JP7116694B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7116694B2 JP7116694B2 JP2019029748A JP2019029748A JP7116694B2 JP 7116694 B2 JP7116694 B2 JP 7116694B2 JP 2019029748 A JP2019029748 A JP 2019029748A JP 2019029748 A JP2019029748 A JP 2019029748A JP 7116694 B2 JP7116694 B2 JP 7116694B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rod
- shaped bodies
- processing apparatus
- substrate processing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 82
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。
基板に形成された膜を処理する工程の一つに、薬液に基板を浸漬させて膜をエッチングする工程がある。このエッチング工程で用いられる装置には、基板表面における薬液の流速を高めるために、薬液内に気泡を吐出する基板処理装置がある。
上述した基板処理装置では、気泡を吐出する配管の吐出口の上方に気泡が集まりやすい。そのため、基板面内における流速が不均一になる場合がある。
本発明の実施形態は、基板面内における流速の均一性を向上させることが可能な基板処理装置を提供することである。
一実施形態に係る基板処理装置は、基板を処理する薬液を貯留する処理槽と、処理槽の底部から基板に向けて気泡を吐出する吐出口を有する配管と、吐出口と基板との間に配置され、気泡を分割する棒状体と、を備える。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
（第１実施形態）
図１は、一実施形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す模式図である。図１に示す基板処理装置１は、複数の半導体基板１００の各々に形成されたシリコン窒化膜(不図示)を、薬液２００で一括して選択的にエッチングするバッチ式のウェットエッチング処理装置である。本実施形態に係る基板処理装置１は、処理槽１１と、循環路１２と、ポンプ１３と、リフター１４と、配管１５と、第１棒状体１６と、第２棒状体１７と、を備える。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す模式図である。図１に示す基板処理装置１は、複数の半導体基板１００の各々に形成されたシリコン窒化膜(不図示)を、薬液２００で一括して選択的にエッチングするバッチ式のウェットエッチング処理装置である。本実施形態に係る基板処理装置１は、処理槽１１と、循環路１２と、ポンプ１３と、リフター１４と、配管１５と、第１棒状体１６と、第２棒状体１７と、を備える。
処理槽１１は、内槽１１１および外槽１１２を有する。内槽１１１の上端および外槽１１２の上端は開口している。内槽１１１には、薬液２００が貯留される。本実施形態では、約１６０℃に加熱されたリン酸溶液が内槽１１１に貯留される。外槽１１２は、内槽１１１からオーバーフローした薬液２００を回収する。
循環路１２は、外槽１１２の底部および内槽１１１の底部に連通して、内槽１１１と外槽１１２との間で薬液２００を循環させる。外槽１１２に流出した薬液２００は、循環路１２を通じて内槽１１１に還流される。
ポンプ１３は、循環路１２に設けられている。ポンプ１３は、外槽１１２から薬液２００を吸引し、吸引した薬液２００を加圧する。これにより、外槽１１２に回収された薬液２００が内槽１１１へ戻る。
図２は、半導体基板１００の保持形態の一例を示す斜視図である。内槽１１１では、リフター１４が、Ｙ方向（第１方向）に列状に並べられた複数の半導体基板１００を保持する。また、リフター１４は、保持した半導体基板１００を内槽１１１に対してＺ方向に昇降させる。Ｚ方向は、Ｙ方向に直交する鉛直方向である。この昇降動作によって、エッチング処理前の半導体基板１００を、内槽１１１に貯留された薬液２００に自動的に浸漬させることができるとともに、エッチング処理後の半導体基板１００を、内槽１１１から自動的に取り出すことができる。
複数の配管１５は、図１に示すように、内槽１１１の底部でＸ方向（第２方向）に沿って並べられている。Ｘ方向は、Ｙ方向およびＺ方向に直交する方向である。各配管１５は、例えば石英管である。
配管１５の上方には、複数の第１棒状体１６が配管１５と並行してＸ方向に配列されている。第１棒状体１６の上方には、複数の第２棒状体１７が、Ｘ方向に配列されている。第１棒状体１６の両端および第２棒状体１７の両端は、内槽１１１の側面に固定されている。
図３は、配管１５、第１棒状体１６、および第２棒状体１７の構造を概略的に示す斜視図である。また、図４は、基板処理装置１の一部を拡大した図である。
図３に示すように、配管１５は、Ｙ方向に延び、その外周面には、複数の吐出口１５ａがＹ方向に沿って形成されている。配管１５内には、装置外部から供給された窒素ガスが流れる。また、図４に示すように、窒素ガスから生成された気泡３００が、各吐出口１５ａから半導体基板１００に向けて吐出される。
第１棒状体１６は、図３に示すように、Ｙ方向に延び、吐出口１５ａ上に配置される。第１棒状体１６によって、図４に示すように、吐出口１５ａから吐出された気泡３００が、複数の気泡３０１に分割される。本実施形態では、第１棒状体１６の断面形状は、楔形である。ただし、第１棒状体１６の断面形状は、吐出口１５ａから吐出された気泡３００を分割できる形状であればよく、楔形に限定されない。
第２棒状体１７は、図３に示すように、第１棒状体１６と同様にＹ方向に延びる一方で、第１棒状体１６に対してＸ方向にずれて配置される。第２棒状体１７によって、図４に示すように、第１棒状体１６で分割された気泡３０１が、さらに複数の気泡３０２に分割される。本実施形態では、第２棒状体１７の断面形状は、第１棒状体１６と同様に、楔形である。また、第２棒状体１７のＸ方向の幅Ｗ２は、第１棒状体１６のＸ方向の幅Ｗ１よりも小さい。ただし、第２棒状体１７の断面形状は、第１棒状体１６で分割された気泡をさらに分割できる形状であればよく、楔形に限定されない。
以下、本実施形態に係る基板処理装置１を用いた半導体装置の製造工程について説明する。具体的には、電極層が積層された３次元積層型半導体記憶装置の製造工程の一部について説明する。
図５（ａ）は、エッチング前の半導体装置の平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す切断線Ａ－Ａに沿った断面図である。図５（ｂ）に示すように、半導体基板１００上には、窒化シリコン膜１０１と酸化シリコン膜１０２とが交互に積層されている。窒化シリコン膜１０１と酸化シリコン膜１０２とからなる積層体は、スリット１０３によって分断されている。また、この積層体には、複数の柱状のメモリ膜１０４が形成されている。
上記半導体基板１００を、リフター１４を用いて内槽１１１に貯留された薬液２００に浸漬させると、薬液２００がスリット１０３から積層体内に浸入する。その結果、図６に示す断面図のように、窒化シリコン膜１０１が酸化シリコン膜１０２に対して選択的にエッチングされる。窒化シリコン膜１０１のエッチングが終了すると、リフター１４によって半導体基板１００は、内槽１１１から搬出される。
上述した窒化シリコン膜１０１のこのエッチング中に、気泡３００が配管１５の吐出口１５ａから吐出される。仮に、基板処理装置１が、第１棒状体１６および第２棒状体１７を備えていないと、気泡３００は、吐出口１５ａの上方に集まりやすくなり、吐出口１５ａの上方のみで気泡３００が上昇してしまい吐出口１５ａがない箇所のＺ方向では気泡３００がないため、半導体基板１００の面内において流速が不均一になりやすい。
また、気泡３００の直径が大きいと、流速が高くなりすぎる。この場合、酸化シリコンに対する窒化シリコンの選択比が低くなる。すなわち、メモリ膜１０４の膜厚が不均一になる。これによりエッチング不良が起こり、半導体装置の電気的特性のばらつきが悪化するおそれがある。
そこで、気泡３００の直径を小さくするために、配管１５の吐出口１５ａの口径を小さくすることが考えられる。しかし、配管１５が石英管の場合、口径の小さい穴を加工するのは困難である。
これに対し、本実施形態では、図４に示すように、吐出口１５ａから吐出された気泡３００は、第１棒状体１６によって複数の気泡３０１に分割される。さらに、気泡３０１は、第２棒状体１７によって複数の気泡３０２に分割される。これにより、直径の小さな気泡３０２を半導体基板１００に向けて放出することができる。よって、半導体基板１００の面内における流速の均一性を向上させることが可能となる。
また、酸化シリコンに対する窒化シリコンの選択比を高めることができるので、メモリ膜１０４の膜厚が不均一になるエッチング不良を回避することができる。さらに、吐出口１５ａの口径を小さくする必要がないので、配管１５への高度な穴加工も不要になる。
なお、本実施形態に係る基板処理装置１は、気泡を分割するために、第１棒状体１６および第２棒状体１７で構成される２段の棒状体を備えているが、棒状体の段数は、少なくとも１つであればよればよい。また、第１棒状体１６と第２棒状体１７との間で、棒状体の断面形状は、本実施形態のように同じであってもよいし、異なっていてもよい。
(第２実施形態)
図７は、第２実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す斜視図である。図７では、上述した第１実施形態と異なる要部の構成を示し、同様の構成については記載を省略している。すなわち、図７では、外槽１１２、循環路１２、ポンプ１３、リフター１４、および配管１５の記載を省略している。
図７は、第２実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す斜視図である。図７では、上述した第１実施形態と異なる要部の構成を示し、同様の構成については記載を省略している。すなわち、図７では、外槽１１２、循環路１２、ポンプ１３、リフター１４、および配管１５の記載を省略している。
上述した第１実施形態では、第１棒状体１６および第２棒状体１７は、ウェハ状の半導体基板１００に対して垂直な方向、すなわちＹ方向に延びている。一方、本実施形態では、第１棒状体１６および第２棒状体１７は、図７に示すように、半導体基板１００に対して平行な方向、すなわちＸ方向に延びている。なお、不図示の配管１５は、第１実施形態と同様に、内槽１１１の底部で第１棒状体１６に並行している。
図８は、基板処理装置２の一部を拡大した図である。図８に示すように、基板処理装置２では、複数の第１棒状体１６が、吐出口１５ａ上でＹ方向に配列されている。また、複数の第２棒状体１７が、第１棒状体１６に対してＹ方向にずれて配列されている。複数の半導体基板１００は、複数の第２棒状体１７の直上でリフター１４（図８では不図示）によって、保持されている。
上記のように構成された基板処理装置２でも、第１実施形態と同様に、半導体基板１００に形成された窒化シリコン膜１０１のエッチング中に、気泡３００が各吐出口１５ａから吐出される。この気泡３００は、第１棒状体１６によって複数の気泡３０１に分割される。さらに、気泡３０１は、第２棒状体１７によって複数の気泡３０２に分割される。これにより、直径の小さな気泡３０２を半導体基板１００間に挿入することができる。
したがって、本実施形態によれば、配管１５に高度な穴加工を施さなくても、半導体基板１００の面内における流速の均一性を向上させることが可能となる。
(変形例)
図９は、第２実施形態の変形例を示す拡大図である。上述した第２実施形態では、複数の半導体基板１００が、複数の第２棒状体１７の直上で保持されている。一方、本変形例では、図９に示すように、複数の半導体基板１００が、第２棒状体１７の間で保持されている。
図９は、第２実施形態の変形例を示す拡大図である。上述した第２実施形態では、複数の半導体基板１００が、複数の第２棒状体１７の直上で保持されている。一方、本変形例では、図９に示すように、複数の半導体基板１００が、第２棒状体１７の間で保持されている。
上記のように構成された変形例においても、配管１５から放出された気泡３００は、第１棒状体１６によって複数の気泡３０１に分割され、さらに、各気泡３０１は、第２棒状体１７によって複数の気泡３０２に分割される。そのため、複数の半導体基板１００が、第２棒状体１７の間で保持されていても、直径の小さな気泡３０２を半導体基板１００間に挿入することができる。
したがって、本変形例においても、配管１５に高度な穴加工を施さなくても、半導体基板１００の面内における流速の均一性を向上させることが可能となる。
(第３実施形態)
図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す斜視図である。図１０では、上述した第１実施形態と異なる要部の構成を示し、同様の構成については記載を省略している。すなわち、図１０では、外槽１１２、循環路１２、ポンプ１３、リフター１４、および配管１５の記載を省略している。
図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す斜視図である。図１０では、上述した第１実施形態と異なる要部の構成を示し、同様の構成については記載を省略している。すなわち、図１０では、外槽１１２、循環路１２、ポンプ１３、リフター１４、および配管１５の記載を省略している。
本実施形態に係る基板処理装置３では、図１０に示すように、複数の第１棒状体１６が、格子状に配置されている。すなわち、Ｘ方向に延びる複数の第１棒状体１６とＹ方向に延びる複数の第１棒状体１６とが、直交している。Ｘ方向に延びる複数の第１棒状体１６と、Ｙ方向に延びる複数の第１棒状体１６とは接触していてもよく、離れていてもよい。
本実施形態によれば、第１棒状体１６の隙間が小さくなるので、配管１５から放出された気泡３００をより細かな気泡３０１に分割することができる。これにより、半導体基板１００の面内における流速の均一性をより一層向上させることが可能となる。
なお、本実施形態では、図１１に示すように、格子状に並べられた複数の第２棒状体１７を複数の第１棒状体１６上に配置してもよい。この場合、第１棒状体１６によって細かく分割された気泡３０１を、第２棒状体１７によってさらに細かく分割することができる。
(第４実施形態)
図１２は、第４実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す斜視図である。図１２では、上述した第１実施形態と異なる要部の構成を示し、同様の構成については記載を省略している。すなわち、図１２では、外槽１１２、循環路１２、ポンプ１３、および配管１５の記載を省略している。
図１２は、第４実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す斜視図である。図１２では、上述した第１実施形態と異なる要部の構成を示し、同様の構成については記載を省略している。すなわち、図１２では、外槽１１２、循環路１２、ポンプ１３、および配管１５の記載を省略している。
上述した第１実施形態～第３実施形態では、第１棒状体１６は、内槽１１１の側面に固定される。
一方、図１２に示す基板処理装置４では、複数の第１棒状体１６が、リフター１４に固定されている。リフター１４は、Ｙ方向に延びる一対の支持棒１４１と、支持棒１４１の下でＹ方向に延びる一対の板状部材１４２と、を有する。複数の半導体基板１００は、一対の支持棒１４１の間に保持されている。また、Ｘ方向に延びる複数の第１棒状体１６の両端が、一対の板状部材１４２に固定されている。
上述した本実施形態においても、配管１５から放出された気泡を第１棒状体１６によって分割して半導体基板１００の間に挿入することができる。これにより、半導体基板１００の面内における流速の均一性を向上させることが可能となる。
なお、本実施形態においても、他の実施形態と同様に、第２棒状体１７が第１棒状体１６と半導体基板１００との間に配置されてもよい。この場合、気泡をさらに細かく分割することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１～４：基板処理装置、１１：処理槽、１５：配管、１５ａ：吐出口、１６ 第１棒状体、１７：第２棒状体、１００：半導体基板、２００：薬液
Claims (6)
- 基板を処理する薬液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の底部から前記基板に向けて気泡を吐出する吐出口を有する配管と、
前記吐出口と前記基板との間に配置され、前記気泡を分割する棒状体と、
を備える基板処理装置。 - 第１方向に沿って並べられた複数の前記基板が、前記処理槽内で保持され、
複数の前記棒状体が、前記第１方向に延び、かつ、前記第１方向に直交する第２方向に沿って配列されている、請求項１に記載の基板処理装置。 - 第１方向に沿って配列された複数の前記基板が、前記処理槽内で保持され、
複数の前記棒状体が、前記第１方向に直交する第２方向に延び、かつ、前記第１方向に沿って配列されている、請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記吐出口上で前記第１方向または前記第２方向に配列された複数の第１棒状体と、
前記複数の第１棒状体と前記基板との間で、前記複数の第１棒状体に対して前記第１方向または前記第２方向にずれて配列された複数の第２棒状体と、
を備える、請求項２または３に記載の基板処理装置。 - 前記複数の第１棒状体および前記複数の第２棒状体が、前記第１方向に沿って配列され、
前記複数の基板が、前記複数の第２棒状体の直上で保持されている、請求項４に記載の基板処理装置。 - 前記複数の第１棒状体および前記複数の第２棒状体が、前記第１方向に沿って配列され、
前記複数の基板が、前記複数の第２棒状体の間で保持されている、請求項４に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019029748A JP7116694B2 (ja) | 2019-02-21 | 2019-02-21 | 基板処理装置 |
| TW108123219A TWI722468B (zh) | 2019-02-21 | 2019-07-02 | 基板處理裝置 |
| CN201910640340.3A CN111599711A (zh) | 2019-02-21 | 2019-07-16 | 基板处理装置 |
| US16/542,831 US11469119B2 (en) | 2019-02-21 | 2019-08-16 | Substrate treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019029748A JP7116694B2 (ja) | 2019-02-21 | 2019-02-21 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020136537A JP2020136537A (ja) | 2020-08-31 |
| JP7116694B2 true JP7116694B2 (ja) | 2022-08-10 |
Family
ID=72140447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019029748A Active JP7116694B2 (ja) | 2019-02-21 | 2019-02-21 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11469119B2 (ja) |
| JP (1) | JP7116694B2 (ja) |
| CN (1) | CN111599711A (ja) |
| TW (1) | TWI722468B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7116694B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2022-08-10 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
| JP7381370B2 (ja) | 2020-03-05 | 2023-11-15 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JP7381421B2 (ja) | 2020-08-26 | 2023-11-15 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP7461269B2 (ja) | 2020-10-09 | 2024-04-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134467A (ja) | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Daikin Ind Ltd | 基板処理装置 |
| JP2005332904A (ja) | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Renesas Technology Corp | 半導体基板洗浄装置 |
| JP2007324567A (ja) | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板エッチング装置 |
| JP2011048888A (ja) | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板用スペーサ分離装置及びガラス基板の製造方法 |
| WO2014013536A1 (ja) | 2012-07-17 | 2014-01-23 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS536067U (ja) * | 1976-06-30 | 1978-01-19 | ||
| JPS617633A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ−の純水洗浄装置 |
| JPH0371643U (ja) | 1989-11-14 | 1991-07-19 | ||
| US5082518A (en) * | 1990-10-29 | 1992-01-21 | Submicron Systems, Inc. | Sparger plate for ozone gas diffusion |
| JPH0596258A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-04-20 | Kokusai Denki Erutetsuku:Kk | 超音波洗浄装置及びその消音具 |
| JPH1048395A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Hitachi Ltd | 炉内構造材切断時の微粒子捕集方法 |
| US6199568B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-03-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank |
| KR100272513B1 (ko) * | 1998-09-08 | 2001-01-15 | 구본준 | 유리기판의 식각장치 |
| JP3145080B2 (ja) | 1998-11-02 | 2001-03-12 | システム テクノロジー インコーポレイティッド | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用ガラスの自動エッチング装置 |
| US6250250B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-06-26 | Yuri Maishev | Multiple-cell source of uniform plasma |
| CN1849183A (zh) * | 2003-09-11 | 2006-10-18 | Fsi国际公司 | 用于声场均匀性的声扩散器 |
| US7243911B2 (en) | 2004-01-27 | 2007-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| JP4338612B2 (ja) | 2004-01-30 | 2009-10-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2005211718A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP4302131B2 (ja) | 2006-09-26 | 2009-07-22 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び、ウエットエッチング処理装置 |
| JP2008147637A (ja) | 2006-11-16 | 2008-06-26 | Kurita Water Ind Ltd | エッチング方法およびエッチング装置 |
| US8020839B2 (en) * | 2006-12-08 | 2011-09-20 | Prototype Advancement Llc | Modular systems and methods for fluid dispersion |
| US8894803B2 (en) * | 2008-03-05 | 2014-11-25 | Heateflex Corporation | Apparatus and method for etching the surface of a semiconductor substrate |
| JP5213638B2 (ja) | 2008-10-24 | 2013-06-19 | 新電元工業株式会社 | ウェットエッチング方法 |
| JP2015115456A (ja) | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| TWI578396B (zh) | 2013-12-11 | 2017-04-11 | 斯克林集團公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
| JP6509104B2 (ja) | 2015-09-30 | 2019-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
| JP6645900B2 (ja) | 2016-04-22 | 2020-02-14 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6609231B2 (ja) | 2016-09-16 | 2019-11-20 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US20180233383A1 (en) | 2017-02-15 | 2018-08-16 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| JP6860447B2 (ja) | 2017-02-15 | 2021-04-14 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6858036B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-04-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6985957B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2021-12-22 | キオクシア株式会社 | 半導体処理装置 |
| CN208127163U (zh) * | 2018-05-14 | 2018-11-20 | 深圳市和科达精密清洗设备股份有限公司 | 一种制绒机设备的鼓泡装置及包含该装置的制绒机设备 |
| JP2020021822A (ja) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP7116694B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2022-08-10 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
-
2019
- 2019-02-21 JP JP2019029748A patent/JP7116694B2/ja active Active
- 2019-07-02 TW TW108123219A patent/TWI722468B/zh active
- 2019-07-16 CN CN201910640340.3A patent/CN111599711A/zh active Pending
- 2019-08-16 US US16/542,831 patent/US11469119B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134467A (ja) | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Daikin Ind Ltd | 基板処理装置 |
| JP2005332904A (ja) | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Renesas Technology Corp | 半導体基板洗浄装置 |
| JP2007324567A (ja) | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板エッチング装置 |
| JP2011048888A (ja) | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板用スペーサ分離装置及びガラス基板の製造方法 |
| WO2014013536A1 (ja) | 2012-07-17 | 2014-01-23 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111599711A (zh) | 2020-08-28 |
| US20200273727A1 (en) | 2020-08-27 |
| TW202032655A (zh) | 2020-09-01 |
| TWI722468B (zh) | 2021-03-21 |
| US11469119B2 (en) | 2022-10-11 |
| JP2020136537A (ja) | 2020-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7116694B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP6189257B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
| US20070163627A1 (en) | Nozzle for substrate treatment apparatus | |
| JP6024076B2 (ja) | シリコンデバイスの製造方法 | |
| TWI776077B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| KR100625318B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101458626B1 (ko) | 웨이퍼 퍼징 카세트 | |
| JP7381421B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2015175015A (ja) | 基板処理方法及び基板処理治具 | |
| JP2020102570A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法 | |
| KR102388646B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| US11152228B2 (en) | Wafer cleaning apparatus and cleaning method using the same | |
| JP5774341B2 (ja) | 基板保持具および基板処理装置 | |
| KR101586955B1 (ko) | 세정조에서 웨이퍼를 지지하는 콤과 이를 포함하는 웨이퍼 세정 장치 | |
| JP2009158854A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| KR101078548B1 (ko) | 기판 분리장치 | |
| JP2007251019A (ja) | 半導体ウェーハのエッチング装置 | |
| KR20180018775A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101047486B1 (ko) | Ｓｏｉ 기판 가공방법 | |
| JP2023110399A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100863137B1 (ko) | 가이드장치 및 이를 이용한 피처리물 처리방법 | |
| KR101553361B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP2023001574A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2015081362A (ja) | 液処理治具及び液処理方法 | |
| KR101282866B1 (ko) | 플라즈마 세정장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210914 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220627 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220701 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220729 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7116694 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |