JP5183382B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5183382B2 JP5183382B2 JP2008238946A JP2008238946A JP5183382B2 JP 5183382 B2 JP5183382 B2 JP 5183382B2 JP 2008238946 A JP2008238946 A JP 2008238946A JP 2008238946 A JP2008238946 A JP 2008238946A JP 5183382 B2 JP5183382 B2 JP 5183382B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microbubbles
- particle size
- frequency
- substrate
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
そこで、図1に示す制御部100は、得られた微小気泡Hの粒径の度数分布から選択された微小気泡Hの粒径と固有周波数との相関近似式PLから、選択された微小気泡Hの固有周波数を得る。
11 基板装着部
12 液受けカップ
13 基板装着部の移動操作部
14 微小気泡生成装置
15 液貯蔵タンク
18 微小気泡の粒径度数分布計測器
19 周波数可変式超音波発振器
20 超音波振動子
21 クランプ部
23 処理槽
40 微小気泡生成部
41 液体供給部
42 気体供給部
50 超音波振動付与装置
80 温度センサ
100 制御部
W 処理対象物である基板
L 微小気泡を含む液体
H 微小気泡
Claims (7)
- 処理対象物である基板に対して処理を行う基板処理装置であって、
微小気泡を含む液体を貯めて、前記微小気泡を含む液体内に前記基板を浸漬して前記基板を処理する処理槽と、
前記微小気泡を含む液体をサンプリングして前記微小気泡の粒径の度数分布を計測する粒径度数分布計測器と、
前記粒径度数分布計測器から得られた前記微小気泡の粒径の度数分布から選択された前記微小気泡の粒径と固有周波数との相関近似式から、前記選択された前記微小気泡の固有周波数を得る制御部と、
前記処理槽に配置されて前記微小気泡を含む液体に対して超音波を付与するための超音波振動子と、
前記制御部からの前記微小気泡の固有周波数から発振周波数の情報を得て、前記超音波振動子を前記発振周波数で振動させて、前記微小気泡を含む液体中の前記微小気泡に超音波を付与させる超音波発振器と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記粒径度数分布計測器から得られた前記微小気泡の粒径の度数分布から選択された前記微小気泡の粒径は、最大の度数の前記微小気泡の粒径であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記粒径度数分布計測器から得られた前記微小気泡の粒径の度数分布から選択された前記微小気泡の粒径は、最大の度数の前記微小気泡の粒径および最大の度数の前記微小気泡の粒径を含む周辺の度数の前記微小気泡の粒径を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記微小気泡を含む液体を一時的に貯めて前記処理槽に前記微小気泡を含む液体を供給する液貯蔵タンクを備え、前記粒径度数分布計測器は、前記液貯蔵液タンク内の前記微小気泡を含む液体をサンプリングすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板を着脱可能で回転可能に保持する基板装着部を備えることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1つの項に記載の基板処理装置。
- 前記微小気泡を含む液体の温度の変化を測定する温度センサを有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 処理対象物である基板に対して処理を行う基板処理方法であって、
処理槽には微小気泡を含む液体を貯めて、前記微小気泡を含む液体内に前記基板を浸漬して処理し、
粒径度数分布計測器は、前記微小気泡を含む液体をサンプリングして前記微小気泡の粒径の度数分布を計測し、
制御部は、前記粒径度数分布計測器から得られた前記微小気泡の粒径の度数分布から選択された前記微小気泡の粒径と固有周波数との相関近似式から、前記選択された前記微小気泡の固有周波数を得て、
超音波発振器は、前記制御部からの前記微小気泡の固有周波数から発振周波数の情報を得て、前記超音波振動子を前記発振周波数で振動させて、前記微小気泡を含む液体中の前記微小気泡に超音波を付与させることを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008238946A JP5183382B2 (ja) | 2008-09-18 | 2008-09-18 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
TW098126385A TWI400765B (zh) | 2008-09-18 | 2009-08-05 | A substrate processing apparatus and a substrate processing method |
KR1020090087036A KR101085280B1 (ko) | 2008-09-18 | 2009-09-15 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008238946A JP5183382B2 (ja) | 2008-09-18 | 2008-09-18 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010073848A JP2010073848A (ja) | 2010-04-02 |
JP2010073848A5 JP2010073848A5 (ja) | 2011-10-27 |
JP5183382B2 true JP5183382B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=42181945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008238946A Expired - Fee Related JP5183382B2 (ja) | 2008-09-18 | 2008-09-18 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5183382B2 (ja) |
KR (1) | KR101085280B1 (ja) |
TW (1) | TWI400765B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101639635B1 (ko) | 2010-06-03 | 2016-07-25 | 삼성전자주식회사 | 메가소닉 세정 방법 및 세정 장치 |
WO2012005344A1 (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | 株式会社エクサ | ウエハ分離装置、ウエハ分離搬送装置、ウエハ分離方法、ウエハ分離搬送方法及び太陽電池用ウエハ分離搬送方法 |
JP5780593B2 (ja) * | 2011-08-04 | 2015-09-16 | アルプス電気株式会社 | 超音波洗浄装置 |
JP5453488B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2014-03-26 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 超音波洗浄方法および超音波洗浄装置 |
US9406501B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-08-02 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning substrate |
CN103567181A (zh) * | 2012-08-08 | 2014-02-12 | 华仕德科技股份有限公司 | 洗净装置及其系统 |
KR20170009539A (ko) * | 2015-07-17 | 2017-01-25 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 유닛 및 기판 처리 장치 |
WO2017081803A1 (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | 株式会社日立産機システム | 気体圧縮機 |
CN109564861B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-12-13 | 松下知识产权经营株式会社 | 微气泡清洗装置和微气泡清洗方法 |
JP6252926B1 (ja) * | 2016-07-29 | 2017-12-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 微細気泡洗浄装置及び微細気泡洗浄方法 |
TWI714174B (zh) * | 2019-07-19 | 2020-12-21 | 林柏翰 | 奈米氣泡製造方法、系統及肥料製造方法、裝置 |
TWI755122B (zh) * | 2020-10-28 | 2022-02-11 | 辛耘企業股份有限公司 | 晶圓蝕刻機 |
KR102640849B1 (ko) * | 2021-10-14 | 2024-02-28 | 주식회사 한국고분자 | Mc 나일론 패널 제조용 기포 제거장치 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10172948A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-26 | Sony Corp | 超音波洗浄装置 |
JPH10235303A (ja) | 1997-02-28 | 1998-09-08 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 超音波洗浄装置 |
JP4253914B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2009-04-15 | 栗田工業株式会社 | ガス溶解洗浄水の評価装置 |
JP2001284306A (ja) | 2000-03-28 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP2005093873A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
JP2005045005A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェット処理方法 |
US7392814B2 (en) * | 2004-12-24 | 2008-07-01 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
JP2007165695A (ja) | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Kaijo Corp | 超音波洗浄装置及びその超音波洗浄方法 |
JP4869957B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-02-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2007253000A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Toshiba Corp | マイクロバブル発生装置およびその方法 |
JP2007326088A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 超音波洗浄システム及び超音波洗浄方法 |
JP2008021672A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-31 | Sony Corp | ガス過飽和溶液を用いた超音波洗浄方法及び洗浄装置 |
JP3143459U (ja) * | 2008-05-12 | 2008-07-24 | 微星科技股▲分▼有限公司 | 頭蓋内圧の測定システム |
-
2008
- 2008-09-18 JP JP2008238946A patent/JP5183382B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-05 TW TW098126385A patent/TWI400765B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-09-15 KR KR1020090087036A patent/KR101085280B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100032828A (ko) | 2010-03-26 |
KR101085280B1 (ko) | 2011-11-22 |
TWI400765B (zh) | 2013-07-01 |
TW201013814A (en) | 2010-04-01 |
JP2010073848A (ja) | 2010-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5183382B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5449953B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005093873A (ja) | 基板処理装置 | |
US9662686B2 (en) | Ultrasonic cleaning method and apparatus | |
JP4914413B2 (ja) | ウエハー洗浄装置及び方法 | |
KR100526192B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 및 세정방법 | |
JP2009088227A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
JP2010219119A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100598112B1 (ko) | 이중 세정 프로브를 갖는 초음파 세정 장치 및 세정 방법 | |
JPH049670A (ja) | 分析装置 | |
JP6372068B2 (ja) | 微細工具のリコンディショニング装置およびリコンディショニング機能付き加工装置 | |
JP2009170709A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
JP4255818B2 (ja) | 超音波洗浄用ノズル及び超音波洗浄装置 | |
JP2005093733A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4957277B2 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
JP2005158913A (ja) | 超音波ノズルおよび基板処理装置 | |
JP5089313B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
KR100873937B1 (ko) | 웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법 | |
JP3927936B2 (ja) | 枚葉式洗浄方法及び洗浄装置 | |
JP2850887B2 (ja) | ウエーハの洗浄方法及びその装置 | |
TW201402236A (zh) | 超音波清潔方法及超音波清潔裝置 | |
JP4481811B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP2004260099A (ja) | 処理流体供給装置およびこれを適用した基板処理装置、ならびに基板処理方法 | |
KR20070073311A (ko) | 웨이퍼 초음파 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법 | |
JP2006095458A (ja) | 枚葉式洗浄方法及び洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |