CN206412322U - 一种刻蚀装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种刻蚀装置。其包括刻蚀槽，刻蚀槽的上游设置有上料端，上料端和刻蚀槽的上部设置有用于输送硅片的滚轮组件，上料端在滚轮组件的上方设置有喷淋管，喷淋管和刻蚀槽之间设置有擀液滚轮，擀液滚轮位于滚轮组件的上方。喷淋管可向硅片喷洒液体，以去除硅片表面的磷硅玻璃，擀液滚轮可将硅片中残留的液体擀走，使得硅片表面成疏水状，保证硅片在经过刻蚀槽时不会翻液，不易造成过刻。本实用新型的刻蚀装置结构简单，无需大规模改装，容易实现，适于推广应用。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种刻蚀装置。
背景技术
光伏发电是利用太阳光能使半导体电子器件有效地吸收太阳光辐射能，并使之转变成电能的直接发电方式。通常所说的太阳光发电就是太阳能光伏发电，亦称太阳能电池发电，其核心部件是太阳能电池片。
现有技术中的晶体硅太阳能电池的制造流程为：表面清洗及织构化、扩散、清洗、刻蚀、去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。该制造技术相对简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。刻蚀是太阳能电池发电的关键步骤之一，刻蚀的好坏直接影响电池是否漏电以及转化效率的高低。
扩散后的硅片N面有一层磷硅玻璃，其具有亲水性。如图1所示，现有的刻蚀机中，往往会因刻蚀槽中滚轮的水平较差或是刻蚀槽中抽风波动，造成磷硅玻璃将刻蚀液引到硅片的N面上，使得硅片的N面四周被腐蚀掉造成过刻，而过刻的硅片在制作成电池片成品后，电池片漏电严重，且转化效率极大受到影响。为了解决硅片在刻蚀槽中不被过刻和刻不通，现有技术中一般采用更换滚轮结构的方法，或是增加清洗磷硅玻璃的设备，但其增加了太阳能电池片的制造成本。
因此，有必要研发一种可避免刻蚀过程中出现腐蚀过刻现象，且刻蚀效果较好，成本较低的刻蚀装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种刻蚀装置，其可去除硅片表面的磷硅玻璃，同时使得硅片表面成疏水状，保证硅片在经过刻蚀槽时不会翻液，不易造成过刻。
为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种刻蚀装置，包括刻蚀槽，刻蚀槽的上游设置有上料端，上料端和刻蚀槽的上部设置有用于输送硅片的滚轮组件，上料端在滚轮组件的上方设置有喷淋管，喷淋管和刻蚀槽之间设置有擀液滚轮，擀液滚轮位于滚轮组件的上方。
喷淋管可向硅片喷洒液体，以去除硅片表面的磷硅玻璃，擀液滚轮可将硅片中残留的液体擀走，使得硅片表面成疏水状，保证硅片在经过刻蚀槽时不会翻液，不易造成过刻。
其中，刻蚀槽内设置有挡板组件，挡板组件将刻蚀槽沿水平方向分隔成多个小槽，挡板组件包括至少一对溢流挡板，每对溢流挡板之间均设置有抽风管道。溢流挡板将刻蚀槽分隔成多个小槽，抽风管道设置在一对溢流挡板之间，可将硅片和液体生成的气体从硅片下方抽走，避免该气体腐蚀硅片上表面，破坏PN结。
其中，抽风管道的侧壁沿其长度方向设置有多个通风孔或者设置有长条状开口。
其中，滚轮组件包括多个沿水平方向并排间隔设置的滚轮，刻蚀槽内每隔两个滚轮均设置有一对溢流挡板，一对溢流挡板之间的距离等于相邻的两个滚轮之间的距离。
其中，抽风管道的外径小于相邻的两个滚轮之间的距离。
其中，喷淋管与擀液滚轮之间的水平距离为10～30cm。例如，喷淋管与擀液滚轮之间的水平距离可以为10cm、12cm、14cm、15cm、16cm、18cm、20cm、22cm、24cm、26cm、28cm或30cm。优选地，喷淋管与擀液滚轮之间的水平距离为15cm。
其中，擀液滚轮为海绵滚轮或硬质滚轮，可将硅片表面残留的液体擀走。
其中，喷淋管设置有至少一个喷头，喷头沿其长度方向设置有多个喷孔，可均匀地将液体喷洒到硅片表面。
其中，喷淋管中装有质量浓度为8％～20％的氢氟酸。例如，氢氟酸的质量浓度为8％、10％、12％、14％、16％、18％或20％。
本实用新型的有益效果：喷淋管可向硅片喷洒液体，以去除硅片表面的磷硅玻璃，擀液滚轮可将硅片中残留的液体擀走，使得硅片表面成疏水状，保证硅片在经过刻蚀槽时不会翻液，不易造成过刻。本实用新型的刻蚀装置结构简单，无需大规模改装，容易实现，适于推广应用。
附图说明
图1是现有技术的刻蚀装置的结构示意图。
图2是本实用新型的刻蚀装置的结构示意图。
图3是本实用新型的上料端和刻蚀槽的结构示意图。
图4是本实用新型的喷淋管的结构示意图。
图5是本实用新型的喷头的结构示意图。
图6是本实用新型的抽风管道的结构示意图一。
图7是本实用新型的抽风管道的结构示意图二。
附图标记如下：
1-刻蚀槽；11-溢流挡板；12-抽风管道；121-通风孔；122-长条状开口；2-上料端；3-滚轮组件；4-喷淋管；41-喷头；411-喷孔；5-擀液滚轮；
10-第一水槽；20-碱槽；30-第二水槽；40-酸槽；50-第三水槽；60-风干装置；70-下料端；
100-硅片。
具体实施方式
下面结合图1至图7并通过具体实施例来进一步说明本实用新型的技术方案。
实施例一
如图2和图3所示，一种刻蚀装置，包括刻蚀槽1，刻蚀槽1的上游设置有上料端2，上料端2和刻蚀槽1的上部设置有用于输送硅片100的滚轮组件3，上料端2在滚轮组件3的上方设置有喷淋管4，喷淋管4和刻蚀槽1之间设置有擀液滚轮5，擀液滚轮5位于滚轮组件3的上方。喷淋管4可向硅片100喷洒液体，以去除硅片100表面的磷硅玻璃，擀液滚轮5可将硅片100中残留的液体擀走，使得硅片100表面成疏水状，保证硅片100在经过刻蚀槽1时不会翻液，不易造成过刻。
本实施例中，刻蚀槽1内设置有挡板组件，挡板组件将刻蚀槽1沿水平方向分隔成多个小槽，挡板组件包括至少一对溢流挡板11，每对溢流挡板11之间均设置有抽风管道12，滚轮组件3包括多个沿水平方向并排间隔设置的滚轮，刻蚀槽1内每隔两个滚轮均设置有一对溢流挡板11，一对溢流挡板11之间的距离等于相邻的两个滚轮之间的距离。如图6所示，抽风管道12的侧壁沿其长度方向设置有多个通风孔121，抽风管道12的外径小于相邻的两个滚轮之间的距离。溢流挡板11将刻蚀槽1分隔成多个小槽，抽风管道12设置在一对溢流挡板11之间，可将硅片100和液体生成的气体从硅片100下方抽走，避免该气体腐蚀硅片100上表面，破坏PN结。
本实施例中，喷淋管4与擀液滚轮5之间的水平距离为10cm，擀液滚轮5为海绵滚轮，可将硅片100表面残留的液体擀走。喷淋管4中装有质量浓度为8％的氢氟酸。如图4和图5所示，喷淋管4设置有至少一个喷头41，喷头41沿其长度方向设置有多个喷孔411，可均匀地将氢氟酸喷洒到硅片100表面。
本实施例中，刻蚀槽1的下游设置有第一水槽10、碱槽20、第二水槽30、酸槽40、第三水槽50、风干装置60、下料端70。
实施例二
本实施例与实施例一的区别在于：
喷淋管4与擀液滚轮5之间的水平距离为15cm；喷淋管4中装有质量浓度为10％的氢氟酸。
实施例三
本实施例与实施例一的区别在于：
如图7所示，抽风管道12的侧壁沿其长度方向设置有长条状开口122；喷淋管4与擀液滚轮5之间的水平距离为30cm；喷淋管4中装有质量浓度为20％的氢氟酸。
以上内容仅为本实用新型的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (9)
1.一种刻蚀装置，包括刻蚀槽(1)，其特征在于，所述刻蚀槽(1)的上游设置有上料端(2)，所述上料端(2)和所述刻蚀槽(1)的上部设置有用于输送硅片(100)的滚轮组件(3)，所述上料端(2)在所述滚轮组件(3)的上方设置有喷淋管(4)，所述喷淋管(4)和所述刻蚀槽(1)之间设置有擀液滚轮(5)，所述擀液滚轮(5)位于所述滚轮组件(3)的上方。
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀槽(1)内设置有挡板组件，所述挡板组件将所述刻蚀槽(1)沿水平方向分隔成多个小槽，所述挡板组件包括至少一对溢流挡板(11)，每对所述溢流挡板(11)之间均设置有抽风管道(12)。
3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述抽风管道(12)的侧壁沿其长度方向设置有多个通风孔(121)或者设置有长条状开口(122)。
4.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述滚轮组件(3)包括多个沿水平方向并排间隔设置的滚轮，所述刻蚀槽(1)内每隔两个所述滚轮均设置有一对所述溢流挡板(11)，一对所述溢流挡板(11)之间的距离等于相邻的两个所述滚轮之间的距离。
5.根据权利要求4所述的刻蚀装置，其特征在于，所述抽风管道(12)的外径小于相邻的两个所述滚轮之间的距离。
6.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述喷淋管(4)与所述擀液滚轮(5)之间的水平距离为10～30cm。
7.根据权利要求6所述的刻蚀装置，其特征在于，所述喷淋管(4)与所述擀液滚轮(5)之间的水平距离为15cm。
8.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述擀液滚轮(5)为海绵滚轮或硬质滚轮。
9.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述喷淋管(4)设置有至少一个喷头(41)，所述喷头(41)沿其长度方向设置有多个喷孔(411)。
Priority Applications (1)
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| CN201621370656.3U CN206412322U (zh) | 2016-12-14 | 2016-12-14 | 一种刻蚀装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201621370656.3U CN206412322U (zh) | 2016-12-14 | 2016-12-14 | 一种刻蚀装置 |
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| CN206412322U true CN206412322U (zh) | 2017-08-15 |
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Family Applications (1)
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| CN201621370656.3U Active CN206412322U (zh) | 2016-12-14 | 2016-12-14 | 一种刻蚀装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN206412322U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107919307A (zh) * | 2017-12-05 | 2018-04-17 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种湿法刻蚀的上料装置 |
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2016
- 2016-12-14 CN CN201621370656.3U patent/CN206412322U/zh active Active
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