JP2023001574A - 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 処理液の攪拌効率を向上した基板処理装置、半導体製造装置、基板処理方法および半導体装置処理方法を提供する。【解決手段】 本実施形態にかかる基板処理装置は、薬剤を貯留し、薬剤に基板を浸漬させて処理を行うことが可能な処理槽と、基板を保持する保持部材と、保持部材の上に配置され、水平方向に対して傾きを有して鉛直方向に延在し、断面における鉛直方向の長さが水平方向の長さより長い整流板と、保持部材の下に配置され、薬剤に気体を吐出する気泡吐出管と、を備える。【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態は、基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法に関する。
シリコン窒化膜とシリコン酸化膜とが交互に形成された積層体を有する基板に対して、シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチング処理する場合がある。この場合、リン酸溶液が、一般的にエッチング液として用いられる。このようなエッチング処理では、シリコン化合物がリン酸溶液に添加されると、リン酸溶液中のシリカ濃度が高くなり、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を高めることができる。このときリン酸溶液中のシリカ濃度が低いと、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比が低く、シリコン酸化膜が腐食されてしまう場合がある。一方で、リン酸溶液中のシリカ濃度が高いとシリカが飽和しやすくなり、リン酸溶液中に浸漬された基板にシリカが析出してしまう場合がある。
リン酸溶液中のシリカ濃度を管理するため、基板を浸漬するリン酸溶液を均一にする必要がある。
本開示に係る実施形態は、処理液の攪拌効率を向上した基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
一実施形態に係る基板処理装置は、薬剤を貯留し、薬剤に基板を浸漬させて処理を行うことが可能な処理槽と、基板を保持する保持部材と、保持部材の上に配置され、水平方向に対して傾きを有して鉛直方向に延在し、断面における鉛直方向の長さが水平方向の長さより長い整流板と、保持部材の下に配置され、薬剤に気体を吐出する気泡吐出管と、を備える。
以下、本実施形態に係る基板処理装置、半導体製造装置、基板処理方法および半導体装置処理方法について図面を参照して具体的に説明する。以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する要素について、同一符号又は同一符号の後にアルファベットが追加された符号が付されており、必要な場合にのみ重複して説明する。以下に示す各実施形態は、この実施形態の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示する。実施形態の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定されない。実施形態の技術的思想は、特許請求の範囲に対して、種々の変更を加えたものであってもよい。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図面において、既出の図面に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本明細書において「αはA、B又はC」を含む、「αはA,B及びCのいずれか」を含む、「αはA,B及びCからなる群から選択される一つ」を含む、といった表現は、特に明示が無い限り、αがA~Cの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
本明細書において、水平とは内槽の底面に対して水平な方向(XY方向)を指し、鉛直とは前記水平方向に対して略垂直な方向(Z方向)を指す場合がある
以下の各実施形態は、技術的な矛盾を生じない限り、互いに組み合わせることができる。
<第1実施形態>
図1は、一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を概略的に示す図である。本実施形態に係る基板処理装置1は、例えば、基板20に設けられたシリコン窒化膜(図1では不図示)を、リン酸を含む溶液30(以下、リン酸溶液という)で除去するウェットエッチング処理装置である。図1に示すように、基板処理装置1は、処理槽11と、循環路12と、加熱部13と、投入部14と、ポンプ15と、フィルタ16と、保持部材17と、気泡吐出管18と、整流板19と、を備える。
