染物质，得到高质量的基板。可将适宜于半导体晶片等的基板处理的所希望的药液供给到处理槽中。
进而，通过将供给在内槽的处理液溢流到外槽能够从外槽排出并可连续地洗去内槽内部的污染物质和粒子等。另外，根据基板的表面状态抑制有机溶剂蒸气的发生量，可抑制在基板表面上附着粒子或水印等污染物质，得到高质量的基板。
附图说明
图1是模式地表示本发明的第1实施例的基板处理装置的断面图。
图2是表示图1所示的基板处理装置的功能的时序图。
图3是模式地表示本发明的第2实施例的基板处理装置的侧面图。
具体实施方式
以下参照图1和图2说明本发明的第1实施例。
图1所示的基板处理装置10是为了处理作为基板的一例的半导体晶片W的设备。在此所说的处理是例如通过药液腐蚀晶片W，例如是将晶片W的表面进行氟酸处理的工序或将晶片W进行水洗(漂洗)的处理，使用有机溶剂干燥水洗后的晶片W的处理等。这些处理使用以下说明的处理槽11依次进行。有机溶剂的一个例子是IPA(异丙醇)。
处理槽11具有上面开口的有底的箱形的内槽15、包围内槽15的上部外周的外槽16。在内槽15的底部设置处理液供给部20。处理液供给部20连接在处理液导入管21上。这些处理液供给部20和处理液导入管21构成本发明所说的处理液供给机构。
处理液导入管21通过流量控制阀22与纯水供给源23连接。在此处理液导入管21也通过流量控制阀24与药液供给源25连接。作为处理液供给结构功能的药液供给源25具有为了将所希望的药液调制到所规定的浓度及所规定的温度的药液调制机构。药液，根据处理的目的(例如洗涤、腐蚀、氧化等的处理)，可从氟酸、盐酸、过氧化氢水、硫酸、臭氧水、氨水、碱性洗涤剂、表面活性剂、胺系有机溶剂、氟系有机溶剂、电解离子水等选择，根据需要也可将这些多种药液混合使用。
在内槽15的最低位置设置处理液排出部30。在处理液排出部30上连接内槽废液管31。这些处理液排出部30和内槽废液管31构成本发明所说的处理液排出机构。在内槽废液管31上连接具有开闭阀32、泵33和流量控制阀34的排气管35。进而在此内槽废液管31上连接具有开闭阀36、泵37和流量控制阀38的排液管39。另外，在此排液管39上连接具有开闭阀40的排水管41。
外槽16具有接受从内槽15的上部溢流出的处理液的溢流槽的功能。在外槽16的最低位置连接排液管42。排液管42的另一端侧连接排液管39。内槽15和外槽16用氟酸和异丙醇等有机溶剂难以腐蚀的材料(例如聚偏氟乙烯等)构成。
在外槽16的上部设置可开闭的盖50。在盖50上连接惰性气体供给管51。惰性气体供给管51通过流量控制阀52连接惰性气体供给源53，将常温或被加热的氮气等惰性气体从处理槽11的上部供给到处理槽11的内部。
在处理槽11的附近设置蒸气供给机构60。蒸气供给机构60具有配置在外槽16附近的蒸气发生槽61、为了加热有机溶剂的溶剂加热装置62、将这些蒸气发生槽61和溶剂加热装置62连接起来的配管系63等。
在蒸气发生槽61上设置在内槽15的上方开口的蒸气喷出口65和为了检测蒸气发生槽61内的有机溶剂液(IPA液)S的温度的温度传感器67。蒸气发生槽61上连接鼓泡用的惰性气体供给管70。此惰性气体供给管70，通过流量控制阀71连接惰性气体供给源72，将常温或被加热的氮气等惰性气体供给到蒸气发生槽61的内部。在惰性气体供给管70的途中设置加热器73。此加热器73可根据有机溶剂液S的温度加热从惰性气体供给管70供给到蒸气发生槽61的惰性气体。
这些惰性气体供给管70、流量控制阀71、惰性气体供给源72和加热器73等构成了本发明所说的惰性气体供给机构74。惰性气体供给机构74，可在晶片W的表面是疏水性时，在蒸气发生槽61内的有机溶剂液S中供给第1量的鼓泡用惰性气体，在晶片W的表面是亲水性时，供给比第1量多的第2量的鼓泡用惰性气体。
