CN207542206U - 一种湿法刻蚀的上料装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种湿法刻蚀的上料装置，包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽，反应槽设置在上料主机台上，滚轮设置在反应槽的顶部，反应槽里放置有腐蚀液，反应槽中的腐蚀液的液面高于滚轮的底部，储液槽中的化学品和水通过循环泵输送至反应槽，储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。其有益效果是：本实施例的湿法刻蚀的上料装置将上料和反应槽集成于一个单元槽，在完成硅片上料的同时，还可实现去除单面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工艺的功能槽作用，从而增加了本实用新型的湿法刻蚀的上料装置的功能，减少了制造工序及设备成本，节约了功能槽的长度，节省了设备空间，减少了多道滚轮转动带来的碎片。

Description

一种湿法刻蚀的上料装置

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池制造过程中的湿法刻蚀的技术领域，具体涉及一种湿法刻蚀的上料装置。

背景技术

晶体硅太阳能电池常规生产工艺一般包括以下步骤：清洗、制绒、扩散、刻蚀、去PSG、PECVD、丝网印刷和烧结。其中，刻蚀是其中的一个重要环节，其目的是去掉硅片背面和四周的PN结，以使硅片的正面和背面相互绝缘。

目前，链式结构设备是一种常用的湿法刻蚀设备，其原理是：在HF/HNO₃体系中，利用表面张力和毛细力的作用去除边缘和背面的PN结，而不会影响太阳能电池的结构。这种设备包括：刻蚀槽、水喷淋槽、碱槽、水喷淋槽、去PSG槽、水喷淋槽和吹干装置。

随着各种新型高效电池的兴起，钝化技术对电池表面的要求越来越高，由于高温炉管等设备本身的限制，制备过程中容易带来另一面的绕镀现象，如何去除这一面绕镀的生成物，如磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG或氮化硅SiNx等物质，是电池制备过程中的一大难点。如果直接走湿法刻蚀，刻蚀并不能完全将绕镀生成物去除干净，因而会造成较高的表面复合速率，大大地降低电池的转换效率。

目前，在湿法刻蚀机台上解决该问题的工艺流程如下：第一台设备：入料→单边刻蚀→水洗→吹干→出料；第二台设备：上料→刻蚀→水洗→HF酸洗→水洗→下料。这种方法不仅导致了设备的结构长，而且还增加了制造成本。因此，如何在不增加工序的基础上实现单面刻蚀是本领域的一大技术挑战。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构简单、成本低的晶体硅太阳能电池制造过程中的湿法刻蚀的上料装置。

本实用新型的一种湿法刻蚀的上料装置，其技术方案为：

一种湿法刻蚀的上料装置，包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽，所述反应槽设置在所述上料主机台上，所述滚轮设置在所述反应槽的顶部，所述反应槽里放置有腐蚀液，所述反应槽中的腐蚀液的液面高于所述滚轮的底部，所述储液槽中的化学品和水通过所述循环泵输送至所述反应槽，所述储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。

其中，所述储液槽中还设置有化学品自动补给系统和水自动补给系统。

其中，所述滚轮为螺纹带液滚轮或海绵带液滚轮，所述滚轮带有定向功能。

其中，硅片通过所述滚轮之间的辊道水平输送，所述硅片的前部刚进入到反应槽中时，所述硅片的头部边缘略微接触反应槽中的腐蚀液的液面，以使得所述腐蚀液在硅片下表面形成薄膜；所述腐蚀液为氢氟酸。

其中，所述湿法刻蚀的上料装置还包括独立的循环系统和抽风系统。

其中，所述反应槽的材质为聚丙烯，所述反应槽的长度为400-1000nm。

本实用新型的实施包括以下技术效果：

(1)、本实用新型将上料和反应槽集成于一个单元槽，在完成硅片上料的同时，还可实现去除单面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工艺的功能槽作用，这样使得湿法刻蚀的上料装置的上料主机台增加了反应槽的功能，从而减少了制造工序及设备成本，节约了功能槽的长度，节省了设备空间，减少了多道滚轮转动带来的碎片。

(2)、本实用新型将反应槽直接设置在湿法刻蚀的上料装置的上料主机台上，使得硅片经过该反应槽时，可以直接将反应槽中的腐蚀液带到后面的刻蚀槽，从而降低了刻蚀槽的成本。

(3)、本实用新型的湿法刻蚀的上料装置结构简单、成本低，适于广泛推广使用。

附图说明

图1为本实用新型的一种湿法刻蚀的上料装置的结构示意图。

图中，1-上料主机台，2-反应槽，3-滚轮，4-储液槽，5-化学品配液添加系统，6-水配液添加系统，7-化学品自动补给系统，8-水自动补给系统。

具体实施方式

下面将结合实施例以及附图对本实用新型加以详细说明，需要指出的是，所描述的实施例仅旨在便于对本实用新型的理解，而对其不起任何限定作用。

参见图1所示，本实施例提供的一种湿法刻蚀的上料装置，包括上料主机台1、反应槽2、滚轮3、储液槽4，所述反应槽2设置在所述上料主机台1上，所述滚轮3设置在所述反应槽2的顶部，所述反应槽2里放置有腐蚀液，所述反应槽2中的腐蚀液的液面高于所述滚轮3的底部，所述储液槽4中的化学品和水通过循环泵输送至所述反应槽2，所述储液槽4上设置有化学品配液添加系统5和水配液添加系统6；所述反应槽2的材质为聚丙烯，其长度为400-1000nm。本实施例提供的湿法刻蚀的上料装置将上料和反应槽集成于一个单元槽，在完成硅片上料的同时，还可实现去除单面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工艺的功能槽作用，这样使得湿法刻蚀的上料装置的上料主机台增加了反应槽的功能，从而增加了本实用新型的湿法刻蚀的上料装置的功能，减少了制造工序及设备成本节约了功能槽的长度，节省了设备空间，减少了多道滚轮转动带来的；并且将反应槽2直接设置在湿法刻蚀的上料装置的上料主机台1上，使得硅片经过该反应槽2时，可以直接将反应槽2中的腐蚀液带到后面的刻蚀槽，从而降低了刻蚀槽的成本。

优选地，所述储液槽4中还设置有化学品自动补给系统7和水自动补给系统8。本实施例通过在储液槽4中设置化学品自动补给系统7和水自动补给系统8，以使得本实施例的湿法刻蚀的上料装置能够自动实现化学品的配液和补液功能，从而提高了生产效率，降低了生产成本。

优选地，所述滚轮3为螺纹带液滚轮或海绵带液滚轮，所述滚轮3带有定向功能。本实施例将滚轮设置为螺纹带液滚轮或海绵带液滚轮，并使其具有定向功能，以使硅片在上料的同时，还能将腐蚀液带到刻蚀槽，从而简化了整个硅片刻蚀设备的结构，节省了设备所占的空间，而且还能保证硅片在上料过程中不歪片。

更优选地，硅片通过所述滚轮3之间的辊道水平输送，所述硅片的前部刚进入到反应槽2中时，所述硅片的头部边缘略微接触反应槽2中的腐蚀液的液面，以使得所述腐蚀液在硅片下表面形成薄膜；所述腐蚀液为氢氟酸。本实施例通过将硅片用滚轮3之间的辊道水平输送，在硅片的前部刚进入到反应槽2中时，硅片的头部边缘略微接触反应槽2中的腐蚀液的液面，以使得腐蚀液在硅片下表面形成薄膜，从而保证了只有硅片的下表面和四周能与腐蚀液发生反应的目的。

优选地，所述湿法刻蚀的上料装置还包括独立的循环系统和抽风系统。本实施例通过设置独立的循环系统和抽风系统，以使得本实施的上料装置工作更加安全、可靠。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。

Claims (6)

1.一种湿法刻蚀的上料装置，包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽，其特征在于：所述反应槽设置在所述上料主机台上，所述滚轮设置在所述反应槽的顶部，所述反应槽里放置有腐蚀液，所述反应槽中的腐蚀液的液面高于所述滚轮的底部，所述储液槽中的化学品和水通过循环泵输送至所述反应槽，所述储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。

2.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀的上料装置，其特征在于：所述储液槽中还设置有化学品自动补给系统和水自动补给系统。

3.根据权利要求1或2所述的一种湿法刻蚀的上料装置，其特征在于：所述滚轮为螺纹带液滚轮或海绵带液滚轮，所述滚轮带有定向功能。

4.根据权利要求3所述的一种湿法刻蚀的上料装置，其特征在于：硅片通过所述滚轮之间的辊道水平输送，所述硅片的前部刚进入到反应槽中时，所述硅片的头部边缘略微接触反应槽中的腐蚀液的液面，以使得所述腐蚀液在硅片下表面形成薄膜。

5.根据权利要求1或2所述的一种湿法刻蚀的上料装置，其特征在于：所述湿法刻蚀的上料装置还包括独立的循环系统和抽风系统。

6.根据权利要求5所述的一种湿法刻蚀的上料装置，其特征在于：所述反应槽的材质为聚丙烯，其长度为400-1000nm。