JPH04155924A - 蒸気乾燥装置 - Google Patents
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
装置のウェハのような被処理物の乾燥を行うための蒸気
乾燥装置に関するものである。
ハを所定の薬液で処理した後、この薬液を水洗処理によ
り除去し、この水洗処理に引き続きウェハに付着した水
を乾燥除去するための処理が行われる。この半導体ウェ
ハの乾燥を行うための装置として蒸気乾燥装置が用いら
れている。 この種の蒸気乾燥装置は、上方が開口された乾燥処理室
の底部に揮発性処理液たるイソプロピルアルコール(I
PA)を供給する一方、この処理室の下方にヒータを設
け、このヒーターにより前記IPAを加熱して蒸発させ
、前記処理室内をこのIPAの蒸気雰囲気にし、このI
PA蒸気雰囲気に被処理物たる半導体ウェハを晒して乾
燥するようにしている。なお、半導体ウェハは、一般に
は、キャリア治具と共に処理室内に導入される。また、
処理室の上部にはIPA蒸気を液化するための冷却手段
、例えば上端開口部の内側に配設された冷却蛇管等から
成るものが設けられている。 この乾燥の過程は次のように説明することができる。前
記処理室内に導入されるウェハは、前処理工程で室温に
保たれた純水によって水洗処理されているので、この導
入時には半導体ウェハには多くの水が付着していると共
に半導体ウェハは室温と同程度の温度になっている。そ
のため、ウェハを処理室内に導入すると、高温のrPA
蒸気雰囲気との温度差により、ウェハの表面でIPA蒸
気が凝縮して液化される。そして、この液化したIPA
にウェハ表面に付着していた水が溶解し、その溶解物が
ウェハの表面から漸次脱離することによりウェハの乾燥
が行われる。 なお、この種の蒸気乾燥装置に関する先行文献としては
、例えば特開昭58−207638号公報が挙げられる
。
ェハやそのキャリア治具等の処理室内への導入時に、ウ
ェハやそのキャリア治具等が帯有する水分、あるいは処
理室の上部の冷却蛇管の表面にて凝縮する空気中の水分
や不純物等が処理室内に大量に蓄積されてしまう。した
がって、ウェハの乾燥処理の回数を重ねる程、処理室内
のIPAの組成の変化が大きくなる。つまり、従来の装
置では、処理室内のIPA中の水分量及び不純物量が経
時的に増加する。ここで、水分量の増加は当然のことな
からウェハの乾燥不良の大きな原因となる。なお、水分
量の増加は、理論的にはIPA液と水分の2液相の共沸
点の組成まで収束される。更に、IPA液中の不純物量
が大きくなると、ヒータによる加熱の際、IPA液が沸
騰して飛沫が生じたとき、この飛沫に混入している異物
等の不純物がウェハ表面に付着し、同様に乾燥不良の原
因となる。 かかるウェハ乾燥不良の発生確率を少なくするために、
従来においては、蒸気乾燥装置の稼働を定期的に停止さ
せ、その停止時に処理室内に滞留したIPA液を廃液し
、新液、つまり未使用のIPA液と交換するような手段
を講じている。 しかしながら、IPA液の交換頻度を高くした場合、ウ
ェハ乾燥の不良発生率は低くなるものの、IPA液交換
作業毎に蒸気乾燥装置の実稼働時間が侵食サレルので、
ウェハプロセスのスループットが低下してしまう。また
、その交換作業の頻度が多くなると、作業者がIPA液
に接する機会も多くなるので、I!康管理上の問題があ
る他、IPA液の使用量が多くなるので、経済的な問題
がある。 そのため、ウェハプロセスにおける余裕度等を考慮して
前記IPA液交換作業の時間間隔を極力長くしたり、あ
るいは処理室を水分の蓄積が少なくなる構造にしたりす
るような手段を講じているが、かかる手段は急場しのぎ
的なものであり本質的な解決手段とはいえない。 本発明は、被処理物の乾燥を高清浄状態で、しかも長時
間にわたって能率良く行ない得る等とした蒸気乾燥装置
を提供することを目的とする。
室内を揮発性処理液の蒸気雰囲気にし、該蒸気雰囲気に
被処理物を晒すことにより、該被処理物の乾燥を行うよ
うに構成された蒸気乾燥装置において、前記処理室内に
滞留した前記揮発性処理液を精製し、該精製された流体
を前記処理室内に帰還させるための循環脱水精製手段を
設け、そして前記循環脱水精製手段は、前記滞留した揮
発性処理液を気化するための蒸発部と、該蒸発部にて生
成された蒸気を脱水分離膜で脱水処理するための脱水部
と、該脱水処理された蒸気を蒸留するための蒸留部とを
少なくとも備えていることを内容とする。 すなわち、処理室に滞留する揮発性処理液を抽出し、該
抽出された揮発性処理液を脱水精製すると共に、該精製
された揮発性処理液を再利用すべく処理室に戻す手段を
設ける構成とし、処理室内に滞留する揮発性処理液を、
未使用の揮発性処理液と同等の純度の組成で長時間一定
に維持するようにしたものである。 上記揮発性処理液の脱水精製の手段は、より具体的には
揮発性処理液を沸点よりも高温の蒸気状態に蒸発させ、
脱水分離膜モジュールを通過させ、更に、脱水された蒸
気の蒸留を行う構成としている。
処理液が供給され、処理室内が揮発性処理液の蒸気雰囲
気にされた後、水分等を帯有した被処理物が該蒸気雰囲
気に晒されると、被処理物の表面で揮発性処理液の蒸気
が凝縮して水分等を溶解させると共に、該水分等の溶解
処理液が被処理物の表面から脱離するという過程を繰り
返し、乾燥が行われる。 この場合、被処理物の表面から脱離した溶解処理液や処
理室内で冷却されて液化した揮発性処理液等は処理室の
底部に滞留するが、該滞留した処理液は、循環脱水精製
手段により脱水精製された流体となって再び処理室内に
戻るという過程を繰り返す。したがって、処理室内に滞
留する処理液の組成を長時間路一定の高純度に保つこと
ができ、被処理物の乾燥は常時可及的に高清浄な状態で
行われる。
すものである。同図に示すように、乾燥処理室1は、上
方が開口し、水平断面が例えば四角形状の有底の筒状体
から成るものであり、前記上方の開口部の内側にはらせ
ん状の冷却蛇管2が設けられており、該冷却蛇管2には
図示しない冷水供給部が連結されている。また、前記処
理室1の底部にはヒータ3が設けられ、前記ヒータ3の
下方には、図示しないバルブを有する廃液導管4を介し
て前記処理室lの底部に連結された廃液回収菫5が設け
られている。さらに、前記処理室1の外部には、揮発性
処理液たるイソプロピルアルコール(IPA)を貯留し
たIPA供給供給炉6けられており、該IPA供給部6
には、中途部に図示しないバルブを有する給液導管7が
連結されており、該給液導管7の先端部は前記処理室l
の上部開口内に臨まされている。 そして、前記廃液導管4と前記給液導管7との間には循
環脱水精製部8が設けられている。なお、前記処理室1
の内部には被処理物たる半導体ウェハ9及びこれを収納
するキャリア治具10が挿入され、該処理室lの底部に
は所定量のIPA液11が滞留するようになっている。 第2図は、前記循環脱水精製部8の具体的な構成を示す
ものである。 該循環脱水精製部8の人波側は前記廃液導管4と吸入管
12を介して連結されており、該吸入導管12は、一定
流量の゛IPAIPA液吸入・吐出可能なポンプ13に
連結されている。そして、該ポンプ13の後段には液沸
点以上の温度にするIPA蒸気を発生させるための蒸発
器14を連結しており、また、該蒸発器14の後段には
、IPA過熱蒸気に含まれる水分とIPA蒸気とに分離
可能な脱水分離膜、例えば、ポリイミド酸の蒸気脱水膜
を内蔵する分離膜モジュール15が設けられている。な
お、該分離膜モジュール15には、分離した水分等を系
外部に排出するべく排気導管16を介して真空ポンプ等
から成る排気セット17が連結されている。さらに、前
記分離膜モジュール15の後段には、水分を分離したI
PA蒸気に含まれるパーティクルや溶出金属を除去して
分離性の向上を図るべく蒸留するための蒸留塔18が設
けられている。ここで、該蒸留塔18は、精留作用を増
長させるべくその塔頂部近傍に還流冷却器が設けられて
いる。なお、該蒸留塔18は帰還導管19を介して前記
導管7に連結されている。 次に、上記のように構成された第1実施例の作動につき
説明する。 まず、乾燥処理室l内にIPA供給部6からIPA液が
供給され、ヒータ3により処理室1の底部に滞留したI
PA液が加熱されると、該処理室1内がIPA液の蒸気
雰囲気で充満される。かかる状態で、前処理である水洗
処理がなされた半導体ウェハ9が前記蒸気雰囲気に晒さ
れると、ウェハ9の表面でIPA蒸気が凝縮して水分等
を溶解させると共に、該水分等を溶解したIPA液が被
処理物の表面から脱離するという過程を繰り返し、乾燥
が行われる。 この場合、ウェハ9の表面から脱離したIPA液や前記
冷却蛇管2により冷却されて液化した使用済みのIPA
液等は処理室1の底部に滞留するが、該滞留したIPA
液の一部は、吸入導管12を介して循環脱水精製部8に
吸入され、他は廃液回収室5に流入する。 前記循環脱水精製部8は、ポンプ13により処理室lの
底部のIPA液11を吸入し、該ポンプ13から吐出し
たIPA液は蒸発器14に導入され液沸点以上の温度で
気化する。該気化したIPA蒸気は過熱状態のまま分離
膜モジュール15に導入され、蒸気脱水膜モジュールを
通過することにより膜を透過した水分が分離除去される
。ここで、膜を透過する前のIPAの濃度は、ポンプ1
3の吐出量や吐出圧、あるいは蒸気脱水膜の膜面積、さ
らには排気セット17による分離膜モジュ ール15内の膜透過側の真空度等に応じて任意に制御で
きる。 前記分離膜モジュール15を通過したIPA蒸気は蒸留
塔18に導入され、該蒸留塔18では蒸気と液との向流
接触の繰り返し、及び塔頂部と還流冷却器との間の還流
の繰り返しによる精留作用により該蒸留塔18の抽出部
から精製されたIPA流体が得られる。このようにして
脱水精製されたIPA流体は帰還管19を介して前記処
理室1内に注入される。 従って、本実施例の構成では処理室1内のIPA液につ
いて脱水精製が繰り返し行われるので、処理室1内に滞
留するIPA液11の組成を長時間路−定の高純度に保
つことができ、ウェハ9の乾燥は可及的に高清浄な状態
で行われる。 第3図は、処理室l内のIPA液の純度の経時変化につ
いて、本実施例と従来装置との比較を示したものである
。実線で示す曲線Pは本実施例を適用した場合の実験例
であり、装置の稼働開始時を最高純度(例えば99.9
9パーセント)とすると、暫時の時間を経過した後若干
低下した純度(例えば97バーセント)となるが、その
後は略その高純度で略一定に保たれることが理解できる
。これに対し、波線で示す曲線Rは従来装置を用いた場
合の実験例であり、IPA液の純度は時間の経過にした
がって急激に低下し、その後も漸次低下を続けることが
理解できる。 第4図は第2実施例を示すものであり、前記循環脱水精
製部8において、蒸留塔18の塔頂部を帰還導管19を
介して処理室l内と連通させ、(又、必要であれば、前
記給液導管7と前記吸入導管12との間に分岐導管20
を設け、前記IPA供給部6からの未使用のIPA液に
ついても蒸留を行なうように構成し、)該帰還導管19
の先端部から前記蒸留塔18の塔頂部で得られる高純度
のIPA蒸気の一部を直接放出するようにしたものであ
る。他の構成、作用は第1実施例と同様であるので説明
を省略する。 かかる構成とすることにより、処理室l内の廃液を再利
用するのみの構成に比べて処理室l内のIPA蒸気雰囲
気をより高純度に保つことができる。 第5図は第3実施例を示すものであり、前記循環脱水精
製部8において、前記吸入管12を前記廃液回収室5に
連結するように構成し、廃液回収室5に貯留されたIP
A液の全てを精製脱水して処理室1内に戻す、いわば完
全クローズドタイプの廃液回収を行うようにしている。 他の構成、作用は上記第1実施例と同様であるので説明
を省略する。 かかる構成とすることにより、廃液再利用の効率が高く
なり、経済性に優れる。 上記各実施例の説明においては、被処理物として半導体
ウェハ9を例として説明したが、本発明は、例えば光デ
ィスク、磁気ディスク、フォトマスク、レンズ等の各種
被処理物の乾燥に適用することができる。
性処理液の蒸気雰囲気にし、該蒸気雰囲気に被処理物を
晒すことにより、該被処理物の乾燥を行うように構成さ
れた蒸気乾燥装置において、前記処理室内に滞留した前
記揮発性処理液を精製し、該精製された流体を前記処理
室内に帰還させるための循環脱水精製手段を設けたこと
を特徴とするので、処理室内の処理液を循環脱水精製す
ることにより、水分量や不純物量を可及的に低減するこ
とができ、未使用の処理液と同等の高純度な組成に長時
間保つことができ、被処理物の乾燥を常時高清浄な状態
で行える。 また、被処理液の交換頻度が激減するので、処理液の使
用量を大幅に節減することができ、従来装置に比べて経
済性に優れる一方、装置の実稼働率が飛躍的に高くなり
、被処理物の乾燥のスルーブツトを向上させることがで
きると共に、作業者が被処理液等に触れる機会も少なく
なり、健康管理の面での問題を回避できる。 さらに、請求項1の発明によれば、前記循環脱水精製手
段は、前記滞留した揮発性処理液を気化するための蒸発
部と、該蒸発部にて生成された蒸気を脱水処理するため
の脱水部と、該脱水処理された蒸気を蒸留するための蒸
留部とを少なくとも備えていることを特徴とするので、
前述の効果に加え、処理液の高純度な脱水精製をより現
実的かつ具体的に実現できる。 請求項2の発明によれば、前記脱水部は、前記蒸発部に
て生成された蒸気を高温状態で処理可能な脱水分離膜に
より構成されていることを特徴とするので、請求項1の
効果に加え、水分の分離をより効率的に行える。 請求項3の発明によれば、前記脱水分離膜は、ポリイミ
ド製の蒸気脱水膜であることを特徴とするので、請求項
2の効果に加え、脱水分離膜を容易に入手できる。 請求項4の発明によれば、前記蒸留部は、還流冷却器を
有する蒸留塔から成ることを特徴とするので、請求項2
から請求項3までの効果に加え、より高純度な処理液の
脱水精製を実現できる。 請求項5の発明によれば、前記蒸留部は、蒸留塔の塔頂
部が前記処理室に連通されていることを特徴とするので
、請求項4の効果に加え、より効率良く被処理物の乾燥
を行うことができる。 請求項6の発明によれば、前記揮発性処理液は、アルコ
ールであることを特徴とするので、請求項1から請求項
5までの効果に加え、揮発性処理液を容易に入手できる
。 請求項7の発明によれば、前記被処理物は、半導体ウェ
ハであることを特徴とするので、請求項1から請求項6
の効果に加え、特に高集積度が要求される半導体の製造
の歩留まり向上に貢献できる。
図、第2図は第1図に示す循環脱水精製部の要部を示す
ブロック構成図、第3図はIPA純度の経時変化を示す
グラフ、第4図は本発明の第2実施例を示すブロック構
成図、第5図は本発明の第3実施例を示すブロック構成
図である。 ■・・・乾燥処理室、2・・・冷却蛇管、3・・・ヒー
タ、8・・・循環脱水精製部(循環脱水精製手段)、9
・・・半導体ウェハ(被処理物)、11・・・IPA
(揮発性処理液)、I4・・・蒸発器(蒸発部)、15
・・・分離膜モジュール(脱水部)、18・・・蒸留塔
(蒸留部)。 第1図 、7 第2図 第3図 第4図 第5tg
Claims (7)
- (1)処理室内を揮発性処理液の蒸気雰囲気にし、該蒸
気雰囲気に被処理物を晒すことにより、該被処理物の乾
燥を行うように構成された蒸気乾燥装置において、 前記処理室内に滞留した前記揮発性処理液を精製し、該
精製された流体を前記処理室内に帰還させるための循環
脱水精製手段を設け、そして前記循環脱水精製手段は、
前記滞留した揮発性処理液を気化するための蒸発部と、
該蒸発部にて生成された蒸気を脱水分離膜で脱水処理す
るための脱水部と、該脱水処理された蒸気を蒸留するた
めの蒸留部とを少なくとも備えていることを特徴とする
蒸気乾燥装置。 - (2)前記脱水部は、前記蒸発部にて生成された蒸気を
高温状態で処理可能な脱水分離膜により構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の蒸気乾燥装置。 - (3)前記脱水分離膜は、ポリイミド製の蒸気脱水膜で
あることを特徴とする請求項2記載の蒸気乾燥装置。 - (4)前記蒸留部は、還流冷却器を有する蒸留塔から成
ることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれ
か1項に記載の蒸気乾燥装置。 - (5)前記蒸留部は、蒸留塔の塔頂部が前記処理室と連
通されていることを特徴とする請求項4に記載の蒸気乾
燥装置。 - (6)前記揮発性処理液は、アルコールであることを特
徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記
載の蒸気乾燥装置。 - (7)前記被処理物は、半導体ウェハであることを特徴
とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載
の蒸気乾燥装置。
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