JP3737452B2 - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3737452B2 JP3737452B2 JP2002159940A JP2002159940A JP3737452B2 JP 3737452 B2 JP3737452 B2 JP 3737452B2 JP 2002159940 A JP2002159940 A JP 2002159940A JP 2002159940 A JP2002159940 A JP 2002159940A JP 3737452 B2 JP3737452 B2 JP 3737452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chemical
- etching
- chemical liquid
- chemical solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェハ等のエッチング加工に好適するエッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置を製造する過程で使用されるエッチング装置は、例えばエッチング加工する半導体ウェハの表裏全面、あるいは片面全面を加工するものである。そして、このようなエッチング装置では、1種類の薬液を用いて1回の加工を終えた後、別の部位をエッチング加工する際には、一度、装置外に半導体ウェハを取り出しての洗浄、加工部位以外を覆っていたマスクの除去、また、次の加工部位に対応する部分のみを残して表面をマスキングするための、例えばフォトレジストの塗布、フォトレジストの写真蝕刻法によるパターニング等のフォトレジストマスクの形成が必要である。
【0003】
このため、用いる薬液が異なり、エッチング内容の異なる加工が多いと、半導体ウェハのエッチング装置へのセット、リセット回数が増し、また都度フォトレジストマスクの形成や除去が必要となって、多くの手間を要するものであった。
【0004】
また、エッチング加工部位が多く、それぞれエッチング内容が異なり薬液が異なる場合には、例えば異なる薬液毎にエッチング装置を準備する必要が有り、装置設置のために、多くのスペースを必要とする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところは内容が異なる加工部位が多い場合でも、部分エッチング加工を行なえるようにすることで、装置へのセット、リセット回数が増すことがなく、手間がかからず、またエッチング加工を行なう装置を設置するためのスペースを多く必要としないエッチング装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明のエッチング装置は、ウェハを保持し、該ウェハをチャンバ内の所定位置に移動し支持するウェハ支持部と、前記ウェハの下方に位置し該ウェハ下面の所定エッチング部位に開口端を対向させるよう設けた薬液管と、この薬液管に薬液を供給し前記開口端に該薬液の液面を表面張力によって突出するよう形成する薬液供給部とを備え、前記ウェハの所定エッチング部位を前記薬液の突出液面に接触させて、該所定エッチング部位を部分エッチング加工することを特徴とするものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下本発明の一実施形態を、図1乃至図3を参照して説明する。図1は構成図であり、図2は薬液管先端部の断面図であり、図3はウェハ支持部の要部の斜視図である。
【0008】
図1乃至図3において、エッチング装置1は、チャンバ2の上部にエッチング加工するウェハ3を支持するウェハ支持部4を備えており、また底部には、外底部に薬液管進退機構5を設け、内底部に複数本の薬液管6a,6b,6c,…が、その開口端7を上方のウェハ支持部4に支持されたウェハ3に対向させるようにして、例えば左右方向に一直線上に配列するようにして立設している。さらに底部には、チャンバ2の内底部に溜まる処理廃液8を抜出して貯溜する廃液タンク9が、中間部分に開閉弁10を備えた抜出し管11を間に設けて備えられている。
【0009】
チャンバ2の上部に備えられたウェハ支持部4は、薬液管6a,6b,6c,…の配列方向に平行に配設された例えば外面にねじ切りがなされた棒状のガイド部材12と、このガイド部材12を両端で支持し、さらにガイド部材12を正逆回転するよう駆動するガイド支持駆動部材13と、ガイド部材12の正逆回転によって、薬液管6a,6b,6c,…の直上を配列方向(左右方向)に矢印Xで示すように進退動する走行部材14と、この走行部材14の下部に設けられ、矢印Zで示すように上下方向に進退動すると共に、矢印Rで示すように回動するアーム部材15を備えている。
【0010】
またアーム部材15は、略C字形を離間して相対する先端を下方にして横倒しした形状をなし、相対するように位置する先端部位に、それぞれウェハ保持部16を備えている。ウェハ保持部16は、アーム部材15の先端に取着され駆動機構17と、この駆動機構17によって矢印Yで示すようにウェハ3の脱着する際の横方向、すなわち相対する先端方向の進退を可能とすると共に、矢印Pで示すように180度回動するウェハ反転機構を構成する駆動軸18と、駆動軸18の先端に取着されたウェハ保持具19を備えている。ウェハ保持具19は、例えば保持するウェハ3の円形に合わせ、その円形の部分円弧に略等しい部分円弧形状をなし、さらにウェハ3の外周部分を相対するものとで挟持するようにして保持するための断面V形状の保持溝20が削設されている。
【0011】
