CN104465878A - 一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 - Google Patents
一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104465878A CN104465878A CN201410771098.0A CN201410771098A CN104465878A CN 104465878 A CN104465878 A CN 104465878A CN 201410771098 A CN201410771098 A CN 201410771098A CN 104465878 A CN104465878 A CN 104465878A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- texturing
- liquid
- slot
- silicon chip
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 9
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 6
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 abstract 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，包括制绒槽，制绒槽内设有至少三个反应道，反应道内由上往下依次设有位于制绒槽内药液液位下方的压轮与滚轮，硅片在滚轮和压轮之间移动并制绒；还包括储液槽，储液槽通过输液管将储液槽内的药液输送到制绒槽内，位于制绒槽内的输液管上设有若干喷孔，制绒槽通过溢流管以及回流管将制绒槽内的药液输送到储液槽内，储液槽内的药液通过热交换毛细管与一冰机形成热交换，位于制绒槽两端的反应道之间的其他每条反应道上各设有一喷淋装置。其有益效果：有利于降低制绒槽内中间的反应道的温度，从而使制绒槽内的温度均匀，使在制绒槽内进行制绒过程中的硅片减薄量均匀，颜色分布均匀，成品率高。
Description
技术领域
本发明属于晶体硅太阳能电池制造领域，尤其是一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统。
背景技术
随着太阳能电池生产技术的不断提升，对于太阳能电池产品的质量以及成本提出了新的要求。制绒工艺是太阳能电池整个工艺生产线中最为重要的一环，其目的是为了去除切割后硅片的表面损伤层，同时通过化学腐蚀的方法在硅片表面进行织构化处理，形成良好的陷光效应，从而降低硅片表面反射率，提高短路电流，最终提高电池的光电转换效率。目前，对于链式多晶硅的制绒一般都是利用硝酸的强氧化性与氢氟酸的络合性，对硅片进行氧化和络合剥离，导致硅片表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成蜂窝状绒面，从而增加入射光的反射次数，有效增强了入射太阳光的利用率，提高了光生电流密度。目前，链式多晶硅的制绒设备主要采用多个反应道同时进行的制绒槽，其缺点在于：由于硝酸、氢氟酸与硅片反应时放出大量热量，导致制绒槽中心的反应道温度高于其他区域，而硅片与酸的反应速率与温度成正比关系，温度分布不均匀会造成各反应道减薄量的不均匀，不均匀减薄会造成不同的比表面积，PE端相同的沉积速率下，不同的比表面积生产不一致的膜厚，最终造成颜色分布离散，影响成品率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，使硅片在正常制绒过程中，各个反应道内的温度分布均匀，确保各个反应道内的硅片减薄量的均匀性，提高硅片成品率。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，包括制绒槽，所述制绒槽内设有反应道，所述反应道内由上往下依次设有位于制绒槽内药液液位下方的压轮与滚轮，硅片在滚轮和压轮之间移动并进行制绒；还包括一储液槽，所述储液槽通过一输液管将储液槽内的药液输送到所述制绒槽内，位于所述制绒槽内的输液管上设有若干第一喷孔，所述制绒槽通过溢流管以及回流管将所述制绒槽内的药液输送到储液槽内，所述储液槽内的药液通过热交换毛细管与一冰机形成热交换，所述反应道至少有三个，位于制绒槽两端的反应道之间的其他每条反应道上各设有一喷淋装置。
喷淋装置的一种设置方式，所述喷淋装置包括与所述储液槽相连通的喷淋管道，位于反应道上方的喷淋管道上设有若干第二喷孔，所述第二喷孔位于所述制绒槽内的药液液位上方。
进一步，控制喷淋装置中低温药液的流量，所述喷淋管道上还设有第一调节阀。
进一步，所述喷淋管道通过第一泵浦与所述储液槽相连接，第一泵浦为喷淋管道提供所述储液槽内的低温药液提供动力。
进一步，所述输液管上设有第二泵浦，所述第二泵浦为输液管提供所述储液槽内的低温药液提供动力。
进一步，所述输液管上的若干第一喷孔位于所述滚轮下方。
进一步，所述热交换毛细管位于所述储液槽内的药液液位下方，热交换效率高。
进一步，所述输液管上设有第二调节阀，用于调节通过输液管喷射的药液喷射流量。
储液槽内的药液通过热交换毛细管与冰机形成热交换，降低储液槽内的药液温度从而形成低温药液，硅片与酸在反应过程中，释放出大量热量，提高了制绒槽药液的温度从而形成高温药液，为了使制绒槽的各个反应道的温度均匀，通过输液管以及喷淋管道将储液槽内的低温药液喷射到反应道上，由于输液管位于滚轮下方，喷淋管道位于制绒槽的药液液位上方，可以有效的降低中间的每条反应道的温度，使制绒槽的温度更均匀。
本发明与现有技术相比，具有如下有益效果：1、通过喷淋管道与输液管的喷射低温药液，有利于降低制绒槽内中间的反应道的温度，从而使制绒槽内的温度均匀，使在制绒槽内进行制绒过程中的硅片减薄量均匀，颜色分布均匀，成品率高；2、整个系统简单，操作方便，成本低；3、在系统内安装有第一调节阀与第二调节阀，流量的控制更加可靠，成品率更佳。
附图说明
图1是实施例1中系统的结构侧视图。
图2是实施例1中系统的俯视图。
图3是实施例2中系统的俯视图。
图4是实施例3中系统的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
实施例1：
如图1、2所示，本发明一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，包括制绒槽1，所述制绒槽1内设有五个反应道，所述反应道内由上往下依次设有位于制绒槽1内药液液位下方的压轮2与滚轮3，硅片4在滚轮3和压轮2之间移动并进行制绒；还包括一储液槽5，所述储液槽5通过一输液管6将储液槽5内的药液输送到所述制绒槽1内，位于所述制绒槽1内的输液管6上设有若干第一喷孔7，所述第一喷孔7位于所述滚轮3下方，所述输液管6上设有第二泵浦14，为输液管提供所述储液槽5内的低温药液提供动力，所述输液管6上设有第二调节阀15，用于调节通过输液管6内的药液流量，从而控制第一喷孔7的药液喷射量，所述制绒槽1通过溢流管8以及回流管9将所述制绒槽1内的药液输送到储液槽5内，所述储液槽5内的药液通过热交换毛细管10与一冰机形成热交换，所述热交换毛细管10位于所述储液槽5内的药液液位下方，位于药液下方可以提高热交换效率，位于制绒槽1两端的反应道之间的其他三条反应道上各设有一喷淋装置。
本实施例中，所述喷淋装置包括与所述储液槽5相连通的喷淋管道11，位于反应道上方的喷淋管道11上设有若干第二喷孔12，所述第二喷孔12位于所述制绒槽1内的药液液位上方，所述喷淋管道11上还设有第一调节阀13用于调节通过喷淋管道11内的药液流量，从而控制第二喷孔12的药液喷射量。
所述喷淋管道11通过第一泵浦13与所述储液槽5相连接，第一泵浦13为喷淋管道11提供所述储液槽5内的低温药液提供动力。
本实施例中，第一硅片与第五硅片所对应的反应道的温度较第二、三、四硅片所对应的反应道的无难度要低，硅片4与酸反应释放出来的大量的热量容易积累在第二、三、四硅片所对应的反应道上，尤其是第三硅片所对应的反应道区域内，因此在第三硅片所对应的反应道中间上方设有喷淋装置，在第二硅片、第四硅片所对应的反应道上的远离制绒槽1中间的一侧上设有喷淋装置，可以有效的降低第二、第三、第四硅片所应反应道内的温度，从而使制绒槽1内的温度更加均匀，硅片4的成品率更高。
本实施例的原理如下：储液槽5内的药液通过热交换毛细管10与冰机形成热交换，降低储液槽5内的药液温度从而形成低温药液，硅片4与酸在反应过程中，释放出大量热量，提高了制绒槽1药液的温度从而形成高温药液，为了使制绒槽1的各个反应道的温度均匀，通过输液管6以及喷淋管道11将储液槽内的低温药液喷射到反应道上，由于输液管6位于滚轮3下方，喷淋管道11位于制绒槽1的药液液位上方，可以有效的降低中间的每条反应道的温度，使制绒槽1的温度更均匀，硅片4的成品率更好。
实施例2：
如图3所示，本实施例中，所述制绒槽1内设有三条反应道，在第二硅片所对应的反应道中间设有喷淋装置，其他同实施例1.
实施例3：
如图4所示，本实施例中，所述制绒槽1内设有十条反应道，在第五硅片与第六硅片所对应的反应道的中间以及第二、三、四、七、八、九硅片所对应的反应道远离制绒槽中间的一侧上设有喷淋装置，其他同实施例1。
Claims (8)
1.一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，包括制绒槽，所述制绒槽内设有反应道，所述反应道内由上往下依次设有位于制绒槽内药液液位下方的压轮与滚轮，硅片在滚轮和压轮之间移动并进行制绒；还包括一储液槽，所述储液槽通过一输液管将储液槽内的药液输送到所述制绒槽内，位于所述制绒槽内的输液管上设有若干第一喷孔，所述制绒槽通过溢流管以及回流管将所述制绒槽内的药液输送到储液槽内，所述储液槽内的药液通过热交换毛细管与一冰机形成热交换，其特征在于：所述反应道至少有三个，位于制绒槽两端的反应道之间的其他每条反应道上各设有一喷淋装置。
2.根据权利要求1所述的用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，其特征在于：所述喷淋装置包括与所述储液槽相连通的喷淋管道，位于反应道上方的喷淋管道上设有若干第二喷孔，所述第二喷孔位于所述制绒槽内的药液液位上方。
3.根据权利要求2所述的用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，其特征在于：所述喷淋管道上还设有第一调节阀。
4.根据权利要求2所述的用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，其特征在于：所述喷淋管道通过第一泵浦与所述储液槽相连接。
5.根据权利要求1-4任一所述的用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，其特征在于：所述输液管上设有第二泵浦。
6.根据权利要求1-4任一所述的用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，其特征在于：所述输液管上的若干第一喷孔位于所述滚轮下方。
7.根据权利要求1-4任一所述的用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，其特征在于：所述热交换毛细管位于所述储液槽内的药液液位下方。
8.根据权利要求1-4任一所述的用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统，其特征在于：所述输液管上进一步设有第二调节阀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410771098.0A CN104465878A (zh) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410771098.0A CN104465878A (zh) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104465878A true CN104465878A (zh) | 2015-03-25 |
Family
ID=52911610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410771098.0A Pending CN104465878A (zh) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104465878A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105470170A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-04-06 | 百力达太阳能股份有限公司 | 使制绒槽化学槽液温度均匀的系统 |
| CN106783670A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-05-31 | 梁叶青 | 一种单晶硅电池生产工艺用硅片减薄设备 |
| CN107820638A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-03-20 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 液体控温系统及膜层剥离设备 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201523023U (zh) * | 2009-08-26 | 2010-07-07 | 北京中联科伟达技术股份有限公司 | 一种多晶太阳能电池片的链式制绒的装置 |
| CN101818958A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-09-01 | 重庆远雄制冷成套设备有限公司 | 一种三组板板冰机热气脱冰制冷系统 |
| CN201695107U (zh) * | 2010-06-18 | 2011-01-05 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 多晶硅槽式制绒冷却装置 |
| CN201804891U (zh) * | 2010-04-30 | 2011-04-20 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 带循环冷却机构的多晶制绒机 |
| CN102242402A (zh) * | 2011-07-11 | 2011-11-16 | 苏州赤诚洗净科技有限公司 | 太阳能电池硅片的制绒装置 |
| CN202308013U (zh) * | 2011-11-01 | 2012-07-04 | 宁波市鑫友光伏有限公司 | 太阳能硅片表面制绒装置 |
| CN203923464U (zh) * | 2014-04-27 | 2014-11-05 | 巨力新能源股份有限公司 | 一种多晶硅太阳能电池片链式制绒装置中用药液循环管路 |
| CN204230280U (zh) * | 2014-12-11 | 2015-03-25 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 |
-
2014
- 2014-12-11 CN CN201410771098.0A patent/CN104465878A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201523023U (zh) * | 2009-08-26 | 2010-07-07 | 北京中联科伟达技术股份有限公司 | 一种多晶太阳能电池片的链式制绒的装置 |
| CN101818958A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-09-01 | 重庆远雄制冷成套设备有限公司 | 一种三组板板冰机热气脱冰制冷系统 |
| CN201804891U (zh) * | 2010-04-30 | 2011-04-20 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 带循环冷却机构的多晶制绒机 |
| CN201695107U (zh) * | 2010-06-18 | 2011-01-05 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 多晶硅槽式制绒冷却装置 |
| CN102242402A (zh) * | 2011-07-11 | 2011-11-16 | 苏州赤诚洗净科技有限公司 | 太阳能电池硅片的制绒装置 |
| CN202308013U (zh) * | 2011-11-01 | 2012-07-04 | 宁波市鑫友光伏有限公司 | 太阳能硅片表面制绒装置 |
| CN203923464U (zh) * | 2014-04-27 | 2014-11-05 | 巨力新能源股份有限公司 | 一种多晶硅太阳能电池片链式制绒装置中用药液循环管路 |
| CN204230280U (zh) * | 2014-12-11 | 2015-03-25 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105470170A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-04-06 | 百力达太阳能股份有限公司 | 使制绒槽化学槽液温度均匀的系统 |
| CN105470170B (zh) * | 2015-11-23 | 2018-05-25 | 百力达太阳能股份有限公司 | 使制绒槽化学槽液温度均匀的系统 |
| CN107820638A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-03-20 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 液体控温系统及膜层剥离设备 |
| CN106783670A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-05-31 | 梁叶青 | 一种单晶硅电池生产工艺用硅片减薄设备 |
| CN106783670B (zh) * | 2016-11-18 | 2019-11-05 | 安徽省凤阳县前力玻璃制品有限公司 | 一种单晶硅电池生产工艺用硅片减薄设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN204230280U (zh) | 一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 | |
| CN104465878A (zh) | 一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统 | |
| CN101982889A (zh) | 一种太阳能电池片的制作方法 | |
| CN203790598U (zh) | 降膜式蒸发器 | |
| CN201695088U (zh) | 一种槽式多晶硅湿法制绒设备 | |
| CN203704702U (zh) | 分散式多层填料降温冷却塔 | |
| CN203312350U (zh) | 一种用于晶硅太阳能电池背抛光的碱槽结构 | |
| CN204424294U (zh) | 一种太阳能电池片的制绒装置 | |
| CN204516730U (zh) | 刻蚀装置 | |
| CN102728656B (zh) | 一种中高碳线材无酸洗拉拔方法 | |
| CN203284471U (zh) | 浅槽酸洗装置 | |
| CN103466955A (zh) | 一种减反射玻璃的制备方法及其镀膜设备 | |
| CN207149539U (zh) | 一种硅片用清洗花篮 | |
| CN206109602U (zh) | 一种太阳能电池片槽式制绒设备 | |
| CN202183408U (zh) | 双排二十工位手动制绒与清洗设备 | |
| CN207327565U (zh) | 一种新型电缆护套冷却设备 | |
| CN207425896U (zh) | 一种太阳能电池湿法刻蚀水膜装置 | |
| CN207391587U (zh) | 一种用于钢丝电解磷化的电解磷化装置 | |
| CN205944124U (zh) | 一种多列动态扫描式透明导电膜制绒设备 | |
| CN202989355U (zh) | 一种用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板 | |
| KR101097901B1 (ko) | 태양광 모듈 냉각장치 | |
| CN205974661U (zh) | 一种硅片镀膜用石墨框 | |
| CN207542206U (zh) | 一种湿法刻蚀的上料装置 | |
| CN206412322U (zh) | 一种刻蚀装置 | |
| CN218160285U (zh) | 电池片背面和侧面硼硅玻璃去除装置及链式设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150325 |