CN114883190B - 一种硅晶片单面去psg层方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种硅晶片单面去PSG层方法，包括上料步骤‑水膜形成步骤‑工艺步骤‑清洗步骤‑风干步骤‑冷却步骤‑下料步骤。本申请的方法通过水膜保护上表面、将硅晶片下表面进行腐蚀去掉PSG层，之后再将硅晶片清洗干净，再经过风干、冷却完成清洗，具有清洗效率高，清洗效果好的优点。
Description
技术领域
本申请属于光伏硅片生产技术领域，尤其是涉及一种硅晶片单面去PSG层方法。
背景技术
太阳能电池硅晶片是一种半导体材料，其被用来制备太阳能电池片，太阳能电池硅晶片通常要经过清洗—制绒—扩散—刻蚀等工艺，在太阳能电池片经过扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG层，必须去除。
扩散原理：
POCl3在高温600℃下分解，产生P2O5和PCl5,然后2P2O5+5Si＝5SiO2+4P，这样生成的P就可以扩散到硅片里，实现P掺杂。在扩散中，通过通入足够的氧气使PCl5和氧气反应，生成P2O5和Cl2，从而避免产生的PCl5对硅片的不利影响。因此在实现P掺杂的同时，在硅片表面还会有二氧化硅和五氧化二磷，即所谓的PSG，PSG的存在会影响外观和电性能，同时，存在PSG层电池片容易受潮，导致电流下降，功率衰减；PSG层的存在容易导致pecvd的色差及SixNy的脱落。因此需要对太阳能电池硅晶片去除PSG层。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种硅晶片单面去PSG层方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种硅晶片单面去PSG层方法，包括以下步骤：
S1：上料步骤，将硅晶片以水平方向放置到传输辊上，将需要去PSG层的一面朝下；
S2：水膜形成步骤，在硅晶片的上表面喷淋形成保护水膜；
S3：工艺步骤，将硅晶片通过工艺段传输辊，所述工艺段传输辊的每个辊子具有上液槽，所述工艺段传输辊下方设置有工艺槽，工艺槽内设置有腐蚀液并且所述工艺段传输辊部分淹没于腐蚀液内，所述工艺段传输辊转动时工艺槽内的腐蚀液能够沿上液槽被带动到硅晶片的下表面；
S4：清洗步骤，对硅晶片进行清洗；
S5：风干步骤，使用具有一定温度的气体对晶圆表面进行风干；
S6：冷却步骤，使硅晶片在传输辊上运输一段距离，使硅晶片的温度降低；
S7：下料步骤，将硅晶片从传输辊上取下。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，在S3工艺步骤中，在工艺段传输辊中间位置设有旋转机构，使硅晶片旋转90°。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，所述旋转机构为若干竖直设置的辊，所述辊上设置有竖直方向的槽，槽的设置高度低于硅晶片的上表面。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，所述上液槽为螺纹。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，在S3工艺步骤中，利用螺纹形状的传输方向使硅晶片在离开工艺段传输辊时与进入工艺段传输辊时相比旋转了90°。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，在清洗步骤结束后，还包括阻水步骤，使用阻水辊压过硅晶片的上表面，以使硅晶片上表面的水分留下。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，
工艺槽内腐蚀液的液面位于工艺段传输辊圆心到工艺段传输辊最高点处的1/2到2/3处。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，
所述清洗步骤包括浸洗步骤和喷洗步骤。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，
所述浸洗步骤中，使用位于硅晶片上方的刷辊对硅晶片上表面进行清洗，使硅晶片的下表面与浸洗槽内液面齐平；
所述喷洗步骤中，使用对准硅晶片上表面和下表面的喷管对硅晶片上表面和下表面进行喷淋。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，所述工艺步骤前端和后端的传输辊具有若干环状凸起，并在底部设置集液槽，所述工艺段传输辊为两个相互咬合的辊子为一组。
本发明的有益效果是：
1，本申请的硅晶片单面去PSG层方法，通过水膜保护上表面、将硅晶片下表面进行腐蚀去掉PSG层，之后再将硅晶片清洗干净，再经过风干、冷却完成清洗，具有清洗效率高，清洗效果好的优点。
2，工艺段传输辊为两个相互咬合的辊子为一组时，通过咬合的辊子方便上液槽进行排液和上液。
附图说明
下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步说明。
图1是本申请实施例的硅晶片单面去PSG层方法的流程图；
图2是本申请实施例的传输辊的结构图；
文中的附图标记为：
1 上料段传输辊；
2 水膜段传输辊；
3 第一竹节辊；
4 工艺段传输辊；
5 第二竹节辊；
6 清洗段传输辊；
7 风干段传输辊；
8 冷却段传输辊；
9 下料段传输辊；
10 阻水辊；
11 刷辊。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的技术方案。
实施例
本实施例提供一种硅晶片单面去PSG层方法，如图1所示，包括以下步骤：
S1：上料步骤(与上料段传输辊1对应)，将硅晶片以水平方向放置到传输辊上，将需要去PSG层的一面朝下；
S2：水膜形成步骤(与水膜段传输辊2对应)，在硅晶片的上表面喷淋形成保护水膜，通过水膜保护硅晶片(注意虽然名称为水膜，但是不能理解为仅含有水，根据具体腐蚀工艺，可以含有一些化学成分)；
S3：工艺步骤(与工艺段传输辊4对应)，将硅晶片通过工艺段传输辊4，所述工艺段传输辊的每个辊子具有上液槽，所述工艺段传输辊4下方设置有工艺槽，工艺槽内设置有腐蚀液并且所述工艺段传输辊部分淹没于腐蚀液内，所述工艺段传输辊转动时工艺槽内的腐蚀液能够沿上液槽被带动到硅晶片的下表面；一种便于加工的方式为上液槽加工成螺纹，如梯形螺纹，且如果要保持硅晶片的直线运动，相邻的辊子上的螺纹的螺旋方向相反；所述工艺段传输辊优选为两个相互咬合的辊子为一组，通过咬合的辊子方便上液槽进行排液和上液，方便清洗液填充进入上液槽内(清洗液受表面张力的作用，清洗液可能会在上液槽内形成空腔室)；
S4：清洗步骤(与清洗段传输辊6对应)，对硅晶片进行清洗；清洗包括浸洗(使硅晶片部分浸泡到清洗液内)、喷洗(使用喷管对硅晶片直接喷淋清洗液)；
所述清洗步骤可以同时包括浸洗步骤和喷洗步骤，或者浸洗步骤和喷洗步骤其中之一。
所述浸洗步骤中，使用位于硅晶片上方的刷辊11对硅晶片上表面进行清洗，使硅晶片的下表面与浸洗槽内液面齐平；浸洗槽内设置有清洗液通入管，通入管均匀分布在浸洗槽底部，浸洗槽顶部为溢流挡板，清洗液不停地通过通入管通入浸洗槽内并通过溢流挡板不停向外溢流，最终使清洗槽内的液面保持恒定；考虑到不同硅晶片清洗工艺使用的清洗液不同，不同清洗液的表面张力不同，在表面张力影响下，溢流挡板上的溢流孔上受表面张力影响而不运动的液体的高度是不同的，因此需要将溢流挡板设置成高度可以调节的结构，此外，溢流挡板为从底部向顶部厚度逐渐减小的结构，即顶部厚度薄；
所述喷洗步骤中，使用对准硅晶片上表面和下表面的喷管对硅晶片上表面和下表面进行喷淋，当然下方也需要设置槽体来收集喷淋下来的清洗液。
S5：风干步骤(与风干段传输辊7对应)，使用具有一定温度的气体对晶圆表面进行风干(可使用50-60℃热空气)；
S6：冷却步骤(与冷却段传输辊8对应)，使硅晶片在传输辊上运输一段距离，使硅晶片的温度降低，一般是自然冷却，也可以在此段进行通风加快冷却；
S7：下料步骤(与下料段传输辊9对应)，将硅晶片从传输辊上取下。
本实施例的硅晶片单面去PSG层方法，通过水膜保护上表面、将硅晶片下表面进行腐蚀去掉PSG层，之后再将硅晶片清洗干净，再经过风干、冷却完成清洗，具有清洗效率高，清洗效果好的优点。
由于硅晶片在传输过程中，传输方向上始终会有部分与硅晶片下表面接触，如传输方向不变且硅晶片不动会导致一个方向上腐蚀出现不均匀的现象，因此需要将硅晶片与传输方向做出一些调整，因此，如果腐蚀工艺时间长，则需要进行特别的调整，可以采用以下方式，
其一，在S3工艺步骤中，在工艺段传输辊中间位置设有旋转机构，使硅晶片旋转90°。
其二，在S3工艺步骤中，利用螺纹形状的传输方向使硅晶片在离开工艺段传输辊时与进入工艺段传输辊时相比旋转了90°。
由于硅晶片相对于传输方向发生了改变了，使硅晶片有更多地面与辊子接触，从而使腐蚀更加均匀。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，所述旋转机构为若干竖直设置的辊，所述辊上设置有竖直槽，所述辊上设置有竖直方向的槽，槽的设置高度低于硅晶片的上表面。旋转机构需要与硅晶片的侧边缘进行接触以调整硅晶片的方向，同时，辊上设置的竖直槽能够使清洗液在竖直槽向上带动，最终与硅晶片的边缘接触而使硅晶片的边缘PSG层去除。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，在清洗步骤结束后，还包括阻水步骤，使用阻水辊10压过硅晶片的上表面，以使硅晶片上表面的水分留下。在阻水辊10压力的作用下，使硅晶片表面的水分(水膜)阻下。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，工艺槽内腐蚀液的液面位于工艺段传输辊圆心到工艺段传输辊最高点处的1/2到2/3处。
优选地，本发明的硅晶片单面去PSG层方法，所述工艺步骤前端和后端的传输辊(第一竹节辊3和第二竹节辊5)具有若干环状凸起，并在底部设置集液槽。环状凸起能够降低传输辊与硅晶片的接触面积。
以上述依据本申请的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项申请技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项申请的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (5)
1.一种硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：上料步骤，将硅晶片以水平方向放置到传输辊上，将需要去PSG层的一面朝下；
S2：水膜形成步骤，在硅晶片的上表面喷淋形成保护水膜；
S3：工艺步骤，将硅晶片通过工艺段传输辊，所述工艺段传输辊的每个辊子具有上液槽，所述工艺段传输辊下方设置有工艺槽，工艺槽内设置有腐蚀液并且所述工艺段传输辊部分淹没于腐蚀液内，所述工艺段传输辊转动时工艺槽内的腐蚀液能够沿上液槽被带动到硅晶片的下表面；
S4：清洗步骤，对硅晶片进行清洗；
S5：风干步骤，使用具有一定温度的气体对晶圆表面进行风干；
S6：冷却步骤，使硅晶片在传输辊上运输一段距离，使硅晶片的温度降低；
S7：下料步骤，将硅晶片从传输辊上取下；
所述上液槽为螺纹；
在S3工艺步骤中，在工艺段传输辊中间位置设有旋转机构，使硅晶片旋转90°；
所述旋转机构为若干竖直设置的辊，所述辊上设置有竖直槽，所述辊上设置有竖直方向的槽，槽的设置高度低于硅晶片的上表面；
旋转机构与硅晶片的侧边缘进行接触以调整硅晶片的方向，同时，辊上设置的竖直槽能够使清洗液在竖直槽内向上带动；
所述工艺步骤前端和后端的传输辊具有若干环状凸起，并在底部设置集液槽，所述工艺段传输辊为两个相互咬合的辊子为一组。
2.根据权利要求1所述的硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，在清洗步骤结束后，还包括阻水步骤，使用阻水辊压过硅晶片的上表面，以使硅晶片上表面的水分留下。
3.根据权利要求1所述的硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，工艺槽内腐蚀液的液面位于工艺段传输辊圆心到工艺段传输辊最高点处的1/2到2/3处。
4.根据权利要求1所述的硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，所述清洗步骤包括浸洗步骤和喷洗步骤。
5.根据权利要求4所述的硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，所述浸洗步骤中，使用位于硅晶片上方的刷辊对硅晶片上表面进行清洗，使硅晶片的下表面与浸洗槽内液面齐平；
所述喷洗步骤中，使用对准硅晶片上表面和下表面的喷管对硅晶片上表面和下表面进行喷淋。
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Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201601138U (zh) * | 2009-08-27 | 2010-10-06 | 北京中联科伟达技术股份有限公司 | 一种多晶太阳能电池片的链式制绒降低碎片率的装置 |
| CN201681805U (zh) * | 2010-05-14 | 2010-12-22 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种硅片自动升降、旋转工作装置 |
| DE102009028868A1 (de) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Q-Cells Se | Verfahren zur Behandlung von Wafern mit einer Flüssigkeit in einer Nassbank |
| CN102544211A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 常州天合光能有限公司 | 太阳能电池刻蚀方法及其设备 |
| CN104900759A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 东方日升新能源股份有限公司 | 晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺 |
| CN104900760A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种新型晶硅电池湿法边刻工艺 |
| CN106206280A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-12-07 | 苏州聚晶科技有限公司 | 一种硅晶片的单面去psg层及抛光的制备方法 |
| CN106784161A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种perc太阳能电池的抛光刻蚀方法 |
| CN109285772A (zh) * | 2018-07-06 | 2019-01-29 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置 |
| CN111322860A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-23 | 北京金晟阳光科技有限公司 | 辊道式太阳电池烧结炉新型炉体结构 |
| CN212907669U (zh) * | 2020-09-23 | 2021-04-06 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种用于基板单面刻蚀的传动辊及单面刻蚀设备 |
| CN215266340U (zh) * | 2021-07-28 | 2021-12-21 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种太阳能电池片清洗装置、刻蚀机 |
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2022
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Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009028868A1 (de) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Q-Cells Se | Verfahren zur Behandlung von Wafern mit einer Flüssigkeit in einer Nassbank |
| CN201601138U (zh) * | 2009-08-27 | 2010-10-06 | 北京中联科伟达技术股份有限公司 | 一种多晶太阳能电池片的链式制绒降低碎片率的装置 |
| CN201681805U (zh) * | 2010-05-14 | 2010-12-22 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种硅片自动升降、旋转工作装置 |
| CN102544211A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 常州天合光能有限公司 | 太阳能电池刻蚀方法及其设备 |
| CN104900759A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 东方日升新能源股份有限公司 | 晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺 |
| CN104900760A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种新型晶硅电池湿法边刻工艺 |
| CN106206280A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-12-07 | 苏州聚晶科技有限公司 | 一种硅晶片的单面去psg层及抛光的制备方法 |
| CN106784161A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种perc太阳能电池的抛光刻蚀方法 |
| CN109285772A (zh) * | 2018-07-06 | 2019-01-29 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置 |
| CN111322860A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-23 | 北京金晟阳光科技有限公司 | 辊道式太阳电池烧结炉新型炉体结构 |
| CN212907669U (zh) * | 2020-09-23 | 2021-04-06 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种用于基板单面刻蚀的传动辊及单面刻蚀设备 |
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