KR100860170B1 - 기판처리 장치 및 기판처리 방법 - Google Patents
기판처리 장치 및 기판처리 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100860170B1 KR100860170B1 KR1020070022945A KR20070022945A KR100860170B1 KR 100860170 B1 KR100860170 B1 KR 100860170B1 KR 1020070022945 A KR1020070022945 A KR 1020070022945A KR 20070022945 A KR20070022945 A KR 20070022945A KR 100860170 B1 KR100860170 B1 KR 100860170B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- processing liquid
- substrate
- buffer tank
- processing apparatus
- liquid
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 196
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 103
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 126
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
- G03D5/00—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Claims (21)
- 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판처리 장치에 있어서,처리액을 저류(貯留)하는 처리조;상기 처리조 내에 있어서 기판을 유지하는 유지부;상기 처리조 내에 처리액을 공급하는 처리액 공급부;상기 처리액 공급부의 공급 경로 도중에 있어서, 처리액을 저류하는 버퍼조;상기 버퍼조에 저류된 처리액 중에 마이크로 버블을 발생시키는 마이크로 버블 발생부를 갖춘 기판처리 장치.
- 제1 항에 있어서,상기 처리액 공급부는, 상기 버퍼조를 경유해서 처리액을 송급(送給)하는 제1의 송급 경로와, 상기 버퍼조를 통하지 않고 처리액을 송급하는 제2의 송급 경로를 갖으며, 상기 제1의 송급 경로로부터 송급되는 마이크로 버블을 포함하는 처리액과 상기 제2의 송급 경로로부터 송급되는 처리액을 합류시켜서 공급하는 기판처리 장치.
- 제2 항에 있어서,상기 제1의 송급 경로 및 상기 제2의 송급 경로의 한쪽 또는 양쪽으로부터 송급되는 처리액의 유량을 조절하는 유량 조절부를 더 갖춘 기판처리 장치.
- 제3 항에 있어서,상기 버퍼조로 공급되는 처리액의 유량과, 상기 버퍼조로부터 퍼내지는 처리액의 유량이, 같은 기판처리 장치.
- 제4 항에 있어서,상기 마이크로 버블 발생부는, 원추모양의 내측면을 갖는 용기와, 상기 용기의 내측면에 따라 처리액을 도입하는 처리액 도입부와, 상기 용기에 소정의 가스를 도입하는 가스 도입부와, 상기 용기의 수속(收束)측에서 처리액 및 가스를 토출하는 토출부를 갖으며, 상기 용기의 내부에 형성되는 처리액과 가스의 2층 선회류(旋回流)를 상기 토출부로부터 토출시킴으로써, 처리액 중에 마이크로 버블을 발생시키는 마이크로 버블 발생기를 갖는 기판처리 장치.
- 제5 항에 있어서,상기 마이크로 버블 발생부는, 상기 버퍼조 내에 복수의 상기 마이크로 버블 발생기를 갖는 기판처리 장치.
- 제6 항에 있어서,상기 처리액 공급부는, 상기 버퍼조에 저류된 처리액을 퍼내서 기판측에 송급하는 무맥동(無脈動) 펌프를 갖는 기판처리 장치.
- 제7 항에 있어서,처리액에 의해 처리되어 있는 기판에 대하여 초음파 진동을 부여하는 초음파진동 부여부를 더 갖춘 기판처리 장치.
- 제8 항에 있어서,상기 버퍼조 내의 처리액을 통해서 투광(投光) 및 수광(受光)을 행하는 투수광 센서를 더 갖춘 기판처리 장치.
- 제9 항에 있어서,상기 투수광 센서의 검출 신호에 근거해서 상기 마이크로 버블 발생부를 제어하는 제어부를 더 갖춘 기판처리 장치.
- 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판처리 장치에 있어서,기판을 유지하는 유지부;상기 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부;상기 처리액 공급부의 공급 경로 도중에 있어서, 처리액을 저류하는 버퍼조; 상기 버퍼조에 저류된 처리액 중에 마이크로 버블을 발생시키는 마이크로 버블 발생부를 갖춘 기판처리 장치.