図1は、一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を概略的に示す図である。本実施形態に係る基板処理装置1は、例えば、基板20に設けられたシリコン窒化膜(図1では不図示)を、リン酸を含む溶液30(以下、リン酸溶液という)で除去するウェットエッチング処理装置である。図1に示すように、基板処理装置1は、処理槽11と、循環路12と、加熱部13と、投入部14と、ポンプ15と、フィルタ16と、保持部材17と、気泡吐出管18と、整流板19と、を備える。
処理槽11は、内槽111と外槽112とを有する容器である。内槽111は、上端開口111aを有する箱形状に形成されている。内槽111は、その内部にリン酸溶液30、すなわちシリコン窒化膜のエッチング液(処理液)を貯留する。内槽111の内部に貯留されたリン酸溶液30の温度、リン酸濃度、およびシリカ濃度は、基板20に設けられたシリコン窒化膜のエッチングに対して最適化されている。
内槽111は、ウェハ状(円盤状)の基板20を縦(主面が鉛直方向(YZ方向))に収容可能である。基板20は、例えば、1つの内槽111に最大50枚収容可能であってもよい。図1には、内槽111内に1つの基板20を示すが、基板20は紙面奥行方向(X方向)に複数並べて収容可能である。基板20がリン酸溶液30に浸漬されると、基板20に設けられたシリコン窒化膜が、リン酸溶液30中に溶解して基板20から除去される。このため、内槽111は縦に収容した基板20をリン酸溶液30に完全に浸漬するだけの深さを有する。内槽111の上端開口111aは、縦に収容した基板20の上端部より高い。内槽111の上端開口111aから縦に収容した基板20の上端部までの距離は3cm以上であることが好ましい。
外槽112は、内槽111の上端開口111aを全周にわたって包囲する上端開口112aを有する。外槽112は、内槽111の上端開口111aからあふれ出したリン酸溶液30を回収する。
循環路12は、外槽112の底部および内槽111の底部に連通して、処理槽11に対してリン酸溶液30を循環させる。具体的には、循環路12は、外槽112に流出したリン酸溶液30を内槽111に還流する。この還流の過程で、リン酸溶液30は、加熱部13、ポンプ15、およびフィルタ16を経由する。
加熱部13は、循環路12の途中に設けられている。加熱部13は、リン酸溶液30を加熱する。加熱部13は、例えば、ハロゲンランプを熱源とするラインヒータである。
本実施形態では、リン酸溶液30が一定の温度で加熱されるように、加熱制御部13aが加熱部13の加熱温度を調整する。加熱部13で加熱されたリン酸溶液30(加熱溶液)は、フィルタ16を介して内槽111の内部に供給される。
投入部14は、外槽112の上方に配置されている。投入部14は、水を外槽112へ投入する。内槽111における水分の蒸発およびエッチング処理によって、外槽112に回収されたリン酸溶液30の濃度は、変化している可能性がある。そのため、内槽111に還流されるリン酸溶液30の濃度を、シリコン窒化膜の選択的なエッチングに最適な濃度に調整するために、水40が投入部14から投入される。
なお、上記濃度調整のために、投入部14は、水40の代わりに、リン酸を外槽112に投入してもよい。または、投入部14は、シリコン窒化膜のエッチングに最適な濃度、すなわち内槽111に最初に貯留されたリン酸溶液30(加熱溶液が供給される前のリン酸溶液30)と同じリン酸濃度に予め調整されたリン酸溶液を外槽112に投入してもよい。本実施形態では、外槽112で突沸が発生しないように、水、リン酸、またはリン酸溶液の温度は、内槽111に貯留されたリン酸溶液30の温度よりも低いことが望ましい。
ポンプ15は、加熱部13よりも循環路12の上流側に設けられている。ポンプ15が、外槽112からリン酸溶液30を吸引することによって、外槽112に回収されたリン酸溶液30が加熱部13へ移動する。また、ポンプ15が、加熱部13で加熱されたリン酸溶液30を加圧することによって、このリン酸溶液30が内槽111へ供給される。
フィルタ16は、加熱部13よりも循環路12の下流側に設けられている。フィルタ16は、循環路12内のリン酸溶液30に含まれたパーティクルを除去する。このパーティクルには、例えば、基板20のエッチング処理によってリン酸溶液30に溶解したシリカも含まれる。フィルタ16は、加熱部13よりも循環路12の上流側に設けられていてもよい。
図2は、内槽111の内部構造を示す概略図である。図2に示すように、内槽111の内部では、保持部材17が、所定の間隔で水平方向(X方向)に列状に並べられた複数の基板20を保持している。また、保持部材17は、保持した基板20を内槽111に対して鉛直方向(Z方向)に昇降させる昇降機構171を備える。昇降機構171の昇降動作によって、エッチング処理前の基板20を、内槽111に貯留されたリン酸溶液30に自動的に浸漬させることができるとともに、エッチング処理後の基板20を、内槽111から自動的に取り出すことができる。
図2に示すように、内槽111の底部には、薬液吐出管121が設けられている。薬液吐出管121は、上述した循環路12の出口側の一部に含まれ、内槽111にリン酸溶液30を供給する薬液吐出口123を備える。なお、図2には、1つの薬液吐出管121を示すが、薬液吐出管121は、紙面奥行方向(Y方向)に複数並んで設けられている。薬液吐出管121は基板20を保持する保持部材17より下に配置される。薬液吐出管121は複数の基板20が列状に並ぶ方向(X方向)に延在する。
薬液吐出管121から供給するリン酸溶液30の流量は、1つの内槽111当たり10L/min以上であることが好ましい。薬液吐出管121は、基板20に対して均等に配置されることが好ましい。この場合、各薬液吐出管121はそれぞれ略同じ流量のリン酸溶液30を内槽111に供給してもよい。しかしながらこれに限定されず、各薬液吐出管121は、基板20に対する配置によって異なる流量のリン酸溶液30を内槽111に供給してもよい。
また、図2に示すように、内槽111の底部には、気泡吐出管18が設けられている。気泡吐出管18は、内槽111に貯留するリン酸溶液30を攪拌するために気泡(気体)を供給する気泡吐出口18aを備える。気泡吐出管18が供給する気泡は、例えば、窒素を含んでもよい。なお、図2には、1つの気泡吐出管18を示すが、気泡吐出管18は、紙面奥行方向(Y方向)に複数並んで設けられている。気泡吐出管18は基板20を保持する保持部材17より下に配置される。気泡吐出管18と薬液吐出管121とは同じ高さに配置されてもよく、気泡吐出管18は薬液吐出管121より上に配置されてもよい。気泡吐出管18が薬液吐出管121より上に配置される場合、少なくとも薬液吐出口123が気泡吐出管18と鉛直方向(Z方向)に重畳しないことが好ましい。気泡吐出管18は複数の基板20が列状に並ぶ方向(X方向)に延在する。
気泡吐出管18は、1つの内槽111に6つ以上配置されることが好ましい。気泡吐出管18から供給する気泡の流量は、1つの内槽111当たり15L/min以上であることが好ましい。気泡吐出管18は、基板20に対して均等に配置されることが好ましい。この場合、各気泡吐出管18はそれぞれ略同じ流量の気泡をリン酸溶液30に供給してもよい。しかしながらこれに限定されず、各気泡吐出管18は、基板20に対する配置によって異なる流量の気泡をリン酸溶液30に供給してもよい。
図3は、気泡吐出管18の構造を概略的に示す斜視図である。本実施形態に係る薬液吐出管121の構造は気泡吐出管18の構造と同じであることから、ここでは気泡吐出管18の構造を例に説明する。気泡吐出管18の外周上面には、内槽111の内部と連通する複数の気泡吐出口18aが列状に設けられている。気泡吐出口18aは、基板20に対して、複数の基板20が列状に並ぶ方向(X方向)に略等間隔に配置されている。気泡吐出口18aの形状は真円でなくてもよい。気泡吐出口18aの数は基板(ウエハ)1枚当たり60個以上であることが好ましい。気泡吐出口18aの数は、例えば、1つの内槽111に3000個以上であることが好ましく、3500個以上であることがより好ましい。1つの気泡吐出管18に配置される各気泡吐出口18aは、同じ流量の気泡をリン酸溶液30に供給してもよい。気泡吐出口18aおよび薬液吐出口123がこのように配置されることで、気泡吐出管18が供給する気泡および薬液吐出管121が供給するリン酸溶液30が内槽111の底部から基板20の間を通過する、気泡およびリン酸溶液30の流れを形成することができる(図2矢印参照)。
また、図2に示すように、内槽111の上部には、整流板19が設けられている。整流板19は、気泡吐出管18が供給する気泡および薬液吐出管121が供給するリン酸溶液30が形成する流れを整えて、内槽111に貯留するリン酸溶液30内に均一な気液2相流を実現する。整流板19は、保持部材17により保持される基板20の上に配置される。図2において、整流板19は、内槽111に貯留するリン酸溶液30に完全に浸漬するように配置されている。しかしながらこれに限定されず、整流板19は、リン酸溶液30から一部突出していてもよい。
図4は整流板19の構造を概略的に示す気泡吐出管が伸びる方向のXZ断面図である。図5は整流板19の構造を概略的に示す斜視図である。本実施形態において整流板19は格子状であり、XZ断面の構造とYZ断面の構造とが同じであることから、図4ではXZ断面の構造を例に説明する。整流板19は、鉛直方向(Z方向)に延在する。しかしながらこれに限定されず、整流板19は、水平方向(X方向)に対して傾きを有して鉛直方向(Z方向)に延在していればよい。すなわち、整流板19の主面192(YZ面)に対して鉛直方向(Z方向)に切った断面は、水平方向(X方向)より鉛直方向(Z方向)に長い。整流板19の厚みd1(主面192に対して鉛直方向(Z方向)に切った断面の水平方向(X方向)における距離)は、例えば、5mm以下であることが好ましい。整流板19の厚みd1が5mm以下であることで、整流板19の下に泡が溜まることを抑制することができる。整流板19の鉛直方向(Z方向)の長さd2は、例えば、3cm以上であることが好ましい。整流板19の鉛直方向(Z方向)の長さd2が3cm以上であることで、気泡吐出管18が供給する気泡および薬液吐出管121が供給するリン酸溶液30が形成する流れを受けて、内槽111に貯留するリン酸溶液30内に均一な気液2相流を実現することができる。整流板19は、さらに水平方向(Y方向)に延在する。整流板19は、例えば、内槽111の一辺から対向する他辺まで掛け渡してもよい。整流板19の水平方向(Y方向)の長さは、特に限定しない。内槽111の中に配置できればよい。
図4および図5に示すように、整流板19は、複数の板状部材から構成されている。複数の板状部材は、例えば、内槽111の一辺から対向する他辺まで掛け渡すように略平行に配置されてもよい。略平行に配置される複数の板状部材の数は、例えば、5つ以上であることが好ましい。略平行に配置される複数の板状部材は等間隔に配置されることが好ましい。略平行に配置される複数の板状部材同士の間の距離d3は、例えば、10mm以上60mm以下の範囲であることが好ましい。
さらに略平行に配置される複数の板状部材と交差するように、他の略平行に配置される複数の板状部材が配置されてもよい。すなわち、複数の板状部材は、水平面方向(XY方向)に格子状に配置されてもよい。他の略平行に配置される複数の板状部材の数は、例えば、5つ以上であることが好ましい。他の略平行に配置される複数の板状部材は等間隔に配置されることが好ましい。他の略平行に配置される複数の板状部材同士の間の距離は、例えば、10mm以上60mm以下の範囲であることが好ましい。すなわち、格子状に配置される複数の板状部材の間隔は10mm以上60mm以下の範囲であることが好ましい。整流板19がこのように構成されることで、気泡吐出管18が供給する気泡および薬液吐出管121が供給するリン酸溶液30が内槽111の底部から複数の板状部材の間を通過する、気泡およびリン酸溶液30の流れを形成することができる(図4矢印参照)。気泡吐出管18が供給する気泡は、整流板19を介してリン酸溶液30から放出することができ、リン酸溶液30表面で泡立ち基板20がリン酸溶液30から露出してしまうことを防ぐことができる。
本実施形態に係る基板処理装置1は、気泡およびリン酸溶液30の流れによって内槽111に貯留するリン酸溶液30内に均一な気液2相流を実現することで、リン酸溶液30の攪拌効率を向上することができる。
<第2実施形態>
以下、本実施形態に係る基板処理装置1を用いた基板処理方法について説明する。図6は、エッチング処理の対象である基板20の断面図である。基板20は、電極層が積層された積層型メモリを製造するための半導体基板である。
以下、本実施形態に係る基板処理装置1を用いた基板処理方法について説明する。図6は、エッチング処理の対象である基板20の断面図である。基板20は、電極層が積層された積層型メモリを製造するための半導体基板である。
図6に示すように、基板20は、シリコン基板21と、積層膜22と、を有する。積層膜22は、交互に積層されたシリコン酸化膜221とシリコン窒化膜222とを含む。また、基板20は、積層膜22を貫通するトレンチ23を有する。
基板20が、保持部材17によって内槽111の内部に収容されると、内槽111の内部に貯留されたリン酸溶液30が、トレンチ23から積層膜22内に浸入する。これにより、シリコン窒化膜222が除去される。このとき、シリカ濃度は高くなる。なお、シリコン窒化膜222が除去された箇所には、電極層が、後の処理によって形成される。
内槽111からオーバーフローしたリン酸溶液30は、外槽112に回収される。外槽112に回収されたリン酸溶液30は、ポンプ15で吸引されて、加熱部13に送られる。加熱部13は、リン酸溶液30を加熱する。加熱部13で加熱されたリン酸溶液30は、ポンプ15によって、薬液吐出管121の薬液吐出口123から内槽111の内部に吐出される。薬液吐出管121の薬液吐出口123から内槽111の内部に吐出される。気泡吐出管18の気泡吐出口18aからは気泡が内槽111の内部に吐出される。気泡およびリン酸溶液30の流れは、基板20の間を通過して、整流板19の間を抜けることで、内槽111に貯留するリン酸溶液30内に均一な気液2相流を実現することができる。
基板20において、リン酸溶液30内に溶解するシリコン窒化膜222の量が増加すると、リン酸溶液30内に溶解するシリカ量が増加する。そのため、トレンチ23内でシリカが析出しやすくなる。一方で、リン酸溶液中のシリカ濃度が低いと、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比が低くなり、シリコン酸化膜が腐食されてしまう場合がある。基板20を浸漬するリン酸溶液30を均一にすることで、リン酸溶液中のシリカ濃度を管理することができる。
本実施形態に係る基板処理装置1を用いた基板処理方法は、気泡およびリン酸溶液30の流れによって内槽111に貯留するリン酸溶液30内に均一な気液2相流を実現することで、リン酸溶液30の攪拌効率を向上することができる。
<変形例1>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図7(A)は、第1実施形態に係る整流板を示す図である。図7(B)および図7(C)は、変形例に係る整流板を示す図である。図7(A)に示すように、第1実施形態において整流板19は平板状である。しかしながらこれに限定されず、図7(B)に示すように整流板19aは多孔質であってもよく、図7(C)に示すように整流板19bはメッシュ状であってもよい。整流板19aおよび整流板19bは、気泡吐出管18が供給する気泡および薬液吐出管121が供給するリン酸溶液30が形成する流れに対して抵抗力を有すればよい。整流板19aおよび整流板19bは、例えば、板100%に対して90%以下の孔を有してもよい。整流板19aおよび整流板19bの孔が板100%に対して90%以下であることで、気泡吐出管18が供給する気泡および薬液吐出管121が供給するリン酸溶液30が形成する流れを整えることができ、内槽111に貯留するリン酸溶液30内に均一な気液2相流を実現することができる。
<変形例2>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板の構造以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板の構造以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図8は、変形例に係る整流板の構造を概略的に示す気泡吐出管が伸びる方向のXZ断面図である。本変形例において整流板19cは格子状であり、XZ断面の構造とYZ断面の構造とが同じであることから、図8ではXZ断面の構造を例に説明する。整流板19cは、水平方向(X方向)に対して傾きを有して鉛直方向(Z方向)延在している。整流板19cの主面192c(YZ面)に対して鉛直方向(Z方向)に切った断面は、水平方向(X方向)より鉛直方向(Z方向)に長い。整流板19cの厚みd1c(主面192cに対して鉛直方向(Z方向)に切った断面の水平方向(X方向)における距離)は、例えば、5mm以下であることが好ましい。整流板19cの厚みd1cが5mm以下であることで、整流板19cの下に泡が溜まることを抑制することができる。整流板19cの鉛直方向(Z方向)の長さd2cは、例えば、3cm以上であることが好ましい。整流板19cの鉛直方向(Z方向)の長さd2cが3cm以上であることで、気泡吐出管18が供給する気泡および薬液吐出管121が供給するリン酸溶液30が形成する流れを受けて、内槽111に貯留するリン酸溶液30内に均一な気液2相流を実現することができる。整流板19cは、さらに水平方向(Y方向)に延在する。整流板19cは、例えば、内槽111の一辺から対向する他辺まで掛け渡してもよい。整流板19cの水平方向(Y方向)の長さは、特に限定しない。内槽111の中に配置できればよい。
格子状の整流板19cは、複数の板状部材から構成されている。複数の板状部材は、例えば、内槽111の一辺から対向する他辺まで掛け渡すように略平行に配置されてもよい。複数の板状部材の水平方向に対する傾きは、同じ方向に揃っていることが好ましい。さらに略平行に配置される複数の板状部材と交差するように、他の略平行に配置される複数の板状部材が配置されてもよい。すなわち、複数の板状部材は、水平面方向(XY方向)に格子状に配置されてもよい。2つの略平行に配置される複数の板状部材の数は、例えば、それぞれ5つ以上であることが好ましい。2つの略平行に配置される板状部材はそれぞれ等間隔に配置されることが好ましい。2つの略平行に配置される複数の板状部材同士の間の距離は、例えば、それぞれ10mm以上60mm以下の範囲であることが好ましい。整流板19cがこのように構成されることで、気泡吐出管18が供給する気泡および薬液吐出管121が供給するリン酸溶液30が内槽111の底部から複数の整流板19cの間を通過する、気泡およびリン酸溶液30の流れを形成することができ、気泡は整流板19を介してリン酸溶液30から放出することができる(図8矢印参照)。気泡吐出管18が供給する気泡は、整流板19cを介してリン酸溶液30から放出することができ、リン酸溶液30表面で泡立ち基板20がリン酸溶液30から露出してしまうことを防ぐことができる。
本変形例に係る基板処理装置は、気泡およびリン酸溶液30の流れによって内槽111に貯留するリン酸溶液30内に均一な気液2相流を実現することで、リン酸溶液30の攪拌効率を向上することができる。
<変形例3>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板が昇降機構を備えること以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板が昇降機構を備えること以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図9Aは、変形例に係る整流板の構造を概略的に示す斜視図である。図9Bは、変形例に係る整流板の構造を概略的に示す基板が並ぶ方向のXZ断面図である。本変形例において整流板19は、昇降機構191を備える。昇降機構191の昇降動作によって、整流板19を内槽111に貯留されたリン酸溶液30に自動的に浸漬させることができるとともに、エッチング処理前後の基板20の搬入・搬出時に、整流板19を内槽111から自動的に取り出すことができる。
<変形例4>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板が蓋部と一体であること以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板が蓋部と一体であること以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図10Aは、変形例に係る整流板の構造を概略的に示す斜視図である。図10Bは、変形例に係る整流板の構造を概略的に示す斜視図である。図10Cは、変形例に係る整流板の構造を概略的に示す基板が並ぶ方向のXZ断面図である。本変形例において整流板19は、蓋部193と一体である。蓋部193は、図10Aに示すように左右の端部が固定され、中央から左右(矢印方向)に回転して開閉する両開き型であってもよいし、図10Bに示すように一端部が固定され、向かい合う端部から一端部に回転して開閉する片開き型であってもよい。蓋部193を閉めることによって、整流板19を内槽111に貯留されたリン酸溶液30に浸漬させることができ、蓋部193を開くことによって、エッチング処理前後の基板20の搬入・搬出時に、整流板19を内槽111から取り出すことができる。しかしながらこれに限定されず、蓋部193は取り外し可能であってもよい。この場合、蓋部193の取り付けによって、整流板19を内槽111に貯留されたリン酸溶液30に浸漬させることができ、蓋部193の取り外しによって、エッチング処理前後の基板20の搬入・搬出時に、整流板19を内槽111から取り出すことができる。
<変形例5>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板が折り畳み可能であること以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、整流板が折り畳み可能であること以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図11Aは、変形例に係る整流板のエッチング処理中の構造を概略的に示す斜視図である。図11Bは、変形例に係る整流板のエッチング処理中の構造を概略的に示す基板が並ぶ方向のXZ断面図である。図12Aは、変形例に係る整流板のエッチング処理前後(折り畳み時)の構造を概略的に示す斜視図である。図12Bは、変形例に係る整流板のエッチング処理前後(折り畳み時)の構造を概略的に示す基板が並ぶ方向のXZ断面図である。本変形例において整流板19は、折り畳みが可能である。図11Aおよび図11Bに示す整流板19は、図12Aおよび図12Bに示すエッチング処理前後の基板20の搬入・搬出時に、整流板19を内槽111の一辺に寄せて折り畳むことができる。
<変形例6>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、薬液吐出管の構成以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、薬液吐出管の構成以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図13は、変形例に係る薬液吐出管の構造を概略的に示す気泡吐出管が伸びる方向とは垂直方向のYZ断面図である。本変形例において、薬液吐出管121は数が増やされる。薬液吐出管121の数が増加することで、1つ当たりの薬液吐出管121から供給されるリン酸溶液30の流量を抑制することができる。1つ当たりの薬液吐出管121から供給されるリン酸溶液30の流量を抑制することで、内槽111の特定の箇所にリン酸溶液30の高流速部が集中することを抑制することができる。
<変形例7>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、薬液吐出管の構造以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、薬液吐出管の構造以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図14は、変形例に係る薬液吐出管の構造を概略的に示す気泡吐出管が伸びる方向とは垂直方向のYZ断面図である。本変形例において、薬液吐出管121aの薬液吐出口123aは径が大きい。薬液吐出口123aの孔径は、例えば、直径2mm以上であってもよい。また、薬液吐出口123aの形状は真円でなくてもよい。薬液吐出口123aは、例えば、溝状であってもよい。薬液吐出口123aが大きいことで、1つの薬液吐出口123aから供給されるリン酸溶液30の流速の集中を緩和することができる。1つの薬液吐出口123aから供給されるリン酸溶液30の流速の集中を緩和することで、内槽111の特定の箇所にリン酸溶液30の高流速部が集中することを抑制することができる。
<変形例8>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、薬液吐出管の構造以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、薬液吐出管の構造以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図15は、変形例に係る薬液吐出管の構造を概略的に示す気泡吐出管が伸びる方向とは垂直方向のYZ断面図である。本変形例において、薬液吐出管121bの薬液吐出口123bは数が多い。薬液吐出口123bの数を増やすために、薬液吐出口123bは、例えば、薬液吐出管121bの外周全面に設けられてもよい。薬液吐出口123bの数が多いことで、リン酸溶液30の供給を分散することができ、1つの薬液吐出口123bから供給されるリン酸溶液30の流速の集中を緩和することができる。1つの薬液吐出口123bから供給されるリン酸溶液30の流速の集中を緩和することで、内槽111の特定の箇所にリン酸溶液30の高流速部が集中することを抑制することができる。
<変形例9>
本変形例に係る基板処理装置の構成は、隔壁をさらに備えること以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
本変形例に係る基板処理装置の構成は、隔壁をさらに備えること以外、第1実施形態に係る基板処理装置の構成と同じである。第1実施形態と同じである説明は省略し、ここでは第1実施形態に係る基板処理装置の構成と相違する部分について説明する。
図16は、変形例に係る隔壁の構造を概略的に示す気泡吐出管が伸びる方向とは垂直方向のYZ断面図である。図16に示すように、内槽111の底部には、隔壁125が設けられている。隔壁125は、基板20を保持する保持部材17より下に配置される。隔壁125は、リン酸溶液30を供給する薬液吐出管121より上に配置される。隔壁125は、気泡を供給する気泡吐出管18より上に配置されてもよいが、気泡吐出管18より下に配置されることが好ましい。隔壁125は多数の孔125aを有し、孔125aは薬液吐出管121から供給されるリン酸溶液30を通すことができる。隔壁125を備えることで、リン酸溶液30の供給を分散することができ、薬液吐出管121から供給されるリン酸溶液30の流速の集中を緩和することができる。リン酸溶液30の流速の集中を緩和することで、内槽111の特定の箇所にリン酸溶液30の高流速部が集中することを抑制することができる。
以上、本発明について図面を参照しながら説明したが、本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、本実施形態の基板処理装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。さらに、上述した各実施形態および変形例は、相互に矛盾がない限り適宜組み合わせが可能であり、各実施形態に共通する技術事項については、明示の記載がなくても各変形例に含まれる。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
1 基板処理装置、11 処理槽(容器)、12 循環路、13 加熱部、14 投入部、15 ポンプ、17 保持部材、18 気泡吐出管、18a 気泡吐出口、121 薬液吐出管、123 薬液吐出口、19 整流板
Claims (13)
- 薬剤を貯留し、前記薬剤に基板を浸漬させて処理を行うことが可能な処理槽と、
前記基板を保持する保持部材と、
前記保持部材の上に配置され、水平方向に対して傾きを有して鉛直方向に延在し、断面における鉛直方向の長さが水平方向の長さより長い整流板と、
前記保持部材の下に配置され、前記薬剤に気体を吐出する気泡吐出管と、
を備える基板処理装置。 - 前記保持部材の下に配置され、前記薬剤を供給する薬液吐出管をさらに備える、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記整流板は水平面方向に格子状に配置される、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記格子状の間隔は10mm以上60mm以下である、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記気泡吐出管は、少なくとも6つ配置する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記気泡吐出管は、前記薬剤に計15L/min以上の気体を吐出する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記薬液吐出管は、前記基板1枚当たり60個以上の薬液吐出口を有する、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記薬液吐出口は2mm以上の孔径を有する、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記整流板を前記薬剤に浸漬する昇降機構をさらに備える、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記整流板は折り畳み可能である、請求項1に記載の基板処理装置。
- 薬剤を貯留可能な処理槽と、基板を保持する保持部材と、前記保持部材の上に配置され、水平方向に対して傾きを有して鉛直方向に延在し、断面における鉛直方向の長さが水平方向の長さより長い整流板と、前記保持部材の下に配置される気泡吐出管と、を備える基板処理装置を用意し、
前記基板を前記薬剤に浸漬させ、
前記気泡吐出管から気泡を吐出させる、基板処理方法。 - 薬剤を貯留可能な処理槽と、半導体基板を保持する保持部材と、前記保持部材の上に配置され、水平方向に対して傾きを有して鉛直方向に延在し、断面における鉛直方向の長さが水平方向の長さより長い整流板と、前記保持部材の下に配置される気泡吐出管と、を備える基板処理装置を用意し、
前記半導体基板を前記薬剤に浸漬させ、
前記気泡吐出管から気泡を吐出させる、半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板はシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とが交互に形成された積層体を有し、
前記薬剤はリン酸溶液であり、
前記気泡は窒素を含む、請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
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- 2022-02-28 US US17/682,745 patent/US20220406626A1/en active Pending
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US20220406626A1 (en) | 2022-12-22 |
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