JP6024076B2 - シリコンデバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、シリコン基板から製造されるシリコンデバイス、及び当該シリコンデバイスを製造するシリコンデバイスの製造方法に関する。

従来から、シリコン基板を加工して製造されるシリコンデバイスが知られている。シリコンデバイスは、半導体装置の製造工程と同じ工程を用いて製造することができるため、微細な形状を精密に形成することができる。シリコンデバイスは、微細な構造を備えるが、さらなる小型微細化、小型化が求められている。
シリコンデバイスの製造に際しては、シリコンウェハー上に複数のシリコンデバイスを形成し、シリコンデバイスチップに分割する製造方法を用いることで、小型のシリコンデバイスが効率よく製造されている。

特許文献１には、シリコンで形成されているノズルプレートの割れを防止しつつ、ノズルプレートの薄型化を図ることができるノズルプレートの製造方法が開示されている。

特開２００５−３４９５９２号公報

しかしながら、個別のチップに分割されたシリコンデバイスが、チップの状態で取り扱われる場合が多くなっている。また、チップの状態で、製品として出荷される場合も多くなっている。一方で、単体で扱うことができる程度の大きさのシリコンデバイスにおいては、小型化することが強度の低下を伴うことは、材料力学的に避け難い現象である。特にシリコンデバイスの外形における角部は、欠けや割れが発生し易い部分である。すなわち、シリコンデバイスをチップの状態で扱うことで、割れや欠けによってシリコンデバイスが損なわれる可能性が高くなるという課題があった。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかるシリコンデバイスは、平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスであって、前記多角形の角部の少なくとも１個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している２個の辺と、２個の前記辺のそれぞれに接して前記辺を接続する角部曲線部と、で形成されていることを特徴とする。

本適用例にかかるシリコンデバイスによれば、角部は、２個の辺と、２個の辺のそれぞれに接している角部曲線部とで形成されている。すなわち、角部は、角が丸められている。一般的に、尖った角部は、他の部材などに当たるなどした場合に欠けたり割れたりし易い。当該角部の尖った部分を丸めることで、欠けたり割れたりすることを抑制することができる。

［適用例２］本適用例にかかるシリコンデバイスは、平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスであって、前記多角形の角部の少なくとも１個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している２個の辺と、２個の前記辺のそれぞれに接続された接続線部と、で形成されており、前記辺と前記接続線部との接続部において形成される前記シリコンデバイスの角度が鈍角であることを特徴とする。

本適用例にかかるシリコンデバイスによれば、角部は、２個の辺と、２個の辺のそれぞれに接続された接続線部とで構成されており、辺と接続線部との接続部において形成されるシリコンデバイスの角度が鈍角である。すなわち、角部は、角が例えばいわゆる面取りされている。一般的に、尖った角部は、他の部材などに当たるなどした場合に欠けたり割れたりし易い。当該角部の尖った部分を面取りすることで、欠けたり割れたりすることを抑制することができる。

［適用例３］上記適用例にかかるシリコンデバイスは、前記辺の少なくとも１個が、辺中央側部と辺端側部とを備え、前記辺端側部は、平面視において前記辺中央側部に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記辺は、前記辺端側部が、前記角部曲線部又は前記接続線部と接続されていることが好ましい。

このシリコンデバイスによれば、辺端側部は、平面視において辺中央側部に対してシリコンデバイスが凹んだ凹部であり、辺端側部が、角部曲線部又は接続線部と接続されている。この形状によって、角部が他の部材と当たることを抑制することができる。
また、シリコンデバイスを並べた場合、角部と他のシリコンデバイスとの間に、平面視において、辺中央側部と辺端側部との段差に相当する隙間が存在する。当該隙間によって、基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、加工中のシリコンデバイスの隣のシリコンデバイスの角部に影響を与えることを抑制することができる。

［適用例４］上記適用例にかかるシリコンデバイスは、前記辺の少なくとも１個が、中央凹部をさらに備え、前記中央凹部は、前記角部曲線部又は前記接続線部から離間した位置に形成されており、平面視において前記辺における他の部分に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であることが好ましい。

このシリコンデバイスによれば、平面視において辺における他の部分に対してシリコンデバイスが凹んだ中央凹部が、角部とは離れた位置に形成されている。シリコンデバイスを並べた場合、中央凹部と隣のシリコンデバイスとの間に、平面視において、中央凹部と辺の他の部分との段差に相当する隙間が存在する。当該隙間によって、基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、加工中のシリコンデバイスの隣のシリコンデバイスの中央凹部に影響を与えることを抑制することができる。隣り合うシリコンデバイスの、一方のシリコンデバイスの辺の、他方のシリコンデバイスの角部に臨む部分に中央凹部を配設することで、当該他方のシリコンデバイスの角部を加工する際に、一方のシリコンデバイスが影響を受けることを抑制することができる。

［適用例５］本適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスを製造するシリコンデバイスの製造方法であって、前記シリコンデバイスが区画形成されたデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって、前記多角形の角部を形成する角部形成工程と、前記デバイスマザー基板を前記シリコンデバイスに分離する分離工程と、を有することを特徴とする。

本適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスの角部の形状は、角部形成工程においてデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって形成される。デバイスマザー基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、角部は、直線状の辺を形成した結果として形成されるため、角部の形状は尖った形状に限られる場合が多い。貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。例えば角を丸めたり、面取りしたりすることができる。

［適用例６］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記シリコンデバイスの前記多角形の角部の少なくとも１個が、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している２個の辺と、２個の前記辺のそれぞれに接して前記辺を接続する角部曲線部とで形成されており、前記角部形成工程において前記角部曲線部を形成することが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスの角部は、２個の辺と、２個の辺のそれぞれに接している角部曲線部とで形成されている。すなわち、角部は、角が丸められている。一般的に、尖った角部は、他の部材などに当たるなどした場合に欠けたり割れたりし易い。当該角部の尖った部分を丸めることで、欠けたり割れたりすることを抑制することができる。貫通孔を形成することによって角部を形成する角部形成工程においては、貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。角部形成工程において角部曲線部を形成することで、角部曲線部を任意の形状で容易に形成することができる。

［適用例７］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記シリコンデバイスの前記多角形の角部の少なくとも１個が、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している２個の辺と、２個の前記辺のそれぞれに接続された接続線部とで形成されており、前記辺と前記接続線部との接続部において形成される前記シリコンデバイスの角度が鈍角であって、前記角部形成工程において前記接続線部を形成することが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスの角部は、２個の辺と、２個の辺のそれぞれに接続された接続線部とで形成されており、辺と接続線部との接続部において形成されるシリコンデバイスの角度が鈍角である。すなわち、角部は、角が例えばいわゆる面取りされている。一般的に、尖った角部は、他の部材などに当たるなどした場合に欠けたり割れたりし易い。当該角部の尖った部分を面取りすることで、欠けたり割れたりすることを抑制することができる。貫通孔を形成することによって角部を形成する角部形成工程においては、貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。角部形成工程において接続線部を形成することで、接続線部を任意の形状で容易に形成することができる。

［適用例８］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記辺の少なくとも１個が、辺中央側部と辺端側部とを備え、前記辺端側部は、平面視において前記辺中央側部に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記辺は、前記辺端側部が、前記角部曲線部又は前記接続線部と接続されており、前記角部形成工程において前記辺端側部を形成することが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスが備える辺端側部は、平面視において辺中央側部に対してシリコンデバイスが凹んだ凹部であり、辺端側部が、角部曲線部又は接続線部と接続されている。この形状によって、角部が他の部材と当たることを抑制することができる。また、シリコンデバイスを並べた場合、角部と他のシリコンデバイスとの間に、平面視において、辺中央側部と辺端側部との段差に相当する隙間が存在する。当該隙間によって、基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、加工中のシリコンデバイスの隣のシリコンデバイスの角部に影響を与えることを抑制することができる。
貫通孔を形成することによって角部を形成する角部形成工程においては、貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。角部形成工程において接続線部を形成することで、接続線部を任意の形状で容易に形成することができる。

［適用例９］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記辺の少なくとも１個が、中央凹部をさらに備え、前記中央凹部は、前記角部曲線部又は前記接続線部から離間した位置に形成されており、平面視において前記辺における他の部分に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって前記中央凹部を形成する中央凹部形成工程を含むことが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、シリコンデバイスには、平面視において辺における他の部分に対してシリコンデバイスが凹んだ中央凹部が、角部とは離れた位置に形成されている。シリコンデバイスを並べた場合、中央凹部と隣のシリコンデバイスとの間に、平面視において、中央凹部と辺の他の部分との段差に相当する隙間が存在する。当該隙間によって、基板に区画形成されたシリコンデバイスの外形を加工する際に、加工中のシリコンデバイスの隣のシリコンデバイスの中央凹部に影響を与えることを抑制することができる。隣り合うシリコンデバイスの、一方のシリコンデバイスの辺の、他方のシリコンデバイスの角部に臨む部分に中央凹部を配設することで、当該他方のシリコンデバイスの角部を加工する際に、一方のシリコンデバイスが影響を受けることを抑制することができる。
貫通孔を形成することによって角部を形成する角部形成工程においては、貫通孔を形成することによって角部を形成することで、角部の平面視形状を、任意の形状にすることができる。角部形成工程において中央凹部を形成することで、中央凹部を任意の形状で容易に形成することができる。

［適用例１０］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記角部形成工程では、シリコンのドライエッチングによって前記貫通孔を形成することが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、角部の形状は、シリコンのドライエッチングによって形成される。一般的に、ドライエッチングは精密な形状を形成することが可能である。ドライエッチングによって形成することで、角部の平面視形状を、容易に、任意の形状にすることができる。また、シリコンデバイスの機能部分を形成するために、ドライエッチングを用いる場合が多い。この場合、シリコンデバイスの機能部分を形成する工程において、並行して貫通孔を形成することで、加工時間を短縮することができる。シリコンデバイスの機能部分は、例えば、吐出ノズル基板における吐出ノズル孔である。

［適用例１１］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記デバイスマザー基板における、少なくとも前記シリコンデバイスが形成される部分の厚さを所定の厚さに減ずる薄板化工程をさらに有し、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板の基板面に貫通孔凹部を形成する貫通孔凹部形成工程と、前記薄板化工程によって前記貫通孔凹部の底部を除去して前記貫通孔を形成する孔貫通工程とを含むことが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、角部形成工程は、貫通孔凹部形成工程と、薄板化工程によって貫通孔凹部の底部を除去して貫通孔を形成する孔貫通工程とを含む。これにより、貫通孔凹部形成工程は、薄板化工程を実施する前のデバイスマザー基板であって、厚さが厚いことで強度が高いデバイスマザー基板を加工対象とすることができる。孔貫通工程が、薄板化工程によって貫通孔凹部の底部を除去する工程であるため、貫通孔凹部の深さはシリコンデバイスの厚さを超えれば充分であり、薄板化工程を実施する前のデバイスマザー基板に貫通孔を形成する場合にくらべて、必要な加工量を低減することができる。

［適用例１２］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記デバイスマザー基板における、少なくとも前記シリコンデバイスが形成される部分の厚さを所定の厚さに減ずる薄板化工程をさらに有し、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板の基板面に貫通孔凹部を形成する貫通孔凹部形成工程と、前記薄板化工程によって前記貫通孔凹部の底部の厚さを減ずる底部薄化工程と、前記底部薄化工程によって厚さが減じた前記底部に、前記貫通孔凹部の反対側から孔を形成して前記貫通孔を形成する孔貫通工程とを含むことが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、角部形成工程は、貫通孔凹部形成工程と、薄板化工程によって貫通孔凹部の底部の厚さを減ずる底部薄化工程と、孔貫通工程とを含む。これにより、貫通孔凹部形成工程は、薄板化工程を実施する前のデバイスマザー基板であって、厚さが厚いことで強度が高いデバイスマザー基板を加工対象とすることができる。
貫通孔は、貫通孔凹部形成工程と、貫通孔凹部の底部に貫通孔凹部の反対側から孔を形成する孔貫通工程とによって形成される。貫通孔を両側から加工することで、貫通孔の開口の形状を精密に作りこむことができる。

［適用例１３］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記分離工程が、前記デバイスマザー基板に区画形成された前記シリコンデバイスと前記シリコンデバイスとの境界部分にレーザー光線を照射して内部改質層を形成する改質層形成工程を有することが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、改質層形成工程によって、シリコンデバイスとシリコンデバイスとの境界部分に内部改質層が形成される。内部改質層は、内部改質層の両側を離間させる方向に力を加えることによって、内部改質層において容易に分離できる層である。研削ブレードを用いる場合では必要である研削（切削）代を設けることが不要であり、デバイスマザー基板を有効に使用することができる。また、内部改質層を、平面方向において、デバイスマザー基板の任意の位置に容易に形成することができる。このため、分割方法による制限を考慮することを必要とせずに、シリコンデバイスを形成する位置を、デバイスマザー基板上に効率よく設定することができる。

［適用例１４］上記適用例にかかるシリコンデバイスの製造方法は、前記分離工程が、前記デバイスマザー基板に区画形成された前記シリコンデバイスに対して、前記デバイスマザー基板の面方向において互いに離間させる方向に力を加えるエキスパンド工程を有することが好ましい。

このシリコンデバイスの製造方法によれば、分離工程は、シリコンデバイスに対して互いに離間させる方向に力を加えるエキスパンド工程を有する。このため、デバイスマザー基板上の任意の位置に形成されたシリコンデバイスに対して、シリコンデバイスを分離させる力を加えることができる。このため、分離方法による制限を考慮することを必要とせずに、シリコンデバイスを形成する位置を、デバイスマザー基板上に効率よく設定することができる。

液滴吐出装置の概略構成を示す外観斜視図。 （ａ）は、液滴吐出ヘッドの概略構成を示す外観斜視図。（ｂ）は、液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視断面図。（ｃ）は、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルの部分の構造を示す断面図。 （ａ）は、個別のノズル基板の平面形状を示す平面図。（ｂ）は、マザーノズル基板の平面形状、及び区画形成されるノズル基板の配列を示す平面図。 ノズル基板の製造工程を示すフローチャート。 ノズル基板の製造工程におけるマザーノズル基板の断面を示す説明図。 角部貫通孔の形状例を示す説明図。

以下、シリコンデバイス、及びシリコンデバイスの製造方法について、図面を参照して説明する。本実施形態は、シリコンデバイスの一例であるノズル基板及びノズル基板の製造工程を例に説明する。ノズル基板は、液滴吐出ヘッドを構成するものであり、液状体を液滴として吐出する吐出ノズルが形成されている基板である。なお、以下の説明において参照する図面では、図示の便宜上、部材又は部分の縦横の縮尺を実際のものとは異なるように表す場合がある。

