JP2011100872A - 基板表面処理装置、基板処理方法および光起電力装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板表面処理装置1は、基板106の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽101と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラー103と、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口107が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段122をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る基板表面処理装置1の断面構造を示す模式図である。薬液槽101には薬液102が満たされている。薬液槽エッジ118からあふれた薬液102はオーバーフロー槽108内にこぼれ落ち、こぼれ落ちた薬液102はドレンライン115を経由して、バッファータンク113へ注入される。バッファータンク113内の薬液102は、循環ポンプ114により循環ライン116を経由して再び薬液槽101へ注入される。循環ライン116からの薬液流れが薬液槽101の薬液面に波立ちを発生させないように整流板117が設けられている。
図8は、本発明の実施の形態2に係る基板表面処理装置の薬液槽内部の側面図である。実施の形態1と同様の構成については、同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施の形態2では、薬液移送手段222の設置位置に特徴がある。図8に示すように、薬液移送手段222の開口207が、搬送ローラー103同士の中央ではなく、いずれか一方の搬送ローラー103側に寄った位置に設置されている。これにより、開口から噴出された薬液が矢印401に示すように流れ、高濃度薬液を基板面へ効率よく供給することができる。これにより、エッチング速度低下を抑制することができる。
図11は、本発明の実施の形態3に係る基板表面処理装置の概略構成を示す断面図である。なお、図11では、エッチング工程よりも下流で基板の処理を行うオーバーフロー層やリンス層を省略している。上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施の形態3では、エッチング速度の低下を検出して、その検出結果に応じて薬液の噴出量を制御することを特徴とする。
2 耐エッチング性膜
3 微細開口
4 テクスチャ窪み
21a N層
22 反射防止膜
23 受光面側電極
24 裏面電極
30 光起電力装置
101 薬液槽
102 薬液
103 搬送ローラー
104 薬液液面
105 基板搬送方向
106 基板
106a p型多結晶シリコン基板
107 開口
108 オーバーフロー槽
109 エアナイフ
110 リンスシャワーノズル
111 リンス槽
112 リンス液
113 バッファータンク
114 循環ポンプ
115 ドレンライン
116 循環ライン
117 整流板
118 薬液槽エッジ
119 乾燥用エアナイフ
120 乾燥槽
121 薬液移送用ポンプ
122 薬液移送手段
205 開口
207 開口
222,223,224 薬液移送手段
350 濃度計
351 薬液制御手段
401 矢印
Claims (7)
- 基板の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽と、前記薬液槽内に回転自在に設けられて前記基板を搬送する複数の搬送ローラーと、を有し、前記基板を搬送しながら前記薬液で前記基板を表面処理する基板表面処理装置であって、
前記薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口が形成されて前記開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段をさらに有し、
前記薬液移送手段は、隣接する前記搬送ローラー同士の間に前記開口が位置するように配置されることを特徴とする基板表面処理装置。 - 前記薬液移送手段は、前記開口から薬液を噴出して薬液を移送することを特徴とする請求項1に記載の基板表面処理装置。
- 前記薬液移送手段の開口から前記搬送ローラーに向けて薬液が噴出されることを特徴とする請求項2に記載の基板表面処理装置。
- 前記薬液移送手段は、前記開口から薬液を吸入して薬液を移送することを特徴とする請求項1に記載の基板表面処理装置。
- 隣接する前記搬送ローラー同士の間に複数の前記開口が位置するように複数の前記薬液移送手段が配置され、少なくとも1の開口から前記薬液が噴出され、他の開口から前記薬液が吸入されることを特徴とする請求項1に記載の基板表面処理装置。
- 基板の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽内に回転自在に設けられた複数の搬送ローラーを回転させて基板を搬送し、
前記薬液槽内に配置される薬液移送手段に形成された開口を通して前記薬液を移送し、
前記薬液移送手段は、隣接する前記搬送ローラー同士の間に前記開口が位置するように配置されることを特徴とする基板処理方法。 - 第1導電型の半導体基板の表面に保護膜を形成し、
前記保護膜に開口を形成し、
前記開口が形成された前記保護膜をマスクとして、前記半導体基板における前記保護膜が形成された面に対して、請求項6に記載の基板処理方法によりエッチングを施し、
前記保護膜を除去し、
前記半導体基板の一面側に、第2導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成し、
前記半導体基板の一面側における電極形成領域および前記半導体基板の他面側に電極を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013027831A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR20130053372A (ko) * | 2011-11-12 | 2013-05-23 | 레나 게엠베하 | 평면형 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법 |
KR101279378B1 (ko) | 2011-07-20 | 2013-07-24 | 주식회사 디엠에스 | 기판처리장치 |
US9214366B2 (en) | 2011-07-20 | 2015-12-15 | Dms Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate by applying chemical solution on substrate using plural rollers |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1079371A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ウエットエッチング処理方法およびその装置 |
JP2003332298A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2005064020A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Hitachi Ltd | 表示素子の製造方法 |
JP2006303042A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 基板表面処理装置 |
WO2009009931A1 (fr) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Wuxi Suntech Power Co., Ltd | Procédé de traitement d'une surface de substrat semi-conducteur et dispositif de traitement chimique pour la surface de substrat semi-conducteur |
WO2009128324A1 (ja) * | 2008-04-17 | 2009-10-22 | 三菱電機株式会社 | 基板の粗面化方法、光起電力装置の製造方法 |
-
2009
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1079371A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ウエットエッチング処理方法およびその装置 |
JP2003332298A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2005064020A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Hitachi Ltd | 表示素子の製造方法 |
JP2006303042A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 基板表面処理装置 |
WO2009009931A1 (fr) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Wuxi Suntech Power Co., Ltd | Procédé de traitement d'une surface de substrat semi-conducteur et dispositif de traitement chimique pour la surface de substrat semi-conducteur |
WO2009128324A1 (ja) * | 2008-04-17 | 2009-10-22 | 三菱電機株式会社 | 基板の粗面化方法、光起電力装置の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101279378B1 (ko) | 2011-07-20 | 2013-07-24 | 주식회사 디엠에스 | 기판처리장치 |
US9214366B2 (en) | 2011-07-20 | 2015-12-15 | Dms Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate by applying chemical solution on substrate using plural rollers |
JP2013027831A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR20130053372A (ko) * | 2011-11-12 | 2013-05-23 | 레나 게엠베하 | 평면형 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법 |
KR102174364B1 (ko) * | 2011-11-12 | 2020-11-05 | 레나 테크놀로지스 게엠베하 | 평면형 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법 |
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