CN219476621U - 一种链式酸抛系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种链式酸抛系统，用于抛光制绒后的硅片，包括：喷淋单元，用于在制绒后的硅片的正面形成水膜；与喷淋单元连接的酸抛单元，用于去除制绒后的硅片的背面进行酸抛光；与酸抛单元连接的第一水洗单元，用于清洗酸抛单元酸抛光后的硅片；与第一水洗单元连接的碱洗单元，用于去除第一水洗单元水洗后的硅片的背面及四周的多孔硅；与碱洗单元连接的第二水洗单元，用于清洗碱洗单元碱洗后的硅片；与第二水洗单元连接的酸洗单元，用于去除第二水洗单元水洗后的硅片上的磷硅玻璃；与酸洗单元连接的第三水洗单元，用于清洗酸洗单元酸洗后的硅片。采用本实用新型，能够有效改善现有技术硅片的背面产生线痕或边缘发黑等外观不良的情况。

Description

一种链式酸抛系统

技术领域

本实用新型涉及硅太阳能电池制造设备技术领域，尤其涉及一种链式酸抛系统。

背景技术

太阳能电池制作过程中，刻蚀工艺是该产品很重要的一个环节。同时随着芯片制造和技术的不断迭代升级，对硅片的加工和质量提出了更高的要求。目前硅片的酸刻蚀工艺中，易在硅片的背面产生线痕或边缘发黑等外观不良的情况，严重影响产品外观。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种链式酸抛系统，能够有效改善现有技术硅片的背面产生线痕或边缘发黑等外观不良的情况。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种链式酸抛系统，用于抛光制绒后的硅片，包括：

喷淋单元，用于在制绒后的硅片的正面形成水膜；

与所述喷淋单元连接的酸抛单元，用于去除制绒后的硅片的背面进行酸抛光；

与所述酸抛单元连接的第一水洗单元，用于清洗酸抛单元酸抛光后的硅片；

与所述第一水洗单元连接的碱洗单元，用于去除第一水洗单元水洗后的硅片的背面及四周的多孔硅；

与所述碱洗单元连接的第二水洗单元，用于清洗碱洗单元碱洗后的硅片；

与所述第二水洗单元连接的酸洗单元，用于去除第二水洗单元水洗后的硅片上的磷硅玻璃；

与所述酸洗单元连接的第三水洗单元，用于清洗酸洗单元酸洗后的硅片；

其中，所述酸抛单元中设有至少两个酸抛槽和输送辊，所述酸抛槽内设有混酸溶液，所述输送辊能够将制绒后的硅片漂浮在所述混酸溶液上；

所述混酸溶液为氢氟酸、硝酸和硫酸中的至少两种的组合；

所述碱洗单元中设有碱洗槽和输送辊，所述碱洗槽内设有氢氧化钾溶液，所述输送辊能够将硅片漂浮在所述氢氧化钾溶液上。

作为上述方案的改进，所述酸抛单元中设有至少两个抽风装置。

作为上述方案的改进，相邻所述酸抛槽之间设有隔板，所述隔板上预留有硅片运动的空间。

作为上述方案的改进，所述酸抛单元设有第一酸抛槽、第二酸抛槽、第三酸抛槽和第四酸抛槽；酸抛时，硅片依次经过所述第一酸抛槽、第二酸抛槽、第三酸抛槽和第四酸抛槽；

所述第一酸抛槽内设有第一混酸溶液，所述第二酸抛槽内设有第二混酸溶液，所述第三酸抛槽内设有第三混酸溶液，所述第四酸抛槽内设有第四混酸溶液。

作为上述方案的改进，相邻所述酸抛槽之间设有水洗槽，所述酸抛槽与所述水洗槽之间设有隔板，所述隔板上预留有硅片运动的空间。

作为上述方案的改进，还包括回收单元，所述回收单元与所述抽风装置连接，用于回收所述抽风装置抽出的气体。

作为上述方案的改进，酸抛槽21的宽度≤2×硅片的宽度

作为上述方案的改进，所述第一水洗单元、第二水洗单元和第三水洗单元包括下喷淋装置。

作为上述方案的改进，所述第三水洗单元包括上喷淋装置和下喷淋装置。

作为上述方案的改进，所述酸洗单元包括酸洗槽、输送辊和挤压辊，所述酸洗槽内设有氢氟酸溶液。

实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：

1.本实用新型的链式酸抛系统，包括喷淋单元、酸抛单元、第一水洗单元、碱洗单元、第二水洗单元、酸洗单元和第三水洗单元，能够有效改善现有技术硅片的背面产生线痕或边缘发黑等外观不良的情况。且本实用新型的碱洗单元中设有碱洗槽，碱洗槽内设有氢氧化钾溶液，碱洗时，硅片漂浮在氢氧化钾溶液上，使得硅片正面完全裸露在空气中，不损伤正面的P-N结。

2.本实用新型的链式酸抛系统，采用多个酸抛槽，一者，可采用不同的混酸液依次对硅片进行酸抛，提升抛光效果，有效改善现有技术硅片的背面产生线痕或边缘发黑等外观不良的情况，能够有效对硅片进行刻蚀，使得硅片刻蚀表面更光滑，背面反射率更高，进而提升太阳能电池转换效率；二者有效减少了酸抛槽的体积，故可采用单排输送，降低了输送系统中输送辊的变形几率；三者，在相邻酸抛槽之间设有隔板，能够有效降低酸抛槽中反应产生的气体对彼此的影响，进而保证酸抛槽之间彼此互不干扰，提升抛光效果。

3.本实用新型的链式酸抛系统，采用抽风装置和回收单元的配合，能够有效提高气体的回收利用率，降低对环境的污染和对人体的伤害，符合环保要求。

附图说明

图1是本实用新型一种链式酸抛系统的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。仅此声明，本实用新型在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词，仅以本实用新型的附图为基准，其并不是对本实用新型的具体限定。

如图1所示，本实施例提供了一种链式酸抛系统，用于抛光制绒后的硅片，包括：喷淋单元1，用于在制绒后的硅片的正面形成水膜；与所述喷淋单元1连接的酸抛单元2，用于去除制绒后的硅片的背面进行酸抛光；与所述酸抛单元2连接的第一水洗单元3，用于清洗酸抛单元2酸抛光后的硅片；与所述第一水洗单元3连接的碱洗单元4，用于去除第一水洗单元3水洗后的硅片的背面及四周的多孔硅；与所述碱洗单元4连接的第二水洗单元5，用于清洗碱洗单元4碱洗后的硅片；与所述第二水洗单元5连接的酸洗单元6，用于去除第二水洗单元5水洗后的硅片上的磷硅玻璃；与所述酸洗单元6连接的第三水洗单元7，用于清洗酸洗单元6酸洗后的硅片。

其中，所述酸抛单元2中设有至少两个酸抛槽21和输送辊22，所述酸抛槽21内设有混酸溶液，所述输送辊22能够将制绒后的硅片漂浮在所述混酸溶液上；所述混酸溶液为氢氟酸、硝酸和硫酸中的至少两种的组合。

所述碱洗单元4中设有碱洗槽41和输送辊42，所述碱洗槽41内设有氢氧化钾溶液，所述输送辊42能够将硅片漂浮在所述氢氧化钾溶液上。

基于上述技术特征的链式酸抛系统，包括喷淋单元1、酸抛单元2、第一水洗单元3、碱洗单元4、第二水洗单元5、酸洗单元6和第三水洗单元7，能够有效改善现有技术硅片的背面产生线痕或边缘发黑等外观不良的情况。且本实用新型的酸抛单元2和碱洗单元4中，硅片漂浮在对应的溶液上，使得硅片正面完全裸露在空气中，不损伤正面的P-N结。

具体的，喷淋单元1包括上喷淋装置11和输送辊12，上喷淋装置11设于输送辊12的上方，以对位于输送辊12上的硅片进行喷淋，在硅片正面形成水膜。

具体的，在本实用新型的一个实施例中，酸抛单元2中设有至少两个抽风装置23和多条输送辊22，抽风装置23能够将酸抛槽21反应产生的气体抽出；本实施例还包括与所述抽风装置23连接的回收单元8，用于回收酸抛槽21反应产生的气体。采用抽风装置23，同时配合回收单元8，能够有效提高气体的回收利用率，降低对环境的污染和对人体的伤害，符合环保要求。

具体的，酸抛槽21的宽度≤2×硅片的宽度。采用该尺寸的酸抛槽，可在酸抛单元中采用单排输送结构，缩短输送辊的长度，防止输送辊变形。

在本实施例中，酸抛单元2设有第一酸抛槽21a、第二酸抛槽21b、第三酸抛槽21c和第四酸抛槽21d；酸抛时，硅片依次经过所述第一酸抛槽21a、第二酸抛槽21b、第三酸抛槽21c和第四酸抛槽21d。所述第一酸抛槽21a内设有第一混酸溶液，所述第一混酸溶液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，且第一混酸溶液中氢氟酸的质量浓度大于硝酸的质量浓度。所述第二酸抛槽21b内设有第二混酸溶液，所述第二混酸溶液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，且第二混酸溶液中氢氟酸的质量浓度小于硝酸的质量浓度。所述第三酸抛槽21c内设有第三混酸溶液，所述第三混酸溶液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，且第三混酸溶液中氢氟酸的质量浓度大于硝酸的质量浓度。所述第四酸抛槽21d内设有第四混酸溶液，所述第四混酸溶液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，且第四混酸溶液中氢氟酸的质量浓度小于硝酸的质量浓度。相应地，在对应地每个酸抛槽21中设有对应地抽风装置23，用于将酸抛槽21反应产生的气体抽出。

基于上述技术特征的链式酸抛系统，采用四个酸抛槽和四个抽风装置，保证不同混酸溶液对硅片进行抛光，确保抛光效果的同时简化结构。

具体的，酸抛单元2还设有温度调节装置，用于调节酸抛槽21内混酸溶液的温度，温度调节装置的温度调节范围为5-25℃，优选的为8-20℃，这样能够进一步确保抛光的效果。

在本实用新型的另一个实例中，酸抛单元2设有第一酸抛槽21a、第二酸抛槽21b、第三酸抛槽21c和第四酸抛槽21d；酸抛时，硅片依次经过所述第一酸抛槽21a、第二酸抛槽21b、第三酸抛槽21c和第四酸抛槽21d。所述第一酸抛槽21a内设有第一混酸溶液，所述第一混酸溶液为氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液，且第一混酸溶液中氢氟酸的质量浓度大于硝酸的质量浓度。所述第二酸抛槽21b内设有第二混酸溶液，所述第二混酸溶液为氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液，且第二混酸溶液中氢氟酸的质量浓度小于硝酸的质量浓度。所述第三酸抛槽21c内设有第三混酸溶液，所述第三混酸溶液为氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液，且第三混酸溶液中氢氟酸的质量浓度大于硝酸的质量浓度。所述第四酸抛槽21d内设有第四混酸溶液，所述第四混酸溶液为氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液，且第四混酸溶液中氢氟酸的质量浓度小于硝酸的质量浓度。

本实用新型的链式酸抛系统，采用多个酸抛槽，一者，可采用不同的混酸液依次对硅片进行酸抛，提升抛光效果，有效改善现有技术硅片的背面产生线痕或边缘发黑等外观不良的情况，能够有效对硅片进行刻蚀，使得硅片刻蚀表面更光滑，背面反射率更高，进而提升太阳能电池转换效率；二者有效减少了酸抛槽的体积，故可采用单排输送，降低了输送系统中输送辊的变形几率。

进一步的，相邻酸抛槽21之间设有隔板24，能够有效降低酸抛槽21中反应产生的气体对彼此的影响，进而保证酸抛槽21之间彼此互不干扰，提升抛光效果。同时隔板24上预留有硅片运动的空间，为硅片在系统中正常运动奠定基础。

在本实用新型的另一个实例中，相邻酸抛槽21之间设有水洗槽，酸抛槽21与水洗槽之间设有隔板24，隔板上预留有硅片运动的空间。

具体的，第一水洗单元3包括下喷淋装置31和输送辊32，下喷淋装置31设于输送辊32的下方，以对位于输送辊上的硅片的背面进行喷淋，去除残余的混酸溶液。

具体的，第二水洗单元5包括下喷淋装置51和输送辊52，下喷淋装置51设于输送辊52的下方，以对位于输送辊52上的硅片的背面进行喷淋，去除残余的碱液。

具体地，酸洗单元6包括酸洗槽61、输送辊62和挤压辊63；其中，酸洗槽61内设有氢氟酸溶液。酸洗单元用于去除第二水洗单元5水洗后的硅片上的磷硅玻璃；挤压辊63设于输送辊62的上方，用于将硅片浸泡于氢氟酸溶液中。

具体的，第三水洗单元7包括上喷淋装置71、下喷淋装置72和输送辊73；上喷淋装置71设于输送辊73的上方，下喷淋装置72设于输送辊73的下方，以对硅片正面和背面都进行清洗。

为了防止酸抛单元2反应产生的气体，如：氧化氮污染环境和对人体造成伤害，本实用新型还包括回收单元8，回收单元8与所述抽风装置23连接，用于回收抽风装置23抽出的气体，能够有效提高气体的回收利用率，降低对环境的污染和对人体的伤害，符合环保要求。

本实用新型链式酸抛系统的工作流程为：制绒后的硅片在输送辊12的作用下进入喷淋单元1中，喷淋装置11对硅片正面喷水形成水膜；然后硅片在输送辊23的作用下进入酸抛单元2，硅片正面完全裸露在空气中，调节温度调节装置使酸抛槽21的温度为11℃，先经过第一酸抛槽21a，在第一混酸溶液对硅片的背面进行第一次抛光，同时在第一抽风装置23a的作用下将第一酸抛槽21a中的气体抽入回收单元8中；再经过第二酸抛槽21b，第二混酸溶液对硅片的背面进行第二次抛光，同时在第二抽风装置23b的作用下将第二酸抛槽21b中的气体抽入回收单元8中；再经过第三酸抛槽21c，第三混酸溶液对硅片的背面进行第三次抛光，同时在第三抽风装置23c的作用下将第三酸抛槽21c中的气体抽入回收单元8中；最后经过第四酸抛槽21d，第四混酸溶液对硅片的背面进行第四次抛光，同时在第四抽风装置23d的作用下将第四酸抛槽21d中的气体抽入回收单元8中。然后硅片在输送辊32的作用下进入第一水洗单元3，下喷淋装置31对硅片的背面进行喷淋清洗，去除残余酸液。然后硅片在输送辊42的作用下进入碱洗单元4，硅片正面完全裸露在空气中，在碱洗槽41中的氢氧化钾溶液的作用下，去除硅片的背面剂四周的多孔硅。然后硅片在输送辊52的作用下进入第二水洗单元5，下喷淋装置51对硅片的背面进行喷淋清洗，去除残余碱液；然后硅片在输送辊62的作用下进入酸洗单元6，在挤压辊63作用下，硅片浸泡在酸洗槽61的氢氟酸溶液中，去除硅片上的磷硅玻璃；然后硅片在输送辊73的作用下进入第三水洗单元7，上喷淋装置71和下喷淋装置72同时对硅片正面及背面进行喷淋清洗，链式酸抛完成。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种链式酸抛系统，用于抛光制绒后的硅片，其特征在于，包括：

喷淋单元，用于在制绒后的硅片的正面形成水膜；

与所述喷淋单元连接的酸抛单元，用于去除制绒后的硅片的背面进行酸抛光；

与所述酸抛单元连接的第一水洗单元，用于清洗酸抛单元酸抛光后的硅片；

与所述第一水洗单元连接的碱洗单元，用于去除第一水洗单元水洗后的硅片的背面及四周的多孔硅；

与所述碱洗单元连接的第二水洗单元，用于清洗碱洗单元碱洗后的硅片；

与所述第二水洗单元连接的酸洗单元，用于去除第二水洗单元水洗后的硅片上的磷硅玻璃；

与所述酸洗单元连接的第三水洗单元，用于清洗酸洗单元酸洗后的硅片；

其中，所述酸抛单元中设有至少两个酸抛槽和输送辊，所述酸抛槽内设有混酸溶液，所述输送辊能够将制绒后的硅片漂浮在所述混酸溶液上；

所述碱洗单元中设有碱洗槽和输送辊，所述碱洗槽内设有氢氧化钾溶液，所述输送辊能够将硅片漂浮在所述氢氧化钾溶液上。

2.如权利要求1所述的链式酸抛系统，其特征在于，所述酸抛单元中设有至少两个抽风装置。

3.如权利要求2所述的链式酸抛系统，其特征在于，相邻所述酸抛槽之间设有隔板，所述隔板上预留有硅片运动的空间。

4.如权利要求1所述的链式酸抛系统，其特征在于，所述酸抛单元设有第一酸抛槽、第二酸抛槽、第三酸抛槽和第四酸抛槽；酸抛时，硅片依次经过所述第一酸抛槽、第二酸抛槽、第三酸抛槽和第四酸抛槽；

所述第一酸抛槽内设有第一混酸溶液，所述第二酸抛槽内设有第二混酸溶液，所述第三酸抛槽内设有第三混酸溶液，所述第四酸抛槽内设有第四混酸溶液。

5.如权利要求1所述的链式酸抛系统，其特征在于，相邻所述酸抛槽之间设有水洗槽，所述酸抛槽与所述水洗槽之间设有隔板，所述隔板上预留有硅片运动的空间。

6.如权利要求2所述的链式酸抛系统，其特征在于，还包括回收单元，所述回收单元与所述抽风装置连接，用于回收所述抽风装置抽出的气体。

7.如权利要求1所述的链式酸抛系统，其特征在于，酸抛槽的宽度≤2×硅片的宽度。

8.如权利要求1所述的链式酸抛系统，其特征在于，所述第一水洗单元、第二水洗单元和第三水洗单元包括下喷淋装置。

9.如权利要求1所述的链式酸抛系统，其特征在于，所述第三水洗单元包括上喷淋装置和下喷淋装置。

10.如权利要求1所述的链式酸抛系统，其特征在于，所述酸洗单元包括酸洗槽、输送辊和挤压辊，所述酸洗槽内设有氢氟酸溶液。