JP4869957B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
<1−1.基板処理装置の構成>
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の構成を示した図である。この基板処理装置1は、処理槽10に貯留された純水中に複数枚の基板W(以下、単に基板Wという)を一括して浸漬し、基板Wの表面に付着したパーティクルを除去するための装置である。図1に示したように、基板処理装置1は、主として処理槽10と、リフタ20と、超音波振動付与部30と、純水供給部40と、制御部50と、を備えている。
続いて、上記の基板処理装置1の動作について説明する。図4は、基板処理装置1による基板処理の流れを示したフローチャートである。なお、以下に説明する動作は、制御部50がリフタ駆動部22、超音波振動子32、開閉弁66a〜66c,73、流量調節弁67a,67b、流量計68a,68b,82、ポンプ69、および定流量弁83を制御することにより進行する。
続いて、本発明の第2実施形態について説明する。図5は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置101の構成を示した図である。第2実施形態の基板処理装置101は、バッファ槽110、投受光センサ120、マスフローコントローラ130、および流量制御部140を除いて、上記の基板処理装置1と同等の構成を有する。このため、以下では、基板処理装置1と異なる部分を中心に説明し、基板処理装置1と同等の部分については図5中に図1と同一の符号を付して重複説明を省略する。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記の基板処理装置1は、処理液として純水を使用したが、他の薬液を処理液として使用してもよい。例えば、基板Wに対する高い洗浄効果を有するSC−1液などを使用してもよい。また、上記の基板処理装置1は、基板Wの洗浄処理のみを行う装置であったが、他の処理を行うように構成されていてもよい。
10 処理槽
11 吐出部
12 外槽
20 リフタ
21 保持部
22 リフタ駆動部
30 超音波振動付与部
31 伝播槽
32 超音波振動子
40 純水供給部
50 制御部
60 第1配管部
61 純水供給源
62 窒素ガス供給源
63,110 バッファ槽
64a,64b マイクロバブル発生器
641 容器
642 純水導入口
643 窒素ガス導入口
644 マイクロバブル水吐出口
70 第2配管部
71 純水供給源
80 第3配管部
91 保持部
92 吐出部
93 超音波振動子
94 制御部
95 純水供給部
120 投受光センサ
130 マスフローコントローラ
140 流量制御部
W 基板
Claims (10)
- 処理液により基板を処理する基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内において基板を保持する保持手段と、
前記処理槽内へ処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段の供給経路途中において、処理液を貯留するバッファ槽と、
前記バッファ槽に貯留された処理液中にマイクロバブルを発生させるマイクロバブル発生手段と、
を備え、
前記処理液供給手段は、前記バッファ槽を経由して処理液を送給する第1の送給経路と、前記バッファ槽を介することなく処理液を送給する第2の送給経路とを有し、前記第1の送給経路から送給されるマイクロバブルを含む処理液と前記第2の送給経路から送給される処理液とを合流させて供給することを特徴とする基板処理装置。 - 処理液により基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段の供給経路途中において、処理液を貯留するバッファ槽と、
前記バッファ槽に貯留された処理液中にマイクロバブルを発生させるマイクロバブル発生手段と、
を備え、
前記処理液供給手段は、前記バッファ槽を経由して処理液を送給する第1の送給経路と、前記バッファ槽を介することなく処理液を送給する第2の送給経路とを有し、前記第1の送給経路から送給されるマイクロバブルを含む処理液と前記第2の送給経路から送給される処理液とを合流させて供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記第1の送給経路および前記第2の送給経路の一方または両方から送給される処理液の流量を調節する流量調節手段を更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記バッファ槽へ供給される処理液の流量と、前記バッファ槽から汲み出される処理液の流量とが、ほぼ同量であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記マイクロバブル発生手段は、略円錐状の内側面を有する容器と、前記容器の内側面に沿って処理液を導入する処理液導入部と、前記容器に所定のガスを導入するガス導入部と、前記容器の収束側から処理液およびガスを吐出する吐出部と、を有し、前記容器の内部に形成される処理液とガスとの二層旋回流を前記吐出部から吐出させることにより、処理液中にマイクロバブルを発生させるマイクロバブル発生器を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記マイクロバブル発生手段は、前記バッファ槽内に複数の前記マイクロバブル発生器を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給手段は、前記バッファ槽に貯留された処理液を汲み出して基板側へ送給する無脈動ポンプを有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項7までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
処理液により処理されている基板に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段を更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項8までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記バッファ槽内の処理液を介して投光および受光を行う投受光センサを更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記投受光センサの検出信号に基づいて前記マイクロバブル発生手段を制御する制御手段を更に備えることを特徴とする基板処理装置。
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