溶剂加热装置62具有贮存纯水等的加热介质80的贮存槽81、加热加热介质80的加热器82、检测加热介质80的温度的第1温度传感器83、设置在槽81的内部的溶剂加热槽(IPA槽)84和检测贮存在溶剂加热槽84的异丙醇的温度的第2温度传感器85等。
将温度传感器67、83、85的温度检测值输入到具有微机等的演算机构的控制装置86中。此控制装置86，根据从温度传感器67、83、85输入的温度检测值控制加热器82的发热量，可将蒸气发生槽61的有机溶剂液S，以后述的第1温度(50℃±5℃)及第2温度(70℃±5℃)为主，根据晶片W的表面状态加热到所希望的温度。
配管系63具有连接在蒸气发生槽61的底部的有机溶剂排放管90、通过泵91连接在有机溶剂排放管90的有机溶剂供给管92和连接在蒸气发生槽61的上部的有机溶剂返回管93等。有机溶剂供给管92连通溶剂加热槽84，通过泵91将溶剂加热槽84内的有机溶剂液S供给到蒸气发生槽61中。有机溶剂返回管93可将在蒸气发生槽61中溢流的有机溶剂液S返回到溶剂加热槽84内。进而在有机溶剂排放管90上设置在排出蒸气发生槽61内的有机溶剂液S时可打开的废液阀94。在溶剂加热槽84上通过有机溶剂补给用管95连接有机溶剂的供给源96。在图1中，为了简便，在废液阀94的上方描绘有有机溶剂返回管93，但在实际的装置中，有机溶剂返回管93处在比废液阀94低的位置上。
以下，对于上述基板处理装置10进行说明。
在通过药液处理作为基板的一个例子的晶片W时，通过处理液导入管21和处理液供给部20从药液供给源25将所希望的药液供给到内槽15中。通过将晶片W在此药液中浸渍所规定的时间，进行相应于药液的处理(例如腐蚀或氟酸处理、洗涤等)。
所定时间的药液处理结束后，从纯水供给源23送来的纯水，通过处理液导入管21和处理液供给部20供给到内槽15中。纯水是边挤压出残留在内槽15内的上述药液，边从内槽15的上部溢流到外槽16中，通过配水管41从排液管42排出。通过所定时间内将纯水继续供给到内槽15，可用新鲜的纯水洗涤内槽15的内部，同时可用纯水继续充满内槽15。
以下，参照图2所示时序表对于使用上述处理装置10实施晶片W的洗涤和干燥工序的情况加以说明。
从纯水供给源23送来的纯水通过处理液导入管21和处理液供给部20供给到内槽15中，从内槽15溢流的纯水通过配水管41从排液管42排出。等候状态下，新鲜的纯水J继续供给到内槽15中。
另一方面，蒸气供给机构60通过有机溶剂供给管92将溶剂加热槽84内的有机溶剂液S供给到蒸气发生槽61内，以使蒸气发生槽61内的有机溶剂液S达到相应于晶片W的表面状态的温度。供给到蒸气发生槽61内的有机溶剂液S，从蒸气发生槽61溢流的部分从返回管93返回到溶剂加热槽84。通过将有机溶剂液S在蒸气发生槽61和溶剂加热槽84内循环，将蒸气发生槽61内的有机溶剂液S保持在一定温度。
例如，晶片W的表面是疏水性时，按照以下的理由，将加热到第1温度(50℃±5℃)的有机溶剂液S供给到蒸气发生槽61。晶片W的表面是亲水性时，将加热到第2温度(70℃±5℃)的有机溶剂液S供给到蒸气发生槽61。
打开处理槽11的盖50，将晶片W投入到内槽15内纯水J中后关闭盖50。进而，向处理槽11内部供给来自惰性气体供给管51的氮气等的惰性气体。将处理槽11内的空气用惰性气体置换后停止供给惰性气体。
根据储存在控制装置86中的处理步骤，进行晶片W的水洗和漂洗后，向蒸气发生槽61内部，通过惰性气体供给管70供给鼓泡用的氮气等的惰性气体。供给到蒸气发生槽61的的惰性气体用加热器73调节到对应于蒸气发生槽61内有机溶剂液S的温度。通过此惰性气体的鼓泡(例如1分钟左右)使得蒸气发生槽61内产生有机溶剂液S的蒸气。产生的蒸气通过蒸气喷出口65导入到处理槽11的内部，充满纯水J的上部空间。
