JP2009158854A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 プラズマ処理面の任意の箇所のプラズマ密度を局所的に変化させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置では、処理室内に設けられた上部電極と、この上部電極と対向するように設置された下部電極4を有する載置台3と、下部電極4と上部電極との間に高周波電力を供給する手段とを備えている。そして、載置台3には、下部電極4上に設けられ、かつその上面が被処理物の載置面10aを構成する絶縁体10と、絶縁体10内部に並設され、かつ液体または気体が供給される複数の空洞11が設けられている。この複数の空洞11のうちの任意の空洞11に、その他の空洞11の液体または気体と異なる比誘電率を有する液体または気体を供給することにより、任意の空洞11上のプラズマ密度を変化させ、プラズマ処理の均一化を図る。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置では、処理室内に設けられた上部電極と、この上部電極と対向するように設置された下部電極4を有する載置台3と、下部電極4と上部電極との間に高周波電力を供給する手段とを備えている。そして、載置台3には、下部電極4上に設けられ、かつその上面が被処理物の載置面10aを構成する絶縁体10と、絶縁体10内部に並設され、かつ液体または気体が供給される複数の空洞11が設けられている。この複数の空洞11のうちの任意の空洞11に、その他の空洞11の液体または気体と異なる比誘電率を有する液体または気体を供給することにより、任意の空洞11上のプラズマ密度を変化させ、プラズマ処理の均一化を図る。
【選択図】 図2
Description
本発明は、プラズマを用いて被処理物を処理するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
半導体装置の製造に用いられるプラズマ処理装置においては、近年のシリコンウエハの大口径化に伴い、半導体装置の歩留まり向上のため、半導体ウエハ面内のプラズマ処理の均一性を向上させることが1つの課題となっている。
そこで、プラズマ処理装置の1つであるドライエッチング装置において、ドライエッチング装置の中心部に比べて周辺部の磁場の強度を強くすることにより、プラズマ密度を均一にすることが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
また、被処理基板を載置するための載置台の下部電極と被処理基板の載置面との間に設ける絶縁体の厚さを、中央部と周辺部とで変えることにより、静電容量を変え、プラズマ密度を均一にすることが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。
しかし、これらの方法では、エッチング部分のプラズマ密度分布を変更することができるが、中央部分からエッジ部分の間の任意の箇所において、プラズマ密度を自由に変化させることができないという問題があった。
特開平7−153741
特開平8−186094
本発明は、上記の問題を鑑みなされたもので、プラズマ処理面内の任意の箇所のプラズマ密度を局所的に変化させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様によるプラズマ処理装置は、処理室と、前記処理室内に設けられた上部電極と、前記処理室内に設けられ、かつ前記上部電極と対向するように設置された下部電極を有する載置台と、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する手段とを備え、前記載置台が、前記下部電極上に設けられ、かつその上面が被処理物の載置面を構成する絶縁体と、前記絶縁体内部に並設され、液体または気体が供給される複数の空洞とを具備することを特徴とする。
また、本発明の一態様によるプラズマ処理方法は、処理室内に設けられた上部電極と、前記処理室内に前記上部電極と対向するように設置された下部電極を有する載置台と、前記下部電極と前記上部電極との間に高周波電力を供給する手段とを備え、前記載置台が、前記下部電極上に設けられ、かつその上面が被処理物の載置面を構成する絶縁体と、前記絶縁体内部に並設され、液体または気体が供給される複数の空洞と、を具備するプラズマ処理装置の前記載置台上に被処理物を載置し、前記下部電極と前記上部電極との間に高周波電力を供給することにより前記処理室内にプラズマを生成し、前記被処理物を処理するプラズマ処理方法であって、前記複数の空洞に液体または気体を供給することによりプラズマ密度を制御することを特徴とする。
本発明によれば、プラズマ処理面内の任意の箇所のプラズマ密度を局所的に制御することが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
(第一の実施形態)
図1は本発明の第一の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す断面構成図である。
図1は本発明の第一の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す断面構成図である。
図1に示すように、処理室1は、減圧を行う機構と処理ガスを供給する機構とを備えており、処理室1内の上方には、上部電極2が絶縁・保持されている。一方、処理室1内の下方には、下部電極4を備え、かつ被処理物5を載置するための載置台3が上部電極2と対向して所定の間隔を保って設置されている。
この上部電極2と下部電極4との間には、高周波電源6に接続されており、両電極間に高周波電力を印加できる構成になっている。また、処理室1の側壁部には、ゲートバルブ7を介してガス供給管8が設けられ、処理室1内にプロセスガスが供給されるようになっている。また、そのガス供給管8と対向する側壁部には、ゲートバルブ7を介してガス排気管9が設けられ、処理室1内に供給されたプロセスガスは、排気ポンプ(図示せず)によってガス排気管9から排気される。
図2は、本実施形態の載置台3の平面図及び断面構成図を示している。図2に示すように、載置台3は、その内部に上部電極2と対向するように下部電極4が設置されている。この下部電極4の上部には、例えば、Al2O3等からなる厚さ数mm程度の絶縁体10が設けられており、この絶縁体10の上面が被処理物5を載置するための載置面10aとなっている。
また、この絶縁体10内には、複数個の空洞11が同心円状に、かつ周方向に並設されている。ここでは、4個の空洞11が設けられ、中央から周辺方向に向かって順に、第一、第二、第三、及び第四の空洞11−1、11−2、11−3、11−4の4個の空洞11が設けられている。これらの空洞11には、液体または気体を供給及び排出するライン12がそれぞれ設けられ、異なった比誘電率を有する液体または気体がそれぞれ供給され、また排出されるように構成されている。ここでは、各空洞11に対してライン12は1個で、液体または気体の供給と排出とを行うようになっているが、ライン12を2個設けて液体または気体を一方のラインより供給し、かつ他方のラインより排出するようにし、空洞11内を循環させるように構成しても良い。また、空洞11は絶縁体10の内部に直接形成しても良く、絶縁体10の内側に高誘電性の絶縁膜を介して形成しても良い。
上記構造のプラズマ処理装置を用いて被処理物にプラズマ処理を施す場合について説明する。まず、本実施形態のプラズマ処理装置では、処理室1内の載置台3上に被処理物5を載置し、ゲートバルブ7を開状態にして排気管9より処理室1内を減圧した後、ゲートバルブ7を開状態にしてガス供給管8より処理室1内にプロセスガスを導入し、上部電極2と下部電極4との間に高周波電力を供給し、処理室1内にプラズマを発生させてプラズマ処理を行なう。プラズマ処理後は、ゲートバルブ7を開状態にして排気管9よりプロセスガスを排気し、処理室1内の圧力を大気圧程度まで上昇させる。
上記プラズマ処理に際しては、第一、第二、第三、及び第四の空洞11−1、11−2、11−3、11−4のうちの任意の個所の空洞11内に所定の比誘電率を有する液体または気体をそれぞれ供給しておく。例えば、任意の箇所の空洞11内の液体または気体の比誘電率を、他の箇所の空洞11内の液体または気体の比誘電率よりも低く設定することによって、任意の箇所の空洞11の静電容量が他の箇所の空洞11の静電容量よりも低くなり、任意の箇所の電場の強度が強くなり、任意の箇所におけるプラズマ密度を他の箇所よりも高くでき、プラズマ処理を均一化することができる。
特に、ドライエッチングにおいては、プラズマ密度とエッチングレートは必ずしも相関はなく、プラズマ密度を完全に面内均一になるようにドライエッチング装置を構成したとしても、エッチングパラメータによっては、処理室内の温度や、側壁に付着した堆積物の影響をぬぐいきれないために、エッチングレート等の面内均一性が悪いくなる場合がある。例えば、ウエハ上の加工膜の任意の箇所において、エッチングレートが異なる場合がある。この場合について、図3及び図4を用いて説明する。
図3は載置台3の4個の空洞11内に何も液体が供給されていない(4個の空洞11内が比誘電率1の空気23の状態)の場合の加工膜を模式的に示している。なお、図3は加工膜21及びレジスト22部分を誇張して示している。
すなわち、図3に示すように、ウエハ20上に形成されたシリコン酸化(SiO2)膜21を、レジスト22をマスクにしてドライエッチングした結果、例えば、第三の空洞11−3直上のSiO2膜21のエッチングレートが遅い場合、図4に示すように、載置台3の第三の空洞11−3に比誘電率30のメタノール24を供給し、第一、第二及び第四の空洞11−1、11−2、11−4には、比誘電率80の水23を供給する。これにより、第三の空洞11−3の静電容量が第一、第二及び第四の空洞11−1、11−2、11−4の静電容量よりも小さくなり、電場の強度が大きくなる。従って、第三の空洞11−3直上のSiO2膜21のエッチングレートのみを大きくでき、ウエハ20全体にわたって均一にエッチングすることができる。
また、ドライエッチングにおいては、ウエハ上の加工膜が途中で変わり、加工条件が変化する場合、最適な加工条件にすることが必要である。この場合について、図5及び図6を参照して説明する。
図5は、ウエハ20上に積層された第1の加工膜のSiO2膜21に対するドライエッチング加工を説明するための模式図で、図6は、SiO2膜21に引続き第2の加工膜のシリコン窒化(SiN)膜27に対するドライエッチング加工を説明するための模式図である。図5及び図6も、図3及び図4と同様にウエハ表面部のみを拡大して示している。
例えば、図5に示すように、レジスト22をマスクにしてSiO2膜21をドライエッチング加工する際には、最も均一性の良い条件が、第一の空洞11−1に比誘電率80の水23、第二の空洞11−2に比誘電率30のメタノール25、第三の空洞11−3に比誘電率20のエタノール24、第四の空洞11−4に比誘電率1の空気26をそれぞれ供給することであったとする。その条件で、引続きSiN膜27の加工を行うと、SiO2膜21とエッチングレートが異なるため、SiN膜27を、面内均一に加工を行うことができない。
そのため、図6に示すように、SiN膜27加工の条件で、最も均一性の良い条件、例えば第一の空洞11−1及び第二の空洞11−2に比誘電率80の水23、第三の空洞11−3に比誘電率30のメタノール25、第四の空洞11−4に比誘電率20のエタノール24に切り替えてそれぞれ供給する。
この各空洞11に対する液体または気体の切り替えは、既存の液体または気体を排気ポンプでライン12から外部に全て排出して新たな供給予定の液体または気体で各空洞11内を一旦、濯いだ後、各空洞11内に所定の液体または気体を供給することにより行う。こうすることにより、異なった種類の液体または気体が混ざることによる比誘電率の変化を抑えることができるため望ましい。
上記した実施形態では、載置台3の絶縁体10内に複数個の空洞11を設け、これらの空洞11内に異なった比誘電率を有する液体または気体をそれぞれ供給できるようになっている。従って、プラズマ処理面内の任意の個所のプラズマ密度を局所的に制御することが可能で、被処理物面内のプラズマ処理の均一化を高めることができる。
また、従来では、加工膜が変わった場合に、再度エッチングレートを均一にすることが困難であるが、本実施形態では、プラズマ生成中でも、空洞11内の液体または気体を所定の比誘電率を有する液体または気体を切り替えることで、容易に比誘電率を変化させることができる。
なお、上記実施形態では、被処理物と同心の円周方向に4個の空洞を設けたが、4個に限定されるものではなく、処理条件や加工材料に合わせて任意に変更して実施することができる。
(第二の実施形態)
図7は本発明の第ニの実施形態に係る載置台3の平面図及び断面構成図で、図8は図7の載置台3の拡大断面図を示している。本実施形態が第一の実施形態と異なる点は、載置台30の絶縁体31内に複数列、例えば第1及び第2列の空洞33、34を載置面に31a対して垂直方向に備えている点である。
図7は本発明の第ニの実施形態に係る載置台3の平面図及び断面構成図で、図8は図7の載置台3の拡大断面図を示している。本実施形態が第一の実施形態と異なる点は、載置台30の絶縁体31内に複数列、例えば第1及び第2列の空洞33、34を載置面に31a対して垂直方向に備えている点である。
すなわち、図8に示すように、載置台30は、絶縁体31内に第一の空洞33−1、第二の空洞33−2、第三の空洞33−3、及び第四の空洞33−4が水平方向に並設され、第1の列をなしている。この第1の列上に第五の空洞34−1、第六の空洞34−2、第七の空洞34−3、及び第八の空洞34−4が水平方向に並設され、第2の列をなしている。この第2の列の第五の空洞34−1、第六の空洞34−2、第七の空洞34−3、及び第八の空洞34−4は、第1の列の第一の空洞33−1、第二の空洞33−2、第三の空洞33−3、及び第四の空洞33−4上にそれぞれ対応して配設されている。その他の構成は第一に実施形態と同じである。
次に、上記構造のプラズマ処理装置を用いて被処理物に対してドライエッチング加工する場合について図9及び図10を用いて説明する。
図9は、載置台30の第1及び第2列の空洞33、34内に何も液体または気体が供給されていない場合の加工状態を模式的に示している。
すなわち、図9に示すように、ウエハ40上に形成された加工膜のWN膜41を、レジスト42をマスクにしてドライエッチングした結果、例えば、第二の空洞33−2及び第七の空洞34−2直上のWN膜41のエッチングレートが遅い場合で、しかも単一の材料で、エッチングレートを均一にするための適当な比誘電率を有す液体または気体がない場合でも、図10に示すように、例えば、第二の空洞33−2には比誘電率1の空気26を、第七の空洞34−2には比誘電率30のメタノール25を供給し、メタノールと空気の比誘電率を組み合わせることにより最適な比誘電率を得る。これにより、第二の空洞33−2及び第七の空洞34−2直上のWN膜41のエッチングレートのみ大きくでき、ウエハ40全体にわたって均一にエッチングすることができる。
本実施形態によれば、載置台30の載置面31aに対して垂直方向に空洞33の第1の列と空洞34の第2の列の複数列を備えているので、第1及び第2の列の空洞33、34に供給する異なる比誘電率の液体または気体を組み合わせるにより任意のプラズマ密度を形成し、エッチングレートを調整することが可能になる。従って、ウエハ面内のエッチングの均一性をより向上できる。
なお、本実施形態では、各列に被処理物と同心の円周方向に4個の空洞を設けたが、4個に限定されるものではなく、処理条件や加工材料に合わせて任意の個数に変更して実施することができる。
また、空洞の列を被処理物の載置面に対して垂直方向に2列を設けたが、2列に限定されるものではなく、処理条件や加工材料に合わせて任意の列に変更して実施することができる。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。
1 処理室
2 上部電極
3、30 載置台
4 下部電極
5 被処理物
6 高周波電源
7 ゲートバルブ
8 ガス供給管
9 排気管
10、31 絶縁体
10a、31a 載置面
11、33、34 空洞
12 ライン
11−1、33−1 第一の空洞
11−2、33−2 第二の空洞
11−3、33−3 第三の空洞
11−4、33−4 第四の空洞
20、40 ウエハ
21 SiO2膜
22、42 レジスト
23 水
24 エタノール
25 メタノール
26 空気
27 SiN膜
34−1 第五の空洞
34−2 第六の空洞
34−3 第七の空洞
34−4 第八の空洞
41 WN膜
2 上部電極
3、30 載置台
4 下部電極
5 被処理物
6 高周波電源
7 ゲートバルブ
8 ガス供給管
9 排気管
10、31 絶縁体
10a、31a 載置面
11、33、34 空洞
12 ライン
11−1、33−1 第一の空洞
11−2、33−2 第二の空洞
11−3、33−3 第三の空洞
11−4、33−4 第四の空洞
20、40 ウエハ
21 SiO2膜
22、42 レジスト
23 水
24 エタノール
25 メタノール
26 空気
27 SiN膜
34−1 第五の空洞
34−2 第六の空洞
34−3 第七の空洞
34−4 第八の空洞
41 WN膜
Claims (5)
- 処理室と、
前記処理室内に設けられた上部電極と、
前記処理室内に設けられ、かつ前記上部電極と対向するように設置された下部電極を有する載置台と、
前記下部電極と前記上部電極との間に高周波電力を供給する手段と、
を備え、
前記載置台が、前記下部電極上に設けられ、かつその上面が被処理物の載置面を構成する絶縁体と、
前記絶縁体内部に並設され、かつ液体または気体が供給される複数の空洞と、
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記空洞が、液体または気体を供給または排出するラインを少なくとも1つさらに備えることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞が、前記被処理物と同心の円周形状に、かつ周方向に備えられていることを特徴とする請求項1または2記載のプラズマ処理装置。
- 前記空洞が、前記被処理物の載置面に対して垂直方向に複数列備えられていることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。
- 処理室内に設けられた上部電極と、前記処理室内に前記上部電極と対向するように設置された下部電極を有する載置台と、前記下部電極と前記上部電極との間に高周波電力を供給する手段とを備え、前記載置台が、前記下部電極上に設けられ、かつその上面が被処理物の載置面を構成する絶縁体と、前記絶縁体内部に並設され、液体または気体が供給される複数の空洞と、を具備するプラズマ処理装置の前記載置台上に被処理物を載置し、前記下部電極と前記上部電極との間に高周波電力を供給することにより前記処理室内にプラズマを生成し、前記被処理物を処理するプラズマ処理方法であって、
前記複数の空洞に液体または気体を供給することにより、プラズマ密度を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007338048A JP2009158854A (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130107934A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2021026997A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワープレート、下部誘電体、及びプラズマ処理装置 |
-
2007
- 2007-12-27 JP JP2007338048A patent/JP2009158854A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20130107934A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101932169B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2018-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2021026997A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワープレート、下部誘電体、及びプラズマ処理装置 |
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