JP5213638B2 - ウェットエッチング方法 - Google Patents
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Description
図12は、特許文献1に記載されたウェットエッチング装置900を説明するために示す図である。図12(a)はウェットエッチング装置900の上面図であり、図12(b)はウェットエッチング装置900の断面図であり、図12(c)はウェットエッチング装置900におけるバブラー915の断面図である。
図1は、実施形態1に係るウェットエッチング装置100を説明するために示す図である。図2は、第1の気泡及び第2の気泡を説明するために示す図である。図3は、実施形態1に係るウェットエッチング方法を説明するために示す図である。
図4は、実施形態2に係るウェットエッチング装置100aを説明するために示す図である。
図5は、実施形態2に係るウェットエッチング方法を説明するために示す図である。
図6は、実施形態3に係るウェットエッチング方法を説明するために示す図である。
実施形態3に係るウェットエッチング方法は、実施形態2に係るウェットエッチング方法と同様に、実施形態2に係るウェットエッチング装置100aを用いて実施することができる。すなわち、バブラー124の気孔近傍における平均径が5μm〜200μmの範囲内にある第1の気泡と、第1の気泡よりも大きい平均径を有し、バブラー120の気孔近傍における平均径が100μm〜2mmの範囲内にある第2の気孔とを併用して半導体ウェハWのウェットエッチングを行うこととしている。但し、図6に示すように、実施形態2に係るウェットエッチング方法の場合とは異なり、第1の気泡によるバブリングと、第2の気泡によるバブリングとを同時に行いながら半導体ウェハWのウェットエッチングを行うこととしている。従って、実施形態3に係るウェットエッチング方法においては、図6に示すように、第1の気泡によるバブリングと、第2の気泡によるバブリングとの切り替えは不要である。
図7は、実施形態4に係るウェットエッチング方法を説明するために示す図である。
実施形態4に係るウェットエッチング方法は、実施形態2に係るウェットエッチング方法と同様に、実施形態2に係るウェットエッチング装置100aを用いて実施することができる。すなわち、バブラー124の気孔近傍における平均径が5μm〜200μmの範囲内にある第1の気泡と、第1の気泡よりも大きい平均径を有し、バブラー120の気孔近傍における平均径が100μm〜2mmの範囲内にある第2の気孔とを併用して半導体ウェハWのウェットエッチングを行うこととしている。但し、図7に示すように、実施形態2に係るウェットエッチング方法の場合とは異なり、第1の気泡によるバブリングを連続的に行うとともに、第2の気泡によるバブリングを間欠的に行いながら半導体ウェハのウェットエッチングを行うこととしている。
図8は、実施形態5に係るウェットエッチング装置100bを説明するために示す図である。
実施形態5に係るウェットエッチング100bは、実施形態1に係るウェットエッチング100とよく似た構成を有するが、エッチング槽110の底部に設置された超音波発生装置150をさらに備える点で実施形態1に係るウェットエッチング装置100の場合と異なる。
図9は、実施形態6に係るウェットエッチング装置100cを説明するために示す図である。
実施形態6に係るウェットエッチング100cは、実施形態1に係るウェットエッチング100とよく似た構成を有するが、エッチング槽110のエッチング液Sを減圧する減圧装置160をさらに備える点で実施形態1に係るウェットエッチング装置100の場合と異なる。
図10は、実施形態7に係るウェットエッチング装置100dを説明するために示す図である。
実施形態7に係るウェットエッチング100dは、実施形態1に係るウェットエッチング100とよく似た構成を有するが、エッチング槽110のエッチング液Sを加圧する加圧装置170をさらに備える点で実施形態1に係るウェットエッチング装置100の場合と異なる。
図11は、実施形態8に係るウェットエッチング装置100eを説明するために示す図である。
実施形態8に係るウェットエッチング100eは、実施形態1に係るウェットエッチング100とよく似た構成を有するが、バブラー120に供給する不活性ガスを加熱する加熱装置180をさらに備える点で実施形態1に係るウェットエッチング装置100の場合と異なる。
Claims (10)
- エッチング槽中のエッチング液に半導体ウェハを浸漬した状態で、前記エッチング槽の底部に配置したバブラーから不活性ガスからなる第1の気泡によるバブリングと前記第1の気泡よりも大きい平均径を有する第2の気泡によるバブリングとを併用して行ないながら、前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うウェットエッチング方法であって、
前記バブラーの気孔近傍における前記第1の気泡の平均径は、5μm〜200μmの範囲内にあり、
前記第1の気泡によるバブリングと、前記第2の気泡によるバブリングとを交互に行いながら前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 - エッチング槽中のエッチング液に半導体ウェハを浸漬した状態で、前記エッチング槽の底部に配置したバブラーから不活性ガスからなる第1の気泡によるバブリングと前記第1の気泡よりも大きい平均径を有する第2の気泡によるバブリングとを併用して行ないながら、前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うウェットエッチング方法であって、
前記バブラーの気孔近傍における前記第1の気泡の平均径は、5μm〜200μmの範囲内にあり、
前記第1の気泡によるバブリングを連続的に行うとともに、前記第2の気泡によるバブリングを間欠的に行いながら前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 - エッチング槽中のエッチング液に半導体ウェハを浸漬した状態で、前記エッチング槽の底部に配置したバブラーから不活性ガスからなる第1の気泡によるバブリングと前記第1の気泡よりも大きい平均径を有する第2の気泡によるバブリングとを併用して行ないながら、前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うウェットエッチング方法であって、
前記バブラーの気孔近傍における前記第1の気泡の平均径は、5μm〜200μmの範囲内にあり、
前記バブラーの気孔近傍における前記第2の気泡の平均径は、50μm〜2mmの範囲内にあることを特徴とするウェットエッチング方法。 - 請求項3に記載のウェットエッチング方法において、
前記第1の気泡によるバブリングと、前記第2の気泡によるバブリングとを交互に行いながら前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 - 請求項3に記載のウェットエッチング方法において、
前記第1の気泡によるバブリングと、前記第2の気泡によるバブリングとを同時に行いながら前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 - 請求項3に記載のウェットエッチング方法において、
前記第1の気泡によるバブリングを連続的に行うとともに、前記第2の気泡によるバブリングを間欠的に行いながら前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 - 請求項1〜6のいずれかに記載のウェットエッチング方法において、
超音波を照射しながら前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 - 請求項1〜7のいずれかに記載のウェットエッチング方法において、
減圧しながら前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 - 請求項1〜7のいずれかに記載のウェットエッチング方法において、
加圧しながら前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載のウェットエッチング方法において、
加熱した不活性ガスからなる気泡によるバブリングを行いながら、前記半導体ウェハのウェットエッチングを行うことを特徴とするウェットエッチング方法。
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