＜液滴吐出装置＞
最初に、シリコンデバイスの一例であるノズル基板２５（図２参照）を有する液滴吐出ヘッド２０を備える液滴吐出装置１について、図１を参照して説明する。図１は、液滴吐出装置の概略構成を示す外観斜視図である。

図１に示すように、液滴吐出装置１は、ヘッド機構部２と、ワーク機構部３と、機能液供給部４と、保守装置部５と、吐出装置制御部６とを備えている。ヘッド機構部２は、機能液を液滴として吐出する液滴吐出ヘッド２０を有している。ワーク機構部３は、液滴吐出ヘッド２０から吐出された液滴の吐出対象であるワークＷを載置するワーク載置台３３を有している。機能液供給部４は、貯留タンクと、中継タンクと、供給管とを有し、当該供給管が、液滴吐出ヘッド２０に接続されており、供給管を介して機能液が液滴吐出ヘッド２０に供給される。保守装置部５は、液滴吐出ヘッド２０の検査又は保守を実施する各装置を備えている。吐出装置制御部６は、これら各機構部等を総括的に制御する。さらに、液滴吐出装置１は、床上に設置された複数の支持脚８と、支持脚８の上側に設置された定盤９とを備えている。

定盤９の上面には、ワーク機構部３が配設されている。ワーク機構部３は、定盤９の長手方向（Ｘ軸方向）に延在している。ワーク機構部３の上方には、定盤９に固定された２本の支持柱で支持されているヘッド機構部２が配設されている。ヘッド機構部２は、ワーク機構部３と直交する方向（Ｙ軸方向）に延在している。定盤９の傍らには、ヘッド機構部２の液滴吐出ヘッド２０に連通する供給管を有する機能液供給部４の貯留タンクなどが配置されている。ヘッド機構部２の一方の支持柱の近傍には、保守装置部５がワーク機構部３と並んでＸ軸方向に延在して配設されている。定盤９の下側に、吐出装置制御部６が収容されている。

ヘッド機構部２は、液滴吐出ヘッド２０を有するヘッドユニット２１と、ヘッドユニット２１を支持するヘッドキャリッジ２２とを有し、ヘッドキャリッジ２２をＹ軸方向に移動させることで、液滴吐出ヘッド２０をＹ軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。ワーク機構部３は、ワーク載置台３３をＸ軸方向に移動させることで、ワーク載置台３３に載置されたワークＷをＸ軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。

液滴吐出ヘッド２０を、Ｙ軸方向の吐出位置まで移動させて停止させ、下方にあるワークＷのＸ軸方向の移動に同調させて、液状体を液滴として吐出させる。Ｘ軸方向に移動させるワークＷと、Ｙ軸方向に移動させる液滴吐出ヘッド２０とを相対的に制御することにより、ワークＷ上の任意の位置に液滴を着弾させることで、所望する描画などを行うことが可能である。

＜液滴吐出ヘッド＞
次に、液滴吐出ヘッド２０について、図２を参照して説明する。図２は、液滴吐出ヘッドの概略構成を示す図である。図２（ａ）は、液滴吐出ヘッドの概略構成を示す外観斜視図であり、図２（ｂ）は、液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視断面図であり、図２（ｃ）は、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルの部分の構造を示す断面図である。図２に示したＹ軸、及びＺ軸は、液滴吐出ヘッド２０が液滴吐出装置１に装着された状態において、図１に示したＹ軸、及びＺ軸と一致している。

図２（ａ）に示したように、液滴吐出ヘッド２０は、ノズル基板２５を備えている。ノズル基板２５には、多数の吐出ノズル２４が略一直線状に並んだノズル列２４Ａが２列形成されている。吐出ノズル２４から機能液を液滴として吐出し、対向する位置にある描画対象物などに着弾させることで、当該位置に機能液を配置する。ノズル列２４Ａは、液滴吐出ヘッド２０が液滴吐出装置１に装着された状態で、図１に示したＹ軸方向に延在している。ノズル列２４Ａにおいて吐出ノズル２４は等間隔のノズルピッチで並んでおり、２列のノズル列２４Ａ間で、吐出ノズル２４の位置がＹ軸方向に半ノズルピッチずれている。したがって、液滴吐出ヘッド２０としては、Ｙ軸方向に半ノズルピッチ間隔で機能液の液滴を配置することができる。ノズル基板２５が液滴吐出ヘッド２０に組み込まれた状態で、液滴吐出ヘッド２０の外面となる面をノズル形成面２５ａと表記する。

図２（ｂ）及び（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド２０は、ノズル基板２５に圧力室プレート５１が積層されており、圧力室プレート５１に振動板５２が積層されている。
圧力室プレート５１には、液滴吐出ヘッド２０に供給される機能液が常に充填される液たまり５５が形成されている。液たまり５５は、振動板５２と、ノズル基板２５と、圧力室プレート５１の壁とに囲まれた空間である。機能液は、機能液供給部４から液滴吐出ヘッド２０に供給され、振動板５２の液供給孔５３を経由して液たまり５５に供給される。また、圧力室プレート５１には、複数のヘッド隔壁５７によって区切られた圧力室５８が形成されている。振動板５２と、ノズル基板２５と、２個のヘッド隔壁５７とによって囲まれた空間が圧力室５８である。

圧力室５８は吐出ノズル２４のそれぞれに対応して設けられており、圧力室５８の数と吐出ノズル２４の数とは同じである。圧力室５８には、２個のヘッド隔壁５７の間に位置する供給口５６を経由して、液たまり５５から機能液が供給される。ヘッド隔壁５７と圧力室５８と吐出ノズル２４と供給口５６との組は、液たまり５５に沿って１列に並んでおり、１列に並んだ吐出ノズル２４がノズル列２４Ａを形成している。図２（ｂ）では図示省略したが、図示した吐出ノズル２４を含むノズル列２４Ａに対して液たまり５５に関して略対称位置に、１列に並んで配設された吐出ノズル２４がもう１列のノズル列２４Ａを形成している。当該ノズル列２４Ａに対応するヘッド隔壁５７と圧力室５８と供給口５６との組が、１列に並んでいる。

振動板５２の圧力室５８を構成する部分には、それぞれ圧電素子５９の一端が固定されている。圧電素子５９の他端は、固定板（図示省略）を介して液滴吐出ヘッド２０全体を支持する基台（図示省略）に固定されている。
圧電素子５９は、電極層と圧電材料とを積層した活性部を有している。圧電素子５９は、電極層に駆動電圧を印加することで、活性部が長手方向（図２（ｂ）又は（ｃ）における振動板５２の厚さ方向）に縮む。電極層に印加されていた駆動電圧が解除されることで、活性部が元の長さに戻る。

電極層に駆動電圧が印加されて、圧電素子５９の活性部が縮むことで、圧電素子５９の一端が固定された振動板５２が圧力室５８と反対側に引張られる力を受ける。振動板５２が圧力室５８と反対側に引張られることで、振動板５２が圧力室５８の反対側に撓む。これにより、圧力室５８の容積が増加することから、機能液が液たまり５５から供給口５６を経て圧力室５８に供給される。次に、電極層に印加されていた駆動電圧が解除されると、活性部が元の長さに戻ることで、圧電素子５９が振動板５２を押圧する。振動板５２が押圧されることで、圧力室５８側に戻る。これにより、圧力室５８の容積が急激に元に戻る。すなわち増加していた容積が減少することから、圧力室５８内に充填されていた機能液に圧力が加わり、当該圧力室５８に連通して形成された吐出ノズル２４から機能液が液滴となって吐出される。

＜ノズル基板及びマザーノズル基板＞
次に、ノズル基板２５及びマザーノズル基板２５Ａについて、図３を参照して説明する。ノズル基板２５は、複数のノズル基板２５が区画形成されるマザーノズル基板２５Ａの形で製造される。
図３は、ノズル基板及びマザーノズル基板の概要を示す説明図である。図３（ａ）は、個別のノズル基板の平面形状を示す平面図であり、図３（ｂ）は、マザーノズル基板の平面形状、及び区画形成されるノズル基板の配列を示す平面図である。

図３（ａ）に示すように、ノズル基板２５は、平面視の外形が略長方形形状の板状の部材である。ノズル基板２５は、略長方形形状の板に多数の吐出ノズル２４が略一直線状に並んだノズル列２４Ａが２列、形成されている。上述したように、図３（ａ）に示したノズル形成面２５ａは、ノズル基板２５が液滴吐出ヘッド２０に組み込まれた状態で、液滴吐出ヘッド２０の外面となる面である。略長方形形状の４個所の角の近くに、取付孔２６ａ、取付孔２６ｂ、取付孔２６ｃ、及び取付孔２６ｄが形成されている。取付孔２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄは、ノズル基板２５を圧力室プレート５１に取り付けるために用いる孔である。

ノズル基板２５の略長方形形状を構成する４辺の長い辺を長辺２７、短い辺を短辺２８と表記する。２個の長辺２７を長辺２７ａ又は長辺２７ｂと表記し、２個の短辺２８を短辺２８ａ又は短辺２８ｂと表記する。図３（ａ）に示した平面視で、短辺２８ａ、長辺２７ａ、短辺２８ｂ、及び長辺２７ｂは、時計まわりにこの順で位置している。
長辺２７は、長辺主部２７１と、長辺端部２７３と、長辺端部２７４とを有している。長辺端部２７３と、長辺端部２７４とは、長辺主部２７１の両側にそれぞれ接続しており、長辺主部２７１に対して、長辺端部２７３と長辺端部２７４とが凹んでいる。長辺主部２７１の中央には、長辺凹部２７５が形成されている。長辺凹部２７５も、長辺主部２７１に対して凹んでいる。
短辺２８は、短辺主部２８１と、短辺端部２８３と、短辺端部２８４とを有している。短辺端部２８３と、短辺端部２８４とは、短辺主部２８１の両側にそれぞれ接続しており、短辺主部２８１に対して、短辺端部２８３と短辺端部２８４とが凹んでいる。
長辺端部２７３、長辺端部２７４、短辺端部２８３、及び短辺端部２８４が、辺端側部に相当する。長辺主部２７１、及び短辺主部２８１が、辺中央側部に相当する。長辺凹部２７５が、中央凹部に相当する。

短辺２８ａと長辺２７ａとは、短辺２８ａの短辺端部２８４と長辺２７ａの長辺端部２７３とが円弧部２９ａ（２９）を介して接続されることによって、円弧部２９を介して接続されている。
長辺２７ａと短辺２８ｂとは、長辺２７ａの長辺端部２７４と短辺２８ｂの短辺端部２８３とが面取部３１を介して接続されることによって、面取部３１を介して接続されている。
短辺２８ｂと長辺２７ｂとは、短辺２８ｂの短辺端部２８４と長辺２７ｂの長辺端部２７３とが円弧部２９ｂ（２９）を介して接続されることによって、円弧部２９を介して接続されている。
長辺２７ｂと短辺２８ａとは、長辺２７ｂの長辺端部２７４と短辺２８ａの短辺端部２８３とが円弧部２９ｃ（２９）を介して接続されることによって、円弧部２９を介して接続されている。
円弧部２９が、角部曲線部に相当する。面取部３１が、接続線部に相当する。

ノズル基板２５は、マザーノズル基板２５Ａ上に区画形成され、マザーノズル基板２５Ａを分割することにより取り出される。図３（ｂ）に示すように、マザーノズル基板２５Ａは、円形のシリコンウェハーである。マザーノズル基板２５Ａには、１０２個のノズル基板２５が区画形成されている。
マザーノズル基板２５Ａ上に区画形成されたノズル基板２５の長辺２７に平行な方向をＶ軸方向、短辺２８に平行な方向をＨ軸方向と表記する。マザーノズル基板２５ＡのＨ軸方向における中央では、６個のノズル基板２５がＶ軸方向に並んで形成されている。Ｖ軸方向の寸法が、Ｖ軸方向に６個のノズル基板２５を並べられなくなる部分からは、Ｖ軸方向に５個のノズル基板２５が並んで形成されている。Ｖ軸方向に６個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置と、５個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置とは、ノズル基板２５のＶ軸方向の長さの略半分だけずれている。
同様に、Ｖ軸方向に５個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置と、４個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置とは、ノズル基板２５のＶ軸方向の長さの略半分だけずれている。Ｖ軸方向に４個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置と、３個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置と、及びＶ軸方向に３個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置と、２個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置とは、ノズル基板２５のＶ軸方向の長さの略半分だけずれている。

＜ノズル基板製造工程＞
次に、マザーノズル基板２５Ａに吐出ノズル２４などを形成し、個別のノズル基板２５に分離する、ノズル基板２５の製造工程について、図４、図５、及び図６を参照して説明する。図４は、ノズル基板の製造工程を示すフローチャートである。図５は、ノズル基板の製造工程におけるマザーノズル基板の断面を示す説明図である。図６は、角部貫通孔の形状例を示す説明図である。マザーノズル基板２５Ａは、素材のシリコンウェハーの状態の基板も、ノズル基板２５を形成する途中の状態の基板も、ノズル基板２５が分割すればノズル基板２５となる状態に区画形成された状態の基板も、マザーノズル基板２５Ａと表記する。マザーノズル基板２５Ａが、デバイスマザー基板に相当する。

最初に、図４のステップＳ１では、第一エッチング用のレジスト膜７１を形成する。図５（ａ）に示したように、角孔開口７２ａやノズル孔開口７４ａなどを開口させたレジスト膜７１を、マザーノズル基板２５Ａの１面に形成する。ノズル孔開口７４ａは、吐出ノズル２４を形成するためにレジスト膜７１に形成された開口部である。角孔開口７２ａは、角部貫通孔８６を形成するためにレジスト膜７１に形成された開口部である。角部貫通孔８６は、上述した、短辺端部２８４と長辺端部２７３と円弧部２９ａ、長辺端部２７４と短辺端部２８３と面取部３１、短辺端部２８４と長辺端部２７３と円弧部２９ｂ、長辺端部２７４と短辺端部２８３と円弧部２９ｃ、及び長辺凹部２７５などの外形形状を形成するために形成する孔である。

次に、図４のステップＳ２では、第一エッチングを実施する。第一エッチングは、例えばドライエッチングである。図５（ｂ）に示したように、レジスト膜７１の角孔開口７２ａやノズル孔開口７４ａなどに露出したシリコン基板をエッチングして、角孔凹部７２やノズル孔凹部７４などを形成する。角孔凹部７２は、角部貫通孔８６の一部を構成する凹部である。ノズル孔凹部７４は、吐出ノズル２４の一部を構成する凹部である。第一エッチングにおけるエッチング条件は、最も精度が要求される吐出ノズル２４の一部を構成するノズル孔凹部７４を形成するための条件を優先させて決定する。
角孔凹部７２を形成する第一エッチングが、貫通孔凹部形成工程に相当する。角孔凹部７２が、貫通孔凹部に相当する。

次に、図４のステップＳ３では、熱酸化によって、酸化膜７６を形成する。第一エッチングで使用したレジスト膜７１を除去し、図５（ｃ）に示すように、角孔凹部７２やノズル孔凹部７４の面を含むマザーノズル基板２５Ａの全面に酸化膜７６を形成する。

次に、図４のステップＳ４では、マザーノズル基板２５Ａの薄化工程を実施する。ノズル基板２５の製造工程に投入されるマザーノズル基板２５Ａは、強度をもたせるために、ノズル基板２５の所定の厚さより厚い厚さを有するシリコンウェハーである。薄化工程は、ノズル基板２５を形成する部分の厚さを、ノズル基板２５の所定の厚さに調整する工程である。図５（ｄ）に示すように、マザーノズル基板２５Ａの周縁に縁部１２５Ａを残して薄化凹部１２５を形成することによって、ノズル基板２５を形成する部分の厚さを、ノズル基板２５の所定の厚さに調整する。薄化凹部１２５は、マザーノズル基板２５Ａの、角孔凹部７２やノズル孔凹部７４が形成された面の反対側の面を研削して形成する。図５の図５（ｄ）以降の図におけるマザーノズル基板２５Ａは、図５（ａ）から（ｃ）におけるマザーノズル基板２５Ａとは、図における上下を反転させて図示している。
薄化工程が、薄板化工程に相当する。

次に、図４のステップＳ５では、第二エッチング用のレジスト膜８１を形成する。図５（ｅ）に示したように、角孔開口８２ａやノズル孔開口８４ａなどを開口させたレジスト膜８１を、マザーノズル基板２５Ａの、薄化凹部１２５の底面を含む面に形成する。ノズル孔開口８４ａは、吐出ノズル２４を形成するためにレジスト膜８１に形成された開口部である。角孔開口８２ａは、角部貫通孔８６を形成するためにレジスト膜８１に形成された開口部である。

次に、図４のステップＳ６では、第二エッチングを実施する。第二エッチングは、例えばドライエッチングである。図５（ｆ）に示したように、レジスト膜８１の角孔開口８２ａやノズル孔開口８４ａなどに露出したシリコン基板をエッチングして、角孔貫通部８２やノズル孔貫通部８４などを形成する。角孔貫通部８２は、薄化凹部１２５の底面から角孔凹部７２に貫通する孔である。ノズル孔貫通部８４は、薄化凹部１２５の底面からノズル孔凹部７４に貫通する孔である。
角孔貫通部８２を形成する第二エッチングが、孔貫通工程に相当する。

次に、図４のステップＳ７では、酸化膜除去工程を実施する。酸化膜除去工程では、第二エッチングで使用したレジスト膜８１、及び酸化膜７６を除去する。

次に、ステップＳ８では、図５（ｇ）に示すように、角孔貫通部８２や角孔凹部７２の壁面や、ノズル孔貫通部８４やノズル孔凹部７４の壁面を含むマザーノズル基板２５Ａの全面に酸化膜７８を形成する。角孔貫通部８２及び角孔凹部７２の壁面に酸化膜７８が形成されて角部貫通孔８６が形成される。ノズル孔貫通部８４及びノズル孔凹部７４の壁面に酸化膜７８が形成されて吐出ノズル２４が形成される。
図５（ｇ）に示した吐出ノズル２４は円柱状の孔であるが、吐出ノズル２４の形状は、好適な吐出を実施するために、様々な形状の工夫がなされており、例えば、図２（ｃ）に示したような断面形状を有している。複雑な断面形状の吐出ノズル２４を形成するためには、開口の大きさが異なるレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程や、等方性エッチングを実施するエッチング工程や、異方性エッチングを実施するエッチング工程を適宜組み合わせて実施する。
角部貫通孔８６が、貫通孔に相当する。

ここで、図５（ｇ）に示した角部貫通孔８６の平面視形状について、図６を参照して説明する。図６（ａ）に示したマザーノズル基板２５Ａは、図３（ｂ）に示したマザーノズル基板２５Ａと同等のものである。
図６（ｂ）に平面視形状を示した角部貫通孔８６１は、図６（ａ）にＢで示した円の部分のように、長辺２７ｂと短辺２８ａとの角部の形状を形成する角部貫通孔８６である。角部貫通孔８６１には、１個のノズル基板２５の長辺２７ｂの長辺端部２７４、短辺２８ａの短辺端部２８３、及び円弧部２９ｃが形成されている。短辺端部２８３となる部分近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３８１は、分割された片側が短辺２８ａの短辺主部２８１となる分割線３８である。長辺端部２７４となる部分近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４７１は、分割された片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となる分割線４７である。

図６（ｃ）に平面視形状を示した角部貫通孔８６２は、図６（ａ）にＣで示した円の部分のように、長辺２７ｂと短辺２８ａとの角部の形状、及び短辺２８ａと長辺２７ａとの角部の形状を形成する角部貫通孔８６である。角部貫通孔８６２には、１個のノズル基板２５の長辺２７ｂの長辺端部２７４、短辺２８ａの短辺端部２８３、及び円弧部２９ｃと、１個のノズル基板２５の短辺２８ａの短辺端部２８４、長辺２７ａの長辺端部２７３、及び円弧部２９ａと、が形成されている。
短辺端部２８４となる部分近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３８２は、分割された片側が短辺２８ａの短辺主部２８１となる分割線３８である。短辺端部２８３となる部分近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３８３は、分割された片側が短辺２８ａの短辺主部２８１となる分割線３８である。長辺端部２７３又は長辺端部２７４となる部分近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４７２は、分割された片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となり、片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となる分割線４７である。

図６（ｄ）に平面視形状を示した角部貫通孔８６３は、図６（ａ）にＤで示した円の部分のように、長辺２７ｂと短辺２８ａとの角部の形状、短辺２８ｂと長辺２７ｂとの角部の形状、及び長辺２７ａの長辺凹部２７５の形状を形成する角部貫通孔８６である。角部貫通孔８６３には、１個のノズル基板２５の長辺２７ｂの長辺端部２７４、短辺２８ａの短辺端部２８３、及び円弧部２９ｃと、１個のノズル基板２５の短辺２８ｂの短辺端部２８４、長辺２７ｂの長辺端部２７３、及び円弧部２９ｂと、１個のノズル基板２５の長辺２７ａの長辺凹部２７５と、が形成されている。
長辺端部２７３となる部分の近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４７３は、分割された片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となり、片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となる分割線４７である。長辺端部２７４となる部分の近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４７４は、分割された片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となり、片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となる分割線４７である。短辺端部２８４又は短辺端部２８３となる部分近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３８４は、分割された片側が短辺２８ｂの短辺主部２８１となり、分割された片側が短辺２８ａの短辺主部２８１となる分割線３８である。

図６（ｅ）に平面視形状を示した角部貫通孔８６４は、図６（ａ）にＥで示した円の部分のように、ノズル基板２５の４個所の角部の形状を形成する角部貫通孔８６である。角部貫通孔８６４には、１個のノズル基板２５の長辺２７ｂの長辺端部２７４、短辺２８ａの短辺端部２８３、及び円弧部２９ｃと、１個のノズル基板２５の短辺２８ａの短辺端部２８４、長辺２７ａの長辺端部２７３、及び円弧部２９ａと、が形成されている。角部貫通孔８６４には、また、１個のノズル基板２５の短辺２８ｂの短辺端部２８４、長辺２７ｂの長辺端部２７３、及び円弧部２９ｂと、１個のノズル基板２５の短辺２８ｂの短辺端部２８３、長辺２７ａの長辺端部２７４、及び面取部３１と、が形成されている。
短辺端部２８４又は短辺端部２８３となる部分近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３８５及び分割線３８６は、分割された片側が短辺２８ｂの短辺主部２８１となり、分割された片側が短辺２８ａの短辺主部２８１となる分割線３８である。長辺端部２７３又は長辺端部２７４となる部分近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４７５及び分割線４７６は、分割された片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となり、片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となる分割線４７である。

図６（ｆ）に平面視形状を示した角部貫通孔８６５は、図６（ａ）にＦで示した円の部分のように、長辺２７ａと短辺２８ｂとの角部の形状、短辺２８ａと長辺２７ａとの角部の形状、及び長辺２７ｂの長辺凹部２７５の形状を形成する角部貫通孔８６である。角部貫通孔８６５には、１個のノズル基板２５の長辺２７ａの長辺端部２７４、短辺２８ｂの短辺端部２８３、及び面取部３１と、１個のノズル基板２５の短辺２８ａの短辺端部２８４、長辺２７ａの長辺端部２７３、及び円弧部２９ａと、１個のノズル基板２５の長辺２７ｂの長辺凹部２７５と、が形成されている。
短辺端部２８３又は短辺端部２８４となる部分の近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３８７は、分割された片側が短辺２８ｂの短辺主部２８１となり、分割された片側が短辺２８ａの短辺主部２８１となる分割線３８である。長辺端部２７４となる部分の近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４７７は、分割された片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となり、片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となる分割線４７である。長辺端部２７３となる部分の近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４７８は、分割された片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となり、片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となる分割線４７である。

図６（ｇ）に平面視形状を示した角部貫通孔８６６は、図６（ａ）にＧで示した円の部分のように、長辺２７ａと短辺２８ｂとの角部の形状、及び長辺２７ｂの長辺凹部２７５の形状を形成する角部貫通孔８６である。角部貫通孔８６６には、１個のノズル基板２５の長辺２７ａの長辺端部２７４、短辺２８ｂの短辺端部２８３、及び面取部３１と、１個のノズル基板２５の長辺２７ｂの長辺凹部２７５と、が形成されている。
短辺端部２８３となる部分の近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３８９は、分割された片側が短辺２８ｂの短辺主部２８１となる分割線３８である。長辺端部２７４となる部分の近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４７９は、分割された片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となり、片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となる分割線４７である。分割線４７９と反対側の端からＶ軸方向に延在する分割線４８０は、分割された片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となる分割線４７である。

図６（ｈ）に平面視形状を示した角部貫通孔８６７は、図６（ａ）にＨで示した円の部分のように、長辺２７ａと短辺２８ｂとの角部の形状を形成する角部貫通孔８６である。角部貫通孔８６７には、１個のノズル基板２５の長辺２７ａの長辺端部２７４、短辺２８ｂの短辺端部２８３、及び面取部３１が形成されている。
短辺端部２８３又は短辺端部２８４となる部分の近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３９０は、分割された片側が短辺２８ｂの短辺主部２８１となる分割線３８である。長辺端部２７４となる部分の近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４８１は、分割された片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となる分割線４７である。

図６（ｉ）に平面視形状を示した角部貫通孔８６８は、図６（ａ）にＩで示した円の部分のように、長辺２７ｂと短辺２８ｂとの角部の形状、及び長辺２７ａの長辺凹部２７５の形状を形成する角部貫通孔８６である。角部貫通孔８６８には、１個のノズル基板２５の長辺２７ｂの長辺端部２７３、短辺２８ｂの短辺端部２８４、及び円弧部２９ｂと、１個のノズル基板２５の長辺２７ａの長辺凹部２７５と、が形成されている。
短辺端部２８４となる部分の近くの端からＨ軸方向に延在する分割線３９１は、分割された片側が短辺２８ｂの短辺主部２８１となる分割線３８である。長辺端部２７３となる部分の近くの端からＶ軸方向に延在する分割線４８２は、分割された片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となり、片側が長辺２７ｂの長辺主部２７１となる分割線４７である。分割線４８２と反対側の端からＶ軸方向に延在する分割線４８３は、分割された片側が長辺２７ａの長辺主部２７１となる分割線４７である。

次に、図４のステップＳ９では、分割線３８及び分割線４７の部分に改質層を形成する。また、マザーノズル基板２５Ａにおけるノズル基板２５以外の、縁部１２５Ａなどにも、分割用の改質層を形成する。
改質層は、多光子吸収による改質領域を連続させたものである。多光子吸収は、レーザー加工装置を用いて、レーザー光を加工対象物に照射し、改質させる部分に当該レーザー光を集光させることによって生じさせる。わずかな力を加えるだけで、改質領域を起点にして、改質領域が形成された加工対象物を分断することができる。

次に、ステップＳ１０では、マザーノズル基板２５Ａを、個別のノズル基板２５のチップに分離する。
分離する工程は、テープ担体貼り付け工程と、エキスパンド工程と、剥離工程と、を有する。テープ担体貼り付け工程は、伸縮性を有するテープ担体に、改質層を形成したマザーノズル基板２５Ａを貼り付ける工程である。エキスパンド工程は、テープ担体に２次元の引張力を加えて平面的に引き伸ばすことで、テープ担体に貼り付けられたマザーノズル基板２５Ａを、個別のノズル基板２５のチップに分割する工程である。伸縮性を有するテープ担体は引き伸ばされるが、マザーノズル基板２５Ａは伸びることができないため、改質層が形成された分割線３８及び分割線４７の部分で分割される。剥離工程は、テープ担体からノズル基板２５のチップを剥離させる工程である。
ステップＳ１０を実施して、ノズル基板２５の製造工程を終了する。

以下、実施形態による効果を記載する。本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）ノズル基板２５の長辺２７と短辺２８との角部の３個所は、円弧部２９を介して接続されている。角が円弧であることによって、尖った角にくらべて、角部が硬い物体などに衝突した際に欠けたり割れたりすることを抑制することができる。

（２）ノズル基板２５の長辺２７と短辺２８との角部の１個所は、面取部３１を介して接続されている。面取部３１を介して接続することで、面取部３１と長辺２７（長辺端部２７４）又は短辺２８（短辺端部２８３）とで形成する角の角度が鈍角になっている。これにより、例えば９０度の尖った角にくらべて、角部が硬い物体などに衝突した際に欠けたり割れたりすることを抑制することができる。

（３）マザーノズル基板２５Ａにおいて、例えば、Ｖ軸方向に６個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置と、５個並んだ列のノズル基板２５のＶ軸方向の位置とは、ノズル基板２５のＶ軸方向の長さの略半分だけずれている。ノズル基板２５のＶ軸方向の位置を同じにした場合、マザーノズル基板２５ＡにおいてはＶ軸方向に５個並んだ列に、並べることができるノズル基板２５は４個のみである。Ｖ軸方向におけるノズル基板２５の位置をずらすことによって、同じ大きさの基板において、ノズル基板２５の取数を多くすることができる。

（４）長辺主部２７１に対して、長辺端部２７３と長辺端部２７４とが凹んでおり、短辺主部２８１に対して、短辺端部２８３と短辺端部２８４とが凹んでいる。角部貫通孔８６の平面視形状は、当該凹みを含んだ形状となっている。凹み部分がない場合にくらべて角部貫通孔８６の断面積が大きくなるため、角部貫通孔８６の形成を容易にすることができる。分割線４７又は分割線３８の位置を加工する際に、例えば、図６（ｅ）に示した分割線４７５において分離されるノズル基板２５の端まで加工しても、分割線４７６において分離されるノズル基板２５に対して、少なくとも短辺端部２８３及び短辺端部２８４と短辺主部２８１との段差分の隙間がある。これにより、分割線４７又は分割線３８を加工する際に、隣のノズル基板２５に影響を与えることを抑制することができる。

（５）マザーノズル基板２５Ａをノズル基板２５に分離するために、最初に角部貫通孔８６を形成する。角部貫通孔８６の断面形状は、レジスト膜に形成する開口の形状によって容易に任意の形状にすることができる。このため、角部の円弧部２９や面取部３１を容易に形成することができる。

（６）長辺２７は、長辺主部２７１に対して凹んだ長辺凹部２７５を有している。分割線３８の位置を加工する際に、例えば、図６（ｆ）に示した分割線３８７において分離されるノズル基板２５の端まで加工しても、隣のノズル基板２５における分割線３８７に臨む長辺２７に対して、少なくとも長辺凹部２７５の長辺主部２７１との段差分の隙間がある。これにより、Ｖ軸方向における位置がずれているノズル基板２５の分割線３８を加工する際に、隣のＶ軸方向における位置がずれているノズル基板２５に影響を与えることを抑制することができる。

（７）角部貫通孔８６は、薄化工程の後で角孔貫通部８２を形成することによって形成する。薄化工程において研削される面は、角孔凹部７２が形成された面の反対側の面である。これにより、薄化工程において、異物が７２（角部貫通孔８６）に入ることを抑制することができる。

（８）角部貫通孔８６は吐出ノズル２４を形成する工程において、吐出ノズル２４と並行して形成する。これにより、角部貫通孔８６を形成するための加工工程を当該工程だけのために設けることが不要であり、角部貫通孔８６を形成するために加工時間が増加することを抑制することができる。
また、角部貫通孔８６と吐出ノズル２４とを、共通のレジスト膜７１によって形成することができるため、角部貫通孔８６と吐出ノズル２４とを形成するためにそれぞれ個別のレジスト膜を形成する場合にくらべて、角部貫通孔８６と吐出ノズル２４との相対的な位置精度を高くすることができる。すなわち、吐出ノズル２４に対する角部の相対的な位置精度を高くすることができる。

（９）ノズル基板２５の４個の角は、３個所に円弧部２９が形成されており、１個所に面取部３１が形成されている。これにより角部の形状によってノズル基板２５の姿勢を判別することができる。

（１０）マザーノズル基板２５Ａの分割線３８及び分割線４７における分割は、分割線３８及び分割線４７に改質層を形成し、エキスパンド工程によって分離する。レーザー加工装置を用いる改質層の形成は、マザーノズル基板２５Ａの面方向における任意の位置から加工を開始し、任意の位置で加工を停止したり加工方向を変えたりすることが、容易にできる。これにより、マザーノズル基板２５Ａにおけるノズル基板２５の配列が、ノズル基板２５の端の位置が揃っていない配列であっても、分割線３８及び分割線４７に、容易に改質層を形成することができる。

以上、添付図面を参照しながら好適な実施形態について説明したが、好適な実施形態は、前記実施形態に限らない。実施形態は、要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。

（変形例１）前記実施形態においては、シリコンデバイスとして、液滴吐出ヘッド２０が備えるノズル基板２５を例にして説明したが、前記実施形態において説明したシリコンデバイスの形状やシリコンデバイスの製造方法は、他のシリコンからなるデバイスの形状や製造方法にも適用することができる。特に薄板化したデバイスへの適用が効果的である。例えば、可視や赤外のイメージセンサー、シリコンマイクロフォン、シリコン圧力センサー、シリコンジャイロセンサー素子、マイクロアクチュエーターを応用した光学デバイス、超音波アレイ素子、インクジェットヘッドやそれらに適用されるノズルプレート等の部品、レーザー走査用ミラーデバイス、シリコン発振器やクロック、シリコン製のフィルター、μ発電デバイス等が挙げられる。

（変形例２）前記実施形態においては、ノズル基板２５の長辺２７は、辺中央側部に相当する長辺主部２７１に対して、辺端側部に相当する長辺端部２７３と長辺端部２７４とが凹んでいる。短辺２８は、辺中央側部に相当する短辺主部２８１に対して、辺端側部に相当する短辺端部２８３と短辺端部２８４とが凹んでいる。しかし、シリコンデバイスの外形を構成する辺が辺中央側部と辺端側部とを有することも、辺中央側部に対して、辺端側部が凹んでいることも必須ではない。辺の形状は、段差がない直線状の形状であってもよい。

（変形例３）前記実施形態においては、ノズル基板２５の長辺２７は中央凹部に相当する長辺凹部２７５を備えていたが、シリコンデバイスの外形を構成する辺が中央凹部を備えることは必須ではない。辺の形状は、段差がない直線状の形状であってもよい。

（変形例４）前記実施形態においては、角部貫通孔８６は、角孔凹部７２を形成し、薄化工程を実施した後に角孔貫通部８２を形成することで形成していた。しかし、貫通孔を複数の孔形成工程によって形成することは必須ではない。貫通孔は、１回の貫通孔形成工程によって、貫通孔を形成するために充分な長さの孔又は充分な深さの凹部を形成することによって形成してもよい。

（変形例５）前記実施形態においては、長辺２７ａと短辺２８ｂとは、長辺２７ａの長辺端部２７４と短辺２８ｂの短辺端部２８３とが接続線部に相当する面取部３１を介して接続されることによって、面取部３１を介して接続されていた。しかし、接続線部が面取りによって形成されることは必須ではない。辺と接続線部とで形成する角度は、１３５度意外の角度であってもよい。また、接続線部は、直線に限らず、曲線であってもよい。

（変形例６）前記実施形態においては、素材としてのマザーノズル基板２５Ａはノズル基板２５の厚さより厚い厚さを有し、薄板化工程に相当する薄化工程を実施することによって、ノズル基板２５の厚さを整えていた。しかし、薄板化工程を実施することは必須ではない。デバイスマザー基板として、シリコンデバイスの厚さに調整したシリコン基板を用いてもよい。

（変形例７）前記実施形態においては、短辺２８や長辺２７における、短辺主部２８１と短辺端部２８３又は短辺端部２８４との段差部分や、長辺主部２７１と長辺端部２７３又は長辺端部２７４との段差部分では、短辺主部２８１と短辺端部２８３又は短辺端部２８４と、又は長辺主部２７１と長辺端部２７３又は長辺端部２７４とが、短辺主部２８１又は長辺主部２７１に略直交する段差部で接続されている。しかし、辺中央側部と辺端側部との接続部分の形状が当該形状であることは必須ではない。デバイスマザー基板において隣り合う位置に形成される一方のシリコンデバイスの辺端側部ともう一方のシリコンデバイスの辺端側部とが円弧で接続される形状であってもよい。段差部が辺に対して傾いた直線又は曲線であってもよい。

（変形例８）前記実施形態においては、中央凹部に相当する長辺凹部２７５の底と長辺主部２７１とは、長辺凹部２７５の底及び長辺主部２７１に略直交する段差部で接続されている。しかし、中央凹部と辺との接続部分の形状が当該形状であることは必須ではない。デバイスマザー基板において隣り合う位置に形成される一方のシリコンデバイスの中央凹部の底と、もう一方のシリコンデバイスの中央凹部の底又は辺端側部とが円弧で接続される形状であってもよい。段差部が中央凹部の底や辺に対して傾いた直線又は曲線であってもよい。

（変形例９）前記実施形態においては、ノズル基板２５の４個の角部は、３個所には角部曲線部に相当する円弧部２９が形成されており、１個所に接続線部に相当する面取部３１が形成されていた。しかし、角部の３個所に角部曲線部が形成され、１個所に接続線部が形成されることは必須ではない。角部曲線部が形成される角部や、接続線部が形成される角部は、何個所であってもよい。シリコンデバイスにおける角部の全てに、角部曲線部又は接続線部が形成される構成であってもよい。

（変形例１０）前記実施形態においては、角部曲線部に相当する円弧部２９ａ、円弧部２９ｂ、及び円弧部２９ｃの形状は互いに略同一であった。また、円弧部２９ａ、円弧部２９ｂ、又は円弧部２９ｃに連続する辺端側部に相当する長辺端部２７３、長辺端部２７４、短辺端部２８３、及び短辺端部２８４の形状も、互いに略同一であった。しかし、これらの形状が互いに略同一であることは必須ではない。角部曲線部や辺端側部の形状は、各角部ごとに異なる形状であってもよい。角部曲線部や辺端側部の形状を各角部ごとに異ならせることで、角部の角部曲線部や辺端側部の形状によって、どの角部であるか判別することができる。

（変形例１１）前記実施形態においては、液滴吐出ヘッド２０は、多数の吐出ノズル２４が略一直線状に並んだノズル列２４Ａを２列備えていたが、液滴吐出ヘッドが備えるノズル列は何列であってもよい。

１…液滴吐出装置、２…ヘッド機構部、２０…液滴吐出ヘッド、２４…吐出ノズル、２４Ａ…ノズル列、２５…ノズル基板、２５Ａ…マザーノズル基板、２５ａ…ノズル形成面、２７…長辺、２７ａ，２７ｂ…長辺、２８…短辺、２８ａ，２８ｂ…短辺、２９…円弧部、２９ａ，２９ｂ，２９ｃ…円弧部、３１…面取部、３８…分割線、４７…分割線、７１，８１…レジスト膜、７２…角孔凹部、７２ａ…角孔開口、７４…ノズル孔凹部、７４ａ…ノズル孔開口、７６…酸化膜、７８…酸化膜、８２…角孔貫通部、８２ａ…角孔開口、８４…ノズル孔貫通部、８４ａ…ノズル孔開口、８６…角部貫通孔、１２５…薄化凹部、１２５Ａ…縁部、２７１…長辺主部、２７３，２７４…長辺端部、２７５…長辺凹部、２８１…短辺主部、２８３，２８４…短辺端部、３８１，３８２，３８３，３８４，３８５，３８６，３８７，３８９，３９０，３９１…分割線、４７１，４７２，４７３，４７４，４７５，４７６，４７７，４７８，４７９，４８０，４８１，４８２，４８３…分割線、８６１，８６２，８６３，８６４，８６５，８６６，８６７，８６８…角部貫通孔。

Claims (8)

1. 平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスを製造するシリコンデバイスの製造方法であって、
   前記シリコンデバイスが区画形成されたデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって、前記多角形の角部を形成する角部形成工程と、
   前記デバイスマザー基板を前記シリコンデバイスに分離する分離工程と、を有し、
   前記シリコンデバイスの前記多角形の角部の少なくとも１個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している２個の辺と、２個の前記辺のそれぞれに接して前記辺を接続する角部曲線部とで形成されており、前記角部形成工程において前記角部曲線部を形成し、
   前記辺の少なくとも１個は、１個の中央凹部をさらに備え、前記中央凹部は、前記角部曲線部から離間した位置に形成されており、平面視において前記辺における他の部分に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって隣り合うシリコンデバイスの前記角部に臨む辺に中央凹部を形成する中央凹部形成工程を含むことを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
2. 平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスを製造するシリコンデバイスの製造方法であって、
   前記シリコンデバイスが区画形成されたデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって、前記多角形の角部を形成する角部形成工程と、
   前記デバイスマザー基板を前記シリコンデバイスに分離する分離工程と、を有し、
   前記シリコンデバイスの前記多角形の角部の少なくとも１個は、前記多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している２個の辺と、２個の前記辺のそれぞれと鈍角をなし接続された接続線部とで形成されており、前記角部形成工程において前記接続線部を形成し、
   前記辺の少なくとも１個は、１個の中央凹部をさらに備え、前記中央凹部は、前記接続線部から離間した位置に形成されており、平面視において前記辺における他の部分に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって隣り合うシリコンデバイスの前記角部に臨む辺に中央凹部を形成する中央凹部形成工程を含むことを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
3. 前記辺の少なくとも１個は、辺中央側部と辺端側部とを備え、前記辺端側部は、平面視において前記辺中央側部に対して前記シリコンデバイスが凹んだ凹部であり、前記辺は、前記辺端側部が、前記角部曲線部又は前記接続線部と接続されており、前記角部形成工程において前記辺端側部を形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載のシリコンデバイスの製造方法。
4. 前記角部形成工程では、シリコンのドライエッチングによって前記貫通孔を形成することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。
5. 前記デバイスマザー基板における、少なくとも前記シリコンデバイスが形成される部分の厚さを所定の厚さに減ずる薄板化工程をさらに有し、
   前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板の基板面に貫通孔凹部を形成する貫通孔凹部形成工程と、前記薄板化工程によって前記貫通孔凹部の底部を除去して前記貫通孔を形成する孔貫通工程とを含むことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。
6. 前記デバイスマザー基板における、少なくとも前記シリコンデバイスが形成される部分の厚さを所定の厚さに減ずる薄板化工程をさらに有し、
   前記角部形成工程は、前記デバイスマザー基板の基板面に貫通孔凹部を形成する貫通孔凹部形成工程と、前記薄板化工程によって前記貫通孔凹部の底部の厚さを減ずる底部薄化工程と、前記底部薄化工程によって厚さが減じた前記底部に、前記貫通孔凹部の反対側から孔を形成して前記貫通孔を形成する孔貫通工程とを含むことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。
7. 前記分離工程は、前記デバイスマザー基板に区画形成された前記シリコンデバイスと前記シリコンデバイスとの境界部分にレーザー光線を照射して内部改質層を形成する改質層形成工程を有することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。
8. 前記分離工程は、前記デバイスマザー基板に区画形成された前記シリコンデバイスに対して、前記デバイスマザー基板の面方向において互いに離間させる方向に力を加えるエキスパンド工程を有することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。

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