一方、薬液管6a,6b,6c,…は、例えばふっ素樹脂等の使用する薬液に対して耐食性を有する化学的に安定な材料で形成され、先端の管径が例えば0.5μmに形成されている。なお、管径は加工可能な限りこれよりも小径でも大径でもよい。また薬液管6a,6b,6c,…は、チャンバ2の外底部に設けられた薬液管進退機構5により、1本、1本が矢印Wで示すように上下方向に進退動するようになっている。そして例えば選択された1本の薬液管6cのみが、薬液管進退機構5により所定高さHだけ上方に突出するようになっている。さらに薬液管6a,6b,6c,…には、それぞれの下部に薬液供給部21を構成する薬液供給管22a,22b,22c,…の一端が接続され、またそれぞれの中間部に洗浄液供給部23を構成する洗浄液供給管24の複数に分岐された一端が接続されている。
【0012】
また、薬液供給管22a,22b,22c,…は、その他端が、薬液供給部21の薬液25a,25b,25c,…が貯えられている密閉された薬液タンク26a,26b,26c,…の液中に開口している。また薬液タンク26a,26b,26c,…は、それぞれ内部の薬液25a,25b,25c,…上の上部空間が、窒素ガス(N2)等の不活性ガスで満たされており、さらに上部空間に、ガス供給管27a,27b,27c,…の一端が開口している。なお、ガス供給管27a,27b,27c,…の他端は、選択された管に窒素ガスを切替え供給するガス切替器28に接続されており、さらにガス切替器28は、薬液送出用ガスである窒素ガスを所定圧力で供給する図示しないガス供給源に接続されている。
【0013】
また、洗浄液供給管24は、その他端が、洗浄液供給調節器29に接続されており、さらに洗浄液供給調節器29は、洗浄液の純水あるいは純水を主部としてCO2またはH2を添加した洗浄液等を所定圧力で供給する図示しない洗浄液供給源に接続されている。
【0014】
また一方、エッチング装置1は制御部30を備えていて、制御部に設けられた図示しないマイクロコンピュータ(C.P.U)に予めプログラムされた内容、あるいは運転に先立って設定された内容に基づき、装置各部の動作の制御、すなわち、ガイド支持駆動部材13の正逆回転制御、走行部材14におけるアーム部材15の上下方向の進退動制御及び回動制御、ウェハ保持部16におけるウェハ3を脱着する際の横方向の進退動制御及びウェハ3を反転するための180度の回動制御、さらに薬液管進退機構5による所定薬液管の上下方向の進退動制御、ガス切替器28の所定薬液管への対応薬液を供給するためのガス切替制御、洗浄液供給調節器29における洗浄液供給制御等が行なわれる。
【0015】
そして、このように構成された装置によるエッチング加工は、次のように行なわれる。
【0016】
先ず、エッチング加工するウェハ3を、所定薬液、例えば薬液25cによってエッチング加工を行なうエッチング部位31が下側となるようウェハ支持部4のアーム部材15先端のウェハ保持部16に、駆動軸18を駆動機構17により矢印Yで示すよう相対する方向に進出動させ、ウェハ保持具19の保持溝20で挟持するようにして保持する。その後、ガイド支持駆動部材13を作動させて走行部材14を矢印Xで示すように動かして所定位置に移動させ、さらに走行部材14を作動させてアーム部材15を矢印Rで示すように所定角度回動させ、ウェハ3のエッチング部位31が、エッチング加工のための薬液25cに対応する薬液管6cの直上に位置するようにする。
【0017】
次に、薬液進退機構5を作動させて薬液管6cを矢印Wで示すように上方向に進出動させ、開口端7が他の薬液管6a,6b,…の開口端7よりも所定高さHだけ高くなるよう突出させる。その後、薬液送出用ガスの窒素ガスが所定圧力でガス供給管27cにガス供給源から供給されるようガス切替器28を切替え動作させ、薬液タンク26cの上部空間の内圧を所定圧力に上昇させる。
【0018】
これにより薬液タンク26cの薬液25cが薬液供給管25cを介して薬液管6cに供給され、薬液管25cの開口端7に、図2に示すように、薬液25cが表面張力により上方に凸となる曲面を形成して突出する。なお、この時の薬液タンク26cの上部空間の内圧を、薬液管25cの開口端7から薬液25cが溢れ落ちず、表面張力による凸曲面が可能な限り突出したものとなるよう制御する。
【0019】
続いて、再び走行部材14を作動させてアーム部材15を矢印Zで示すように下方向に進出動させ、ウェハ3のエッチング部位31が、薬液管25cの開口端7に凸曲面を描くように突出した薬液25cに接触するようにする。そして、所定時間エッチング部位31を薬液25cに接触させ、薬液25cに浸されたエッチング部位31のエッチング加工をする。
【0020】
エッチング加工後、ガス切替器28を切替え動作させて、薬液タンク26cの上部空間の内圧を下げると共に、洗浄液供給部23の洗浄液供給調節器29を作動させ、洗浄液供給管24に洗浄液の所定圧力の例えば純水を洗浄液供給源から供給する。これにより、各薬液管6a,6b,6c,…の開口端7から純水が所定流速で溢れ出る。薬液管6cから溢れ出た純水は、開口端7上方に位置するウェハ3のエッチング部位31を溢れ出て流れる間に洗浄する。
【0021】
この純水による洗浄を所定時間行なった後、純水の供給を停止し、再び薬液進退機構5を作動させて薬液管6cを矢印Wで示すように下方向に後退動させ、当初の他の薬液管6a,6b,…と同じ高さとなるようにする。また同時に、走行部材14を作動させてアーム部材15を矢印Zで示すように上方向に後退動させ、他のエッチング加工個所がなければ、さらに走行部材14を作動させ、ウェハ支持駆動部材13を作動させて、加工開始前のチャンバ2内の位置に戻し、ウェハ保持具19によって保持部16に保持したエッチング部位31がエッチング加工されたウェハ3を取り外し、一連のエッチング加工工程を終了する。
【0022】
なお、ウェハ3の同一面にエッチング部位31以外の他のエッチング部位がある場合には、上記と同様に、他のエッチング部位のエッチング加工に要する薬液に対応する薬液管のみを高さHだけ突出させ、さらにその薬液管の開口端7に表面張力によって突出する薬液に他のエッチング部位が接触するようにウェハ3を位置させ、エッチング加工を行なう。
【0023】
またウェハ3のエッチング部位31と異なる面に他のエッチング部位がある場合には、ウェハ支持部4のガイド支持駆動部材13や走行部材14等を作動させて、薬液管6a,6b,6c,…に接触しない位置にウェハ3を移動し、アーム部材15の先端に設けた駆動機構17によってウェハ保持具19を180度回動させることによってウェハ3を反転し、保持する。その後、上記と同様に、他のエッチング部位のエッチング加工に要する薬液に対応する薬液管のみを高さHだけ突出させ、さらにその薬液管の開口端7に表面張力によって突出する薬液に他のエッチング部位が接触するようにウェハ3を位置させ、エッチング加工を行なう。
【0024】
以上の通り構成することで、ウェハ3に複数の異なる薬液25a,25b,25c,…によって加工する、例えば微少のエッチング加工個所がある場合でも、簡単にかつ容易にエッチング加工を行なうことができる。このため、一度装置にウェハ3をセットすれば、途中取り外すことなく複数箇所のそれぞれ異なるエッチング加工を行なうことができ、いちいち取り外しセットし直すといった手間を要しなくなる。また異なる薬液毎に装置を用意する必要もなく、多くの装置の設置の必要がなく、少ないスペースでの加工が行なえることになる。
【0025】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、内容が異なる加工部位が多い場合でも、部分エッチング加工を簡単かつ容易に行なうことができ、また装置へのウェハのセット、リセット回数が減って手間がかからなく、さらにエッチング加工を行なう装置を設置するためのスペースを多く必要としない等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す構成図である。
【図2】本発明の一実施形態における薬液管先端部の断面図である。
【図3】本発明の一実施形態におけるウェハ支持部の要部の斜視図である。
【符号の説明】
2:チャンバ
3:ウェハ
4:ウェハ支持部
5:薬液管進退機構
6a,6b,6c,…:薬液管
7:開口端
21:薬液供給部
23:洗浄液供給部
25a,25b,25c,…:薬液
31:エッチング部位
Claims (5)
- ウェハを保持し、該ウェハをチャンバ内の所定位置に移動し支持するウェハ支持部と、前記ウェハの下方に位置し該ウェハ下面の所定エッチング部位に開口端を対向させるよう設けた薬液管と、この薬液管に薬液を供給し前記開口端に該薬液の液面を表面張力によって突出するよう形成する薬液供給部とを備え、前記ウェハの所定エッチング部位を前記薬液の突出液面に接触させて、該所定エッチング部位を部分エッチング加工することを特徴とするエッチング装置。
- ウェハ支持部が、ウェハ反転機構を備えていることを特徴とする請求項1記載のエッチング装置。
- 薬液管と薬液供給部を複数設け、各薬液管にそれぞれ異なる薬液が供給されるようにすると共に、選択された薬液管のみをウェハの下面方向に進退出させる薬液管進退機構を設けたことを特徴とする請求項1記載のエッチング装置。
- 薬液管に洗浄液を薬液に切替え供給する洗浄液供給部を備えていることを特徴とする請求項1または請求項3記載のエッチング装置。
- 洗浄液が、主として純水でなるものであることを特徴とする請求項4記載のエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002159940A JP3737452B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002159940A JP3737452B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | エッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006518A JP2004006518A (ja) | 2004-01-08 |
JP3737452B2 true JP3737452B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=30429517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002159940A Expired - Fee Related JP3737452B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | エッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3737452B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101541438B (zh) | 2006-10-16 | 2013-08-21 | 材料及技术公司 | 使用流体弯液面湿加工的设备及方法 |
JP5153750B2 (ja) * | 2009-10-09 | 2013-02-27 | 三菱電機株式会社 | 基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置 |