- 제11 항에 있어서,상기 처리액 공급부는, 상기 버퍼조를 경유해서 처리액을 송급하는 제1의 송급 경로와, 상기 버퍼조를 통하지 않고 처리액을 송급하는 제2의 송급 경로를 갖으며, 상기 제1의 송급 경로로부터 송급되는 마이크로 버블을 포함하는 처리액과 상기 제2의 송급 경로로부터 송급되는 처리액을 합류시켜서 공급하는 기판처리 장치.
- 제12 항에 있어서,상기 제1의 송급 경로 및 상기 제2의 송급 경로의 한쪽 또는 양쪽으로부터 송급되는 처리액의 유량을 조절하는 유량 조절부를 더 갖춘 기판처리 장치.
- 제13 항에 있어서,상기 버퍼조에 공급되는 처리액의 유량과, 상기 버퍼조로부터 퍼내지는 처리액의 유량이, 같은 기판처리 장치.
- 제14 항에 있어서,상기 마이크로 버블 발생부는, 원추모양의 내측면을 갖는 용기와, 상기 용기의 내측면에 따라 처리액을 도입하는 처리액 도입부와, 상기 용기에 소정의 가스를 도입하는 가스 도입부와, 상기 용기의 수속(收束)측에서 처리액 및 가스를 토출하는 토출부를 갖으며, 상기 용기의 내부에 형성되는 처리액과 가스의 2층 선회류를 상기 토출부로부터 토출시킴으로써, 처리액 중에 마이크로 버블을 발생시키는 마이크로 버블 발생기를 갖는 기판처리 장치.
- 제15 항에 있어서,상기 마이크로 버블 발생부는, 상기 버퍼조 내에 복수의 상기 마이크로 버블 발생기를 갖는 기판처리 장치.
- 제16 항에 있어서,상기 처리액 공급부는, 상기 버퍼조에 저류된 처리액을 퍼내어 기판측에 송급하는 무맥동 펌프를 갖는 기판처리 장치.
- 제17 항에 있어서,처리액에 의해 처리되어 있는 기판에 대하여 초음파 진동을 부여하는 초음파진동 부여부를 더 갖춘 기판처리 장치.
- 제18 항에 있어서,상기 버퍼조 내의 처리액을 통해서 투광 및 수광을 하는 투수광 센서를 더 갖춘 기판처리 장치.
- 제19 항에 있어서,상기 투수광 센서의 검출 신호에 근거해서 상기 마이크로 버블 발생부를 제 어하는 제어부를 더 갖춘 기판처리 장치.
- 삭제
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-00078529 | 2006-03-22 | ||
JP2006078529 | 2006-03-22 | ||
JP2007004276A JP4869957B2 (ja) | 2006-03-22 | 2007-01-12 | 基板処理装置 |
JPJP-P-2007-00004276 | 2007-01-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070095776A KR20070095776A (ko) | 2007-10-01 |
KR100860170B1 true KR100860170B1 (ko) | 2008-09-24 |
Family
ID=38533557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070022945A KR100860170B1 (ko) | 2006-03-22 | 2007-03-08 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7841788B2 (ko) |
JP (1) | JP4869957B2 (ko) |
KR (1) | KR100860170B1 (ko) |
TW (1) | TW200802560A (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5448385B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2014-03-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5183382B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2013-04-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5666086B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2015-02-12 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | シリコンウェハ洗浄装置 |
JP2013157443A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Siltronic Ag | 洗浄方法 |
JP6037649B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2016-12-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 微細気泡発生装置、微細気泡発生方法、基板処理装置、および基板処理方法 |
JP5872382B2 (ja) | 2012-05-24 | 2016-03-01 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 超音波洗浄方法 |
JP6038623B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2016-12-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN106104762B (zh) * | 2014-03-10 | 2018-12-11 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理系统以及管道清洗方法 |
KR101607521B1 (ko) | 2014-07-08 | 2016-03-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN104353088A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-02-18 | 东南大学 | 一种脂质气泡的制备方法 |
JP6356727B2 (ja) * | 2016-05-27 | 2018-07-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN107138498A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-09-08 | 重庆达娃实业有限公司 | 玻璃薄片的简易清洗装置及其工作过程 |
US20200376448A1 (en) * | 2018-03-20 | 2020-12-03 | Shimadzu Corporation | Fine bubble supply device, and fine bubble analyzing system |
WO2020171124A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP2021106254A (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003151948A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
WO2005015625A1 (ja) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | S.E.S. Co., Ltd. | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6328125A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号切換装置 |
JPH06320124A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-11-22 | Hitachi Ltd | 超音波洗浄方法およびその洗浄装置 |
DE4316096C1 (de) | 1993-05-13 | 1994-11-10 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur naßchemischen Behandlung scheibenförmiger Werkstücke |
US5340437A (en) | 1993-10-08 | 1994-08-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for etching semiconductor wafers |
