JPH04192419A - 基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄装置Info
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- JPH04192419A JPH04192419A JP32503590A JP32503590A JPH04192419A JP H04192419 A JPH04192419 A JP H04192419A JP 32503590 A JP32503590 A JP 32503590A JP 32503590 A JP32503590 A JP 32503590A JP H04192419 A JPH04192419 A JP H04192419A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体ウェハやガラス基板などの基板を洗浄
する装置に係り、特に、洗浄槽内にその下方から気体を
導入し、洗浄液中に多数の気泡を発生させた状態で基板
の洗浄を行う基板洗浄装置に関する。
する装置に係り、特に、洗浄槽内にその下方から気体を
導入し、洗浄液中に多数の気泡を発生させた状態で基板
の洗浄を行う基板洗浄装置に関する。
〈従来の技術〉
従来、半導体ウェハなどの基板を洗浄する装置として、
次のようなものが知られている。
次のようなものが知られている。
この洗浄装置は、多数の小孔が形成された板材によって
洗浄槽内が上下に二分され、上室には複数枚の基板を等
間隔に並べて収容した基板保持具が載置され、王室には
例えば、純水などの洗浄液を供給する洗浄液供給源が接
続されるととも乙こ、窒素ガスなどの気体を供給する気
体供給源が接続された構成になっている。
洗浄槽内が上下に二分され、上室には複数枚の基板を等
間隔に並べて収容した基板保持具が載置され、王室には
例えば、純水などの洗浄液を供給する洗浄液供給源が接
続されるととも乙こ、窒素ガスなどの気体を供給する気
体供給源が接続された構成になっている。
基板の洗浄に際しては、前記洗浄液供給源から洗浄槽内
に洗浄液を供給して洗浄槽からオーバーフローさせなが
ら、気体供給源から洗浄槽内に気体を供給し、洗浄液中
に多数の気泡を発生させている。洗浄液中に多数の気泡
を発生させることにより、次のような各作用の相乗効果
によって、基板の洗浄効果を高めている。
に洗浄液を供給して洗浄槽からオーバーフローさせなが
ら、気体供給源から洗浄槽内に気体を供給し、洗浄液中
に多数の気泡を発生させている。洗浄液中に多数の気泡
を発生させることにより、次のような各作用の相乗効果
によって、基板の洗浄効果を高めている。
■ 洗浄液中の気泡が基板表面と接触しながら浮上する
ことによって、基板表面の異物を除去する。
ことによって、基板表面の異物を除去する。
■ 洗浄液中の気泡の上昇によって、洗浄液が撹拌され
、洗浄液の洗浄能を高める。
、洗浄液の洗浄能を高める。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合に
は、次のような問題点がある。
は、次のような問題点がある。
上述のように、洗浄液中に多数の気泡を発生させながら
基板を洗浄することにより、洗浄液のみで洗浄する場合
に比較して、洗浄効果を高めることができるのであるが
、十分な洗浄効果を得ようとすれば、洗浄液中に供給す
る気体の流量も相当多くしなければならず、それだけ洗
浄コストが嵩むという問題点がある。
基板を洗浄することにより、洗浄液のみで洗浄する場合
に比較して、洗浄効果を高めることができるのであるが
、十分な洗浄効果を得ようとすれば、洗浄液中に供給す
る気体の流量も相当多くしなければならず、それだけ洗
浄コストが嵩むという問題点がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、洗浄液中に気体を導入して基板洗浄を行う際の基板
洗浄効果を一層高めた基板洗浄装置を提供することを目
的としている。
て、洗浄液中に気体を導入して基板洗浄を行う際の基板
洗浄効果を一層高めた基板洗浄装置を提供することを目
的としている。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。
な構成をとる。
すなわち、請求項(+1に記載の発明は、洗浄槽内にそ
の下方から気体を導入し、洗浄液中ムこ多数の気泡を発
生させた状態で基板の洗浄を行う基板洗浄装置において
、前記洗浄槽の上部空間を減圧状態にする手段を備えた
ものである。
の下方から気体を導入し、洗浄液中ムこ多数の気泡を発
生させた状態で基板の洗浄を行う基板洗浄装置において
、前記洗浄槽の上部空間を減圧状態にする手段を備えた
ものである。
また、請求項(2)に記載の発明は、請求項(1)に記
載の基板洗浄装置において、洗浄槽の液面を基板表面に
対して相対的に変移させる手段を備えたものである。
載の基板洗浄装置において、洗浄槽の液面を基板表面に
対して相対的に変移させる手段を備えたものである。
〈作用〉
本発明の作用は次のとおりである。
すなわち、請求項(1)に記載の発明によれば、洗浄槽
の上部空間を減圧状態にしたので、洗浄液中の気泡の径
が拡大し、気泡の浮上速度が大きくなるとともに、気泡
が液面ではしけるときの衝撃力も大きくなる。
の上部空間を減圧状態にしたので、洗浄液中の気泡の径
が拡大し、気泡の浮上速度が大きくなるとともに、気泡
が液面ではしけるときの衝撃力も大きくなる。
請求項(2)に記載の発明によれば、洗浄槽の液面を基
板表面に対して相対的に変移させているので、液面で気
泡がはじけるときの衝撃力が、基板の全表面に直接的に
作用する。
板表面に対して相対的に変移させているので、液面で気
泡がはじけるときの衝撃力が、基板の全表面に直接的に
作用する。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細↓こ説明す
る。
る。
第1図は、本発明に係る基板洗浄装置の一実施例の概略
構成を示した縦断面図である。
構成を示した縦断面図である。
気密に構成されたハウジング■は、多数の小孔2aが形
成された隔壁Fi21こよって、その内部が上室3と下
室4とに分けられている。隔壁板2の上には洗浄槽5が
形成されており、この洗浄槽5の内部は、隔壁板2の小
孔2aを介して下室4と連通している。洗浄槽5の中に
、複数枚の基板Wを等間隔に並べて収容した基板保持具
6が載置される。
成された隔壁Fi21こよって、その内部が上室3と下
室4とに分けられている。隔壁板2の上には洗浄槽5が
形成されており、この洗浄槽5の内部は、隔壁板2の小
孔2aを介して下室4と連通している。洗浄槽5の中に
、複数枚の基板Wを等間隔に並べて収容した基板保持具
6が載置される。
上室3の上方には、洗浄液を洗浄槽5に向けて噴出する
シャワーノズル7が配設されているととともに、ハウジ
ングl内を減圧状態に排気するための排気口8が設けら
れている。この排気口8に、排気量を調整するためのダ
ンパー9が配備されている。
シャワーノズル7が配設されているととともに、ハウジ
ングl内を減圧状態に排気するための排気口8が設けら
れている。この排気口8に、排気量を調整するためのダ
ンパー9が配備されている。
下室4には、洗浄槽5に貯留された洗浄液中に窒素ガス
または清浄な空気などからなる多数の気泡を導入するた
めに、多孔質体で形成されたバブラー10が配備されて
いる。
または清浄な空気などからなる多数の気泡を導入するた
めに、多孔質体で形成されたバブラー10が配備されて
いる。
また、上室3には洗浄槽5がらオーバーフローした洗浄
液を排水するための排水管11が、洗浄槽5にはその内
部の洗浄液を排水するための排水管12が、下室4には
その内部の洗浄液を排水するための排水管13と洗浄液
を導入するための給水管14が、それぞれ連通接続され
ている。
液を排水するための排水管11が、洗浄槽5にはその内
部の洗浄液を排水するための排水管12が、下室4には
その内部の洗浄液を排水するための排水管13と洗浄液
を導入するための給水管14が、それぞれ連通接続され
ている。
なお、シャワーノズル7への給水路にはバルブVLIが
、給水管14にはバルブVL2がそれぞれ設けられてい
る。また、バブラー10に連通ずるガス導入路には、圧
力調整器I5、フローメータ16、バルブVL3が設け
られている。さらムこ、排水管11はバルブVL4を介
して、排水管12は流量調節器17およびバルブVL5
を介して、排水管13はバルブVL6を介して、それぞ
れ排水ポンプ18に接続されている。
、給水管14にはバルブVL2がそれぞれ設けられてい
る。また、バブラー10に連通ずるガス導入路には、圧
力調整器I5、フローメータ16、バルブVL3が設け
られている。さらムこ、排水管11はバルブVL4を介
して、排水管12は流量調節器17およびバルブVL5
を介して、排水管13はバルブVL6を介して、それぞ
れ排水ポンプ18に接続されている。
次に、上述した基板洗浄装置を用いた基板の洗浄手法を
説明する。
説明する。
[A)減圧下におけるオーバーフロー洗浄■ まず、バ
ルブVL2、VL4を開く。これにより、給水管14を
介して下室4に例えば純水などの洗浄液が導入される。
ルブVL2、VL4を開く。これにより、給水管14を
介して下室4に例えば純水などの洗浄液が導入される。
下室4を充満した洗浄液は、隔壁板2の小孔2aを介し
て洗浄槽5内に導入され、さらに洗浄槽5をオーバーフ
ローした洗浄液は排水管11を通って排水される。
て洗浄槽5内に導入され、さらに洗浄槽5をオーバーフ
ローした洗浄液は排水管11を通って排水される。
■ ダンパー9を開いて、洗浄槽5の上部空間である上
室3を減圧する。
室3を減圧する。
■ バルブVL3を開いて、バブラー10に例えば窒素
ガスなどの気体を供給する。バブラー10から発生した
多数の気泡は下室4内の洗浄液中を浮上し、隔壁板2の
小孔2aで分散されつつ、洗浄槽5内に導入される。こ
のとき、上室3は減圧状態になっているので、上室3が
大気圧状態のときと比べて、洗浄液中の気泡の体積が増
し、その結果、気泡の浮上速度が上昇する。そのため、
気泡が洗浄槽5内の基板Wと接触しながら上昇すること
によって生ずる洗浄効果は、大気圧状態の場合と比較し
て向上する。また、気泡が洗浄槽5の水面ではしけると
きの衝撃力も、大気圧状態の場合と比較して大きくなる
ので、この衝撃力が洗浄液を介して基板表面に伝わるこ
と↓こよって生しる洗浄効果も向上する。
ガスなどの気体を供給する。バブラー10から発生した
多数の気泡は下室4内の洗浄液中を浮上し、隔壁板2の
小孔2aで分散されつつ、洗浄槽5内に導入される。こ
のとき、上室3は減圧状態になっているので、上室3が
大気圧状態のときと比べて、洗浄液中の気泡の体積が増
し、その結果、気泡の浮上速度が上昇する。そのため、
気泡が洗浄槽5内の基板Wと接触しながら上昇すること
によって生ずる洗浄効果は、大気圧状態の場合と比較し
て向上する。また、気泡が洗浄槽5の水面ではしけると
きの衝撃力も、大気圧状態の場合と比較して大きくなる
ので、この衝撃力が洗浄液を介して基板表面に伝わるこ
と↓こよって生しる洗浄効果も向上する。
[BE減圧下における液面変移を伴った洗浄■ バルブ
VLI、VL6を開く。これにより、シャワーノズル7
から基板Wに向けて洗浄液が噴出し、基板表面を洗い流
す。この洗浄液は隔壁板2を介して下室4に流出し、排
水管13を介して排水される。
VLI、VL6を開く。これにより、シャワーノズル7
から基板Wに向けて洗浄液が噴出し、基板表面を洗い流
す。この洗浄液は隔壁板2を介して下室4に流出し、排
水管13を介して排水される。
■ バルブVLIを開状態にしたままで、バルブVL6
を閉しる。これにより、下室4さらには洗浄槽5内が洗
浄液で満たされる。
を閉しる。これにより、下室4さらには洗浄槽5内が洗
浄液で満たされる。
■ ダンパー9を開いて上室3を減圧するとともに、バ
ルブVL3を開いて、バブラー10に気体を供給する。
ルブVL3を開いて、バブラー10に気体を供給する。
減圧下において、洗浄液中に多数の気泡を発生させるこ
とにより、上記(A)で説明したように洗浄効果が向上
する。
とにより、上記(A)で説明したように洗浄効果が向上
する。
■ 洗浄槽5内が洗浄液で満たされると、バルブVL5
を開いて洗浄槽5内の洗浄液を排水管12を介して排水
する。このときの排水流量がンヤワーノズル7からの給
水流量よりも若干多くなるように、流量調節器17を調
整する。これにより、洗浄槽5の洗浄液の液面は次第に
下部する。
を開いて洗浄槽5内の洗浄液を排水管12を介して排水
する。このときの排水流量がンヤワーノズル7からの給
水流量よりも若干多くなるように、流量調節器17を調
整する。これにより、洗浄槽5の洗浄液の液面は次第に
下部する。
■ 洗浄液の液面が洗浄槽5の底部に達すると、バルブ
VL5を閉状態にする。これにより洗浄槽5の洗浄液の
液面は次第に上昇する。
VL5を閉状態にする。これにより洗浄槽5の洗浄液の
液面は次第に上昇する。
■ 前記■、■の動作を繰り返し実行する。このような
繰り返し動作は、バルブVL5をタイマーで間欠動作さ
せることによってよいし、あるいは、洗浄槽5の上部と
下部にそれぞれ液面検出センサを設置し、これらのセン
サの検出信号に基づいて、バルブVL5を開閉制御する
ようにしてもよい。
繰り返し動作は、バルブVL5をタイマーで間欠動作さ
せることによってよいし、あるいは、洗浄槽5の上部と
下部にそれぞれ液面検出センサを設置し、これらのセン
サの検出信号に基づいて、バルブVL5を開閉制御する
ようにしてもよい。
以上のように、CB)に記載の洗浄手法によれば、洗浄
液の液面が変移するので、洗浄槽5内の基板Wの全表面
が液面と接触することになる。そのため、気泡が液面で
はしける際の衝撃力が基板Wの全表面に直接的に作用す
る。前記(A)に記載のオーバーフロー洗浄の場合、前
記衝撃力は洗浄液を介して基板Wに伝わるので、その衝
撃力は幾分減衰するが、本手法では前述のように衝撃力
が基板Wの全表面に直接的に作用するので、高い洗浄効
果を得ることができる。
液の液面が変移するので、洗浄槽5内の基板Wの全表面
が液面と接触することになる。そのため、気泡が液面で
はしける際の衝撃力が基板Wの全表面に直接的に作用す
る。前記(A)に記載のオーバーフロー洗浄の場合、前
記衝撃力は洗浄液を介して基板Wに伝わるので、その衝
撃力は幾分減衰するが、本手法では前述のように衝撃力
が基板Wの全表面に直接的に作用するので、高い洗浄効
果を得ることができる。
なお、本実施例に係る基板洗浄装置の使用例は、上述し
た(A)、 CB)の手法に限定されない。
た(A)、 CB)の手法に限定されない。
例えば、〔B〕の手法では、ノヤワーノズル7から洗浄
液を供給したが、下室4に設けられた給水管14を介し
て洗浄液を供給するようにしてもよい。
液を供給したが、下室4に設けられた給水管14を介し
て洗浄液を供給するようにしてもよい。
また、上述した実施例では、バルブVL5を開閉するこ
とによって、洗浄液の液面を変移させたが、これは基板
Wを収容した基板保持具6を昇降させることによって、
洗浄液の液面を相対的に変移させるものであってもよい
。
とによって、洗浄液の液面を変移させたが、これは基板
Wを収容した基板保持具6を昇降させることによって、
洗浄液の液面を相対的に変移させるものであってもよい
。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、次の
効果が発揮される。
効果が発揮される。
すなわち、請求項(1)に記載の発明によれば、洗浄槽
の上部空間を減圧した状態で、洗浄液中に多数の気泡を
発生させて基板の洗浄を行っているので、洗浄槽の上部
空間を大気圧にして洗浄する場合に比べて、洗浄液中の
気泡が大きくなり、そのため、気泡の浮上速度が上昇す
るとともに、液面ではしける際の衝撃力も大きくなる。
の上部空間を減圧した状態で、洗浄液中に多数の気泡を
発生させて基板の洗浄を行っているので、洗浄槽の上部
空間を大気圧にして洗浄する場合に比べて、洗浄液中の
気泡が大きくなり、そのため、気泡の浮上速度が上昇す
るとともに、液面ではしける際の衝撃力も大きくなる。
したがって、同し流量の気体を洗浄液中に導入した場合
には、従来装置よりも高い洗浄効果を得ることができ、
逆二こ、同じ洗浄効果を得る場合↓こは、従来装置より
も気体の使用量を少なくすることができて経済的である
。
には、従来装置よりも高い洗浄効果を得ることができ、
逆二こ、同じ洗浄効果を得る場合↓こは、従来装置より
も気体の使用量を少なくすることができて経済的である
。
また、請求項(2)に記載の発明によれば、洗浄液の液
面を相対的に変移させているので、気泡が液面ではじけ
る際の衝撃力が基板の全表面にわたって直接的に作用し
、その結果、基板の洗浄効果を一層高めることができる
。
面を相対的に変移させているので、気泡が液面ではじけ
る際の衝撃力が基板の全表面にわたって直接的に作用し
、その結果、基板の洗浄効果を一層高めることができる
。
第1図は本発明に係る基板洗浄装置の一実施例の概略構
成を示した給断面図である。 1・・・ハウジング 2・・・隔壁板3・・・−
F室 4・・下室5・・・洗浄槽
6・・・基板保持具7・・・ノヤワーノズル 8
・・・排気口9・・・ダンパー lO・・・バ
ブラーI1.12.13・・・排水管 14・・・給
水管出願人 大日本スクリーン製造株式会社代理人 弁
理士 杉 谷 勉
成を示した給断面図である。 1・・・ハウジング 2・・・隔壁板3・・・−
F室 4・・下室5・・・洗浄槽
6・・・基板保持具7・・・ノヤワーノズル 8
・・・排気口9・・・ダンパー lO・・・バ
ブラーI1.12.13・・・排水管 14・・・給
水管出願人 大日本スクリーン製造株式会社代理人 弁
理士 杉 谷 勉
Claims (2)
- (1)洗浄槽内にその下方から気体を導入し、洗浄液中
に多数の気泡を発生させた状態で基板の洗浄を行う基板
洗浄装置において、 前記洗浄槽の上部空間を減圧状態にする手段を備えたこ
とを特徴とする基板洗浄装置。 - (2)請求項(1)に記載の基板洗浄装置において、洗
浄槽の液面を基板表面に対して相対的に変移させる手段
を備えた基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32503590A JPH04192419A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32503590A JPH04192419A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 基板洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04192419A true JPH04192419A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18172424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32503590A Pending JPH04192419A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 基板洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04192419A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5419353A (en) * | 1994-05-04 | 1995-05-30 | Chen; Hong-Wel | Object cleaning and washing device |
US5571337A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Yieldup International | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer |
US5634978A (en) * | 1994-11-14 | 1997-06-03 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor method |
US5849104A (en) * | 1996-09-19 | 1998-12-15 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
US5868150A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
US5881748A (en) * | 1994-03-28 | 1999-03-16 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Apparatus for rinsing wafers adhered with chemical liquid by use of purified water |
US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
US5975097A (en) * | 1996-09-02 | 1999-11-02 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus for target processing substrate |
US6047717A (en) * | 1998-04-29 | 2000-04-11 | Scd Mountain View, Inc. | Mandrel device and method for hard disks |
US6273107B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
US6372051B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-04-16 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
JP2010103379A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置 |
JP2012148222A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Miura Co Ltd | 洗浄装置 |
JP2012192386A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Miura Co Ltd | 洗浄装置 |
JP2019018139A (ja) * | 2017-07-14 | 2019-02-07 | 中外炉工業株式会社 | 洗浄装置 |
JP2021040162A (ja) * | 2020-12-03 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP32503590A patent/JPH04192419A/ja active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5881748A (en) * | 1994-03-28 | 1999-03-16 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Apparatus for rinsing wafers adhered with chemical liquid by use of purified water |
US5419353A (en) * | 1994-05-04 | 1995-05-30 | Chen; Hong-Wel | Object cleaning and washing device |
US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
US6352082B1 (en) | 1994-11-14 | 2002-03-05 | Scd Mountain View | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
US5868150A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
US5873947A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-23 | Yieldup International | Ultra-low particle disk cleaner |
US5878760A (en) * | 1994-11-14 | 1999-03-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
US5634978A (en) * | 1994-11-14 | 1997-06-03 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor method |
US5891256A (en) * | 1994-11-14 | 1999-04-06 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
US5932027A (en) * | 1994-11-14 | 1999-08-03 | Yieldup International | Cleaning and drying photoresist coated wafers |
US5571337A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Yieldup International | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer |
US6491043B2 (en) | 1994-11-14 | 2002-12-10 | Scd Mountain View, Inc. | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
US5975097A (en) * | 1996-09-02 | 1999-11-02 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus for target processing substrate |
US5849104A (en) * | 1996-09-19 | 1998-12-15 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
US6273107B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
US6047717A (en) * | 1998-04-29 | 2000-04-11 | Scd Mountain View, Inc. | Mandrel device and method for hard disks |
US6372051B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-04-16 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
JP2010103379A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置 |
JP2012148222A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Miura Co Ltd | 洗浄装置 |
JP2012192386A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Miura Co Ltd | 洗浄装置 |
JP2019018139A (ja) * | 2017-07-14 | 2019-02-07 | 中外炉工業株式会社 | 洗浄装置 |
JP2021040162A (ja) * | 2020-12-03 | 2021-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
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