CN102582263B - 硅器件以及硅器件的制造方法 - Google Patents

硅器件以及硅器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供硅器件以及硅器件的制造方法。在俯视观察时具有多边形的外形形状的板状的硅器件,其特征在于,上述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成上述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个上述边分别相接并连接上述边的角部曲线部。

Description

硅器件以及硅器件的制造方法
技术领域
本发明涉及由硅基板制造的硅器件、以及制造该硅器件的硅器件的制造方法。
背景技术
以往,公知有对硅基板进行加工而制造成的硅器件。由于硅器件能够使用与半导体装置的制造工序相同的工序来进行制造,故能够精密地形成微细的形状。硅器件虽具备微细的结构,但谋求进一步的小型微细化、小型化。
在硅器件的制造时,通过在硅晶片上形成多个硅器件、并使用分割为硅器件芯片的制造方法,来高效地制造小型的硅器件。
专利文献1公开有:能够防止由硅形成的喷嘴板的破裂、并且实现喷嘴板的薄型化的喷嘴板的制造方法。
专利文献1:日本特开2005-349592号公报
然而,分割为单个芯片的硅器件大多以芯片的状态被处理。另外,大多以芯片的状态作为产品而出厂。另一方面,在能够利用单体进行处理的程度的大小的硅器件中,小型化伴随的强度的降低是难以避免的材料力学现象。特别是硅器件的外形的角部为易于产生缺口、破裂的部分。即,通过将硅器件以芯片的状态进行处理,存在硅器件因破裂、缺口而被损坏的可能性变高的课题。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的,能够作为以下的方式或应用例而实现。
应用例1
本应用例所涉及的硅器件是在俯视观察时具有多边形的外形形状的平板状的硅器件,其特征在于,上述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成上述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个上述边分别相接并连接上述边的角部曲线部。
根据本应用例所涉及的硅器件,角部形成为包括:两个边;以及与两个边分别相接的角部曲线部。即,角部被弄圆。一般地,尖锐的角部在与其他的部件等碰撞等情况下易于产生缺口或者破裂。通过将该角部的尖锐的部分弄圆,能够抑制产生缺口或者破裂。
应用例2
本应用例所涉及的硅器件是在俯视观察时具有多边形的外形形状的平板状的硅器件,其特征在于,上述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成上述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边、以及与两个上述边分别连接的连接线部,在上述边与上述连接线部之间的连接部形成的上述硅器件的角度为钝角。
根据本应用例所涉及的硅器件,角部构成为包括:两个边;以及与两个边分别连接的连接线部,在边与连接线部之间的连接部形成的硅器件的角度为钝角。即,角部的角被例如所谓的倒角。一般地,尖锐的角部在与其他的部件等碰撞等情况下易于产生缺口或者破裂。通过对该角部的尖锐的部分进行倒角,能够抑制产生缺口或者破裂。
应用例3
上述应用例所涉及的硅器件,优选上述边的至少一个具备边中央侧部和边端侧部,上述边端侧部是在俯视观察时上述硅器件相对于上述边中央侧部凹陷的凹部,上述边的上述边端侧部与上述角部曲线部或上述连接线部连接。
根据该硅器件,边端侧部是在俯视观察时硅器件相对于边中央侧部凹陷的凹部,边端侧部与角部曲线部或连接线部连接。利用该形状,能够抑制角部与其他的部件碰撞。
另外,在排列硅器件的情况下,在角部与其他的硅器件之间,在俯视观察时存在相当于边中央侧部和边端侧部之间的阶梯的间隙。利用该间隙,当对在基板划分形成的硅器件的外形进行加工时,能够抑制对加工中的硅器件的相邻的硅器件的角部的影响。
应用例4
上述应用例所涉及的硅器件的上述边的至少一个还具备中央凹部,优选上述中央凹部形成于从上述角部曲线部或上述连接线部分离的位置,上述中央凹部是在俯视观察时上述硅器件相对于上述边的其他部分凹陷的凹部。
根据该硅器件,在俯视观察时硅器件相对于边的其他部分凹陷的中央凹部,形成于与角部分离的位置。在排列硅器件的情况下,在中央凹部与相邻的硅器件之间,在俯视观察时,存在相当于中央凹部与边的其他部分之间的阶梯的间隙。利用该间隙,当对在基板划分形成的硅器件的外形进行加工时,能够抑制对加工中的硅器件的相邻的硅器件的中央凹部的影响。在邻接的硅器件中的一方的硅器件的边的、面对另一方的硅器件的角部的部分配设中央凹部,由此能够在对该另一方的硅器件的角部进行加工时,抑制一方的硅器件受到影响。
应用例5
本应用例所涉及的硅器件的制造方法,该硅器件的制造方法用于制造在俯视观察时具有多边形的外形形状的平板状的硅器件的硅器件,其特征在于,该硅器件的制造方法具有:通过在划分形成有上述硅器件的器件母基板形成贯通孔,来形成上述多边形的角部的角部形成工序;以及将上述器件母基板与上述硅器件分离的分离工序。
根据本应用例所涉及的硅器件的制造方法,硅器件的角部的形状通过在角部形成工序中在器件母基板形成贯通孔而形成。当对在器件母基板划分形成的硅器件的外形进行加工时,由于角部作为形成直线状的边的结果而形成,故角部的形状被局限于尖锐的形状的情况较多。通过形成贯通孔而形成角部,由此能够将角部的俯视形状设为任意的形状。例如能够将角弄圆或者进行倒角。
应用例6
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选为,上述硅器件的上述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成上述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个上述边分别相接并连接上述边的角部曲线部,在上述角部形成工序中形成上述角部曲线部。
根据该硅器件的制造方法,硅器件的角部形成为包括:两个边;以及分别与两个边相接的角部曲线部。即,角部的角被弄圆。一般地,尖锐的角部在与其他的部件等碰撞等的情况下易于产生缺口或者破裂。通过将该角部的尖锐的部分弄圆,能够抑制产生缺口或者破裂。在通过形成贯通孔而形成角部的角部形成工序中,通过形成贯通孔而形成角部,由此能够将角部的俯视形状设为任意的形状。通过在角部形成工序中形成角部曲线部,能够以任意的形状容易地形成角部曲线部。
应用例7
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选为:上述硅器件的上述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成上述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个上述边分别连接的连接线部,在上述边与上述连接线部之间的连接部形成的上述硅器件的角度为钝角,在上述角部形成工序中形成上述连接线部。
根据该硅器件的制造方法,硅器件的角部形成为包括:两个边;以及与两个边分别连接的连接线部,在边与连接线部之间的连接部形成的硅器件的角度为钝角。即,角部的角例如被所谓的倒角。一般地,尖锐的角部在与其他的部件等碰撞等情况下易于产生缺口或者破裂。通过对该角部的尖锐的部分进行倒角,能够抑制产生缺口或者破裂。在通过形成贯通孔而形成角部的角部形成工序中,通过形成贯通孔而形成角部,由此能够将角部的俯视形状设为任意的形状。通过在角部形成工序中形成连接线部,能够以任意的形状容易地形成连接线部。
应用例8
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选上述边的至少一个具备边中央侧部和边端侧部,上述边端侧部是在俯视观察时上述硅器件相对于上述边中央侧部凹陷的凹部,上述边的上述边端侧部与上述角部曲线部或上述连接线部连接,在上述角部形成工序中形成上述边端侧部。
根据该硅器件的制造方法,硅器件所具备的边端侧部是在俯视观察时硅器件相对于边中央侧部凹陷的凹部,边端侧部与角部曲线部或连接线部连接。利用该形状,能够抑制角部与其他的部件碰撞。另外,在排列硅器件的情况下,在角部与其他的硅器件之间,在俯视观察时,存在相当于边中央侧部与边端侧部之间的阶梯的间隙。利用该间隙,当对在基板划分形成的硅器件的外形进行加工时,能够抑制对加工中的硅器件的相邻的硅器件的角部的影响。
