JPH1079371A - ウエットエッチング処理方法およびその装置 - Google Patents
ウエットエッチング処理方法およびその装置Info
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- JPH1079371A JPH1079371A JP23503196A JP23503196A JPH1079371A JP H1079371 A JPH1079371 A JP H1079371A JP 23503196 A JP23503196 A JP 23503196A JP 23503196 A JP23503196 A JP 23503196A JP H1079371 A JPH1079371 A JP H1079371A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の裏面にパーティクルが付着し難く、大
面積基板でも良好な処理を行えるウエットエッチング処
理方法を提供すること。 【解決手段】 基板４の表面にエッチング液を吹付けて
この表面をエッチングするウエットエッチング処理方法
において、上記基板４の裏面に、表面と同時にエッチン
グ液を吹付けることを特徴とするウエットエッチング処
理方法である。上記構成によると、基板の裏面に、表面
と同時にエッチング液を吹付けるため、裏面に液流が発
生し、この液流によって基板の裏面へのエッチング液の
回り込みを防止できる。そのため基板の表面から流れる
エッチング液中に含まれているパーティクルが表面に付
着し難くなる。また、基板の表面と裏面とで同じエッチ
ング液を用いて処理するため、その表面と裏面とで生じ
るゼータ電位が同電位となるから、電位差によってパー
ティクルの裏面へに付着を防止できる。
面積基板でも良好な処理を行えるウエットエッチング処
理方法を提供すること。 【解決手段】 基板４の表面にエッチング液を吹付けて
この表面をエッチングするウエットエッチング処理方法
において、上記基板４の裏面に、表面と同時にエッチン
グ液を吹付けることを特徴とするウエットエッチング処
理方法である。上記構成によると、基板の裏面に、表面
と同時にエッチング液を吹付けるため、裏面に液流が発
生し、この液流によって基板の裏面へのエッチング液の
回り込みを防止できる。そのため基板の表面から流れる
エッチング液中に含まれているパーティクルが表面に付
着し難くなる。また、基板の表面と裏面とで同じエッチ
ング液を用いて処理するため、その表面と裏面とで生じ
るゼータ電位が同電位となるから、電位差によってパー
ティクルの裏面へに付着を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板をウエットエッ
チング処理する方法およびその装置に係わり、特に基板
に生じる酸化膜を除去する技術に関する。
チング処理する方法およびその装置に係わり、特に基板
に生じる酸化膜を除去する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、液晶表示装置の製造工程におい
ては、ワ−クとしての矩形状のガラス製の基板に回路パ
タ−ンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセス
を行う。通常、液晶表示装置などの集積回路では、例え
ばガラス基板の表面にＣＶＤなどで形成された金属膜、
シリコン膜あるいはクロム膜などが成膜される。これら
の成膜は、大気中にさらされることによって表面が酸化
され、そのため上記のような集積回路を形成する前にこ
の酸化膜を除去するため、薬液などの処理液を用いたウ
エットエッチングが採用されている。
ては、ワ−クとしての矩形状のガラス製の基板に回路パ
タ−ンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセス
を行う。通常、液晶表示装置などの集積回路では、例え
ばガラス基板の表面にＣＶＤなどで形成された金属膜、
シリコン膜あるいはクロム膜などが成膜される。これら
の成膜は、大気中にさらされることによって表面が酸化
され、そのため上記のような集積回路を形成する前にこ
の酸化膜を除去するため、薬液などの処理液を用いたウ
エットエッチングが採用されている。
【０００３】上記酸化膜除去のウエットエッチング処理
では、基板に対して上方からエッチング液を吹付けて、
エッチング処理を行っている。この場合ウエットエッチ
ングは、基板がローラなどの移送手段により処理部位へ
と送られて、この基板の表面に対してエッチング液を吹
付ける。これにより、基板表面のエッチング処理が行わ
れ、そして処理終了後に、基板は再び移送手段によって
次処理工程へと移送される。
では、基板に対して上方からエッチング液を吹付けて、
エッチング処理を行っている。この場合ウエットエッチ
ングは、基板がローラなどの移送手段により処理部位へ
と送られて、この基板の表面に対してエッチング液を吹
付ける。これにより、基板表面のエッチング処理が行わ
れ、そして処理終了後に、基板は再び移送手段によって
次処理工程へと移送される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記のような
酸化膜除去のためのエッチング液を基板の表面に吹付け
る場合、この基板の表面に吹付けられたエッチング液が
基板の裏面側に回り込む場合が多い。上記エッチング液
には基板表面のウエットエッチングにより発生するパー
ティクルが含まれており、これが基板の裏面側に回り込
んで次の工程のすすぎでもパーティクルが取れず、基板
が乾燥してしまうと基板からこのパーティクルの除去が
難しくなる。
酸化膜除去のためのエッチング液を基板の表面に吹付け
る場合、この基板の表面に吹付けられたエッチング液が
基板の裏面側に回り込む場合が多い。上記エッチング液
には基板表面のウエットエッチングにより発生するパー
ティクルが含まれており、これが基板の裏面側に回り込
んで次の工程のすすぎでもパーティクルが取れず、基板
が乾燥してしまうと基板からこのパーティクルの除去が
難しくなる。
【０００５】また最近は、基板の大面積化が行われるよ
うになっている。一例として、従来は、基板サイズが３
００mm×４００mm程度が主流であったが、最近は５５０
mm×６５０mm程度にまで大面積化されたものが少なくな
い。このような基板では、サイズが従来の基板よりも大
きいものであるため、基板表面へのエッチング液の吹付
け量も多くなり、それによって基板裏面へのエッチング
液の回り込み量も多くなっている。そのためパーティク
ルが基板裏面へ付着する量も多くなり、よって次工程の
すすぎだけでは基板裏面からパーティクルを除去するこ
とが従来サイズの基板と比較してより難しくなってい
る。
うになっている。一例として、従来は、基板サイズが３
００mm×４００mm程度が主流であったが、最近は５５０
mm×６５０mm程度にまで大面積化されたものが少なくな
い。このような基板では、サイズが従来の基板よりも大
きいものであるため、基板表面へのエッチング液の吹付
け量も多くなり、それによって基板裏面へのエッチング
液の回り込み量も多くなっている。そのためパーティク
ルが基板裏面へ付着する量も多くなり、よって次工程の
すすぎだけでは基板裏面からパーティクルを除去するこ
とが従来サイズの基板と比較してより難しくなってい
る。
【０００６】さらに基板の大面積化により、パーティク
ルが一層付着しやすくなっている。すなわち、基板の表
面にエッチング液を吹付けると、基板の表面では、パー
ティクルと基板表面とがゼータ電位により同じ電荷同士
となるため反発して付着しにくくなっているが、このパ
ーティクルが基板裏面側に回り込んでしまうとパーティ
クルの有している電荷により、上記基板表面に比較して
静電気力により基板裏面へ上記パーティクルが付着しや
すいものとなっている。このゼータ電位によってパーテ
ィクルが基板裏面に付着すると、通常のパーティクルの
付着と比較して取れ難いということがある。
ルが一層付着しやすくなっている。すなわち、基板の表
面にエッチング液を吹付けると、基板の表面では、パー
ティクルと基板表面とがゼータ電位により同じ電荷同士
となるため反発して付着しにくくなっているが、このパ
ーティクルが基板裏面側に回り込んでしまうとパーティ
クルの有している電荷により、上記基板表面に比較して
静電気力により基板裏面へ上記パーティクルが付着しや
すいものとなっている。このゼータ電位によってパーテ
ィクルが基板裏面に付着すると、通常のパーティクルの
付着と比較して取れ難いということがある。
【０００７】本発明は上記の事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、基板の裏面にパーティ
クルが付着し難く、大面積基板でも良好な処理を行える
ウエットエッチング処理方法およびその装置を提供しよ
うとするものである。
ので、その目的とするところは、基板の裏面にパーティ
クルが付着し難く、大面積基板でも良好な処理を行える
ウエットエッチング処理方法およびその装置を提供しよ
うとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基板の表面にエッチング液
を吹付けてこの表面をエッチングするウエットエッチン
グ処理方法において、上記基板の裏面に、表面と同時に
エッチング液を吹付けることを特徴とするウエットエッ
チング処理方法である。
に、請求項１記載の発明は、基板の表面にエッチング液
を吹付けてこの表面をエッチングするウエットエッチン
グ処理方法において、上記基板の裏面に、表面と同時に
エッチング液を吹付けることを特徴とするウエットエッ
チング処理方法である。
【０００９】請求項２記載の発明は、上記表面に吹付け
られるエッチング液は裏面よりも多いことを特徴とする
請求項１記載のウエットエッチング処理方法である。請
求項３記載の発明は、基板の表面にエッチング液を吹付
けてこの表面をエッチングするウエットエッチング処理
装置において、処理容器と、上記処理容器内部に上記基
板を搬送する搬送手段と、上記基板の表面にエッチング
液を吐出させる表面エッチング液吐出手段と、上記基板
の裏面に、表面と同時にかつこの表面よりも少なくなる
ようにエッチング液を吹付ける裏面エッチング液吐出手
段と、を具備したことを特徴とするウエットエッチング
処理装置である。
られるエッチング液は裏面よりも多いことを特徴とする
請求項１記載のウエットエッチング処理方法である。請
求項３記載の発明は、基板の表面にエッチング液を吹付
けてこの表面をエッチングするウエットエッチング処理
装置において、処理容器と、上記処理容器内部に上記基
板を搬送する搬送手段と、上記基板の表面にエッチング
液を吐出させる表面エッチング液吐出手段と、上記基板
の裏面に、表面と同時にかつこの表面よりも少なくなる
ようにエッチング液を吹付ける裏面エッチング液吐出手
段と、を具備したことを特徴とするウエットエッチング
処理装置である。
【００１０】請求項１、請求項３の発明によると、基板
の裏面に、表面と同時にエッチング液を吹付けるため、
基板裏面に吹付けられたエッチング液により、裏面に液
流が発生し、この液流によって基板の裏面へのエッチン
グ液の回り込みを防止することが可能となっている。そ
のため基板の表面にエッチング液中に含まれているパー
ティクルが付着し難くなる。よって大面積の基板の処理
をも良好に行うことができる。
の裏面に、表面と同時にエッチング液を吹付けるため、
基板裏面に吹付けられたエッチング液により、裏面に液
流が発生し、この液流によって基板の裏面へのエッチン
グ液の回り込みを防止することが可能となっている。そ
のため基板の表面にエッチング液中に含まれているパー
ティクルが付着し難くなる。よって大面積の基板の処理
をも良好に行うことができる。
【００１１】また、表面と裏面とで同じエッチング液を
用いて処理するため、基板の表面と裏面とでいわゆるゼ
ータ電位が生じて同電位となるから、パーティクルが裏
面に付着するのを防止することができる。
用いて処理するため、基板の表面と裏面とでいわゆるゼ
ータ電位が生じて同電位となるから、パーティクルが裏
面に付着するのを防止することができる。
【００１２】請求項２の発明によると、上記裏面に吹付
けられるエッチング液は表面よりも少なくすることで上
記裏面へのパーティクルの付着を防止するためのエッチ
ング液の使用量を少なくして裏面へのエッチング液の回
り込みを防止することもできる。
けられるエッチング液は表面よりも少なくすることで上
記裏面へのパーティクルの付着を防止するためのエッチ
ング液の使用量を少なくして裏面へのエッチング液の回
り込みを防止することもできる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図１ないし図２に基づいて説明する。ウエットエ
ッチングは、図１に示すエッチング処理装置１によって
行われる。エッチング処理装置１は処理容器２を有して
おり、この処理容器２の側壁の一方と他方にそれぞれス
リット状に形成された搬入口３ａと搬出口３ｂを有し
て、処理容器２内部への基板４の搬入、および処理容器
２内部からの基板４の搬出を可能としている。基板４
は、例えば液晶表示装置に用いられるガラス基板の表面
にＳｉが成膜され、その表面部分が酸化して、ＳｉＯ2
の酸化膜が形成されていて、この基板４に対して後述す
るエッチング液を吹付けてエッチング処理を行う。この
処理容器２の底部には、エッチング液を外部へ排出する
排出路５が形成されている。エッチング液は、例えばフ
ッ酸のようにＳｉＯ2 の酸化膜だけを溶解し、Ｓｉ自体
は溶解しないものが用いられる。
いて、図１ないし図２に基づいて説明する。ウエットエ
ッチングは、図１に示すエッチング処理装置１によって
行われる。エッチング処理装置１は処理容器２を有して
おり、この処理容器２の側壁の一方と他方にそれぞれス
リット状に形成された搬入口３ａと搬出口３ｂを有し
て、処理容器２内部への基板４の搬入、および処理容器
２内部からの基板４の搬出を可能としている。基板４
は、例えば液晶表示装置に用いられるガラス基板の表面
にＳｉが成膜され、その表面部分が酸化して、ＳｉＯ2
の酸化膜が形成されていて、この基板４に対して後述す
るエッチング液を吹付けてエッチング処理を行う。この
処理容器２の底部には、エッチング液を外部へ排出する
排出路５が形成されている。エッチング液は、例えばフ
ッ酸のようにＳｉＯ2 の酸化膜だけを溶解し、Ｓｉ自体
は溶解しないものが用いられる。
【００１４】上記基板４の移送は搬送手段６によって行
われる。この搬送手段６は処理容器２の内部および外部
に配置された複数の搬送ローラ７を有する。搬送ローラ
７は上記搬入口３ａおよび搬出口３ｂとほぼ同じ高さに
配置され、それによって基板４を一方に形成された上記
搬入口３ａから搬入し、他方に形成された搬出口３ｂか
ら搬出できるようになっている。
われる。この搬送手段６は処理容器２の内部および外部
に配置された複数の搬送ローラ７を有する。搬送ローラ
７は上記搬入口３ａおよび搬出口３ｂとほぼ同じ高さに
配置され、それによって基板４を一方に形成された上記
搬入口３ａから搬入し、他方に形成された搬出口３ｂか
ら搬出できるようになっている。
【００１５】上記処理容器２の外方には、エッチング液
が蓄えられているタンク８が設けられている。タンク８
には供給配管９が接続されており、この供給配管９の中
途部には供給ポンプ１０が設けられ、これによってエッ
チング液はタンク８から上記供給配管９へ供給される。
供給配管９の先端側は、上記処理容器２の内部に送り込
まれる基板４の表面側および裏面側にそれぞれ対向する
上部分岐配管９ａおよび下部分岐配管９ｂに分岐されて
いる。これら上部分岐配管９ａおよび下部分岐配管９ｂ
にはそれぞれ複数個のノズル１２が所定間隔ごとに設け
られている。
が蓄えられているタンク８が設けられている。タンク８
には供給配管９が接続されており、この供給配管９の中
途部には供給ポンプ１０が設けられ、これによってエッ
チング液はタンク８から上記供給配管９へ供給される。
供給配管９の先端側は、上記処理容器２の内部に送り込
まれる基板４の表面側および裏面側にそれぞれ対向する
上部分岐配管９ａおよび下部分岐配管９ｂに分岐されて
いる。これら上部分岐配管９ａおよび下部分岐配管９ｂ
にはそれぞれ複数個のノズル１２が所定間隔ごとに設け
られている。
【００１６】上記上部分岐配管９ａおよび下部分岐配管
９ｂの上記処理容器２の外方に位置する部分には、それ
ぞれエッチング液の流量を調整する絞り弁１１，１１が
設けられている。
９ｂの上記処理容器２の外方に位置する部分には、それ
ぞれエッチング液の流量を調整する絞り弁１１，１１が
設けられている。
【００１７】上記処理容器２の内部では、上部分岐配管
９ａおよび下部分岐配管９ｂが基板４の各部に対してエ
ッチング液を均一に供給できるようにするため、上方か
ら見るとさらに水平に枝分かれして設けられている。な
お水平に枝分かれしなくても、エッチング液を均一に基
板４に吹付け可能であれば、特に枝分かれしなくてもよ
い。
９ａおよび下部分岐配管９ｂが基板４の各部に対してエ
ッチング液を均一に供給できるようにするため、上方か
ら見るとさらに水平に枝分かれして設けられている。な
お水平に枝分かれしなくても、エッチング液を均一に基
板４に吹付け可能であれば、特に枝分かれしなくてもよ
い。
【００１８】次に、上記構成のエッチング処理装置１に
よって基板４をウエットエッチング処理する手順を説明
する。基板４は、搬送手段６によって搬入口３ａを通過
して処理容器２内部へと搬入され、この処理容器２内部
の所定位置で位置決めされる。位置決め後、絞り弁１
１，１１を調整開放し、上部分岐配管９ａおよび下部分
岐配管９ｂにエッチング液を供給可能として供給ポンプ
１０を作動させる。すると、上部分岐配管９ａおよび下
部分岐配管９ｂにそれぞれ設けられたノズル１２から、
エッチング液が基板４の表面および裏面に対して同時に
吹付けられる。
よって基板４をウエットエッチング処理する手順を説明
する。基板４は、搬送手段６によって搬入口３ａを通過
して処理容器２内部へと搬入され、この処理容器２内部
の所定位置で位置決めされる。位置決め後、絞り弁１
１，１１を調整開放し、上部分岐配管９ａおよび下部分
岐配管９ｂにエッチング液を供給可能として供給ポンプ
１０を作動させる。すると、上部分岐配管９ａおよび下
部分岐配管９ｂにそれぞれ設けられたノズル１２から、
エッチング液が基板４の表面および裏面に対して同時に
吹付けられる。
【００１９】この場合、図２に示すように上部分岐配管
９ａによるエッチング液の吹付け量を、下部分岐配管９
ｂによるエッチング液の吹付け量よりも多くして、ノズ
ル１２から基板４へ吹付けるようにする。すると、基板
４の表面側には矢印Ａで示すように基板４の端部４ａへ
向かうエッチング液の流れが形成されて、さらに基板４
の裏面側にも矢印Ｂで示すようなエッチング液の流れが
形成される。
９ａによるエッチング液の吹付け量を、下部分岐配管９
ｂによるエッチング液の吹付け量よりも多くして、ノズ
ル１２から基板４へ吹付けるようにする。すると、基板
４の表面側には矢印Ａで示すように基板４の端部４ａへ
向かうエッチング液の流れが形成されて、さらに基板４
の裏面側にも矢印Ｂで示すようなエッチング液の流れが
形成される。
【００２０】ここで、上記基板４の表面側のエッチング
液は、基板４の裏面側にエッチング液が吹付けられる
と、基板４の裏面側で端部４ａに向かうエッチング液の
流れが形成されるために、基板４の端部４ａでこれらの
流れが合流して下方へ流れるから、裏面側に回り込むの
が防止される。
液は、基板４の裏面側にエッチング液が吹付けられる
と、基板４の裏面側で端部４ａに向かうエッチング液の
流れが形成されるために、基板４の端部４ａでこれらの
流れが合流して下方へ流れるから、裏面側に回り込むの
が防止される。
【００２１】このようなウエットエッチングによれば、
基板４の裏面側に吹付けられたエッチング液の流れと、
基板４の表面側に吹付けられて基板４の表面に沿って生
じたエッチング液の流れとが基板４の端部４ａで合流す
る。よって、基板４の裏面側へのエッチング液の回り込
みを防止することが可能となる。
基板４の裏面側に吹付けられたエッチング液の流れと、
基板４の表面側に吹付けられて基板４の表面に沿って生
じたエッチング液の流れとが基板４の端部４ａで合流す
る。よって、基板４の裏面側へのエッチング液の回り込
みを防止することが可能となる。
【００２２】そのため、基板４の表面側のエッチング処
理で発生する、エッチング液中に含まれている例えばＳ
ｉＯ2 の微小パーティクルが回り込んで付着することが
なく、よって基板４の表面側の処理を良好なものとする
ことが可能となり、かつ大面積の基板４でも、上記パー
ティクルの回り込みが発生しないから、ウエットエッチ
ング処理を良好に行うことが可能となっている。
理で発生する、エッチング液中に含まれている例えばＳ
ｉＯ2 の微小パーティクルが回り込んで付着することが
なく、よって基板４の表面側の処理を良好なものとする
ことが可能となり、かつ大面積の基板４でも、上記パー
ティクルの回り込みが発生しないから、ウエットエッチ
ング処理を良好に行うことが可能となっている。
【００２３】また、発明者が実験したところ、基板４の
表面と裏面に吹付けるエッチング液の量を３：２とした
ところ、基板４の裏面へのパーティクルの付着がほとん
ど見られないことが確認された。
表面と裏面に吹付けるエッチング液の量を３：２とした
ところ、基板４の裏面へのパーティクルの付着がほとん
ど見られないことが確認された。
【００２４】さらに、基板４の表面側と裏面側とで同じ
エッチング液を吹付けているため、基板４の表面側と裏
面側とで生じるゼータ電位が同電位となる。そのため、
電位差によって基板４の表面からのエッチング液中不純
物やパーティクルが裏面に付着するのが防止される。
エッチング液を吹付けているため、基板４の表面側と裏
面側とで生じるゼータ電位が同電位となる。そのため、
電位差によって基板４の表面からのエッチング液中不純
物やパーティクルが裏面に付着するのが防止される。
【００２５】そして、上記基板４の表面へ吹付けられる
エッチング液の流量が、上記基板４の裏面側に吹付けら
れるエッチング液の流量よりも多くした。特に、その流
量を表面側：裏面側で３：２とすれば、基板４の裏面側
へのエッチング液の回り込みを効果的に防止することが
可能となり、しかも必要以上に多くのエッチング液を裏
面側に吹付けずに済むから、エッチング液の無駄をなく
することができる。
エッチング液の流量が、上記基板４の裏面側に吹付けら
れるエッチング液の流量よりも多くした。特に、その流
量を表面側：裏面側で３：２とすれば、基板４の裏面側
へのエッチング液の回り込みを効果的に防止することが
可能となり、しかも必要以上に多くのエッチング液を裏
面側に吹付けずに済むから、エッチング液の無駄をなく
することができる。
【００２６】以上、本発明の一実施の形態について説明
したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となってい
る。以下それについて述べる。上記実施の形態では、エ
ッチング処理される基板４は、ガラス基板の表面にＳｉ
が成膜されたものとなっているが、ガラス基板ではな
く、半導体ウエハの表面に成膜するものであってもよ
い。また、上記ガラス基板表面などの成膜は、Ｓｉを成
膜する場合に限られず、例えば金属膜やあるいはクロム
膜であっても構わない。その他、本発明の要旨を変更し
ない範囲において、種々変形可能となっている。
したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となってい
る。以下それについて述べる。上記実施の形態では、エ
ッチング処理される基板４は、ガラス基板の表面にＳｉ
が成膜されたものとなっているが、ガラス基板ではな
く、半導体ウエハの表面に成膜するものであってもよ
い。また、上記ガラス基板表面などの成膜は、Ｓｉを成
膜する場合に限られず、例えば金属膜やあるいはクロム
膜であっても構わない。その他、本発明の要旨を変更し
ない範囲において、種々変形可能となっている。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１、請求項
３記載の発明によると、基板の裏面に、表面と同時にエ
ッチング液を吹付けるため、基板裏面に吹付けられたエ
ッチング液により、裏面に液流が発生し、この液流によ
って基板の裏面へのエッチング液の回り込みを防止する
ことができる。そのため基板の表面から流れるエッチン
グ液中に含まれているパーティクルが表面に付着し難く
なる。
３記載の発明によると、基板の裏面に、表面と同時にエ
ッチング液を吹付けるため、基板裏面に吹付けられたエ
ッチング液により、裏面に液流が発生し、この液流によ
って基板の裏面へのエッチング液の回り込みを防止する
ことができる。そのため基板の表面から流れるエッチン
グ液中に含まれているパーティクルが表面に付着し難く
なる。
【００２８】また、基板の表面と裏面とで同じエッチン
グ液を用いて処理するため、その表面と裏面とで生じる
ゼータ電位が同電位となるから、電位差によってパーテ
ィクルが裏面に付着するのを防止することができる。
グ液を用いて処理するため、その表面と裏面とで生じる
ゼータ電位が同電位となるから、電位差によってパーテ
ィクルが裏面に付着するのを防止することができる。
【００２９】請求項２記載の発明によると、上記表面に
吹付けられるエッチング液を裏面よりも多くした。つま
り、基板裏面へのエッチング液の吹付け量を必要以上に
多くせずに裏面へのエッチング液の回り込みを防止する
こともできる。
吹付けられるエッチング液を裏面よりも多くした。つま
り、基板裏面へのエッチング液の吹付け量を必要以上に
多くせずに裏面へのエッチング液の回り込みを防止する
こともできる。
【図１】本発明の一実施の形態に係わるウエットエッチ
ング処理方法を実施するためのエッチング処理装置。
ング処理方法を実施するためのエッチング処理装置。
【図２】同実施の形態に係わる基板に生じるエッチング
液の流れを示す部分拡大図。
液の流れを示す部分拡大図。
１…エッチング処理装置 ２…処理容器 ４…基板 ６…搬送手段 ７…搬送ローラ ８…タンク ９…供給配管 １０…供給ポンプ １１…絞り弁 １２…ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の表面にエッチング液を吹付けてこ
の表面をエッチングするウエットエッチング処理方法に
おいて、 上記基板の裏面に、表面と同時にエッチング液を吹付け
ることを特徴とするウエットエッチング処理方法。 - 【請求項２】 上記表面に吹付けられるエッチング液は
裏面よりも多いことを特徴とする請求項１記載のウエッ
トエッチング処理方法。 - 【請求項３】 基板の表面にエッチング液を吹付けてこ
の表面をエッチングするウエットエッチング処理装置に
おいて、 処理容器と、 上記処理容器内部に上記基板を搬送する搬送手段と、 上記基板の表面にエッチング液を吐出させる表面エッチ
ング液吐出手段と、 上記基板の裏面に、表面と同時にかつこの表面よりも少
なくなるようにエッチング液を吹付ける裏面エッチング
液吐出手段と、 を具備したことを特徴とするウエットエッチング処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23503196A JP2871614B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ウエットエッチング処理方法およびその装置 |
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|---|---|---|---|
| JP23503196A JP2871614B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ウエットエッチング処理方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079371A true JPH1079371A (ja) | 1998-03-24 |
| JP2871614B2 JP2871614B2 (ja) | 1999-03-17 |
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ID=16980066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23503196A Expired - Lifetime JP2871614B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | ウエットエッチング処理方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871614B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7119027B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-10-10 | Hitachi Displays Ltd. | Method for manufacturing display device that includes supplying solution to the underside of a glass substrate |
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| KR100929577B1 (ko) | 2008-05-08 | 2009-12-03 | 세메스 주식회사 | 롤러 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| JP2011100872A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 基板表面処理装置、基板処理方法および光起電力装置の製造方法 |
| US8377830B2 (en) | 2006-02-23 | 2013-02-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and wet processing apparatus |
| CN106163116A (zh) * | 2015-05-14 | 2016-11-23 | 台湾先进系统股份有限公司 | 电路板的预润装置 |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP23503196A patent/JP2871614B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JP2871614B2 (ja) | 1999-03-17 |
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