惰性气体供给机构74，当晶片W是疏水性时将第1量的鼓泡用的惰性气体供给到蒸气发生槽61，当晶片W是亲水性时将比第1量多的第2量的鼓泡用的惰性气体供给到蒸气发生槽61。通过这样的晶片W的表面状态，来变化惰性气体的量，与处理疏水性晶片W情况相比，处理亲水性晶片W情况的蒸气产生量可以增多。
然后，移到排水工序，通过打开内槽排液管31的开闭阀36，由流量控制阀38排出少量内槽15内的纯水J。随着纯水J的排出，由于纯水J的液面降低，晶片W逐渐从其上端露出到液面上。随着晶片W的表面露出到液面上，处理槽11内的有机溶剂的蒸气与液面上的晶片W的表面接触。在此，由于处理槽11的内的纯水J大致达到室温，所以晶片W的温度也大致达到室温。为此，通过有机溶剂的蒸气与晶片W接触后进行急冷却，在液面上的晶片W的表面凝缩有机溶剂的蒸气形成有机溶剂的膜。若在晶片W的表面形成有机溶剂的膜，通过附着在晶片W的纯水与有机溶剂置换，从晶片W的表面流走。
在排出内槽15内的纯水J后，停止向蒸气发生槽61供给惰性气体和鼓泡。将蒸气发生槽61内的有机溶剂液经过有机溶剂排放管90返回到溶剂加热槽84，移到排气工序。
在排气工序中，从惰性气体供给管51常温或被加热的惰性气体继续供给到处理槽11的同时，含有从处理槽11的蒸气及晶片W的表面散发的有机溶剂的气体经过处理液排出部30和排气管35排出到排气处理设备(图中未示)。
在所定时间的排气工序结束后，打开盖50，从处理槽11取出晶片W。然后，通过处理液导入管21，将纯水供给到内槽15内。供给到内槽15的纯水从内槽15的上端溢流，经过排液管42排出到处理槽11的外部。这样经常地将新鲜的纯水供给到内槽15内，返回到等候状态。
另一方面，蒸气供给机构60，将加热到相应晶片W的表面状态的温度的有机溶剂液S供给到蒸气发生槽61的同时，将蒸气发生槽61内的剩余的有机溶剂液S返回到溶剂加热槽84。在图1中，为了方便，在废液阀94上描绘有有机溶剂返回管93，但实际的位置中，有机溶剂返回管93要比废液阀94低，蒸气发生槽61内的有机溶剂液S通过重力经由有机溶剂排放管90和废液阀94和有机溶剂返回管93回收到溶剂加热槽84中。这样的有机溶剂液S通过在蒸气发生槽61和溶剂加热槽84之间的循环，将蒸气发生槽61内的有机溶剂液S保持在规定的温度。
以下表1表示了，使用以上说明的基板处理装置10，用分批处理方法，用纯水洗净50张的晶片W，将这些晶片W干烧时的调查离子(0.16μm以上)的残留量结果。在这个试验中，为了使晶片W保持垂直姿势以规定间距互相平行地排列50张而用支架支持，并收纳在内槽15内。从惰性气体供给管70供给蒸气发生槽61的鼓泡用的氮气量是10升/分钟。
表1中，第1是位于内槽15的最深位置晶片、第2是位于内槽15的中央位置晶片、第3是位于内槽15的近前侧位置晶片。洗净前，每1张晶片的粒子数是10～30个。
                     表1
蒸气发生槽的IPA温度70℃～75℃     亲水性表面       疏水性表面
    粒子增减数       粒子增减数
第1     -18～-23(平均-13) 第1   +13～+29(平均+20)
第2     -8～+3(平均-3) 第2   -8～+18(平均+13)
第3     0～-3(平均-2) 第3   +10～+21(平均+17)
    全平均-6       全平均+17
蒸气发生槽的IPA温度50℃～55℃     亲水性表面       疏水性表面
    粒子增减数       粒子增减数
第1     +9～+16(平均+13) 第1   -7～0(平均-5)
第2     0～+22(平均+10) 第2   -10～-17(平均-13)
第3     -4～+23(平均+7) 第3   -6～-19(平均-12)
    全平均+10       全平均-10
从表1的结果表明，在晶片W的表面是疏水性时，将有机溶剂液S加热到第1温度(50℃～55℃)，在晶片W的表面是亲水性时，将有机溶剂液S加热到比第1温度高的第2温度(70℃～75℃)，粒子量大幅度地减少。即通过在晶片W的表面是疏水性时，将蒸气的发生量变得比较少，在晶片W的表面是亲水性时，将蒸气的发生量变得比较多，可更有效地降低污染物质的附着。另外，若第1温度是(50℃±5℃)，第2温度是(70℃±5℃)，看到与上述相同的效果。另外，不仅仅是作为异物的粒子，含有水掩膜也可看到相同的效果。
另外，如下述表2所示，在晶片W是疏水性时，将第1量(例如10升/分钟)的鼓泡用惰性气体通过惰性气体供给机构74供给到蒸气发生槽61内的有机溶剂液S，在晶片W是亲水性时，将比第1量多的第2量(例如30升/分钟)的鼓泡用惰性气体供给到有机溶剂液S时，也可减少粒子的附着量。在表2中，蒸气发生槽61内的有机溶剂液S的温度，无论是亲水性还是疏水性都是50℃～55℃。
                          表2
蒸气发生槽的N2鼓泡量10升/分钟     亲水性表面      疏水性表面
    粒子增减数      粒子增减数
第1   +9～+16(平均+13) 第1   -7～0(平均-5)
第2   0～+22(平均+10) 第2   -10～-17(平均-13)
第3   -4～+23(平均+7) 第3   -6～-19(平均-12)
    全平均+10      全平均-10
蒸气发生槽的N2鼓泡量30升/分钟     亲水性表面      疏水性表面
    粒子增减数      粒子增减数
第1   -23～+9(平均-7) 第1   -3～+10(平均+4)
第2   -11～+11(平均-1) 第2   +3～+38(平均+16)
第3   -18～+2(平均-1) 第3   -17～+45(平均+11)
    全平均-3      全平均+10
从表2的各种试验结果表明，在基板(晶片W)的表面是亲水性时，通过将惰性气体的鼓泡量作成比较多的25±5升/分钟，在晶片W的表面是疏水性时，将鼓泡量作成比较少的5±5升/分钟，即使含有也减少粒子的附着量。
图3是表示本发明的第2实施例的基板处理装置10’。此基板处理装置10’具有收容相互不同的温度的有机溶剂液的多个溶剂加热槽84a、84b、84c、84n、连接各溶剂加热槽84a～84n和蒸气发生槽61的配管系63，例如含有切换阀等的切换机构100。在第1溶剂加热槽84a中收容被加热到第1温度是(50℃±5℃)的IPA液、在第2溶剂加热槽84b中收容被加热到第2温度是(70℃±5℃)的IPA液。在另外的溶剂加热槽84c、84n中也分别收容适宜基板的表面状态的温度的有机溶剂液。
切换机构100具有切换从溶剂加热槽84a、84b、84c、84n到蒸气发生槽61的通路的功能，以将适宜基板的表面状态的温度的有机溶剂液供给到蒸气发生槽61中。例如，基板是疏水性时，将第1溶剂加热槽84a与蒸气发生槽61连通，基板是亲水性时，将第2溶剂加热槽84b与蒸气发生槽61连通。
这样，根据需要可以切换多个溶剂加热槽84a～84n的构成，在基板的种类改变时，可以迅速地向蒸气发生槽61供给适宜于基板表面状态温度的有机溶剂。关于这些点以外的构成和作用、效果是与第1实施例相同的，这里省略其说明。
此外，本发明的基板处理装置并不受上述实施例的限制，在实施本发明时，对于以处理槽为主、以及处理液供给机构、蒸气发生槽、处理液排出机构、溶液加热装置、第1及第2的温度等的具体方式等构成本发明的各要素，只要不脱离本发明宗旨的范围内，可以进行适宜的变动，这是不用待言的。还有，本发明的基板处理装置也可以适宜于处理半导体晶片外的基板，例如液晶显示装置用的玻璃基板、光记录盘及磁记录盘等的记录盘用基板的各种基板的处理用途上。

Claims (9)

1.基板处理装置，其特征是具有收容被处理基板的处理槽和、
向上述处理槽的内部供给处理液的处理液供给机构和、
收容有机溶剂液并将从该有机溶剂液发生的蒸气导入到上述处理槽的内部的蒸气发生槽和、
从上述处理槽排出上述处理液的处理液排出机构和、
为了加热上述蒸气发生槽内的有机溶剂液的溶剂加热装置，当收容在上述处理槽内的上述基板的表面是疏水性时，将上述有机溶剂液加热到第1温度，而在上述基板的表面是亲水性时，将上述有机溶剂液加热到比第1温度高的第2温度的溶剂加热装置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征是上述处理液是纯水，上述有机溶剂是异丙醇。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征是上述第1温度是50℃±5℃、上述第2温度是70℃±5℃。
4.如权利要求1～3任何一项所述的基板处理装置，其特征是具有收容加热到上述第1温度的有机溶剂液的第1溶剂加热槽和、
收容加热到上述第2温度的有机溶剂液的第2溶剂加热槽和、
将这些有机溶剂液加热槽和上述蒸气发生槽连接的配管系统和、
设置在上述配管系统上的、当收容在上述处理槽的基板的表面是疏水性时，将上述第1溶剂加热槽连通在上述蒸气发生槽上，当收容在上述处理槽的基板的表面是亲水性时，将上述第2溶剂加热槽连通在上述蒸气发生槽上的切换机构。
5.基板处理装置，其特征是具有收容被处理基板的处理槽和、
向上述处理槽的内部供给处理液的处理液供给机构和、
收容有机溶剂液并将从该有机溶剂液发生的蒸气导入到上述处理槽的内部的蒸气发生槽和、
从上述处理槽排出上述处理液的处理液排出机构和、
当收容在上述处理槽内的上述基板的表面是疏水性时，向蒸气发生槽内的有机溶剂液供给第1量的鼓泡用惰性气体，在基板的表面是亲水性时，供给比上述第1量多的第2量的鼓泡用惰性气体的惰性气体供给机构。
6.如权利要求1或5所述的基板处理装置，其特征是在上述处理液供给机构中设置将药液调节到规定的浓度及规定温度的药液调节机构。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征是上述药液含有从氟酸、盐酸、过氧化氢水、硫酸、臭氧水、氨水、碱性洗涤剂、表面活性剂、胺系有机溶剂、氟系有机溶剂、电解离子水等选择出的至少1种以上的药液。
8.如权利要求1或5所述的基板处理装置，其特征是上述处理槽具有可收容处理液的内槽和、流入从此内槽上部溢流出上述处理液的外槽，上述内槽的底部相互独立地设置处理液供给部和处理液排出部，上述处理液供给部连接处理液导入管，而且，上述外槽底部连接着排液管。
9.基板处理装置，其特征是具有收容被处理基板的处理槽和、
向上述处理槽的内部供给处理液的处理液供给机构和、
收容有机溶剂液并将从该有机溶剂液发生的蒸气导入到上述处理槽的内部的蒸气发生槽和、
从上述处理槽排出上述处理液的处理液排出机构和、
为了加热上述蒸气发生槽内的有机溶剂液的溶剂加热装置，当收容在上述处理槽内的上述基板的表面是疏水性时，将上述有机溶剂液加热到第1温度，而在上述基板的表面是亲水性时，将上述有机溶剂液加热到比第1温度高的第2温度的溶剂加热装置和、
当收容在上述处理槽内的上述基板的表面是疏水性时，向蒸气发生槽内的有机溶剂液供给第1量的鼓泡用惰性气体，在基板的表面是亲水性时，供给比上述第1量多的第2量的鼓泡用惰性气体的惰性气体供给机构。
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