在利用形成贯通孔来形成角部的角部形成工序中,通过利用形成贯通孔而形成角部,能够将角部的俯视形状设为任意的形状。通过在角部形成工序中形成连接线部,能够以任意的形状容易地形成连接线部。
应用例9
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选上述边的至少一个还具备中央凹部,上述中央凹部形成于从上述角部曲线部或上述连接线部分离的位置,上述中央凹部是在俯视观察时上述硅器件相对于上述边的其他部分凹陷的凹部,上述角部形成工序包括通过在上述器件母基板形成贯通孔来形成上述中央凹部的中央凹部形成工序。
根据该硅器件的制造方法,在硅器件中,在俯视观察时硅器件相对于边的其他部分凹陷的中央凹部,形成于与角部分离的位置。在排列硅器件的情况下,在中央凹部与邻接的硅器件之间,在俯视观察时,存在相当于中央凹部与边的其他部分之间的阶梯的间隙。利用该间隙,当对在基板划分形成的硅器件的外形进行加工时,能够抑制对加工中的硅器件的相邻的硅器件的中央凹部的影响。通过在相邻的硅器件的一方的硅器件的边的、面对另一方的硅器件的角部的部分配设中央凹部,当对该另一方的硅器件的角部进行加工时,能够抑制一方的硅器件受到影响。
在利用形成贯通孔来形成角部的角部形成工序中,通过利用形成贯通孔来形成角部,能够将角部的俯视形状设为任意的形状。能够在角部形成工序中形成中央凹部,以任意的形状容易地形成中央凹部。
应用例10
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选在上述角部形成工序中,利用硅的干蚀刻来形成上述贯通孔。
根据该硅器件的制造方法,角部的形状利用硅的干蚀刻而形成。一般地,干蚀刻能够形成精密的形状。通过利用干蚀刻来形成,能够容易地将角部的俯视形状设为任意的形状。另外,为了形成硅器件的功能部分,使用干蚀刻的情况较多。在该情况下,在形成硅器件的功能部分的工序中,同时形成贯通孔,由此能够缩短加工时间。硅器件的功能部分例如是排出喷嘴基板的排出喷嘴孔。
应用例11
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选该硅器件的制造方法还具有将上述器件母基板中的、至少形成上述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,上述角部形成工序包括:在上述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;以及利用上述薄板化工序除去上述贯通孔凹部的底部而形成上述贯通孔的孔贯通工序。
根据该硅器件的制造方法,角部形成工序包括:贯通孔凹部形成工序;利用薄板化工序除去贯通孔凹部的底部而形成贯通孔的孔贯通工序。由此,贯通孔凹部形成工序能够以实施薄板化工序之前的器件母基板亦即因厚度较厚而强度较高的器件母基板作为加工对象。由于孔贯通工序是利用薄板化工序除去贯通孔凹部的底部的工序,故贯通孔凹部的深度只要超过硅器件的厚度就足够了,与在实施薄板化工序之前的器件母基板形成贯通孔的情况相比,能够减少需要的加工量。
应用例12
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选该硅器件的制造方法还具有将上述器件母基板中的、至少形成上述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,上述角部形成工序包括:在上述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;利用上述薄板化工序减少上述贯通孔凹部的底部的厚度的底部薄化工序;以及在利用上述底部薄化工序减少了厚度的上述底部从上述贯通孔凹部的相反一侧形成孔而形成上述贯通孔的孔贯通工序。
根据该硅器件的制造方法,角部形成工序包括:贯通孔凹部形成工序;利用薄板化工序减少贯通孔凹部的底部的厚度的底部薄化工序;以及孔贯通工序。由此,贯通孔凹部形成工序能够以实施薄板化工序之前的器件母基板亦即因厚度较厚而强度较高的器件母基板作为加工对象。
贯通孔通过贯通孔凹部形成工序、以及在贯通孔凹部的底部从贯通孔凹部的相反的一侧形成孔的孔贯通工序而形成。通过从两侧对贯通孔进行加工,能够精密地制作贯通孔的开口的形状。
应用例13
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选上述分离工序具有向在上述器件母基板划分形成的上述硅器件与上述硅器件之间的边界部分照射激光光线而形成内部重整层的重整层形成工序。
根据该硅器件的制造方法,在重整层形成工序中,在硅器件与硅器件之间的边界部分形成内部重整层。内部重整层是通过朝使内部重整层的两侧分离的方向施加力而能够在内部重整层中容易地分离的层。不需要设置在使用研磨刀刃的情况下需要的研磨(切削)量,能够有效地使用器件母基板。另外,能够将内部重整层容易地形成于在平面方向的器件母基板的任意的位置。因此,能够不需要考虑分割方法所导致的限制而将形成硅器件的位置高效地设定于器件母基板上。
应用例14
上述应用例所涉及的硅器件的制造方法,优选上述分离工序具有对在上述器件母基板划分形成的上述硅器件朝在上述器件母基板的面方向相互分离的方向施加力的膨胀工序。
根据该硅器件的制造方法,分离工序具有对硅器件朝相互分离的方向施加力的膨胀工序。因此,能够向在器件母基板上的任意的位置形成的硅器件施加使硅器件分离的力。因此,能够不需要考虑分离方法所导致的限制而将形成硅器件的位置高效地设定于器件母基板上。
附图说明
图1是表示液滴排出装置的简要结构的外观立体图。
图2(a)是表示液滴排出头的简要结构的外观立体图。图2(b)是表示液滴排出头的结构的立体剖视图。图2(c)是表示液滴排出头的排出喷嘴的部分的结构的剖视图。
图3(a)是表示单个喷嘴基板的俯视形状的俯视图。图3(b)是表示母喷嘴基板的俯视形状、以及划分形成的喷嘴基板的排列的俯视图。
图4是表示喷嘴基板的制造工序的流程图。
图5是表示喷嘴基板的制造工序的母喷嘴基板的截面的说明图。
图6是表示角部贯通孔的形状例的说明图。
具体实施方式
以下,参照附图对硅器件以及硅器件的制造方法进行说明。本实施方式以作为硅器件的一例的喷嘴基板以及喷嘴基板的制造工序为例进行说明。喷嘴基板构成液滴排出头,是形成有将液体作为液滴而排出的排出喷嘴的基板。此外,以下的说明中参照的附图,为了方便图示,存在部件或部分的纵横的比例尺与实际不同而表示的情况。
液滴排出装置
首先,参照图1对具备液滴排出头20的液滴排出装置1进行说明,该液滴排出头20具有作为硅器件的一例的喷嘴基板25(参照图2)。图1是表示液滴排出装置的简要结构的外观立体图。
如图1所示,液滴排出装置1具备:头机构部2、工件(work)机构部3、功能液供给部4、维护装置部5以及排出装置控制部6。头机构部2具有将功能液作为液滴而排出的液滴排出头20。工件机构部3具有载置作为从液滴排出头20排出的液滴的排出对象的工件W的工件载置台33。功能液供给部4具有贮存箱、中继箱以及供给管,该供给管与液滴排出头20连接,经由供给管而向液滴排出头20供给功能液。维护装置部5具备实施液滴排出头20的检查或维护的各个装置。排出装置控制部6总括地控制上述各机构部等。另外,液滴排出装置1具备设置于地面上的多个支承脚8、以及设置于支承脚8的上侧的平台9。
在平台9的上表面配设有工件机构部3。工件机构部3沿平台9的长边方向(X轴方向)延伸设置。在工件机构部3的上方配设有由固定于平台9的两根支承柱支承的头机构部2。头机构部2沿与工件机构部3正交的方向(Y轴方向)延伸设置。在平台9的附近配置有功能液供给部4的贮存箱等,该功能液供给部4具有与头机构部2的液滴排出头20连通的供给管。在头机构部2的一侧的支承柱的附近,维护装置部5与工件机构部3排列且沿X轴方向延伸配设。在平台9的下侧收纳有排出装置控制部6。
头机构部2具有:头单元21,其具有液滴排出头20;以及头滑架22,其支承头单元21,通过使头滑架22沿Y轴方向移动,来使液滴排出头20沿Y轴方向自如地移动。另外,保持于移动到的位置。工件机构部3通过使工件载置台33沿X轴方向移动,来使载置于工件载置台33的工件W沿X轴方向自如地移动。另外,保持于移动到的位置。
使液滴排出头20朝Y轴方向移动并停止于Y轴方向的排出位置,与位于下方的工件W的X轴方向的移动同步,并将液体作为液滴而排出。通过相对地控制沿X轴方向移动的工件W与沿Y轴方向移动的液滴排出头20,使液滴着落于工件W上的任意的位置,由此能够进行所希望的描绘等。
液滴排出头
接下来,参照图2对液滴排出头20进行说明。图2是表示液滴排出头的简要结构的图。图2(a)是表示液滴排出头的简要结构的外观立体图,图2(b)是表示液滴排出头的结构的立体剖视图,图2(c)是表示液滴排出头的排出喷嘴的部分的结构的剖视图。图2所示的Y轴、以及Z轴,在液滴排出头20被装配于液滴排出装置1的状态下,与图1所示的Y轴、以及Z轴一致。
如图2(a)所示,液滴排出头20具备喷嘴基板25。在喷嘴基板25形成有两列将多个排出喷嘴24排列为近似一条直线状的喷嘴列24A。从排出喷嘴24将功能液作为液滴而排出,并着落于位于对置的位置的描绘对象物等,由此在该位置配置功能液。喷嘴列24A在液滴排出头20被装配于液滴排出装置1的状态下,沿图1所示的Y轴方向延伸设置。在喷嘴列24A中,排出喷嘴24以等间隔的喷嘴间距排列,在两列喷嘴列24A之间,排出喷嘴24的位置在Y轴方向错开半个喷嘴间距。由此,作为液滴排出头20,能够在Y轴方向以半个喷嘴间距的间隔配置功能液的液滴。在喷嘴基板25被安装于液滴排出头20的状态下,将形成液滴排出头20的外表面的面记作喷嘴形成面25a。
如图2(b)以及(c)所示,液滴排出头20在喷嘴基板25上层叠有压力室板51,在压力室板51上层叠有振动板52。
在压力室板51形成有总是填充向液滴排出头20供给的功能液的贮液槽55。贮液槽55是由振动板52、喷嘴基板25、以及压力室板51的壁所围起的空间。功能液从功能液供给部4向液滴排出头20供给,经由振动板52的液供给孔53而向贮液槽55供给。另外,在压力室板51形成有由多个头隔壁57划分的压力室58。利用振动板52、喷嘴基板25以及两个头隔壁57包围的空间是压力室58。
压力室58与排出喷嘴24分别对应地设置,压力室58的数量与排出喷嘴24的数量相同。经由位于两个头隔壁57之间的供给56,从贮液槽55朝压力室58供给功能液。头隔壁57、压力室58、排出喷嘴24以及供给56的组合沿着贮液槽55排列成一列,排列成一列的排出喷嘴24形成喷嘴列24A。在图2(b)中虽省略图示,但在以贮液槽55为基准而与包括图示了的排出喷嘴24的喷嘴列24A大致对称的位置,也形成一列将排出喷嘴24并列配设成一列的喷嘴列24A。与该喷嘴列24A对应的头隔壁57、压力室58、以及供给56的组合排列成一列。
在构成振动板52的压力室58的部分,分别固定有压电元件59的一端。压电元件59的另一端经由固定板(省略图示)而被固定于支承液滴排出头20整体的基台(省略图示)。
压电元件59具有层叠电极层与压电材料的活性部。压电元件59通过向电极层施加驱动电压,活性部沿长边方向(图2(b)或(c)的振动板52的厚度方向)收缩。通过解除施加于电极层的驱动电压,活性部恢复到原来的长边。
向电极层施加驱动电压,压电元件59的活性部收缩,由此固定压电元件59的一端的振动板52受到朝与压力室58相反的一侧拉伸的力。振动板52朝与压力室58相反的一侧拉伸,由此振动板52向压力室58的相反一侧挠曲。由此,压力室58的容积增加,故功能液从贮液槽55经由供给口56向压力室58供给。接下来,当解除施加于电极层的驱动电压时,活性部恢复到原来的长边,由此压电元件59按压振动板52。振动板52被按压而返回到压力室58侧。由此,压力室58的容积急剧地恢复到原来的状态。即增加了的容积减少,故向填充于压力室58内的功能液施加压力,功能液从与该压力室58连通而形成的排出喷嘴24形成液滴并被排出。
喷嘴基板以及母喷嘴基板
接下来,参照图3对喷嘴基板25以及母喷嘴基板25A进行说明。喷嘴基板25以划分形成多个喷嘴基板25的母喷嘴基板25A的形态而被制造。
图3是表示喷嘴基板以及母喷嘴基板的概要的说明图。图3(a)是表示单个喷嘴基板的俯视形状的俯视图,图3(b)是表示母喷嘴基板的俯视形状、以及被划分形成的喷嘴基板的排列的俯视图。
如图3(a)所示,喷嘴基板25是俯视观察的外形为近似长方形形状的板状的部件。喷嘴基板25在近似长方形形状的板形成有两列将多个排出喷嘴24排列为近似一条直线状的喷嘴列24A。如上述那样,图3(a)所示的喷嘴形成面25a是在喷嘴基板25安装于液滴排出头20的状态下,形成为液滴排出头20的外表面的面。在近似长方形形状的四处位置的角的附近,形成有安装孔26a、安装孔26b、安装孔26c以及安装孔26d。安装孔26a、26b、26c、26d是为了将喷嘴基板25安装于压力室板51而使用的孔。
将构成喷嘴基板25的近似长方形形状的四边中的较长的边记作长边27、将较短的边记作短边28。将两个长边27记作长边27a或长边27b,将两个短边28记作短边28a或短边28b。按照图3(a)所示俯视观察,短边28a、长边27a、短边28b以及长边27b绕顺时针依次排列。
长边27具有长边主部271、长边端部273以及长边端部274。长边端部273与长边端部274分别与长边主部271的两侧连接,长边端部273与长边端部274相对于长边主部271凹陷。在长边主部271的中央形成有长边凹部275。长边凹部275也相对于长边主部271凹陷。
短边28具有短边主部281、短边端部283以及短边端部284。短边端部283与短边端部284分别与短边主部281的两侧连接,短边端部283与短边端部284相对于短边主部281凹陷。
长边端部273、长边端部274、短边端部283以及短边端部284相当于边端侧部。长边主部271以及短边主部281相当于边中央侧部。长边凹部275相当于中央凹部。
通过短边28a的短边端部284与长边27a的长边端部273经由圆弧部29a(29)连接,短边28a与长边27a经由圆弧部29连接。
通过长边27a的长边端部274与短边28b的短边端部283经由倒角部31连接,长边27a与短边28b经由倒角部31连接。
通过短边28b的短边端部284与长边27b的长边端部273经由圆弧部29b(29)连接,短边28b与长边27b经由圆弧部29连接。
通过长边27b的长边端部274与短边28a的短边端部283经由圆弧部29c(29)连接,长边27b与短边28a经由圆弧部29连接。
圆弧部29相当于角部曲线部。倒角部31相当于连接线部。
喷嘴基板25在母喷嘴基板25A上被划分形成,通过分割母喷嘴基板25A而被取出。如图3(b)所示,母喷嘴基板25A是圆形的硅晶片。在母喷嘴基板25A划分形成有102个喷嘴基板25。
将与在母喷嘴基板25A上划分形成的喷嘴基板25的长边27平行的方向记作V轴方向,将与短边28平行的方向记作H轴方向。在母喷嘴基板25A的H轴方向的中央,在V轴方向排列形成有六个喷嘴基板25。V轴方向的尺寸形成为,从不能在V轴方向排列六个喷嘴基板25的部分起,在V轴方向排列五个喷嘴基板25。在V轴方向排列六个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置与排列五个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置,错开喷嘴基板25的V轴方向的长度的大致一半的量。
同样地,在V轴方向排列五个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置与排列四个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置,错开喷嘴基板25的V轴方向的长度的大致一半的量。在V轴方向排列四个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置与排列三个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置,以及在V轴方向排列三个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置与排列两个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置,错开喷嘴基板25的V轴方向的长度的大致一半的量。
喷嘴基板制造工序
接下来,参照图4、图5以及图6对在母喷嘴基板25A形成排出喷嘴24等、且与单个喷嘴基板25分离的、喷嘴基板25的制造工序进行说明。图4是表示喷嘴基板的制造工序的流程图。图5是表示喷嘴基板的制造工序的母喷嘴基板的截面的说明图。图6是表示角部贯通孔的形状例的说明图。对于母喷嘴基板25A而言,无论是原材料的硅晶片的状态的基板、形成喷嘴基板25的中途的状态的基板、还是如果分割喷嘴基板25则在成为喷嘴基板25的状态被划分形成的状态的基板,都记作母喷嘴基板25A。母喷嘴基板25A相当于器件母基板。
首先,在图4的步骤S1中,形成第一蚀刻用的抗蚀剂膜71。如图5(a)所示,将使方孔开口72a、喷嘴孔开口74a等开口的抗蚀剂膜71形成于母喷嘴基板25A的一面。喷嘴孔开口74a是为了形成排出喷嘴24而形成于抗蚀剂膜71的开口部。方孔开口72a是为了形成角部贯通孔86而形成于抗蚀剂膜71的开口部。角部贯通孔86是为了形成上述的、短边端部284、长边端部273以及圆弧部29a;长边端部274、短边端部283以及倒角部31;短边端部284、长边端部273以及圆弧部29b;长边端部274、短边端部283以及圆弧部29c;以及长边凹部275等的外形形状而形成的孔。
接下来,在图4的步骤S2中,实施第一蚀刻。第一蚀刻例如是干蚀刻。如图5(b)所示,对在抗蚀剂膜71的方孔开口72a、喷嘴孔开口74a等露出的硅基板进行蚀刻,并形成方孔凹部72、喷嘴孔凹部74等。方孔凹部72是构成角部贯通孔86的一部分的凹部。喷嘴孔凹部74是构成排出喷嘴24的一部分的凹部。第一蚀刻的蚀刻条件决定为,优先考虑用于形成构成最要求精度的排出喷嘴24的一部分的喷嘴孔凹部74的条件。
形成方孔凹部72的第一蚀刻相当于贯通孔凹部形成工序。方孔凹部72相当于贯通孔凹部。
接下来,在图4的步骤S3中,利用热氧化来形成氧化膜76。除去第一蚀刻所使用的抗蚀剂膜71,如图5(c)所示,在包括方孔凹部72、喷嘴孔凹部74的面的母喷嘴基板25A的整面形成氧化膜76。
接下来,在图4的步骤S4中,实施母喷嘴基板25A的薄化工序。被投入到喷嘴基板25的制造工序的母喷嘴基板25A是为了具有强度而具有厚度比喷嘴基板25的规定的厚度厚的硅晶片。薄化工序是将形成喷嘴基板25的部分的厚度调整为喷嘴基板25的规定的厚度的工序。如图5(d)所示,通过在母喷嘴基板25A的周缘残留边缘部125A而形成薄化凹部125,将形成喷嘴基板25的部分的厚度调整为喷嘴基板25的规定的厚度。薄化凹部125通过研磨母喷嘴基板25A的与形成有方孔凹部72、喷嘴孔凹部74的面相反一侧的面而形成。图5的图5(d)之后的图的母喷嘴基板25A,是将图5(a)~(c)中的母喷嘴基板25A在图的上下方向反转而进行图示的。
薄化工序相当于薄板化工序。
接下来,在图4的步骤S5中,形成第二蚀刻用的抗蚀剂膜81。如图5(e)所示,将使方孔开口82a、喷嘴孔开口84a等开口的抗蚀剂膜81形成于母喷嘴基板25A的、包括薄化凹部125的底面的面。喷嘴孔开口84a是为了形成排出喷嘴24而形成于抗蚀剂膜81的开口部。方孔开口82a是为了形成角部贯通孔86而形成于抗蚀剂膜81的开口部。
接下来,在图4的步骤S6中,实施第二蚀刻。第二蚀刻例如是干蚀刻。如图5(f)所示,对在抗蚀剂膜81的方孔开口82a、喷嘴孔开口84a等露出的硅基板进行蚀刻,形成方孔贯通部82、喷嘴孔贯通部84等。方孔贯通部82是从薄化凹部125的底面贯通于方孔凹部72的孔。喷嘴孔贯通部84是从薄化凹部125的底面贯通于喷嘴孔凹部74的孔。
形成方孔贯通部82的第二蚀刻相当于孔贯通工序。
接下来,在图4的步骤S7中,实施氧化膜除去工序。在氧化膜除去工序中,除去第二蚀刻所使用的抗蚀剂膜81以及氧化膜76。
接下来,在步骤S8中,如图5(g)所示,在包括方孔贯通部82、方孔凹部72的壁面、喷嘴孔贯通部84、喷嘴孔凹部74的壁面的母喷嘴基板25A的整面形成氧化膜78。在方孔贯通部82以及方孔凹部72的壁面形成氧化膜78并形成角部贯通孔86。在喷嘴孔贯通部84以及喷嘴孔凹部74的壁面形成氧化膜78并形成排出喷嘴24。
图5(g)所示的排出喷嘴24虽是圆柱状的孔,但排出喷嘴24的形状,为了实施适宜地排出而形成为各种形状,例如,具有图2(c)所示的截面形状。为了形成复杂的截面形状的排出喷嘴24,适当地组合并实施:形成开口的大小不同的抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序、实施各向同性蚀刻的蚀刻工序、以及实施各向异性蚀刻的蚀刻工序。
角部贯通孔86相当于贯通孔。
在此,参照图6对图5(g)所示的角部贯通孔86的俯视形状进行说明。图6(a)所示的母喷嘴基板25A与图3(b)所示的母喷嘴基板25A相同。
在图6(b)中表示俯视形状的角部贯通孔861,如在图6(a)中利用B表示的圆的部分那样,是形成长边27b与短边28a的角部的形状的角部贯通孔86。在角部贯通孔861形成有一个喷嘴基板25的长边27b的长边端部274、短边28a的短边端部283以及圆弧部29c。从靠近形成短边端部283的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线381,是被分割的一侧形成短边28a的短边主部281的分割线38。从靠近形成长边端部274的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线471,是被分割的一侧形成长边27b的长边主部271的分割线47。
在图6(c)中表示俯视形状的角部贯通孔862,如在图6(a)中利用C表示的圆的部分那样,是形成长边27b与短边28a的角部的形状、以及短边28a与长边27a的角部的形状的角部贯通孔86。在角部贯通孔862形成有:一个喷嘴基板25的长边27b的长边端部274、短边28a的短边端部283以及圆弧部29c;以及一个喷嘴基板25的短边28a的短边端部284、长边27a的长边端部273以及圆弧部29a。
从靠近形成短边端部284的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线382,是被分割的一侧形成短边28a的短边主部281的分割线38。从靠近形成短边端部283的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线383,是被分割的一侧形成短边28a的短边主部281的分割线38。从靠近形成长边端部273或长边端部274的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线472,是被分割的一侧形成长边27a的长边主部271、一侧形成长边27b的长边主部271的分割线47。
在图6(d)中表示俯视形状的角部贯通孔863,如在图6(a)中利用D表示的圆的部分那样,是形成长边27b与短边28a的角部的形状、短边28b与长边27b的角部的形状、以及长边27a的长边凹部275的形状的角部贯通孔86。在角部贯通孔863形成有:一个喷嘴基板25的长边27b的长边端部274、短边28a的短边端部283、以及圆弧部29c;一个喷嘴基板25的短边28b的短边端部284、长边27b的长边端部273、以及圆弧部29b;以及一个喷嘴基板25的长边27a的长边凹部275。
从靠近形成长边端部273的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线473,是被分割的一侧形成长边27b的长边主部271、一侧形成长边27a的长边主部271的分割线47。从靠近形成长边端部274的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线474,是被分割的一侧形成长边27b的长边主部271、一侧形成长边27a的长边主部271的分割线47。从靠近形成短边端部284或短边端部283的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线384,是被分割的一侧形成短边28b的短边主部281、被分割的一侧形成短边28a的短边主部281的分割线38。
在图6(e)中表示俯视形状的角部贯通孔864,如在图6(a)中利用E表示的圆的部分那样,是形成喷嘴基板25的四处位置的角部的形状的角部贯通孔86。在角部贯通孔864形成有:一个喷嘴基板25的长边27b的长边端部274、短边28a的短边端部283、以及圆弧部29c;以及一个喷嘴基板25的短边28a的短边端部284、长边27a的长边端部273、以及圆弧部29a。在角部贯通孔864还形成有:一个喷嘴基板25的短边28b的短边端部284、长边27b的长边端部273、以及圆弧部29b;一个喷嘴基板25的短边28b的短边端部283、长边27a的长边端部274、以及倒角部31。
从靠近形成短边端部284或短边端部283的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线385以及分割线386,是被分割的一侧形成短边28b的短边主部281、被分割的一侧形成短边28a的短边主部281的分割线38。从靠近形成长边端部273或长边端部274的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线475以及分割线476,是被分割的一侧形成长边27a的长边主部271、一侧形成长边27b的长边主部271的分割线47。
在图6(f)中表示俯视形状的角部贯通孔865,如在图6(a)中利用F表示圆的部分那样,是形成长边27a与短边28b的角部的形状、短边28a与长边27a的角部的形状、以及长边27b的长边凹部275的形状的角部贯通孔86。在角部贯通孔865形成有:一个喷嘴基板25的长边27a的长边端部274、短边28b的短边端部283、以及倒角部31;一个喷嘴基板25的短边28a的短边端部284、长边27a的长边端部273、以及圆弧部29a;以及一个喷嘴基板25的长边27b的长边凹部275。
从靠近形成短边端部283或短边端部284的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线387,是被分割的一侧形成短边28b的短边主部281、被分割的一侧形成短边28a的短边主部281的分割线38。从靠近形成长边端部274的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线477,是被分割的一侧形成长边27a的长边主部271、一侧形成长边27b的长边主部271的分割线47。从靠近形成长边端部273的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线478,是被分割的一侧形成长边27a的长边主部271、一侧形成长边27b的长边主部271的分割线47。
在图6(g)中表示俯视形状的角部贯通孔866,如图6(a)中利用G表示圆的部分那样,是形成长边27a与短边28b的角部的形状、以及长边27b的长边凹部275的形状的角部贯通孔86。在角部贯通孔866形成有:一个喷嘴基板25的长边27a的长边端部274、短边28b的短边端部283、以及倒角部31;以及一个喷嘴基板25的长边27b的长边凹部275。
从靠近形成短边端部283的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线389,是被分割的一侧形成短边28b的短边主部281的分割线38。从靠近形成长边端部274的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线479,是被分割的一侧形成长边27a的长边主部271、一侧形成长边27b的长边主部271的分割线47。从与分割线479相反的一侧的端沿V轴方向延伸设置的分割线480,是被分割的一侧形成长边27b的长边主部271的分割线47。
在图6(h)中表示俯视形状的角部贯通孔867,如在图6(a)中利用H表示的圆的部分那样,是形成长边27a与短边28b的角部的形状的角部贯通孔86。在角部贯通孔867形成有一个喷嘴基板25的长边27a的长边端部274、短边28b的短边端部283、以及倒角部31。
从靠近形成短边端部283或短边端部284的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线390,是被分割的一侧形成短边28b的短边主部281的分割线38。从靠近形成长边端部274的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线481,是被分割的一侧形成长边27a的长边主部271的分割线47。
在图6(i)中表示俯视形状的角部贯通孔868,如在图6(a)中利用I表示的圆的部分那样,是形成长边27b与短边28b的角部的形状、以及长边27a的长边凹部275的形状的角部贯通孔86。在角部贯通孔868形成有:一个喷嘴基板25的长边27b的长边端部273、短边28b的短边端部284、以及圆弧部29b;以及一个喷嘴基板25的长边27a的长边凹部275。
从靠近形成短边端部284的部分的端沿H轴方向延伸设置的分割线391,是被分割的一侧形成短边28b的短边主部281的分割线38。从靠近形成长边端部273的部分的端沿V轴方向延伸设置的分割线482,是被分割的一侧形成长边27a的长边主部271、一侧形成长边27b的长边主部271的分割线47。从与分割线482相反的一侧的端沿V轴方向延伸设置的分割线483,是被分割的一侧形成长边27a的长边主部271的分割线47。
接下来,在图4的步骤S9中,在分割线38以及分割线47的部分形成重整层。另外,在母喷嘴基板25A的喷嘴基板25之外的、边缘部125A等也形成分割用的重整层。
重整层使基于多光子吸收的重整区域连续。多光子吸收通过使用激光加工装置朝加工对象物照射激光,并使该激光在重整的部分聚光而产生。仅凭借施加微小的力,就能够以重整区域为起点分割形成有重整区域的加工对象物。
接下来,在步骤S10中,将母喷嘴基板25A与单个喷嘴基板25的芯片分离。
分离的工序具有带式载体粘贴工序、膨胀工序以及剥离工序。带式载体粘贴工序是向具有伸缩性的带式载体粘贴形成有重整层的母喷嘴基板25A的工序。膨胀工序是通过向带式载体施加二维的拉伸力而平面地拉长,来将粘贴于带式载体的母喷嘴基板25A分割为单个喷嘴基板25的芯片的工序。具有伸缩性的带式载体虽被拉长,但由于母喷嘴基板25A不能伸长,故利用形成有重整层的分割线38以及分割线47的部分而被分割。剥离工序是从带式载体剥离喷嘴基板25的芯片的工序。
实施步骤S10,并结束喷嘴基板25的制造工序。
以下,记载由实施方式带来的效果。根据本实施方式,得到以下的效果。
(1)喷嘴基板25的长边27与短边28的角部的三处位置经由圆弧部29连接。通过将角设为圆弧,与尖锐的角相比,能够抑制角部在与较硬的物体等碰撞时产生缺口、破裂的情况。
(2)喷嘴基板25的长边27与短边28的角部的一处位置经由倒角部31连接。通过经由倒角部31进行连接,由倒角部31与长边27(长边端部274)或短边28(短边端部283)形成的角的角度形成为钝角。由此,与例如90度的尖锐的角相比,能够抑制角部在与较硬的物体等碰撞时产生缺口、破裂的情况。
(3)在母喷嘴基板25A中,例如,在V轴方向排列六个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置与排列五个的列的喷嘴基板25的V轴方向的位置,错开喷嘴基板25的V轴方向的长度的大致一半的量。在将喷嘴基板25的V轴方向的位置设为相同的情况下,在母喷嘴基板25A中在V轴方向排列五个的列,能够排列的喷嘴基板25仅为四个。通过错开V轴方向的喷嘴基板25的位置,能够在相同大小的基板使喷嘴基板25的安装数量增多。
(4)相对于长边主部271,长边端部273与长边端部274是凹陷的,相对于短边主部281,短边端部283与短边端部284是凹陷的。角部贯通孔86的俯视形状形成为包括该凹陷的形状。由于与无凹陷部分的情况相比,角部贯通孔86的截面积变大,故能够容易地形成角部贯通孔86。当对分割线47或分割线38的位置进行加工时,例如,即使加工至在图6(e)所示的分割线475分离的喷嘴基板25的端,相对于在分割线476分离的喷嘴基板25,至少存在短边端部283以及短边端部284与短边主部281之间的阶梯量的间隙。由此,当对分割线47或分割线38进行加工时,能够抑制对邻接的喷嘴基板25的影响。
(5)为了将母喷嘴基板25A与喷嘴基板25分离,首先形成角部贯通孔86。角部贯通孔86的截面形状能够利用形成于抗蚀剂膜的开口的形状而容易地设为任意的形状。因此,能够容易地形成角部的圆弧部29、倒角部31。
(6)长边27具有相对于长边主部271凹陷的长边凹部275。当对分割线38的位置进行加工时,例如,即使加工至在图6(f)所示的分割线387分离的喷嘴基板25的端,相对于面对邻接的喷嘴基板25的分割线387的长边27,也至少存在长边凹部275与长边主部271之间的阶梯量的间隙。由此,当对V轴方向的位置错开的喷嘴基板25的分割线38进行加工时,能够抑制对邻接的V轴方向的位置错开的喷嘴基板25的影响。
(7)角部贯通孔86在薄化工序之后通过形成方孔贯通部82而形成。在薄化工序中被研磨的面是与形成方孔凹部72的面相反一侧的面。由此,能够在薄化工序中抑制异物进入到72(角部贯通孔86)。
(8)角部贯通孔86在形成排出喷嘴24的工序中,与排出喷嘴24同时形成。由此,不需要仅为了形成角部贯通孔86而设置该加工工序,能够抑制为了形成角部贯通孔86而增加加工时间。
另外,由于能够利用共通的抗蚀剂膜71来形成角部贯通孔86与排出喷嘴24,故与为了形成角部贯通孔86与排出喷嘴24而分别形成单个抗蚀剂膜的情况相比,能够提高角部贯通孔86与排出喷嘴24的相对位置精度。即,能够提高角部相对于排出喷嘴24的相对位置精度。
(9)喷嘴基板25的四个角在三处位置形成圆弧部29,在一处位置形成有倒角部31。由此能够利用角部的形状来辨别喷嘴基板25的姿势。
(10)母喷嘴基板25A的分割线38以及分割线47的分割,在分割线38以及分割线47形成重整层,利用膨胀工序而分离。使用激光加工装置的重整层的形成,从母喷嘴基板25A的面方向的任意的位置开始加工,能够在任意的位置容易地停止加工或者改变加工方向。由此,母喷嘴基板25A的喷嘴基板25的排列,即使是喷嘴基板25的端的位置不一致的排列,也能够在分割线38以及分割线47容易地形成重整层。
以上,虽参照附图并对优选的实施方式进行了说明,但优选的实施方式并不局限于上述实施方式。实施方式当然能够在不脱离主旨的范围内施加各种变更,也能够如以下那样进行实施。
变形例1
在上述实施方式中,作为硅器件,虽以液滴排出头20所具备的喷嘴基板25为例进行了说明,但在上述实施方式中说明的硅器件的形状、硅器件的制造方法也能够应用于其他的硅结构器件的形状、制造方法。特别是针对薄板化的设备的应用是有效的。例如,能够举出:可视、红外的图像传感器、硅传声器、硅压力传感器、硅陀螺传感器元件、应用微型致动器的光学设备、超声波阵列元件、喷墨头和应用于此的喷嘴板等部件、激光扫描用镜设备、硅振荡器、时钟、硅制的过滤器、μ发电设备等。
变形例2
在上述实施方式中,喷嘴基板25的长边27的与边端侧部相当的长边端部273和长边端部274相对于与边中央侧部相当的长边主部271凹陷。短边28的与边端侧部相当的短边端部283和短边端部284,相对于与边中央侧部相当的短边主部281凹陷。然而,构成硅器件的外形的边不是必须具有边中央侧部与边端侧部,边端侧部也不是必须相对于边中央侧部凹陷。边的形状也可以是无阶梯的直线状的形状。
变形例3
在上述实施方式中,喷嘴基板25的长边27虽具备相当于中央凹部的长边凹部275,但构成硅器件的外形的边不是必须具备中央凹部。边的形状也可以是无阶梯的直线状的形状。
变形例4
在上述实施方式中,角部贯通孔86通过形成方孔凹部72,在实施薄化工序之后形成方孔贯通部82来形成。然而,不是必须利用多个孔形成工序来形成贯通孔。贯通孔也可以利用一次贯通孔形成工序,通过为了形成贯通孔而形成充分的长度的孔或充分的深度的凹部来形成。
变形例5
在上述实施方式中,通过长边27a的长边端部274与短边28b的短边端部283经由相当于连接线部的倒角部31连接,长边27a与短边28b经由倒角部31连接。然而,连接线部不是必须利用倒角而形成。由边与连接线部形成的角度也可以是大于135度的角度。另外,连接线部并不局限于直线,也可以是曲线。
变形例6
在上述实施方式中,作为原材料的母喷嘴基板25A具有比喷嘴基板25的厚度厚的厚度,通过实施相当于薄板化工序的薄化工序,来调整喷嘴基板25的厚度。然而,不是必须实施薄板化工序。作为器件母基板,也可以使用调整为硅器件的厚度的硅基板。
变形例7
在上述实施方式中,在短边28或长边27中的、短边主部281与短边端部283或短边端部284之间的阶梯部分、及长边主部271与长边端部273或长边端部274之间的阶梯部分中,短边主部281与短边端部283或短边端部284、或者长边主部271与长边端部273或长边端部274,利用与短边主部281或长边主部271大致正交的阶梯部连接。然而,边中央侧部与边端侧部之间的连接部分的形状不是必须是该形状。在器件母基板中形成于邻接位置的一方的硅器件的边端侧部与另一方的硅器件的边端侧部也可以是利用圆弧连接的形状。阶梯部也可以是相对于边倾斜的直线或曲线。
变形例8
在上述实施方式中,相当于中央凹部的长边凹部275的底与长边主部271利用与长边凹部275的底以及长边主部271大致正交的阶梯部连接。然而,中央凹部与边之间的连接部分的形状不是必须是该形状。在器件母基板中形成于邻接位置的一方的硅器件的中央凹部的底与另一方的硅器件的中央凹部的底或边端侧部也可以是利用圆弧连接的形状。阶梯部也可以是相对于中央凹部的底、边倾斜的直线或曲线。
变形例9
在上述实施方式中,喷嘴基板25的四个角部在三处位置形成相当于角部曲线部的圆弧部29,在一处位置形成相当于连接线部的倒角部31。然而,不是必须在角部的三处位置形成角部曲线部、在一处位置形成连接线部。形成角部曲线部的角部、形成连接线部的角部也可以是任意处位置。也可以是在硅器件的角部的全部形成角部曲线部或连接线部的结构。
变形例10
在上述实施方式中,相当于角部曲线部的圆弧部29a、圆弧部29b、以及圆弧部29c的形状相互大致相同。另外,相当于与圆弧部29a、圆弧部29b、或圆弧部29c连续的边端侧部的长边端部273、长边端部274、短边端部283、以及短边端部284的形状也相互大致相同。然而,这些形状相互大致相同并不是必须的。角部曲线部、边端侧部的形状也可以针对各角部的每个而不同的形状。通过使角部曲线部、边端侧部的形状针对各角部的每个而不同,能够利用角部的角部曲线部、边端侧部的形状来辨别是哪个角部。
变形例11
在上述实施方式中,液滴排出头20虽具备两列多个排出喷嘴24排列为近似一条直线状的喷嘴列24A,但液滴排出头所具备的喷嘴列也可以是任意列。
符号说明:
1...液滴排出装置;2...头机构部;20...液滴排出头;24...排出喷嘴;24A...喷嘴列;25...喷嘴基板;25A...母喷嘴基板;25a...喷嘴形成面;27...长边;27a、27b...长边;28...短边;28a、28b...短边;29...圆弧部;29a、29b、29c...圆弧部;31...倒角部;38...分割线;47...分割线;71、81...抗蚀剂膜;72...方孔凹部;72a...方孔开口;74...喷嘴孔凹部;74a...喷嘴孔开口;76...氧化膜;78...氧化膜;82...方孔贯通部;82a...方孔开口;84...喷嘴孔贯通部;84a...喷嘴孔开口;86...角部贯通孔;125...薄化凹部;125A...边缘部;271...长边主部;273、274...长边端部;275...长边凹部;281...短边主部;283、284...短边端部;381、382、383、384、385、386、387、389、390、391...分割线;471、472、473、474、475、476、477、478、479、480、481、482、483...分割线;861、862、863、864、865、866、867、868...角部贯通孔。

Claims (21)

1.一种硅器件,其特征在于,
所述硅器件为在俯视观察时具有多边形的外形形状的平板状,
所述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成所述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个所述位于相互邻接的位置的边分别相接并连接所述边的角部曲线部,
所述多边形的多个边中的至少一个具备边中央侧部和边端侧部,所述边端侧部是在俯视观察时所述硅器件相对于所述边中央侧部凹陷的凹部,所述边的所述边端侧部与所述角部曲线部连接。
2.根据权利要求1所述的硅器件,其特征在于,
所述多边形的多个边中的至少一个还具备中央凹部,所述中央凹部形成于从所述角部曲线部分离的位置,所述中央凹部是在俯视观察时所述硅器件相对于所述边的其他部分凹陷的凹部。
3.一种硅器件,其特征在于,
所述硅器件为在俯视观察时具有多边形的外形形状的平板状,
所述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成所述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个所述位于相互邻接的位置的边分别连接的连接线部,在所述边与所述连接线部之间的连接部形成的所述硅器件的角度为钝角,
所述多边形的多个边中的至少一个具备边中央侧部和边端侧部,所述边端侧部是在俯视观察时所述硅器件相对于所述边中央侧部凹陷的凹部,所述边的所述边端侧部与所述连接线部连接。
4.根据权利要求3所述的硅器件,其特征在于,
所述多边形的多个边中的至少一个还具备中央凹部,所述中央凹部形成于从所述连接线部分离的位置,所述中央凹部是在俯视观察时所述硅器件相对于所述边的其他部分凹陷的凹部。
5.一种硅器件的制造方法,其特征在于,
该硅器件的制造方法用于制造在俯视观察时具有多边形的外形形状的平板状的硅器件,
该硅器件的制造方法具有:
通过在划分形成有所述硅器件的器件母基板形成贯通孔,来形成所述多边形的角部的角部形成工序;以及
将所述器件母基板与所述硅器件分离的分离工序,
所述硅器件的所述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成所述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个所述位于相互邻接的位置的边分别相接并连接所述边的角部曲线部,在所述角部形成工序中形成所述角部曲线部,
所述多边形的多个边中的至少一个具备边中央侧部和边端侧部,所述边端侧部是在俯视观察时所述硅器件相对于所述边中央侧部凹陷的凹部,所述边的所述边端侧部与所述角部曲线部连接,在所述角部形成工序中形成所述边端侧部。
6.根据权利要求5所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述多边形的多个边中的至少一个还具备中央凹部,所述中央凹部形成于从所述角部曲线部分离的位置,所述中央凹部是在俯视观察时所述硅器件相对于所述边的其他部分凹陷的凹部,所述角部形成工序包括通过在所述器件母基板形成贯通孔来形成所述中央凹部的中央凹部形成工序。
7.根据权利要求6所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
在所述角部形成工序中,利用硅的干蚀刻来形成所述贯通孔。
8.根据权利要求6所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述硅器件的制造方法还具有将所述器件母基板中的、至少形成所述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,
所述角部形成工序包括:在所述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;以及利用所述薄板化工序除去所述贯通孔凹部的底部而形成所述贯通孔的孔贯通工序。
9.根据权利要求7所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述硅器件的制造方法还具有将所述器件母基板中的、至少形成所述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,
所述角部形成工序包括:在所述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;以及利用所述薄板化工序除去所述贯通孔凹部的底部而形成所述贯通孔的孔贯通工序。
10.根据权利要求6所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述硅器件的制造方法还具有将所述器件母基板中的、至少形成所述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,
所述角部形成工序包括:在所述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;利用所述薄板化工序减少所述贯通孔凹部的底部的厚度的底部薄化工序;以及在利用所述底部薄化工序减少了厚度的所述底部从所述贯通孔凹部的相反一侧形成孔而形成所述贯通孔的孔贯通工序。
11.根据权利要求7所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述硅器件的制造方法还具有将所述器件母基板中的、至少形成所述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,
所述角部形成工序包括:在所述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;利用所述薄板化工序减少所述贯通孔凹部的底部的厚度的底部薄化工序;以及在利用所述底部薄化工序减少了厚度的所述底部从所述贯通孔凹部的相反一侧形成孔而形成所述贯通孔的孔贯通工序。
12.一种硅器件的制造方法,其特征在于,
该硅器件的制造方法用于制造在俯视观察时具有多边形的外形形状的平板状的硅器件,
该硅器件的制造方法具有:
通过在划分形成有所述硅器件的器件母基板形成贯通孔,来形成所述多边形的角部的角部形成工序;以及
将所述器件母基板与所述硅器件分离的分离工序,
所述硅器件的所述多边形的角部的至少一个形成为包括:构成所述多边形的多个边中的、位于相互邻接的位置的两个边;以及与两个所述位于相互邻接的位置的边分别连接的连接线部,在所述边与所述连接线部之间的连接部形成的所述硅器件的角度为钝角,在所述角部形成工序中形成所述连接线部,
所述多边形的多个边中的至少一个具备边中央侧部和边端侧部,所述边端侧部是在俯视观察时所述硅器件相对于所述边中央侧部凹陷的凹部,所述边的所述边端侧部与所述连接线部连接,在所述角部形成工序中形成所述边端侧部。
13.根据权利要求12所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述多边形的多个边中的至少一个还具备中央凹部,所述中央凹部形成于从所述连接线部分离的位置,所述中央凹部是在俯视观察时所述硅器件相对于所述边的其他部分凹陷的凹部,所述角部形成工序包括通过在所述器件母基板形成贯通孔来形成所述中央凹部的中央凹部形成工序。
14.根据权利要求13所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
在所述角部形成工序中,利用硅的干蚀刻来形成所述贯通孔。
15.根据权利要求13所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述硅器件的制造方法还具有将所述器件母基板中的、至少形成所述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,
所述角部形成工序包括:在所述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;以及利用所述薄板化工序除去所述贯通孔凹部的底部而形成所述贯通孔的孔贯通工序。
16.根据权利要求14所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述硅器件的制造方法还具有将所述器件母基板中的、至少形成所述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,
所述角部形成工序包括:在所述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;以及利用所述薄板化工序除去所述贯通孔凹部的底部而形成所述贯通孔的孔贯通工序。
17.根据权利要求13所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述硅器件的制造方法还具有将所述器件母基板中的、至少形成所述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,
所述角部形成工序包括:在所述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;利用所述薄板化工序减少所述贯通孔凹部的底部的厚度的底部薄化工序;以及在利用所述底部薄化工序减少了厚度的所述底部从所述贯通孔凹部的相反一侧形成孔而形成所述贯通孔的孔贯通工序。
18.根据权利要求14所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述硅器件的制造方法还具有将所述器件母基板中的、至少形成所述硅器件的部分的厚度减少为规定的厚度的薄板化工序,
所述角部形成工序包括:在所述器件母基板的基板面形成贯通孔凹部的贯通孔凹部形成工序;利用所述薄板化工序减少所述贯通孔凹部的底部的厚度的底部薄化工序;以及在利用所述底部薄化工序减少了厚度的所述底部从所述贯通孔凹部的相反一侧形成孔而形成所述贯通孔的孔贯通工序。
19.根据权利要求5~18中任一项所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述分离工序具有向在所述器件母基板划分形成的所述硅器件与所述硅器件之间的边界部分照射激光光线而形成内部重整层的重整层形成工序。
