JP4302131B2 - 半導体装置の製造方法及び、ウエットエッチング処理装置 - Google Patents
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Description
119 半導体ウエハ
120 エッチング溶液
121 バブラー
122 窒素ガス供給源
123 電磁バルブ
124a,124b 流量計
126a 第1の配管
126b 第2の配管
129 制御部
Claims (17)
- ウエットエッチング用のフッ化アンモニウムを含むエッチング溶液を貯留し、その中で半導体ウエハに対してウエットエッチング処理を行うエッチング薬液槽と;
ウエットエッチング中に、前記エッチング薬液槽内に供給される窒素ガス(N2)を供給する窒素ガス供給部と;
ウエットエッチング中に、前記窒素ガス供給部から供給される前記窒素ガス(N2)を前記エッチング薬液槽内に送り込むとともに、前記ウエットエッチングを行わない待機時にも、前記窒素ガスを前記エッチング薬液槽内に送り続ける流量調整部と;
ウエットエッチング中に、前記窒素ガス供給部から供給される前記窒素ガス(N2)を前記エッチング薬液槽内で気泡状にするバブリング部とを備えたことを特徴とするウエットエッチング処理装置。 - 前記エッチング溶液は、更にフッ酸及び酢酸を含むことを特徴とする請求項1に記載のウエットエッチング処理装置。
- 前記流量調整部は、ウエットエッチング中に前記窒素ガスを前記エッチング薬液槽内に導く第1の配管と;ウエットエッチング中及び前記待機時に前記窒素ガスを前記エッチング薬液槽内に導く第2の配管とを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のウエットエッチング処理装置。
- 前記第1の配管は、前記第2の配管よりも多くの量の窒素ガスを前記エッチング薬液槽内に導く構成であることを特徴とする請求項3に記載のウエットエッチング処理装置。
- 前記第2の配管は、前記第1の配管の10%以下の量の窒素ガスを前記エッチング薬液槽内に導く構成であることを特徴とする請求項4に記載のウエットエッチング処理装置。
- 前記第1の配管による前記窒素ガスの供給を遮断・開放可能なバルブを更に備えたことを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載のウエットエッチング処理装置。
- 前記バルブの開閉により、ウエットエッチング中の前記第1の配管による前記窒素ガスの前記エッチング薬液槽内への供給を、所定のインターバルを持って間欠的に行うことを特徴とする請求項6に記載のウエットエッチング処理装置。
- ウエットエッチング中の前記第1の配管による前記窒素ガスの前記エッチング溶液内への供給時間は、前記半導体ウエハを前記エッチング薬液槽内のエッチング溶液に浸している時間の半分以下であることを特徴とする請求項7に記載のウエットエッチング装置。
- ウエットエッチング中の前記第1の配管による前記窒素ガスの前記エッチング溶液内への供給時間は、半導体ウエハを前記エッチング薬液槽内のエッチング溶液に浸している時間の1〜3%であることを特徴とする請求項8に記載のウエットエッチング処理装置。
- 半導体ウエハをフッ化アンモニウムを含むエッチング溶液に浸してウエットエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、
ウエットエッチング中に、窒素ガス(N2)を前記エッチング溶液内に供給して、バブリングするとともに、
ウエットエッチングを行わない待機時にも、前記窒素ガスを前記エッチング溶液内に供給し続けることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記エッチング溶液は、更にフッ酸及び酢酸を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記待機時には、ウエットエッチング中よりも少ない量の窒素ガスを前記エッチング溶液内に供給することを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記待機時の窒素ガス供給量は、ウエットエッチング中の窒素ガス供給量の10%以下であることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- ウエットエッチング中の前記窒素ガスの前記エッチング溶液内への供給は、所定のインターバルを持って間欠的に行うことを特徴とする請求項10乃至13の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- ウエットエッチング中の前記窒素ガスの前記エッチング溶液内への供給時間は、前記半導体ウエハを前記エッチング溶液に浸している時間の半分以下であることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- ウエットエッチング中の前記窒素ガスの前記エッチング溶液内への供給時間は、前記半導体ウエハを前記エッチング溶液に浸している時間の1〜3%であることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置は、MEMS構造の3軸加速度センサであることを特徴とする請求項請求項10乃至16の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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