JPH04171025A - 有機溶媒再生装置 - Google Patents
有機溶媒再生装置Info
- Publication number
- JPH04171025A JPH04171025A JP29792290A JP29792290A JPH04171025A JP H04171025 A JPH04171025 A JP H04171025A JP 29792290 A JP29792290 A JP 29792290A JP 29792290 A JP29792290 A JP 29792290A JP H04171025 A JPH04171025 A JP H04171025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- evaporation tank
- membrane module
- organic solvent
- reproducing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005373 pervaporation Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 15
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000013020 steam cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Extraction Or Liquid Replacement (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
半導体製造工程における、ウェーハなどの水洗浄後の、
有機溶媒による洗浄乾燥装置において、該有機溶媒に持
ち込まれる水分を除去するためのバーヘーパレーション
膜（以下Ｐｖ膜モジュールと略す）装置に関するもので
ある。
有機溶媒による洗浄乾燥装置において、該有機溶媒に持
ち込まれる水分を除去するためのバーヘーパレーション
膜（以下Ｐｖ膜モジュールと略す）装置に関するもので
ある。
［従来の技術］
半導体製造の途中工程で、例えばウェーハの加工処理後
、水洗に引続いて行われるイソプロパツール（以下ＩＰ
Ａと略す）蒸気による洗浄を兼ねた乾燥において、この
ときに使用されるＩＰＡは、使用始めにおいては純度１
００％のものが有機溶媒蒸発槽（以下蒸発槽と略す）に
仕込まれるが、−度仕込まれたＩＰＡは使用が変電なる
につれて、被洗浄乾燥物などに付着している水分がＩＰ
Ａに持ち込まれ、該ＩＰＡの純度が次第に低下する。−
船釣には咳ｒｐＡの純度が９３％以下になるとウェーハ
表面などにウォーターマークと称する不純物によるじみ
が発生して、半導体としての欠陥となる確率が高くなる
。
、水洗に引続いて行われるイソプロパツール（以下ＩＰ
Ａと略す）蒸気による洗浄を兼ねた乾燥において、この
ときに使用されるＩＰＡは、使用始めにおいては純度１
００％のものが有機溶媒蒸発槽（以下蒸発槽と略す）に
仕込まれるが、−度仕込まれたＩＰＡは使用が変電なる
につれて、被洗浄乾燥物などに付着している水分がＩＰ
Ａに持ち込まれ、該ＩＰＡの純度が次第に低下する。−
船釣には咳ｒｐＡの純度が９３％以下になるとウェーハ
表面などにウォーターマークと称する不純物によるじみ
が発生して、半導体としての欠陥となる確率が高くなる
。
このために通常は洗浄及び乾燥用ＩＰＡの純度９３％を
限度として、純度１００％のものに入れ替えているのが
実状であるが、最近になって蒸発槽の装置にｐｖ膜によ
る、純度の低下したＩＰＡ中の水分を除去するための溶
媒再生装置を設け、ＩＰＡの必要な純度を保つ技術が開
発されている。
限度として、純度１００％のものに入れ替えているのが
実状であるが、最近になって蒸発槽の装置にｐｖ膜によ
る、純度の低下したＩＰＡ中の水分を除去するための溶
媒再生装置を設け、ＩＰＡの必要な純度を保つ技術が開
発されている。
［発明が解決しようとする課題］
従来技術の該溶媒再生装置の最低の構成部品を第１図に
示す。この図に示す如くこの再生装置にはＰｖ膜モジュ
ールに溶媒を送り込むためのポンプ８が必ず設けられて
いるが、該ポンプは微量の金属または金属イオンの溶媒
への混入をさけるために、溶媒と接触する部分には金属
を使用することが出来ない。
示す。この図に示す如くこの再生装置にはＰｖ膜モジュ
ールに溶媒を送り込むためのポンプ８が必ず設けられて
いるが、該ポンプは微量の金属または金属イオンの溶媒
への混入をさけるために、溶媒と接触する部分には金属
を使用することが出来ない。
さらに該ポンプは、取扱う溶媒が静電気などで容易に着
火する危険性を持っている関係上、安全対策がなされた
ものを設ける必要がある。
火する危険性を持っている関係上、安全対策がなされた
ものを設ける必要がある。
すなわち該ポンプは選定上或いは安全上に種々な問題点
を持っているのが実状である。その上、既設の１発槽に
上記溶媒再生装置を追加して併設しようとした場合、設
置スペースが狭くて併設が困難なケースがあり、前記溶
媒再生装置の小形化が要望されている。
を持っているのが実状である。その上、既設の１発槽に
上記溶媒再生装置を追加して併設しようとした場合、設
置スペースが狭くて併設が困難なケースがあり、前記溶
媒再生装置の小形化が要望されている。
［課題を解決するための手段］
本発明は、以上に示した問題点の解決と要望を満たすた
めに、バーヘーパレーション法か一般の逆浸透法のごと
く、膜の原液側に圧力を加えるのでなく、透過側を負圧
にすることにより水分を取除くことであることから、原
理的には最低構成部品はｐｖ膜モジュールと真空発生装
置であることに着目し、該ポンプの省略を図ったもので
ある。すなわち該ポンプは単にＰｖ膜モジュールに溶媒
を供給するのみで、原液側に透過のための圧力を必要と
しないことから、Ｐｖ膜モジュールを直接蒸発槽に浸漬
し、Ｐｖ膜モジュールの透過側を負圧にすることにより
、該蒸発槽内のＩＰＡ中の水分を取除くシステムを発明
して、該ポンプの省略を図ったものである。
めに、バーヘーパレーション法か一般の逆浸透法のごと
く、膜の原液側に圧力を加えるのでなく、透過側を負圧
にすることにより水分を取除くことであることから、原
理的には最低構成部品はｐｖ膜モジュールと真空発生装
置であることに着目し、該ポンプの省略を図ったもので
ある。すなわち該ポンプは単にＰｖ膜モジュールに溶媒
を供給するのみで、原液側に透過のための圧力を必要と
しないことから、Ｐｖ膜モジュールを直接蒸発槽に浸漬
し、Ｐｖ膜モジュールの透過側を負圧にすることにより
、該蒸発槽内のＩＰＡ中の水分を取除くシステムを発明
して、該ポンプの省略を図ったものである。
即ち本発明は、有機溶媒蒸発槽に、水分を除去スるため
のパーヘーパレーション膜モジュールを用いる溶媒再生
装置を取り付けるに際して、上記モジュールの一部また
は全部を上記蒸発槽の有機溶媒中に直接浸漬してなるこ
とを特徴とする有機溶媒再生装置に係わるものである。
のパーヘーパレーション膜モジュールを用いる溶媒再生
装置を取り付けるに際して、上記モジュールの一部また
は全部を上記蒸発槽の有機溶媒中に直接浸漬してなるこ
とを特徴とする有機溶媒再生装置に係わるものである。
上記有機溶媒蒸発槽は、半導体材料を水洗浄後、有機溶
媒の蒸気で洗浄、乾燥するシステムに用いられるもので
あるに係わるものである。
媒の蒸気で洗浄、乾燥するシステムに用いられるもので
あるに係わるものである。
第１図及び第２図により、本発明の詳細な説明する。第
１図は従来技術の蒸発槽と溶媒再生装置とを組み合わせ
た場合のフローシートを示す図で、第２図は本発明によ
る蒸発槽と溶媒再生装置とを組み合わせた一例のフロー
シートを示す図である。第１図及び第２図に於いて、１
は溶媒補給パイプ、２は溶媒、３は蒸発槽、４はヒータ
ー、５はクーラー、６は被洗浄物、例えばウェーハ、７
は送液ポンプサクションパイプ、８は送液ポンプ、９は
Ｐｖ膜モジュール、１０は溶媒戻りパイプ、１１は真空
ポンプサクションパイプ、１２はコンデンサー、１３は
冷却水パイプ、１４はドレンパイプ、１５は真空ポンプ
、ならびに１６は排気パイプ、をそれぞれ示す。即ち第
１図と第２図を比較すると容易にわかる様に本発明では
、第２図の例に示す通りＰシ膜モジュール９は蒸発槽３
に浸漬されており、第１図に用いられている送液ポンプ
８とこの送液ポンプ８に関連している配管の送液ポンプ
サクションパイプ７及び溶媒戻りパイプ１０などが設け
られておらず、必然的に装置全体を小形化することが可
能なことが分かる。
１図は従来技術の蒸発槽と溶媒再生装置とを組み合わせ
た場合のフローシートを示す図で、第２図は本発明によ
る蒸発槽と溶媒再生装置とを組み合わせた一例のフロー
シートを示す図である。第１図及び第２図に於いて、１
は溶媒補給パイプ、２は溶媒、３は蒸発槽、４はヒータ
ー、５はクーラー、６は被洗浄物、例えばウェーハ、７
は送液ポンプサクションパイプ、８は送液ポンプ、９は
Ｐｖ膜モジュール、１０は溶媒戻りパイプ、１１は真空
ポンプサクションパイプ、１２はコンデンサー、１３は
冷却水パイプ、１４はドレンパイプ、１５は真空ポンプ
、ならびに１６は排気パイプ、をそれぞれ示す。即ち第
１図と第２図を比較すると容易にわかる様に本発明では
、第２図の例に示す通りＰシ膜モジュール９は蒸発槽３
に浸漬されており、第１図に用いられている送液ポンプ
８とこの送液ポンプ８に関連している配管の送液ポンプ
サクションパイプ７及び溶媒戻りパイプ１０などが設け
られておらず、必然的に装置全体を小形化することが可
能なことが分かる。
なお、Ｐｖ膜モジュールはｒＰＡ溶液中に浸漬した場合
、と、前記ＩＰＡ蒸気下にさらした場合とでは、水分除
去性能にほとんど差がないことから、このＰｖ膜モジュ
ールの一部がＩＰＡ蒸気中に突き出していてもよい。第
３図は、第２図においてｐｖ膜モジュール９の有効部分
のみを溶媒に浸漬した例を示す図で、コンデンサー及び
真空ポンプ１５の部分は省略しである。
、と、前記ＩＰＡ蒸気下にさらした場合とでは、水分除
去性能にほとんど差がないことから、このＰｖ膜モジュ
ールの一部がＩＰＡ蒸気中に突き出していてもよい。第
３図は、第２図においてｐｖ膜モジュール９の有効部分
のみを溶媒に浸漬した例を示す図で、コンデンサー及び
真空ポンプ１５の部分は省略しである。
Ｐｖ膜モジュールとしては、中空糸膜モジュール、平膜
積層型モジュール、チューブラ型モジュール、プリーツ
型モジュール、及びスパイラル型モジュールなどが用い
られる。
積層型モジュール、チューブラ型モジュール、プリーツ
型モジュール、及びスパイラル型モジュールなどが用い
られる。
［発明の効果］
装置の小形化に対し、従来技術における蒸発槽と溶媒再
生装置の組み合わせでは、蒸発槽３から離れた位置に設
置してもよいコンデンサー１２、真空ポンプ１５を除い
た場合、Ｐｖ膜モジュール９と送液ポンプ８を収納する
ケースの大きさは、５５ｃｍ Ｘ ３５ｃｍ Ｘ １５
ｃｍが必要であるのに対して、本発明の場合は、ｐｖ膜
モジュール９は蒸発槽３の中に組み込まれており、かつ
送液ポンプが不要であることから、収納ケースは全く必
要としないこととなった。このことは特に既設の蒸発槽
に溶媒再生装置を取付けたい場合に、非常に貢献するも
のである。
生装置の組み合わせでは、蒸発槽３から離れた位置に設
置してもよいコンデンサー１２、真空ポンプ１５を除い
た場合、Ｐｖ膜モジュール９と送液ポンプ８を収納する
ケースの大きさは、５５ｃｍ Ｘ ３５ｃｍ Ｘ １５
ｃｍが必要であるのに対して、本発明の場合は、ｐｖ膜
モジュール９は蒸発槽３の中に組み込まれており、かつ
送液ポンプが不要であることから、収納ケースは全く必
要としないこととなった。このことは特に既設の蒸発槽
に溶媒再生装置を取付けたい場合に、非常に貢献するも
のである。
一方、送液ポンプが設けられていないと言うことは、溶
媒の着火に対する安全性についても、該溶媒への異物の
混入についても全くその恐れがなく、安全上ならびに品
質上にも大きく貢献するものである。なおＰｖ膜モジュ
ールの水分の除去の効果については、蒸発槽の中のＩＰ
Ａは常時ヒーター４で加熱しているため、槽内でたえず
ＩＰＡが流動していることから、送液ポンプでの外部の
Ｐｖ膜モジュールによる場合と何等水分の除去効果に差
異がないことが分かった。
媒の着火に対する安全性についても、該溶媒への異物の
混入についても全くその恐れがなく、安全上ならびに品
質上にも大きく貢献するものである。なおＰｖ膜モジュ
ールの水分の除去の効果については、蒸発槽の中のＩＰ
Ａは常時ヒーター４で加熱しているため、槽内でたえず
ＩＰＡが流動していることから、送液ポンプでの外部の
Ｐｖ膜モジュールによる場合と何等水分の除去効果に差
異がないことが分かった。
第１図は従来技術の蒸発槽乙こ７容媒再生装置を取り付
けた場合のフローシートを示す図、第２図は本発明によ
る蒸発槽に溶媒再生装置を取り付けた場合の一例のフロ
ーシートを示す図で、第３図は本発明によるＰｖ膜モジ
ュールの有効部分のみを溶媒に浸漬した例を示す図であ
る。 ■・・溶媒補給パイプ ２・・溶媒 ３・・蒸発槽 ４・・ヒーター５・・クーラー
６・・被洗浄物９・・ｐｖ膜モジュール １１・・真空ポンプサクションバイブ １２・・コンデンサー １３・・冷却水パイプ１４・
・ドレン・バイブ １５・・真空ポンプ１６・・排気
バイブ 出願人代理人 古 谷 馨 （外３名） 第１図 第２ｗ１ 第３図
けた場合のフローシートを示す図、第２図は本発明によ
る蒸発槽に溶媒再生装置を取り付けた場合の一例のフロ
ーシートを示す図で、第３図は本発明によるＰｖ膜モジ
ュールの有効部分のみを溶媒に浸漬した例を示す図であ
る。 ■・・溶媒補給パイプ ２・・溶媒 ３・・蒸発槽 ４・・ヒーター５・・クーラー
６・・被洗浄物９・・ｐｖ膜モジュール １１・・真空ポンプサクションバイブ １２・・コンデンサー １３・・冷却水パイプ１４・
・ドレン・バイブ １５・・真空ポンプ１６・・排気
バイブ 出願人代理人 古 谷 馨 （外３名） 第１図 第２ｗ１ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機溶媒蒸発槽に、水分を除去するためのパーベー
パレーション膜モジュールを用いる溶媒再生装置を取り
付けるに際して、上記モジュールの一部または全部を上
記蒸発槽の有機溶媒中に直接浸漬してなることを特徴と
する有機溶媒再生装置。 ２ 有機溶媒蒸発槽が、半導体材料を水洗浄後、有機溶
媒の蒸気で洗浄、乾燥するシステムに用いられるもので
あることを特徴とする請求項１記載の有機溶媒再生装置
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29792290A JP2904307B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 有機溶媒再生装置 |
| PCT/JP1991/001499 WO1992007647A1 (en) | 1990-11-02 | 1991-11-01 | Device for regenerating organic solvent |
| KR1019920701568A KR920703187A (ko) | 1990-11-02 | 1991-11-01 | 유기용매 재생장치 |
| EP19910918996 EP0509105A4 (en) | 1990-11-02 | 1991-11-01 | Device for regenerating organic solvent |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29792290A JP2904307B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 有機溶媒再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171025A true JPH04171025A (ja) | 1992-06-18 |
| JP2904307B2 JP2904307B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=17852828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29792290A Expired - Lifetime JP2904307B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 有機溶媒再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904307B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243768A (en) * | 1991-02-18 | 1993-09-14 | Mitsubishi Kasei Corporation | Vapor drier |
| WO2001066236A3 (en) * | 2000-03-07 | 2001-11-29 | Fielding Chemical Technologies | Pervaporation apparatus and method |
| JP2006015214A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Denso Corp | 水切り乾燥装置 |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29792290A patent/JP2904307B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243768A (en) * | 1991-02-18 | 1993-09-14 | Mitsubishi Kasei Corporation | Vapor drier |
| WO2001066236A3 (en) * | 2000-03-07 | 2001-11-29 | Fielding Chemical Technologies | Pervaporation apparatus and method |
| JP2006015214A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Denso Corp | 水切り乾燥装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2904307B2 (ja) | 1999-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6161689A (ja) | 純水製造装置 | |
| JPH04171025A (ja) | 有機溶媒再生装置 | |
| JPH04171026A (ja) | 有機溶媒再生装置 | |
| JP5572198B2 (ja) | 基板処理装置及び薬液再生方法 | |
| US20040244818A1 (en) | System and method for cleaning of workpieces using supercritical carbon dioxide | |
| JP6428806B2 (ja) | 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 | |
| JP5268463B2 (ja) | 被処理物洗浄装置 | |
| WO1992007647A1 (en) | Device for regenerating organic solvent | |
| JPH1116873A (ja) | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 | |
| JPH04155924A (ja) | 蒸気乾燥装置 | |
| JPH1157304A (ja) | 半導体素子製造用化学薬品の精製方法及びその再生システム | |
| JP5268462B2 (ja) | 被処理物洗浄装置 | |
| KR101446121B1 (ko) | 속성 건조수단을 구비한 세정장치 | |
| JP6526858B2 (ja) | 洗浄液蒸留再生装置、部品洗浄装置、及び、洗浄液の蒸留再生方法 | |
| JP2610063B2 (ja) | 蒸気乾燥方法及びその装置 | |
| KR20170065198A (ko) | 증기 응축 방식 고형물 세척 및 건조 장치 | |
| JP2610062B2 (ja) | 蒸気乾燥法及びその装置 | |
| JPH04156917A (ja) | 低級アルコールの回収法及び回収装置 | |
| JP3326845B2 (ja) | 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 | |
| JP2006297371A (ja) | 被精密洗浄物の洗浄方法 | |
| JP2005142301A (ja) | 高圧処理方法、及び高圧処理装置 | |
| KR20050003896A (ko) | 반도체 제조 설비의 세정액 순환 장치 | |
| JPH06204202A (ja) | 洗浄乾燥装置 | |
| KR20160051115A (ko) | 복수 탈염 시스템 및 방법 | |
| JPH07308644A (ja) | 蒸気リンス−蒸気乾燥処理装置 |