20.根据权利要求5~18中任一项所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述分离工序具有对在所述器件母基板划分形成的所述硅器件朝在所述器件母基板的面方向相互分离的方向施加力的膨胀工序。
21.根据权利要求19所述的硅器件的制造方法,其特征在于,
所述分离工序具有对在所述器件母基板划分形成的所述硅器件朝在所述器件母基板的面方向相互分离的方向施加力的膨胀工序。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105657988B (zh) * 2014-11-21 2019-04-23 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 柔性电路板及其制作方法
JP2016111086A (ja) * 2014-12-03 2016-06-20 株式会社デンソー 半導体装置
JP6778092B2 (ja) * 2016-11-28 2020-10-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154897B2 (ja) 2018-09-06 2022-10-18 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法
CN114054975A (zh) * 2021-11-02 2022-02-18 捷威动力工业嘉兴有限公司 一种锂电池多层隔离膜裁切装置及裁切方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1370680A (zh) * 2001-02-14 2002-09-25 富士施乐株式会社 液滴喷射记录装置和硅结构体的制造方法
CN1903579A (zh) * 2005-07-27 2007-01-31 国际联合科技股份有限公司 喷墨印字头装置的通孔与喷口板的制造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0929472A (ja) 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
US6498074B2 (en) 1996-10-29 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
US6448153B2 (en) 1996-10-29 2002-09-10 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
WO2001056063A2 (en) 2000-01-26 2001-08-02 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
JP4159317B2 (ja) * 2002-07-23 2008-10-01 株式会社リコー 液滴吐出ヘッドの製造方法、マイクロデバイス、インクジェットヘッド、インクカートリッジ並びにインクジェット記録装置、画像形成装置、液滴を吐出する装置
JP3904496B2 (ja) * 2002-09-06 2007-04-11 株式会社リコー 半導体装置の製造方法
JP4542789B2 (ja) * 2003-01-10 2010-09-15 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及びその製造方法
JP4495916B2 (ja) * 2003-03-31 2010-07-07 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体チップの製造方法
JP4182921B2 (ja) 2004-06-08 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 ノズルプレートの製造方法
JP2005354846A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Seiko Epson Corp 電極基板の製造方法、ならびに、電極基板、静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置
JP2006173428A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Seiko Epson Corp 基板加工方法及び素子製造方法
CN100517645C (zh) 2005-01-24 2009-07-22 松下电器产业株式会社 半导体芯片的制造方法及半导体芯片
JP2006294688A (ja) 2005-04-06 2006-10-26 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4275096B2 (ja) 2005-04-14 2009-06-10 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4275095B2 (ja) 2005-04-14 2009-06-10 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4288252B2 (ja) 2005-04-19 2009-07-01 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
JP2007317747A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Seiko Epson Corp 基板分割方法及び液体噴射ヘッドの製造方法
JP4868950B2 (ja) * 2006-06-08 2012-02-01 アピックヤマダ株式会社 半導体装置切断システムおよび半導体装置切断方法
US7648891B2 (en) * 2006-12-22 2010-01-19 International Business Machines Corporation Semiconductor chip shape alteration
JP5277571B2 (ja) * 2007-06-18 2013-08-28 セイコーエプソン株式会社 ノズル基板の製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法
DE102007041885B4 (de) * 2007-09-04 2009-12-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung
JP2009099681A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板の個片化方法
JP2009154502A (ja) * 2007-12-28 2009-07-16 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッドの製造方法
US7955893B2 (en) * 2008-01-31 2011-06-07 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd Wafer level chip scale package and process of manufacture

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1370680A (zh) * 2001-02-14 2002-09-25 富士施乐株式会社 液滴喷射记录装置和硅结构体的制造方法
CN1903579A (zh) * 2005-07-27 2007-01-31 国际联合科技股份有限公司 喷墨印字头装置的通孔与喷口板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8623703B2 (en) 2014-01-07
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