JPH07326570A (ja) | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP3662317B2 (ja) * | 1995-11-21 | 2005-06-22 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光材料処理装置の液補充方法及び感光材料処理装置 |
JP4253914B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2009-04-15 | 栗田工業株式会社 | ガス溶解洗浄水の評価装置 |
KR20010036625A (ko) | 1999-10-11 | 2001-05-07 | 윤종용 | 세정수단의 순환세정시스템 |
JP2003205230A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 攪拌タンク |
JP2005093873A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
WO2005071138A1 (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Ebara Corporation | 基板処理方法及び触媒処理液及び基板処理装置 |
JP4365254B2 (ja) * | 2004-04-05 | 2009-11-18 | 三菱電機株式会社 | 洗浄方法 |
KR100577563B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조장비에서의 감광액 공급방법 및 감광액공급장치 |
JP2005296786A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
US7392814B2 (en) * | 2004-12-24 | 2008-07-01 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
EP1844847B1 (en) * | 2005-01-13 | 2009-07-08 | National University Corporation University of Tsukuba | Microbubble generator and microbubble generating method |
JP2006192372A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Shinka Jitsugyo Kk | 洗浄物保持具、これを用いた洗浄物保持装置、洗浄装置、洗浄物洗浄方法 |
-
2007
- 2007-01-12 JP JP2007004276A patent/JP4869957B2/ja active Active
- 2007-03-02 TW TW096107248A patent/TW200802560A/zh unknown
- 2007-03-08 KR KR1020070022945A patent/KR100860170B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-21 US US11/689,077 patent/US7841788B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003151948A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
WO2005015625A1 (ja) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | S.E.S. Co., Ltd. | 基板処理方法及び基板処理装置 |
KR20060061827A (ko) * | 2003-08-12 | 2006-06-08 | 에스.이.에스 카부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070223916A1 (en) | 2007-09-27 |
JP4869957B2 (ja) | 2012-02-08 |
US7841788B2 (en) | 2010-11-30 |
JP2007288134A (ja) | 2007-11-01 |
KR20070095776A (ko) | 2007-10-01 |
TWI329341B (ko) | 2010-08-21 |
TW200802560A (en) | 2008-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100860170B1 (ko) | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 | |
EP1858059A1 (en) | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium | |
JP5449953B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20070093894A (ko) | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 프로그램 기록 매체 | |
JP2007326088A (ja) | 超音波洗浄システム及び超音波洗浄方法 | |
JP2010046590A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JP2006310456A (ja) | パーティクル除去方法および基板処理装置 | |
JP5524154B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
CN102696094A (zh) | 用于喷淋头清洁的方法和设备 | |
JP2007059868A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007173677A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH0855827A (ja) | ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置 | |
JP6987649B2 (ja) | 処理液供給装置及びその脱気方法 | |
CN101042985A (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
JP2005296868A (ja) | 超音波洗浄処理方法及びその装置 | |
JPH10109072A (ja) | 高周波洗浄装置 | |
CN103170476B (zh) | 超声波清洁法 | |
JPH10296200A (ja) | 超音波洗浄方法およびその洗浄装置 | |
CN210205982U (zh) | 研磨液过滤装置 | |
JP3913675B2 (ja) | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 | |
JP2006179764A (ja) | 基板処理装置およびパーティクル除去方法 | |
JP2005169278A (ja) | 超音波洗浄用ノズル及び超音波洗浄装置 | |
CN103418572A (zh) | 超声清洗方法和超声清洗装置 | |
JP2002086068A (ja) | 超音波振動ユニット、超音波洗浄装置、および超音波洗浄方法 | |
JP2009231668A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120821 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130819 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140826 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150820 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160818 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170823 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180904 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190829 Year of fee payment: 12 |