CN215680625U - 刻蚀槽结构以及刻蚀机 - Google Patents

刻蚀槽结构以及刻蚀机 Download PDF

Info

Publication number
CN215680625U
CN215680625U CN202122031911.9U CN202122031911U CN215680625U CN 215680625 U CN215680625 U CN 215680625U CN 202122031911 U CN202122031911 U CN 202122031911U CN 215680625 U CN215680625 U CN 215680625U
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
liquid
groove
pipeline
silicon wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202122031911.9U
Other languages
English (en)
Inventor
王涛
单伟
何胜
徐伟智
黄海燕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chint New Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Haining Astronergy Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Haining Astronergy Technology Co ltd filed Critical Haining Astronergy Technology Co ltd
Priority to CN202122031911.9U priority Critical patent/CN215680625U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN215680625U publication Critical patent/CN215680625U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本实用新型提供了一种刻蚀槽结构,包括依次排列的正面刻蚀槽和背面刻蚀槽;第一传送装置和第二传送装置,该第一传送装置设置在所述正面刻蚀槽的开口处,该第二传送装置设置在所述背面刻蚀槽的开口处,该第一传送装置和第二传送装置配合使用将硅片从所述正面刻蚀槽传送至所述背面刻蚀槽;喷淋装置,该喷淋装置设置在所述正面刻蚀槽处,从所述正面刻蚀槽的上方向下喷淋正面刻蚀液;供液装置,该供液装置与所述背面刻蚀槽连通,向所述背面刻蚀槽提供背面刻蚀液。相应地,本实用新型还提供了一种刻蚀实施本实用新型有助于减少刻蚀液的补充量。

Description

刻蚀槽结构以及刻蚀机
技术领域
本实用新型涉及刻蚀技术领域,特别是涉及一种刻蚀槽结构以及刻蚀机。
背景技术
刻蚀是太阳能电池制造的一个必要工序,主要用于去除前一工序即扩散工艺中在硅片表面所形成的硼硅玻璃层和边缘PN结,以避免在硅片边缘形成漏电通道,以及增大太阳能电池的并联电阻。除此之外,刻蚀还起到了对太阳能电池背面进行适当抛光的作用,有助于提高太阳能电池的转换效率。
现有的刻蚀机通常只具有对扩散后的硅片进行背面刻蚀的能力。其中,现有刻蚀机包括刻蚀槽结构,该刻蚀槽结构用于实现硅片的背面刻蚀。典型的刻蚀槽结构主要包括刻蚀槽以及与该刻蚀槽连通的供液槽,硅片在该刻蚀槽内进行背面刻蚀,供液槽则用于向刻蚀槽中提供刻蚀液。为了避免背面刻蚀过程中刻蚀液对硅片正面造成破坏,通常会在背面刻蚀前在硅片的正面覆盖一层水膜,以对硅片正面形成保护。正面覆盖有水膜的硅片在刻蚀槽中进行背面刻蚀的过程中,由于硅片抖动或滚轮水平欠佳会导致硅片正面的部分水膜脱落进入刻蚀槽中,这一过程相当于持续地向刻蚀槽中补充纯水,进而导致刻蚀槽内的刻蚀液被稀释。在背面刻蚀过程中,由于刻蚀会持续消耗刻蚀液,所以需要持续向供液槽中补充刻蚀液。除了因为刻蚀消耗所产生的必要补液之外,为了维持刻蚀液浓度不因水膜脱落稀释而降低,还需要持续向供液槽中补充额外的刻蚀液,如此一来,导致了补液量的增加。
实用新型内容
本实用新型提供了一种刻蚀槽结构,该刻蚀槽结构包括:
依次排列的正面刻蚀槽和背面刻蚀槽;
第一传送装置和第二传送装置,该第一传送装置设置在所述正面刻蚀槽的开口处,该第二传送装置设置在所述背面刻蚀槽的开口处,该第一传送装置和第二传送装置配合使用将硅片从所述正面刻蚀槽传送至所述背面刻蚀槽;
喷淋装置,该喷淋装置设置在所述正面刻蚀槽处,从所述正面刻蚀槽的上方向下喷淋正面刻蚀液;
供液装置,该供液装置与所述背面刻蚀槽连通,向所述背面刻蚀槽提供背面刻蚀液。
根据本实用新型的一个方面,该刻蚀槽结构中,所述供液装置包括第一供液槽、第一管路、第二管路、以及第一液泵,其中,所述第一供液槽设置在所述背面刻蚀槽的下方,所述第一供液槽分别通过所述第一管路和所述第二管路与所述背面刻蚀槽连通,所述第一液泵设置在所述第一管路上。
根据本实用新型的另一个方面,该刻蚀槽结构中,所述背面刻蚀槽包括外槽体以及设置在外槽体内的内槽体,所述内槽体槽壁的高度小于外槽体槽壁的高度;所述第一供液槽通过所述第一管路与所述内槽体连通、以及通过所述第二管路与所述外槽体连通。
根据本实用新型的又一个方面,该刻蚀槽结构中,所述喷淋装置包括喷头、第二供液槽、第三管路、第四管路以及第二液泵以及喷头,其中,所述喷头设置在所述第一传送装置上方,所述第二供液槽设置在所述正面刻蚀槽的下方,所述第二供液槽通过第三管路与所述喷头连通、以及通过第四管路与所述正面刻蚀槽连通,所述第二液泵设置在所述第三管路上。
根据本实用新型的又一个方面,该刻蚀槽结构中,所述刻蚀槽结构还包括液位检测装置、第五管路以及第三液泵,其中,所述液位检测装置设置在所述第一供液槽内,所述第一供液槽和所述第二供液槽通过所述第五管路连通,所述第三液泵设置在所述第五管路上。
根据本实用新型的一个方面,所述刻蚀槽结构还包括第一补液管路和第二补液管路,其中,所述第一供液槽通过所述第一补液管路与背面刻蚀液补充装置连通,所述第二供液槽通过所述第二补液管路与正面刻蚀液补充装置连通。
根据本实用新型的一个方面,所述刻蚀槽结构还包括除液槽,其中,所述正面刻蚀槽、所述背面刻蚀槽与所述除液槽形成依次排列;第三传送装置,该第三传送装置设置在所述除液槽的开口处,该第三传送装置与所述第二传送装置配合使用将硅片从所述背面刻蚀槽传送至所述除液槽;除液装置,该除液装置在所述第三传送装置上方,用于去除硅片正面的正面刻蚀液。
根据本实用新型的一个方面,该刻蚀槽结构中,所述除液装置是沿硅片传送方向设置的一根或多根压辊。
根据本实用新型的一个方面,所述刻蚀槽结构还包括第六管路,所述除液槽与所述第二供液槽通过所述第六管路连通。
根据本实用新型的一个方面,该刻蚀槽结构中,所述第一传送装置、所述第二传送装置以及第三传送装置均包括多根滚轮以及用于驱动滚轮转动的驱动机构。
根据本实用新型的一个方面,该刻蚀槽结构中,所述正面刻蚀槽在硅片传送方向上的长度范围是10cm至20cm;所述背面刻蚀槽在硅片传送方向上的长度范围是1.5m至2m;所述除液槽在硅片传送方向上的长度范围是10cm至20cm。
本实用新型还提供了一种刻蚀机,该刻蚀机包括刻蚀槽结构,该刻蚀槽结构采用前述刻蚀槽结构实现。
本实用新型所提供的刻蚀槽结构包括依次排列的正面刻蚀槽和背面刻蚀槽;设置在所述正面刻蚀槽的开口处的第一传送装置和设置在所述背面刻蚀槽的开口处第二传送装置,该第一传送装置和第二传送装置配合使用将硅片从所述正面刻蚀槽传送至所述背面刻蚀槽;设置在所述正面刻蚀槽处的喷淋装置,从所述正面刻蚀槽的上方向下喷淋正面刻蚀液;与所述背面刻蚀槽连通的供液装置,向所述背面刻蚀槽提供背面刻蚀液。本实用新型所提供的刻蚀槽结构除了像现有技术一样具有可以实现背面刻蚀功能的结构还具有可以实现正面刻蚀的结构,相应地硅片刻蚀的过程为先正面刻蚀再背面刻蚀。与现有技术在背面刻蚀之前在硅片正面形成水膜相比,使用本实用新型所提供的刻蚀槽结构可以在对硅片背面刻蚀之前先对其进行正面刻蚀,一方面,正面刻蚀在硅片正面所形成的正面刻蚀液对硅片正面形成保护,可以有效地避免背面刻蚀对硅片正面的腐蚀,另一方面,背面刻蚀过程中正面刻蚀液脱落至背面刻蚀槽中对背面刻蚀液的稀释程度要远远小于现有技术中水膜对背面刻蚀液的稀释,如此一来,有助于减少补液量,又一方面,对硅片正面刻蚀还有利于去除硅片表面的高浓度掺杂区以及减小表面复合。也就是说,使用本实用新型所提供的刻蚀槽结构不但可以在刻蚀过程中对硅片正面形成保护并有效地减少刻蚀过程中的补液量,还有利于提升最终太阳能电池片成品的性能。基于本实用新型提供的刻蚀槽所形成的刻蚀机相应也具有补液量少、刻蚀效果优的特性。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是根据本实用新型的一个优选实施例的刻蚀装置的结构示意图;
图2是根据本实用新型的另一个优选实施例的刻蚀装置的结构示意图。
附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
具体实施方式
为了更好地理解和阐释本实用新型,下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细描述。
本实用新型提供了一种刻蚀槽结构,该刻蚀槽结构包括:
依次排列的正面刻蚀槽和背面刻蚀槽;
第一传送装置和第二传送装置,该第一传送装置设置在所述正面刻蚀槽的开口处,该第二传送装置设置在所述背面刻蚀槽的开口处,该第一传送装置和第二传送装置配合使用将硅片从所述正面刻蚀槽传送至所述背面刻蚀槽;
喷淋装置,该喷淋装置设置在所述正面刻蚀槽处,从所述正面刻蚀槽的上方向下喷淋正面刻蚀液;
供液装置,该供液装置与所述背面刻蚀槽连通,向所述背面刻蚀槽提供背面刻蚀液。
下面,将结合图1对本实用新型所提供的刻蚀槽结构的各个构成部分进行详细说明。
具体地,如图1所示,本实用新型所提供的刻蚀槽结构包括正面刻蚀槽10和背面刻蚀槽,该正面刻蚀槽和背面刻蚀槽依次排列。优选地,正面刻蚀槽和背面刻蚀槽共用一个槽壁以实现其二者的紧密排列。硅片经扩散工艺后被送入刻蚀槽结构,具体为以正面朝上的方式从正面刻蚀槽10传送至背面刻蚀槽,其中,硅片在经过正面刻蚀槽10的过程中执行正面刻蚀、以及在经过背面刻蚀槽的过程中执行背面刻蚀。优选地,正面刻蚀槽10在硅片传送方向上的长度范围是10cm至20cm,例如10cm、15cm、20cm等,背面刻蚀槽在硅片传送方向上的长度范围是1.5m至2m,例如1m、1.5m、2m等。上述正面刻蚀槽的长度范围可以确保硅片在经过正面刻蚀槽10的过程中其正面刻蚀充分实现,同样地,上述背面刻蚀槽的长度范围可以确保硅片在经过背面刻蚀槽10的过程中其背面刻蚀充分实现。当然本领域技术人员可以理解的是,正面刻蚀槽10的上述长度范围并不仅仅限于10cm至20cm,背面刻蚀槽的上述长度范围也并不仅仅限于1.5m至2m,在其他实施例中,还可以根据实际需求相应进行设定。
本实用新型所提供的刻蚀槽还包括第一传送装置11和第二传送装置20。其中,第一传送装置11设置在正面刻蚀槽10的开口处,第二传送装置20设置在背面刻蚀槽的开口处,第一传送装置11和第二传送装置20配合使用将硅片从正面刻蚀槽10传送至背面刻蚀槽。优选地,第一传送装置11包括多根滚轮(下文以第一滚轮表示)以及驱动机构(下文以第一驱动机构表示)。其中,该多根第一滚轮固定在正面刻蚀槽10的开口处并沿硅片传送方向排列,第一驱动机构与该多根第一滚轮连接并驱动该多根第一滚轮转动。同样地,第二传送装置20也包括多根滚轮(下文以第二滚轮表示)以及驱动机构(下文以第二驱动机构表示),其中,该多根第二滚轮固定在背面刻蚀槽的开口处并沿硅片传送方向排列,第二驱动机构与该多根第二滚轮连接并驱动该多根第二滚轮转动。第一驱动机构和第二驱动机构可以通过例如传动轴等来实现。刻蚀时,硅片置于第一滚轮上,第一滚轮和第二滚轮同向滚动以带动硅片从正面刻蚀槽10向背面刻蚀槽运动,直至离开背面刻蚀槽。本实用新型对第一滚轮和第二滚轮的固定方式并不做任何限定,例如,第一滚轮可以是通过安装在正面刻蚀槽10的槽壁上以固定在正面刻蚀槽10的开口处,第二滚轮可以是通过安装在背面刻蚀槽的槽壁上以固定在背面刻蚀槽的开口处。需要说明的是,针对于第二传送装置20来说,其设置的位置,一方面需要能够承接从第一传送装置11传送过来的硅片并将其在背面刻蚀槽上进行传送,另一方面需要保证硅片在背面刻蚀槽上传送时可以和背面刻蚀槽中的背面刻蚀液接触以实现背面刻蚀。还需要说明的是,本领域技术人员可以理解,第一传送装置11和第二传送装置20的实现方式并不仅仅限于上述滚轮和驱动机构,凡是可以实现将硅片从正面刻蚀槽10传送至背面刻蚀槽以完成刻蚀的结构均适用于本实用新型中的第一传送装置11和第二传送装置20,为了简明起见,在此不再对第一传送装置11和第二传送装置20可能的结构进行一一列举。
本实用新型所提供的刻蚀槽还包括喷淋装置,该喷淋装置设置在正面刻蚀槽10处,与正面刻蚀槽10配合使用,具体来说是在硅片经过正面刻蚀槽10时从正面刻蚀槽10上方向下喷淋正面刻蚀液,以实现硅片的正面刻蚀。优选地,如图1所示,喷淋装置包括喷头121、第二供液槽122、第三管路123、第四管路124以及第二液泵(未示出)。喷头121设置在第一传送装置11的上方,第二供液槽122设置在正面刻蚀槽10的下方,第二供液槽122通过第三管路123与喷头121连通、以及通过第四管路124与正面刻蚀槽10连通,第二液泵设置在第三管路123上。本实用新型对于喷头121的结构没有具体限定,可以是例如带有喷孔的管状结构等,凡是可以向下喷淋正面刻蚀液覆盖硅片正面以实现正面刻蚀的喷头结构均适用于本实用新型,为了简明起见,在此不再对喷头所有可能的结构进行一一列举。
本实用新型所提供的刻蚀槽还包括供液装置,该供液装置与背面刻蚀槽连通,与背面刻蚀槽配合使用,具体来说是在硅片经过背面刻蚀槽时向背面刻蚀槽中提供背面刻蚀液,以实现硅片的背面刻蚀,其中,背面刻蚀液和正面刻蚀液的成分相同,只是背面刻蚀液的药液浓度高于正面刻蚀液的药液浓度。优选地,如图1所示,供液装置包括第一供液槽221、第一管路222、第二管路223、以及第一液泵(未示出),其中,所述第一供液槽221设置在背面刻蚀槽的下方,第一供液槽221分别通过第一管路222和第二管路223与背面刻蚀槽连通,第一液泵设置在第一管路222上,从而在背面刻蚀槽和第一供液槽221之间形成循环通路。本领域技术人员可以理解的是,供液装置的具体结构并不应仅仅限于上述实现方式,凡是可以为刻蚀槽提供背面刻蚀液以实现硅片背面刻蚀的结构均适用于本实用新型中的供液装置,为了简明起见,在此不再对供液装置所有可能的结构进行一一列举。
经扩散的硅片进入本实用新型所提供的刻蚀槽结构进行刻蚀操作,其中,首先对硅片进行正面刻蚀然后对硅片进行背面刻蚀。具体地,第二供液槽122中盛放有正面刻蚀液,第一供液槽221中盛放有背面刻蚀液。硅片首先通过第一传送装置11进入正面刻蚀槽10,在硅片通过正面刻蚀槽10的过程中,第二供液槽122中的正面刻蚀液在的第二液泵的作用下进入喷头121并经由喷头121喷淋至硅片的正面,以对硅片正面进行刻蚀。喷淋至硅片正面的正面刻蚀液,一部分会覆盖在硅片的正面、另一部分会流到正面刻蚀槽10中,流到正面刻蚀槽10中的正面刻蚀液通过第四管路124进入第二供液槽122中循环使用。在硅片经过背面刻蚀槽的过程中,第一供液槽221中的背面刻蚀液在第一液泵的作用下经由第一管路222进入背面刻蚀槽、然后经由第二管路223回到第一供液槽221中,如此循环地流动在第一供液槽221和背面刻蚀槽之间,以对硅片的背面进行刻蚀。一方面,由于硅片正面覆盖有正面刻蚀液,对硅片的正面形成保护,所以可以有效地避免背面刻蚀对硅片正面的腐蚀;另一方面,背面刻蚀过程中正面刻蚀液脱落至背面刻蚀槽中对背面刻蚀液的稀释程度要远远小于现有技术中水膜对背面刻蚀液的稀释,如此一来,有助于减少补液量;又一方面,对硅片正面刻蚀还有利于去除硅片表面的高浓度掺杂区以及减小表面复合。也就是说,使用本实用新型所提供的刻蚀槽结构不但可以在刻蚀过程中对硅片正面形成保护并有效地减少刻蚀过程中的补液量,还有利于提升最终太阳能电池片成品的性能。
优选地,如图1所示,背面刻蚀槽进一步包括外槽体211和内槽体212,其中,内槽体212设置在外槽体211内,且外槽体211槽壁的高度高于内槽体212槽壁的高度,用以限制内槽体212内背面刻蚀液的液位。更优选地,外槽体211的槽壁比内槽体212的槽壁高3cm至5cm。第一补液槽221通过第一管路222与内槽体212连通、以及通过第二管路223与外槽体211连通。在背面刻蚀的过程中,第一补液槽221中的背面刻蚀液在第一液泵的作用下经由第一管路222进入内槽体212,内槽体212中的背面刻蚀液与硅片背面接触对其进行刻蚀。当内槽体212中背面刻蚀液的液位超过内槽体212的槽壁高度时,背面刻蚀液从内槽体212中溢出流入外槽体211,然后经由第二管路223回到第一供液槽221中。如此一来,背面刻蚀液即可循环地流动在第一供液槽221和背面刻蚀槽之间,直至背面刻蚀的完成。需要说明的是,针对于背面刻蚀槽包括外槽体211和内槽体212的情况,第二传送装置中滚轮固定在内槽体212的槽壁上,从而使得硅片的背面可以和内槽体212中的背面刻蚀液接触,进而确保硅片背面刻蚀的实现。
优选地,如图2所示,本实用新型所提供的刻蚀槽结构还包括液位检测装置(未示出)、第五管路40以及第三液泵(未示出),其中,液位检测装置设置在第一供液槽221中,第一供液槽221通过第五管路40与第二供液槽122连通,第三液泵设置在第五管路40上。在硅片背面刻蚀的过程中需要持续向第一供液槽221中进行补液,一方面是因为刻蚀导致背面刻蚀液的消耗所以需要补液,另一方面是因为正面刻蚀液脱落至内槽体212内使背面刻蚀液浓度降低所以需要补液。补液过程中,液位检测装置对第一供液槽221中背面刻蚀液的液位进行检测,一旦检测到背面刻蚀液超出第一供液槽221的警戒液位,则在第三液泵的作用下通过第五管路40将超出警戒液位的背面刻蚀液溢流至第二供液槽122中。本实用对于液位检测装置不做任何限定,可以是例如液位传感器等,凡是可以检测液位的装置均适用于本实用新型。由于背面刻蚀液和正面刻蚀液的成分相同,所以溢流至第二供液槽122的背面刻蚀液经稀释后还可以用于正面刻蚀。现有技术中,由于刻蚀槽结构仅仅包括背面刻蚀槽,所以一旦供液槽内的刻蚀液超出警戒液位,那么超出警戒液位的刻蚀液就会从溢流管道中排出,从而造成浪费。而本实用新型中超出警戒液位的刻蚀液被溢流至第二供液槽122中,在正面刻蚀中被二次利用,从而有效地避免了背面刻蚀液的浪费。
优选地,本实用新型所提供的刻蚀槽结构还包括第一补液管路(未示出)和第二补液管路,其中,第一供液槽221通过该第一补液管路与外部的背面刻蚀液补充装置(未示出)连通,第二供液槽122通过第二补液管路与外部的正面刻蚀液补充装置连通。当第一供液槽221中背面刻蚀液不足时,外部的背面刻蚀液补充装置通过第一补液管路向第一供液槽221中补充背面刻蚀液;当第二供液槽122中正面刻蚀液不足时,外部的正面刻蚀液补充装置通过第二补液管路向第二供液槽122中补充正面刻蚀液。外部的背面刻蚀液补充装置以及正面刻蚀液补充装置可以采用例如补液罐来实现。
优选地,如图2所示,本实用新型所提供的刻蚀槽结构还包括除液槽30、第三传送装置31以及除液装置32,用于在硅片背面刻蚀之后去除覆盖在硅片正面的正面刻蚀液,以避免正面刻蚀液对下一操作工序产生影响。具体地,正面刻蚀槽10、背面刻蚀槽以及除液槽30依次排列。其中,背面刻蚀槽和除液槽30可以通过例如共用一个槽壁以实现其二者的紧密排列。除液槽30在硅片传送方向上的长度范围是10cm至20cm,例如10cm、15cm、20cm等。上述除液槽30的长度范围可以确保硅片在经过除液槽30的过程中其正面刻蚀液被充分去除。当然本领域技术人员可以理解的是,除液槽30的上述长度范围并不仅仅限于10cm至20cm,在其他实施例中,还可以根据实际需求相应进行设定。第三传送装置31设置在除液槽30的开口处,其承接从第二传送装置20传送过来的硅片并将其在除液槽30上进行传送。在本实施例中,第三传送装置31包括多根滚轮(下文以第三滚轮表示)以及驱动机构(下文以第三驱动机构表示)。其中,该多根第三滚轮固定在除液槽30的开口处并沿硅片传送方向排列,第三驱动机构与该多根第三滚轮连接并驱动该多根第三滚轮转动。第三驱动机构可以通过例如传动轴等来实现。本实用新型对第三滚轮的固定方式并不做任何限定,例如,第三滚轮可以是通过安装在除液槽30的槽壁上以固定在除液槽30的开口处。本领域技术人员可以理解,第三传送装置31的实现方式并不仅仅限于上述滚轮和驱动机构,凡是可以实现将硅片在除液槽30上传送的结构均适用于本实用新型中的第三传送装置31,为了简明起见,在此不再对第三传送装置31可能的结构进行一一列举。除液装置32设置在第三传送装置31的上方,用于在硅片传送过程中去除覆盖在硅片正面的正面刻蚀液。在本实施例中,除液装置32是沿硅片传送方向设置的一根或多根压辊,该一根压辊或多根压辊与第三传送装置31中用于承载硅片的部分(例如滚轮)之间的距离与硅片厚度相匹配。如此一来,当硅片通过第三传送装置31在除液槽30上方传送时,压辊可以将覆盖在硅片正面的正面刻蚀液挤压掉,被挤压掉的正面刻蚀液进入除液槽30中。本领域技术人员可以理解的是,除液装置32还可以通过其他方式实现,例如可以是通过吸收的方式去除正面刻蚀液的结构等,为了简明起见,在此不再对除液装置32所有可能的结构进行一一列举。更优选地,如图2所示,本实用新型所提供的刻蚀槽结构还包括第六管路33,除液槽30通过该第六管路33与第二供液槽122连通,被挤压掉的正面刻蚀液进入除液槽30后通过第六管路33进入第二供液槽122,在正面刻蚀中被二次利用,从而有效地避免了正面刻蚀液的浪费。
相应地,本实用新型还提供了一种刻蚀机,该刻蚀机包括刻蚀槽结构,其中,该刻蚀槽结构采用本文前述刻蚀槽结构实现。为了简明起见,在此不再对本文前述刻蚀槽结构进行重复描述,其具体结构可以参考前文相应部分的内容。需要说明的是,刻蚀机除了包括刻蚀槽结构之外,通常还需要包括水洗槽等常规结构。在一个具体实施例中,刻蚀机包括依次排列的刻蚀槽结构、第一水洗槽、碱洗槽、第二水洗槽、酸洗槽、第三水洗槽以及烘干槽,其中,硅片在刻蚀槽结构中经正面刻蚀和背面刻蚀后,进入第一水洗槽进行水洗以去除硅片表面的刻蚀液,接着进入碱洗槽进行碱洗以进一步中和硅片表面残留的刻蚀液,接着进入第二水洗槽进行水洗以去除硅片表面残留的碱液,接着进入酸洗槽以进一步中和硅片表面残留的碱液,接着进入第三水洗槽进行水洗以去除硅片表面残留的酸液,最后进入烘干槽进行烘干。基于本实用新型所提供的刻蚀槽结构所实现的刻蚀机具有补液量少、刻蚀效果优的特性。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外,显然“包括”一词不排除其他部件、单元或步骤,单数不排除复数。系统权利要求中陈述的多个部件、单元或装置也可以由一个部件、单元或装置通过软件或者硬件来实现。
本实用新型所提供的刻蚀槽结构包括依次排列的正面刻蚀槽和背面刻蚀槽;设置在所述正面刻蚀槽的开口处的第一传送装置和设置在所述背面刻蚀槽的开口处第二传送装置,该第一传送装置和第二传送装置配合使用将硅片从所述正面刻蚀槽传送至所述背面刻蚀槽;设置在所述正面刻蚀槽处的喷淋装置,从所述正面刻蚀槽的上方向下喷淋正面刻蚀液;与所述背面刻蚀槽连通的供液装置,向所述背面刻蚀槽提供背面刻蚀液。本实用新型所提供的刻蚀槽结构除了像现有技术一样具有可以实现背面刻蚀功能的结构还具有可以实现正面刻蚀的结构,相应地硅片刻蚀的过程为先正面刻蚀再背面刻蚀。与现有技术在背面刻蚀之前在硅片正面形成水膜相比,使用本实用新型所提供的刻蚀槽结构可以在对硅片背面刻蚀之前先对其进行正面刻蚀,一方面,正面刻蚀在硅片正面所形成的正面刻蚀液对硅片正面形成保护,可以有效地避免背面刻蚀对硅片正面的腐蚀,另一方面,背面刻蚀过程中正面刻蚀液脱落至背面刻蚀槽中对背面刻蚀液的稀释程度要远远小于现有技术中水膜对背面刻蚀液的稀释,如此一来,有助于减少补液量,又一方面,对硅片正面刻蚀还有利于去除硅片表面的高浓度掺杂区以及减小表面复合。也就是说,使用本实用新型所提供的刻蚀槽结构不但可以在刻蚀过程中对硅片正面形成保护并有效地减少刻蚀过程中的补液量,还有利于提升最终太阳能电池片成品的性能。基于本实用新型提供的刻蚀槽所形成的刻蚀机相应也具有补液量少、刻蚀效果优的特性。
以上所揭露的仅为本实用新型的一些较佳实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,因此依本实用新型权利要求所作的等同变化,仍属本实用新型所涵盖的范围。

Claims (12)

1.一种刻蚀槽结构,其特征在于,该刻蚀槽结构包括:
依次排列的正面刻蚀槽和背面刻蚀槽;
第一传送装置和第二传送装置,该第一传送装置设置在所述正面刻蚀槽的开口处,该第二传送装置设置在所述背面刻蚀槽的开口处,该第一传送装置和第二传送装置配合使用将硅片从所述正面刻蚀槽传送至所述背面刻蚀槽;
喷淋装置,该喷淋装置设置在所述正面刻蚀槽处,从所述正面刻蚀槽的上方向下喷淋正面刻蚀液;
供液装置,该供液装置与所述背面刻蚀槽连通,向所述背面刻蚀槽提供背面刻蚀液。
2.根据权利要求1所述的刻蚀槽结构,其特征在于:
所述供液装置包括第一供液槽、第一管路、第二管路、以及第一液泵,其中,所述第一供液槽设置在所述背面刻蚀槽的下方,所述第一供液槽分别通过所述第一管路和所述第二管路与所述背面刻蚀槽连通,所述第一液泵设置在所述第一管路上。
3.根据权利要求2所述的刻蚀槽结构,其特征在于:
所述背面刻蚀槽包括外槽体以及设置在外槽体内的内槽体,所述内槽体槽壁的高度小于外槽体槽壁的高度;
所述第一供液槽通过所述第一管路与所述内槽体连通、以及通过所述第二管路与所述外槽体连通。
4.根据权利要求1或2所述的刻蚀槽结构,其特征在于:
所述喷淋装置包括喷头、第二供液槽、第三管路、第四管路以及第二液泵以及喷头,其中,所述喷头设置在所述第一传送装置上方,所述第二供液槽设置在所述正面刻蚀槽的下方,所述第二供液槽通过第三管路与所述喷头连通、以及通过第四管路与所述正面刻蚀槽连通,所述第二液泵设置在所述第三管路上。
5.根据权利要求4所述的刻蚀槽结构,其特征在于:
所述刻蚀槽结构还包括液位检测装置、第五管路以及第三液泵,其中,所述液位检测装置设置在所述第一供液槽内,所述第一供液槽和所述第二供液槽通过所述第五管路连通,所述第三液泵设置在所述第五管路上。
6.根据权利要求4所述的刻蚀槽结构,其特征在于:
所述刻蚀槽结构还包括第一补液管路和第二补液管路,其中,所述第一供液槽通过所述第一补液管路与背面刻蚀液补充装置连通,所述第二供液槽通过所述第二补液管路与正面刻蚀液补充装置连通。
7.根据权利要求4所述的刻蚀槽结构,其特征在于,所述刻蚀槽结构还包括:
除液槽,其中,所述正面刻蚀槽、所述背面刻蚀槽与所述除液槽形成依次排列;
第三传送装置,该第三传送装置设置在所述除液槽的开口处,该第三传送装置与所述第二传送装置配合使用将硅片从所述背面刻蚀槽传送至所述除液槽;
除液装置,该除液装置在所述第三传送装置上方,用于去除硅片正面的正面刻蚀液。
8.根据权利要求7所述的刻蚀槽结构,其特征在于,所述除液装置是沿硅片传送方向设置的一根或多根压辊。
9.根据权利要求7所述的刻蚀槽结构,其特征在于:
所述刻蚀槽结构还包括第六管路,所述除液槽与所述第二供液槽通过所述第六管路连通。
10.根据权利要求7所述的刻蚀槽结构,其特征在于:
所述第一传送装置、所述第二传送装置以及第三传送装置均包括多根滚轮以及用于驱动滚轮转动的驱动机构。
11.根据权利要求7所述的刻蚀槽结构,其特征在于:
所述正面刻蚀槽在硅片传送方向上的长度范围是10cm至20cm;
所述背面刻蚀槽在硅片传送方向上的长度范围是1.5m至2m;
所述除液槽在硅片传送方向上的长度范围是10cm至20cm。
12.一种刻蚀机,该刻蚀机包括刻蚀槽结构,其特征在于,该刻蚀槽结构采用如权利要求1至11中任一项所述的刻蚀槽结构实现。
CN202122031911.9U 2021-08-26 2021-08-26 刻蚀槽结构以及刻蚀机 Active CN215680625U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202122031911.9U CN215680625U (zh) 2021-08-26 2021-08-26 刻蚀槽结构以及刻蚀机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202122031911.9U CN215680625U (zh) 2021-08-26 2021-08-26 刻蚀槽结构以及刻蚀机

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN215680625U true CN215680625U (zh) 2022-01-28

Family

ID=79956349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202122031911.9U Active CN215680625U (zh) 2021-08-26 2021-08-26 刻蚀槽结构以及刻蚀机

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN215680625U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109004062B (zh) 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备
JP2011512645A (ja) シリコンウエハを処理するための方法及びデバイス
CN106784161A (zh) 一种perc太阳能电池的抛光刻蚀方法
CN104409396B (zh) 一种太阳能电池片的湿法蚀刻方法及装置
CN105133039B (zh) 一种单多晶制绒设备
CN102403400B (zh) 薄膜型太阳能电池的制造装置和制造方法
CN201579228U (zh) 硅片喷淋清洗系统
JP2013191812A (ja) 太陽電池モジュール洗浄装置
CN212725345U (zh) 用于TOPCon电池的清洗设备
CN215680625U (zh) 刻蚀槽结构以及刻蚀机
CN105220235A (zh) 一种单多晶制绒方法
EP4078689B1 (en) Method and wet bench for selectively removing an emitter layer on a single side of a silicon substrate
CN201427995Y (zh) 用雾状化学剂进行单面连续化学湿处理的系统
CN107919307A (zh) 一种湿法刻蚀的上料装置
CN104505438A (zh) 一种太阳能电池片制备系统
CN205024353U (zh) 一种单多晶制绒设备
CN207183226U (zh) 一种硅太阳能电池湿法刻蚀水洗装置
CN218308680U (zh) 一种喷涂设备
CN203536374U (zh) 一种制造晶硅太阳能电池的湿法刻蚀装置
CN101942661A (zh) 用雾状化学剂进行单面连续化学湿处理的系统及方法
CN219476621U (zh) 一种链式酸抛系统
CN206412322U (zh) 一种刻蚀装置
CN207542206U (zh) 一种湿法刻蚀的上料装置
CN114883190B (zh) 一种硅晶片单面去psg层方法
CN106449393A (zh) 一种太阳能电池片刻蚀设备及制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 314417 No. 1 Jisheng Road, Jiaxing City, Zhejiang Province

Patentee after: Zhengtai Xinneng Technology Co.,Ltd.

Address before: 314417 No. 1 Jisheng Road, Jiaxing City, Zhejiang Province

Patentee before: HAINING ASTRONERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 314417 No. 1 Jisheng Road, Jiaxing City, Zhejiang Province

Patentee after: Zhengtai Xinneng Technology Co.,Ltd.

Address before: 314417 No. 1 Jisheng Road, Jiaxing City, Zhejiang Province

Patentee before: Zhengtai Xinneng Technology Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder