JP5153750B2 - 基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置 - Google Patents
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Description
図1−1〜図1−3は、本実施の形態にかかる太陽電池の製造方法により作製した太陽電池セル1の概略構成を示す図であり、図1−1は、太陽電池セル1の断面図、図1−2は、受光面側からみた太陽電池セル1の上面図、図1−3は、受光面と反対側からみた太陽電池セル1の下面図である。図1−1は、図1−2のA−A方向における断面図である。
11 半導体基板
11a p型多結晶シリコン基板
13 p型多結晶シリコン層
15 n型不純物拡散層
17 反射防止膜
19 受光面側電極
19a 受光面側電極材料ペースト
21 裏面側電極
21a 裏面側電極材料ペースト
23 表銀グリッド電極
25 表銀バス電極
31 アルカリ処理槽
31a 貯留部
31b エッチング部
31c 液溜まり部
31d 液溜まり壁
32 水洗槽
33 フッ酸処理槽
34 水洗槽
35 基板吸着部
36 開口
37 高さ調整部
38 空気層
40 エッチング液
Claims (5)
- 基板の表面をエッチング処理する基板表面処理装置であって、
処理面を下側にした状態で前記基板を保持する基板保持手段と、
前記基板の基板厚に応じて前記基板保持手段の高さを調整する高さ調整手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を搬送する搬送手段と、
上方に突出した壁部に囲われた複数の突出口を前記基板の搬送方向において離間して有する液溜まり部が上面に設けられ、前記基板の表面のエッチング処理に用いる処理液を前記突出口の内壁面での表面張力により前記突出口から突出した状態で保持する処理槽と、
を備え、
前記突出口から突出した処理液と前記処理面とが接触するとともに、前記液溜まり部の前記壁部の最上部と前記処理面との距離が規定の距離となる高さ位置で前記基板を前記処理槽上において水平方向に搬送することにより前記処理面のエッチング処理を行うこと、
を特徴とする基板表面処理装置。 - 前記高さ調整手段は、前記基板保持手段に保持した際の前記基板の重量から前記基板の基板厚を推定し、推定した基板厚に基づいて前記液溜まり部の前記壁部の最上部と前記処理面との距離が規定の距離となるように調整すること、
を特徴とする請求項1に記載の基板表面処理装置。 - 前記高さ調整手段は、予め測定した基板厚さ情報に基づいて前記液溜まり部の前記壁部の最上部と前記処理面との距離が規定の距離となるように調整すること、
を特徴とする請求項1に記載の基板表面処理装置。 - それぞれ異なる種類の処理液を貯留する複数の前記処理槽と、
前記処理液として前記基板の処理面に付着した他の処理液を洗浄・除去する洗浄液を貯留する洗浄用の複数の前記処理槽と、
が交互に前記基板の搬送方向に配置され、
前記突出口から突出した処理液と前記処理面とが接触するとともに、前記液溜まり部の前記壁部の最上部と前記処理面との距離が規定の距離となる高さ位置で前記基板を前記交互に配置された処理槽上において水平方向に搬送することにより前記処理面のエッチング処理を行うこと、
を特徴とする請求項1に記載の基板表面処理装置。 - 第1導電型の半導体基板の一面側に形成された第2導電型層を表面処理により除去する太陽電池セルの製造装置であって、
前記第2導電型層を下側にした状態で前記半導体基板を保持する基板保持手段と、
前記半導体基板の基板厚に応じて前記基板保持手段の高さを調整する高さ調整手段と、
前記基板保持手段に保持された前記半導体基板を搬送する搬送手段と、
上方に突出した壁部に囲われた複数の突出口を前記半導体基板の搬送方向において離間して有する液溜まり部が上面に設けられ、前記第2導電型層の表面処理に用いる処理液を前記突出口の内壁面での表面張力により前記突出口から突出した状態で保持する処理槽と、
を備え、
前記突出口から突出した処理液と前記第2導電型層とが接触するとともに、前記液溜まり部の前記壁部の最上部と前記第2導電型層との距離が規定の距離となる高さ位置で前記半導体基板を前記処理槽上において水平方向に搬送することにより前記第2導電型層を表面処理により除去すること、
を特徴とする太陽電池セルの製造装置。
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