KR20130139265A (ko) * | 2010-10-13 | 2013-12-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 템플레이트 및 기판의 처리 방법 |
JP2014135332A (ja) * | 2013-01-09 | 2014-07-24 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 吸着反転装置 |
JP2018049199A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | Hoya株式会社 | 局所ウェットエッチング装置及びフォトマスク用基板の製造方法 |
CN108109946A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-06-01 | 昆山成功环保科技有限公司 | 一种刻蚀设备 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022191A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Sony Corp | ウエハの薬液処理装置およびその方法 |
JPH1092784A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Toshiba Microelectron Corp | ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法 |
-
2002
- 2002-05-31 JP JP2002159940A patent/JP3737452B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004006518A (ja) | 2004-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6331961B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
JP2016082177A5 (ja) | ||
JP5442232B2 (ja) | 薬液吐出用ノズルの待機ポット及び薬液塗布装置並びに薬液塗布方法 | |
JP3737452B2 (ja) | エッチング装置 | |
JP2007311408A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US10507484B2 (en) | Pump apparatus and substrate treating apparatus | |
WO2016136367A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理装置の制御方法 | |
US8469614B2 (en) | Substrate treatment method, computer storage medium and substrate treatment apparatus | |
CN109560017B (zh) | 基片处理方法、基片处理装置和存储介质 | |
JP2006310756A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005045206A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP3642752B2 (ja) | 供給系を用いた吹き付け方法 | |
JP5940824B2 (ja) | 基板洗浄方法 | |
JP3954881B2 (ja) | 基板処理装置およびそれを備えたメッキ装置 | |
KR101100961B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR100684049B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
KR100629919B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2004296810A (ja) | 基板のエッチング装置及びエッチング方法 | |
KR100916143B1 (ko) | 분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR20050099333A (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 현상 설비 및 이에 사용되는노즐 세정장치 | |
JP2007149890A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TW201945867A (zh) | 顯影方法 | |
KR100534099B1 (ko) | 포토레지스트 현상장비 | |
JP2005166843A (ja) | 現像装置および現像方法 | |
KR100558539B1 (ko) | 식각조 커버 클리닝 툴 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040831 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051026 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081104 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |