JPH09246231A

JPH09246231A - 処理装置および処理方法

Info

Publication number: JPH09246231A
Application number: JP7138296A
Authority: JP
Inventors: Kinya Ueno; 欽也上野; Naoki Shindo; 尚樹新藤; Yuji Kamikawa; 裕二上川
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-03-01
Filing date: 1996-03-01
Publication date: 1997-09-19
Anticipated expiration: 2016-03-01
Also published as: JP3545531B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理槽１８内にＩＰＡ液の如き処理液の蒸気
を導入しながら被処理体Ｗを処理する際に、その処理時
間を短縮化する。【解決手段】処理液の蒸気を処理槽１８内に導入して
処理槽１８内に収納した被処理体Ｗを処理するに際し、
処理槽１８内を排気して減圧状態とし、被処理体Ｗの表
面に付着した処理液の蒸気圧を相対的に高めて、乾燥を
早める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理液の蒸気を用
いて被処理体を処理する装置と方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）表面
のパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミ
ネーションを除去するために洗浄システムが使用されて
いる。その中でもウェハを処理槽内の洗浄液に浸漬して
洗浄を行うウエット型の洗浄システムは、ウェハに付着
したパーティクルを効果的に除去できる長所がある。

【０００３】この従来のウエット型の洗浄システムは、
連続バッチ処理を可能とするため、例えば２５枚のウェ
ハをキャリア単位で装置内にロードするローダと、この
ローダによってロードされたキャリア２個分の５０枚の
ウェハを一括して搬送する搬送手段と、この搬送手段に
よって搬送される５０枚のウェハをバッチ式に洗浄、乾
燥するように配列されたユニットとしての処理槽を備
え、さらに各処理槽によって洗浄、乾燥されたウェハを
アンロードするアンローダとを備えた、ウエットステー
ションと呼ばれ、広く使用されている。このウエットス
テーションの各処理槽では、アンモニア処理、フッ酸処
理、硫酸処理、塩酸処理などの各種薬液処理と、純水な
どによる水洗処理とが交互に行われ、更に最終的に、乾
燥処理が行われる。

【０００４】ここで、ウェハの乾燥処理を行う処理槽と
して、親水性の高いＩＰＡ［イソプロピルアルコール：
（ＣＨ₃）₂ＣＨＯＨ］蒸気をウェハの表面に供給しつつ
槽下部から排水して乾燥を行うクローズド方式の処理槽
は、ＩＰＡの揮発を利用してウェハの表面から純水の膜
を取り除くことができ、ウォーターマークを残さずに乾
燥できる利点があることから、広く普及している。そし
て、このクローズド方式の処理槽は、ＩＰＡ液供給源か
ら供給されたＩＰＡ液を蒸気発生室内で加熱してＩＰＡ
蒸気を発生させ、そのＩＰＡ蒸気を洗浄システムの処理
槽に導入しながら処理槽内に収納したウェハを乾燥させ
るように構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
なウェハの乾燥を行う処理槽では、乾燥時においては処
理槽内はすべてＩＰＡ蒸気に置換され、更に最終的にＮ
₂ガスなどの不活性ガスに処理槽内雰囲気がパージされ
て、乾燥処理が終了する。そして、こうして処理槽内の
不活性雰囲気に保持されたウェハは、適当な時期に搬送
装置によって処理槽から取り出され、キャリアに装填さ
れて搬出される。

【０００６】しかしながら、従来の洗浄システムにおい
ては、かようなＩＰＡ蒸気下で行われるウェハの乾燥を
短時間で終えることができない場合があった。かかる場
合、ウェハの表面が充分に乾燥しきっていない状態でウ
ェハを処理槽から取り出したのでは、ウェハの表面にパ
ーティクルが付着しやすくなってしまう。このため、従
来の洗浄システムにおいては、ウェハの乾燥に相当の時
間が必要であり、スループットの向上をはかり難かっ
た。

【０００７】従って本発明の目的は、以上のように処理
槽内にＩＰＡ液の如き処理液の蒸気を導入しながら被処
理体を処理する際に、その処理時間を短縮化することに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、処理液の蒸気を処理槽内に導入
して処理槽内に収納した被処理体を処理する処理装置に
おいて、処理槽内を排気する排気手段を設けたことを特
徴としている。

【０００９】そして、請求項２の発明は、処理液の蒸気
を処理槽内に導入して処理槽内に収納した被処理体を処
理する処理方法において、処理槽内を排気することを特
徴としている。

【００１０】また、請求項３の発明は、処理液の蒸気を
処理槽内に導入し、次いで、不活性ガスを処理槽内に導
入して処理槽内に収納した被処理体を処理する処理方法
において、処理槽内を排気することを特徴としている。

【００１１】これら請求項１〜３の発明にあっては、処
理槽内を排気することにより、処理槽内の雰囲気を大気
圧よりも減圧した状態にする。これにより、処理槽内に
収納した被処理体の表面に付着した処理液の蒸気圧を相
対的に高めて、乾燥を早めることができる。

【００１２】なお、処理槽内の排気は、請求項４に記載
したように、処理液の蒸気を処理槽内に導入していると
きに行っても良いし、あるいは請求項５に記載したよう
に、処理液の蒸気を処理槽内に導入した後に行っても良
い。更にまた、処理槽内の排気は、請求項６に記載した
ように、不活性ガスを処理槽内に導入しているときに行
っても良いし、請求項７に記載したように、不活性ガス
を処理槽内に導入した後に行っても良い。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、被処理体の一例としてのウェハＷの表面に、処理
液としてのＩＰＡ［イソプロピルアルコール：（Ｃ
Ｈ₃）₂ＣＨＯＨ］蒸気を供給しながら乾燥処理を行うも
のについて説明する。図１は、本発明の実施の形態にか
かる処理槽１９を備えた洗浄システム１の斜視図であ
る。図２は、図１におけるＡ−Ａ断面矢視図である。

【００１４】この洗浄システム１は、キャリアＣ単位で
搬入された洗浄前のウェハＷをキャリアＣから整列した
状態で取り出す動作を行う搬入・ロード部２と、この搬
入・ロード部２からロードされた複数枚数の（例えば、
キャリアＣ２個分の５０枚の）ウェハＷを一括してバッ
チ式に洗浄、乾燥する処理部３と、この処理部３で洗
浄、乾燥されたウェハＷをキャリアＣに装填してキャリ
アＣ単位で搬出する搬出・アンロード部４の三つの箇所
に大別することができる。

【００１５】搬入・ロード部２には、洗浄前のウェハＷ
を例えば２５枚収納したキャリアＣを搬入して載置させ
る搬入部５と、この搬入部５の所定位置に送られたキャ
リアＣを、隣接するローダ６へ一度に適宜数（例えば２
個）ずつ移送するための移送装置７が設けられている。

【００１６】この実施の形態においては、処理部３に
は、搬入・ロード部２側から搬出・アンロード部４側の
順に、後述する搬送装置３０のウェハチャック３６を洗
浄および乾燥するための処理槽１１、洗浄液を用いてウ
ェハＷを洗浄する処理槽１２、この処理槽１２で洗浄さ
れたウェハＷをリンス洗浄する処理槽１３、１４、洗浄
液を用いてウェハＷを洗浄する処理槽１５、この処理槽
１５で洗浄されたウェハＷをリンス洗浄する処理槽１
６、１７、搬送装置３２のウェハチャック３８を洗浄お
よび乾燥するための処理槽１８、および、各洗浄槽１２
〜１７で洗浄されたウェハＷを乾燥させるための処理槽
１９が配列されている。

【００１７】そして、処理槽１１と処理槽１８では、例
えば純水などを用いてウェハチャック３６とウェハチャ
ック３８の洗浄をそれぞれ行い、更に、ウェハチャック
３６とウェハチャック３８の乾燥も行う。また、処理槽
１２と処理槽１５では、互いに種類の異なる洗浄液によ
る洗浄を行うのが一般的である。その一例として、処理
槽１２では、例えばアンモニア水過水の如きアルカリ系
洗浄液（ＮＨ₄ＯＨ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂Ｏ）を用いたいわゆる
ＳＣ１洗浄を行って、ウェハＷ表面に付着している有機
汚染物、パーティクル等の不純物質を除去する。また、
処理槽１５では、例えば塩酸過水（ＨＣｌ＋Ｈ₂Ｏ₂）を
用いたいわゆるＳＣ２洗浄を行って、この酸系洗浄によ
り金属イオンの除去、ウェハＷ表面の安定化を図る。ま
た、処理槽１３、１４、および処理槽１６、１７では、
例えば純水の如き洗浄水を用いてウェハＷのリンス洗浄
を行う。更にまた、処理槽１９では、この実施の形態に
おいては、後述するように希フッ酸（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）を
用いたいわゆるＨＦ洗浄とリンス洗浄を行い、更にその
洗浄後に親水性の高いＩＰＡ［イソプロピルアルコー
ル：（ＣＨ₃）₂ＣＨＯＨ］蒸気をウェハＷの表面に供給
しつつ槽下部から排水することにより、ＩＰＡの揮発を
利用してウェハＷの表面から純水の膜を取り除き、ウォ
ーターマークを残すことのない乾燥を行うように構成さ
れている。

【００１８】但し、ウェハチャック３６とウェハチャッ
ク３８の洗浄と乾燥を行う処理槽１１と処理槽１８およ
びウェハＷの洗浄と乾燥を行う処理槽１９を除く各処理
槽１２〜１７の配列、組合わせはウェハＷに対する洗浄
の種類によって任意に組み合わせることができ、場合に
よってはある処理槽を省略したり、逆に他の処理槽を付
加してもよい。例えば、硫酸過水（Ｈ₂ＳＯ₄＋Ｈ₂Ｏ₂）
洗浄を行う処理槽などが組み合わされる場合もある。

【００１９】搬出・アンロード部４には、先に説明した
搬入・ロード部２のローダ６と同様の構成を有するアン
ローダ２０、搬入部５と同様の構成を有する搬出部２
１、および、移送装置７と同様の構成を有する移送装置
（図示せず）がそれぞれ設けられている。

【００２０】そして、処理部３の前面側（図１における
手前側）には、搬入・ロード部２側から搬出・アンロー
ド部４側の順に、三つの搬送装置３０、３１、３２が配
列されており、これら各搬送装置３０、３１、３２は、
何れもガイド３３に沿って洗浄システム１の長手方向に
スライド移動自在に構成されている。各搬送装置３０、
３１、３２は、それぞれ対応するウェハチャック３６、
３７、３８を備えていて、各搬送装置３０、３１、３２
はそのウェハチャック３６、３７、３８によって所定枚
数のウェハＷ（例えばキャリアＣ二個分の５０枚のウェ
ハＷ）を一括して把持することが可能である。これらの
内、搬入・ロード部２側に位置する搬送装置３０は、そ
のウェハチャック３６で所定枚数のウェハＷを保持して
ガイド３３に沿ってスライド移動することにより、搬入
・ロード部２のローダ６から取り出したウェハＷを、処
理部３において処理槽１２、１３、１４の順に一括して
搬送する。また、中央に位置する搬送装置３１は、その
ウェハチャック３７で所定枚数のウェハＷを保持してガ
イド３３に沿ってスライド移動することにより、処理部
３において処理槽１４、１５、１６、１７の順にウェハ
Ｗを一括して搬送する。また、搬出・アンロード部４側
に位置する搬送装置３２は、そのウェハチャック３８で
所定枚数のウェハＷを保持してガイド３３に沿ってスラ
イド移動することにより、処理部３において処理槽１
７、１９の順にウェハＷを一括して搬送し、更に、処理
槽１９から搬出・アンロード部４のアンローダ２０にウ
ェハＷを一括して搬送する。

【００２１】ここで、以上の搬送装置３０、３１、３２
は何れも概ね同様の構成を備えているので、例えば処理
槽１７、１９と搬出・アンロード部４のアンローダ２０
の間でウェハＷを搬送する搬送装置３２を例にして説明
すると、搬送装置３２のウェハチャック３８は、図３に
示すように、例えばキャリアＣ二つ分としての５０枚の
ウェハＷを一括して把持する左右一対の把持部材４１
ａ、４１ｂを備えている。これら把持部材４１ａ、４１
ｂは左右対称形であり、各把持部材４１ａ、４１ｂが一
対の回動軸４２ａ、４２ｂによって搬送装置３２の支持
部４３に支持されることにより、把持部材４１ａ、４１
ｂが左右対称に回動して開脚、閉脚するように構成され
ている。支持部４３は、駆動機構４４によって上下方向
（図３においてＺ方向）に昇降する。また、駆動機構４
４自体も、先に図１に示したガイド３３に沿って処理部
３の長手方向（図３においてＸ方向）に沿ってスライド
移動する。なお、図示はしないが、ウェハチャック３８
全体は支持部４３に内蔵された図示しない駆動機構によ
って前後方向（図３においてＹ方向）に移動でき、更
に、支持部４３自体も水平面内においてその角度を微調
整できるように構成されている。

【００２２】回動軸４２ａ、４２ｂには把持部材４１
ａ、４１ｂの各上端部が固着され、また、これら各把持
部材４１ａ、４１ｂの下端部には、上下２段に石英製の
把持棒４７ａ、４７ｂ、４８ａ、４８ｂが平行に渡され
ている。これら各把持棒４７ａ、４７ｂ、４８ａ、４８
ｂの表面には、ウェハＷの周縁部が挿入される把持溝が
例えば５０本形成されている。そして、前述したよう
に、回転軸４２ａ、４２ｂの回動に伴って把持部材４１
ａ、４１ｂを閉脚させることにより、例えば５０枚のウ
ェハＷの周縁部を各把持棒４７ａ、４７ｂ、４８ａ、４
８ｂの把持溝にそれぞれ嵌入させ、各ウェハＷ同士を所
定の等間隔に保ちつつ立てた状態で整列させて一括把持
するようになっている。そして、こうして複数枚のウェ
ハＷを一括して把持した状態で支持部４３が駆動機構４
４によって上下方向（図３においてＺ方向）に昇降し、
駆動機構４４自体が先に図１に示したガイド３３に沿っ
て処理部３の長手方向（図３においてＸ方向）に沿って
スライド移動することにより、処理槽１７、１９および
搬出・アンロード部４のアンローダ２０の間でウェハＷ
を搬送するように構成されている。

【００２３】なお、搬送装置３２について代表して説明
したが、その他の搬送装置３０、３１およびそれらのウ
ェハチャック３６、３７も、搬送装置３２およびウェハ
チャック３８と概ね同一の構成を有しており、同様に例
えば５０枚のウェハＷを一括して把持し、搬送するよう
に構成されている。

【００２４】一方、ウェハチャック３６とウェハチャッ
ク３８の洗浄と乾燥を行う処理槽１１と処理槽１８を除
く他の各処理槽１２〜１７、１９の底部には、各槽内で
ウェハＷを同士を所定の等間隔に保ちつつ立てた状態で
整列させて保持するための保持具となるボート５０がそ
れぞれ設置されている。ここで、各処理槽１２〜１７、
１９の底部には、何れも概ね同一の構造を有するボート
５０が設けられているので、図３を基にして処理槽１９
に設置されているボート５０について代表して説明する
と、このボート５０は、処理槽１９内に垂設された前後
一対の支持体５１、５２の下端に渡って水平に取り付け
られた三本の平行な保持棒５３、５４、５５を備えてい
る。これら保持棒５３、５４、５５の内、中央の保持棒
５４の高さが最も低く、左右の保持棒５３、５５は保持
棒５４を中心に対称の位置に、かつ、保持棒５４よりも
高い位置に配置されている。これら保持棒５３、保持棒
５４、および保持棒５５の表面には、ウェハＷの周縁部
が挿入される保持溝がそれぞれ５０個ずつ形成されてい
る。

【００２５】そして、前述のウェハチャック３８によっ
て一括して把持された５０枚のウェハＷは、搬送装置３
２の駆動機構４４による支持部４３の下降に伴って処理
槽１９内に挿入され、５０枚のウェハＷの下端がボート
５０の保持棒５３、５４、５５の保持溝にそれぞれ嵌入
すると、搬送装置３２の駆動機構４４による支持部４３
の下降が停止するように構成されている。こうして、５
０枚のウェハＷはボート５０の保持棒５３、５４、５５
の保持溝によって互いに所定の間隔を保ちつつ一括して
保持された状態となる。そして、ウェハチャック３８は
回動軸４２ａ、４２ｂの回動により把持部材４１ａ、４
１ｂを開脚し、ウェハＷの把持状態を開放する。こうし
て、把持部材４１ａ、４１ｂの間で把持していた５０枚
のウェハＷを一括して離した後、搬送装置３２の駆動機
構４４による支持部４３の上昇に伴って処理槽１９上方
にウェハチャック３８が退避する。その後、処理槽１９
内においてボート５０上に受け渡されたウェハＷに対す
る所定の処理が行われるように構成されている。

【００２６】また、後述するように処理槽１９における
所定の処理が終了すると、再び搬送装置３２の駆動機構
４４による支持部４３の下降に伴ってウェハチャック３
８が処理槽３２内に挿入される。そして、回動軸４２
ａ、４２ｂの回動により把持部材４１ａ、４１ｂが閉じ
られてボート５０の保持棒５３、５４、５５上に保持さ
れた５０枚のウェハＷを一括して把持する。その後、支
持部４３が上昇することによってウェハチャック３８が
処理槽１９内から上方に退避し、それに伴って５０枚の
ウェハＷは一括して処理槽４２から取り出される。そし
て、搬送装置３２の駆動機構４４自体が先に図１に示し
たガイド３３に沿って処理部３の長手方向（図３におい
てＸ方向）に沿ってスライド移動して、処理槽１９から
取り出したウェハＷを次の搬出・アンロード部４のアン
ローダ２０にまで搬送するように構成されている。

【００２７】なお、処理槽１９以外の各処理槽１２〜１
７にも、以上に説明したボート５０と同様のものが設置
されており、上記と同様に、各処理槽１２〜１７におい
ても、５０枚のウェハＷを一括して保持できるように構
成されている。そして、所定枚数のウェハＷを一括して
保持することにより、搬送装置３０により搬入・ロード
部２のローダ６から処理槽１２、１３、１４の順に搬送
し、搬送装置３１により処理槽１４、１５、１６、１７
の順に搬送し、搬送装置３２により処理槽１７、１９、
および搬出・アンロード部４のアンローダ２０の順に搬
送する。

【００２８】次に、本発明の実施の形態にかかる処理槽
１９は、ウェハＷに対して所定の洗浄と乾燥を行うもの
として次のように構成されている。即ち、この処理槽１
９は上面が開口した略箱型をなしており、図２に示した
処理槽１９の周囲には、次に説明するように、処理槽１
９の底部から連続的に供給される洗浄液のオーバーフロ
ー分を受容する外槽６０が設けられている。

【００２９】即ち、図４に示すように、処理槽１９から
溢れ出て、処理槽１９周囲の外槽６０によってオーバー
フロー分として受容された洗浄液は、外槽６０の底部に
接続されている回路６１から排出されるように構成され
ている。また、処理槽１９の底面６２には、例えば室温
以上で８０℃以下程度に温度調節された温水や、冷水
（例えば室温程度の如き通常の温度の純水）、その他、
フッ化水素溶液（希フッ酸）などの洗浄液を適宜選択的
に供給可能な回路６３が接続されている。後述する洗浄
液循環機構８５によってこの回路６３より槽内に導入さ
れた洗浄液が、槽底部のボート５０と底面６２との間に
介装された整流手段６４を介して、乱流を生じることな
く均等にウェハＷの周囲に供給されるように構成されて
いる。

【００３０】そして、この整流手段６４は、処理槽１９
の底面６２とボート５０によって保持されている所定枚
数のウェハＷを上下に区画するように水平に配設される
整流板６５と、整流板６５の下方に配置される拡散板６
６とから構成されている。整流板６５には複数のスリッ
ト６７とそれらスリット６７の両側に位置する複数の小
孔６８が穿設されており、回路６３より槽内に導入され
た洗浄液は、まず拡散板６６の裏面に衝突し、その拡散
板６６の周縁部より整流板６５の裏面全体に拡散され、
その後、整流板６５のスリット６７と小孔６８を通過し
て、上記ボート５０により保持されたウェハＷの周囲に
洗浄液が供給されるので、乱流を生じることなく均等な
流速でウェハＷを包み込み、ウェハＷ全体をむら無く均
等に洗浄することができる。

【００３１】図２に示されるように、処理槽１９の上面
開口部は、洗浄システム１の処理部３内部に上下に適当
な間隔をもって配置された仕切り板６９、７０で形成さ
れるケース７３内に配置されている。このケース７３の
上面（仕切り板６９）は蓋体７１によって閉鎖自在に構
成されており、この蓋体７１を閉じた場合は、処理槽１
９はケース７３内の密閉雰囲気におかれた状態となる。
また、ケース７３の上方には、フィルタを備えたファン
フィルタユニットやファンユニットなどの空調機７２が
設置されており、清浄化された空気のダウンフローがケ
ース７３内の処理槽１９に向けて形成されている。

【００３２】図５に示すように、このケース７３の底部
には回路７５が設けられており、この回路７５はトラッ
プ機構７６と回路７７を介して排気手段７８に接続され
ている。排気手段７８は、例えば吸引ポンプなどで構成
されており、その稼働によって、ケース７３内の雰囲気
を回路７５、７７を介して吸引排気することにより、ケ
ース７３内を減圧雰囲気にする。なお、ケース７３内か
ら排気される雰囲気中に混入した例えばＩＰＡ蒸気など
の有機物質は、回路７５、７７の間に設けられたトラッ
プ機構７６で捕捉され、トラップ機構７６底部の回路７
９から廃棄（ＤＲＡＩＮ）される。

【００３３】ケース７３の側面には回路８０が接続され
ており、図示しないＮ₂ガス供給源からこの回路８０を
介してケース７３内にＮ₂ガスを供給することにより、
ケース７３内を不活性雰囲気にできるようになってい
る。なお、不活性ガスとして、Ｎ₂ガス以外の例えばＡ
ｒガスなどをケース７３内に供給しても良い。

【００３４】一方、処理槽１９に対して洗浄液を供給す
るための洗浄液循環機構８５は、図５に示すように、ケ
ース７３の外側において、処理槽１９周囲の外槽６０に
接続された回路６１と処理槽１９底面に接続された回路
６４の間に配置されている。この洗浄液循環機構８５に
は、希フッ酸供給源８６、純水供給源８７、および温水
供給源８８から各洗浄液が供給されるようになってい
る。即ち、希フッ酸供給源８６からは、洗浄液としての
希フッ酸（ＤＨＦ）が供給され、純水供給源８７からは
例えば常温程度の水温の純水（リンス洗浄液）が供給さ
れ、更に温水供給源８８からは例えば室温以上８０℃以
下程度に水温が調節された温水が供給される。また、こ
の洗浄液循環機構８５は、処理槽１９内に充填されてい
る各洗浄液を廃棄（ＤＲＡＩＮ）するための回路９０も
備えている。この回路９０は、前述のトラップ機構７６
を経て回路７９に接続されている。

【００３５】そして、図４において示した如き処理槽１
９内のボート５０上に保持したウェハＷを、先ず希フッ
酸を用いてＨＦ洗浄するに際しては、図５に示す洗浄液
循環機構８５に希フッ酸供給源８６から洗浄液としての
希フッ酸を供給する。そして、その洗浄液（希フッ酸）
を洗浄液循環機構８５によって回路６４を介して処理槽
１９の底部に連続的に供給し、その洗浄液の上昇流を処
理槽１９内に形成させる。また、処理槽１９から溢れ出
た洗浄液は、処理槽１９周囲の外槽６０に受容した後、
回路６１から再び洗浄液循環機構８５に戻す。洗浄液循
環機構８５はこうして戻された洗浄液を濾過して清浄化
し、更に温度や濃度等を所定のものに調整した後、再び
その洗浄液を回路６４を介して処理槽１９の底部に供給
する。こうして、処理槽１９内に洗浄液（希フッ酸）が
循環供給されて、ウェハＷのＨＦ洗浄が行われるように
なっている。

【００３６】次に、ＨＦ洗浄が終了し、リンス洗浄を行
う場合は、まだ処理槽１９内に洗浄液としての希フッ酸
が充填されている状態で、洗浄液循環機構８５に純水供
給源８７からリンス洗浄液としての純水の供給を開始す
る。そして、そのリンス洗浄液（純水）を回路６４を介
して処理槽１９の底部に供給しつつ、処理槽１９内に充
填されていた希フッ酸を処理槽１９上部から外槽６０に
溢れ出させ、溢れ出た希フッ酸は回路６１から洗浄液循
環機構８５に戻して回路９０および回路７９を経て廃棄
する。こうして、しばらくの間純水供給源８７からリン
ス洗浄液を供給しながら回路９０、７９から廃棄を行う
ことにより、処理槽１９内の洗浄液を純水に置換する。
なお、洗浄液が希フッ酸から純水に置換されたことは、
例えば回路６１中において洗浄液の比抵抗を計測するこ
とにより検知することが可能である。

【００３７】またリンス洗浄が終了した場合は、次に、
洗浄液循環機構８５に温水供給源８８から例えば室温以
上８０℃以下程度に水温が調節された温水の供給を開始
する。そして、その温水を回路６４を介して処理槽１９
の底部に供給しつつ、処理槽１９内に充填されていたリ
ンス洗浄液（例えば常温程度の水温の純水）を処理槽１
９上部から外槽６０に溢れ出させ、溢れ出たリンス洗浄
液は回路６１から洗浄液循環機構８５に戻して回路９０
および回路７９を経て廃棄する。こうして、しばらくの
間温水供給源８８から温水を供給しながら回路９０、７
９から廃棄を行うことにより、処理槽１９内の洗浄液を
温水に置換した後、回路９０、７９からの廃棄を停止す
る。こうして、処理槽１９内に温水が循環供給されて、
ウェハＷは室温以上８０℃以下程度に加熱された状態と
なる。なお、洗浄液が温水に置換されたことは、例えば
回路６１中において水温を計測することにより検知する
ことが可能である。

【００３８】更に、この洗浄液循環機構８５は、以上の
ようにして処理槽１９内に充填した温水を処理槽１９底
部の回路６４から洗浄液循環機構８５に戻し、その温水
を回路９０、７９から廃棄することによって、処理槽１
９内の温水を排水することもできるように構成されてい
る。

【００３９】また、図５に示すように、処理槽１９の周
囲に設けられている外槽６０の側壁面には、回路９５が
接続されており、後に詳しく説明するＩＰＡ蒸気発生室
９６で作り出された処理液としてのＩＰＡ［イソプロピ
ルアルコール：（ＣＨ₃）₂ＣＨＯＨ］の蒸気がこの回路
９５を介して処理槽１９内に導入されるようになってい
る。この回路９５の周りには、ＩＰＡ蒸気が処理槽１９
内に導入される前に凝縮することを防ぐために例えばテ
ープヒータなどのヒータ９７が装着されており、回路９
５内の温度は約８０℃に維持されている。

【００４０】ＩＰＡ蒸気発生室９６には、ＩＰＡ液供給
源９８からＩＰＡ液が供給されている。ＩＰＡ液供給源
９８は、例えばキャニスタ容器などに充填されているＩ
ＰＡ液をＩＰＡ蒸気発生室９６に回路９９を介して圧送
するように構成されている。ＩＰＡ蒸気発生室９６は、
こうして供給されたＩＰＡ液を約８０℃以上（例えば１
２０℃）にまで加熱することにより、ＩＰＡ蒸気を作り
出し、そのＩＰＡ蒸気を回路９５を介してケース７３内
の処理槽１９内に導入する。

【００４１】また、処理槽１９の上部には回路１００が
接続されており、この回路１００は処理槽１９の内壁に
接触した状態で開口するように設けられている。そし
て、ＩＰＡ蒸気発生室９６内の下方から取り出したＩＰ
Ａ液をこの回路１００を介して処理槽１９内に導入し、
そのＩＰＡ液を処理槽１９の内壁上部に伝わらせながら
供給できるように構成されている。

【００４２】その他、ＩＰＡ蒸気は引火性が高いので、
以上に説明したケース７３およびＩＰＡ蒸気発生室９６
の内部には、消火手段としてのＣＯ₂消火器１０１によ
りＣＯ₂ガスを供給できるように構成されている。ま
た、処理槽１９の全体の処理工程は、操作パネル１０２
での入力に従ってコントローラ１０３により制御されて
いる。

【００４３】次に、ＩＰＡ蒸気発生室９６は、図６に示
すように、ケーシング１１０の内部に蒸気発生室本体１
１１を配置した構成を備えており、前述の回路９５、回
路９９、および回路１００は何れもこの蒸気発生室本体
１１１に接続されている。回路９９の途中には、ＩＰＡ
液供給源９８から蒸気発生室本体１１１へ供給されるＩ
ＰＡ液の供給を制御するための弁１１２と、蒸気発生室
本体１１１へ供給する途中でＩＰＡ液中の不純物を濾過
除去するためのフィルタ１１３が設けられている。そし
て、蒸気発生室本体１１１の底部にはヒータ１１５が配
設されており、ＩＰＡ液供給源９８から回路９９を介し
て蒸気発生室本体１１１内に供給されたＩＰＡ液を、こ
のヒータ１１５によりＩＰＡ液の沸点である約８０℃以
上の温度（例えば１２０℃程度）にまで加熱するように
構成されている。このヒータ１１５による加熱時には、
蒸気発生室本体１１１内の上方にはＩＰＡ蒸気が充満
し、蒸気発生室本体１１１内の圧力はＩＰＡ蒸気の蒸気
圧で大気圧よりも高い状態となる。

【００４４】処理槽１９の外槽６０側壁面に接続されて
いる回路９５は蒸気発生室本体１１１の上面に開口して
おり、また、この回路９５の途中には弁１１７が設けら
れている。そして、先に説明したヒータ１１５の加熱に
よって蒸気発生室本体１１１内の圧力をＩＰＡ蒸気の蒸
気圧で大気圧よりも高くした状態でこの弁１１７を開放
することにより、その蒸気圧でＩＰＡ蒸気を回路９５か
ら処理槽１９内に導入することができる。この場合、回
路９５の周りには図５で示したヒータ９７が装着してあ
って回路９５内の温度は約８０℃に維持されているの
で、ＩＰＡ蒸気が処理槽１９内に導入される前に回路９
５中で凝縮する心配がない。

【００４５】前述の処理槽１９の内壁上部に接続されて
いる回路１００は、蒸気発生室本体１１１の内部の下方
に溜められたＩＰＡ液の液面下において開口しており、
この回路１００の途中には弁１２０が設けられている。
また、蒸気発生室本体１１１内には弁１２１を備えた回
路１２２を介して図示しないＮ₂加圧ガス供給源からの
Ｎ₂加圧ガスを供給できるようになっている。従って、
回路１００の弁１２０を開放した状態で回路１２２の弁
１２１を開放して蒸気発生室本体１１１内にＮ₂加圧ガ
スを供給することにより、蒸気発生室本体１１１の内部
下方に溜められているＩＰＡ液を回路１００を介して処
理槽１９内に導入することができる。また、ＩＰＡ蒸気
の圧力を利用してＩＰＡ液を回路１００を介して処理槽
１９内に導入することも可能である。この場合、前述し
たように回路１００は処理槽１９の内壁上部に接触した
状態で開口しているので、回路１００から処理槽１９内
に導入したＩＰＡ液を処理槽１９の内壁に伝えながら流
下させることができる。

【００４６】その他、蒸気発生室本体１１１の上面には
温度センサ１２５が設けられると共に、回路１２６、１
２７がそれぞれ接続されている。温度センサ１２５は、
例えば熱電対とすることができる。この温度センサ１２
５によって蒸気発生室本体１１１内の上方に充満してい
るＩＰＡ蒸気の温度を測定し、その温度を図５で説明し
たコントローラ１０３に入力する。

【００４７】回路１２６は大気圧雰囲気中にて開口して
おり、また、回路１２６の途中には弁１２８が設けられ
ている。この弁１２８を開放することにより、蒸気発生
室本体１１１内の雰囲気を大気圧に開放することができ
る。

【００４８】回路１２７は弁１３０を介してトラップパ
イプ１３１の上端に接続されている。トラップパイプ１
３１の周囲には冷却用のウォータージャケット１３２が
装着してあり、弁１３０を解放すると、蒸気発生室本体
１１１内のＩＰＡ蒸気が回路１２７からトラップパイプ
１３１内に流入し、ウォータージャケット１３２の冷熱
で冷却されてＩＰＡ液に凝縮するようになっている。ま
た、トラップパイプ１３１の下端は、弁１３３を備える
回路１３４を介して蒸気発生室本体１１１の下方に接続
されている。従って、ウォータージャケット１３２の冷
熱で凝縮したＩＰＡ液は、弁１３３の開放によって蒸気
発生室本体１１１の下方に戻される。

【００４９】蒸気発生室本体１１１の周囲は、例えばシ
リコンスポンジの如き断熱材１３５によって覆われてお
り、蒸気発生室本体１１１内で発生したＩＰＡ蒸気を保
温することにより、ＩＰＡ蒸気が凝縮するのを防いでい
る。

【００５０】蒸気発生室本体１１１の側方には、前述の
ＩＰＡ液供給源９８から回路９９を介して蒸気発生室本
体１１１内に供給されたＩＰＡ液の液面高さを示すレベ
ルゲージ１３６が設けられている。そして、このレベル
ゲージ１３６に現れる液面をセンサ１３７によって測定
することにより、蒸気発生室本体１１１内に溜められて
いるＩＰＡ液の液面高さを検出し、その液面高さを図５
で説明したコントローラ１０３に入力するようになって
いる。

【００５１】そして、蒸気発生室本体１１１およびトラ
ップパイプ１３１を包んでいるケーシング１１０の内部
は、回路１３８を介して供給されたＮ₂パージガスによ
って置換され、ケーシング１１０内は不活性雰囲気に保
たれている。

【００５２】さて、図１の洗浄システム１全体において
は、図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていないウ
ェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを搬入・
ロード部２の搬入部５に載置する。そして、この搬入部
５に載置されたキャリアＣを移送装置７によって隣接す
るローダ６へ移送する。ローダ６では、例えばキャリア
Ｃ二個分の５０枚のウェハＷをキャリアＣから取り出
し、更にオリフラ合わせした状態で５０枚のウェハＷを
整列待機させる。

【００５３】続いて、既に処理槽１１において洗浄およ
び乾燥処理された搬送装置３０のウェハチャック３６
が、ローダ６に整列している待機状態のウェハＷの上方
に移動し、その整列されたウェハＷをウェハチャック３
６により５０枚単位で一括して把持する。そして、それ
らウェハＷを先ず処理槽１２、１３、１４に順次搬送す
る。こうして、処理槽１２では、例えばアンモニア水過
水の如きアルカリ系洗浄液（ＮＨ₄ＯＨ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ
₂Ｏ）を用いたいわゆるＳＣ１洗浄を行い、ウェハＷ表
面に付着している有機汚染物、パーティクル等の不純物
質を除去する。また、処理槽１３、１４では、例えば純
水の如き洗浄水を用いてウェハＷのリンス洗浄を行う。

【００５４】ＳＣ１洗浄とリンス洗浄を終了すると、次
の搬送装置３１のウェハチャック３７が処理槽１４内に
下降し、処理槽１４底部のボート上に保持された５０枚
のウェハＷを一括して把持して上昇する。そして、それ
らウェハＷを一括して次の処理槽１５、１６、１７へ順
次搬送する。こうして、処理槽１５では、例えば塩酸過
水（ＨＣｌ＋Ｈ₂Ｏ₂）を用いたいわゆるＳＣ２洗浄を行
い、金属イオンの除去、ウェハＷ表面の安定化を図る。
また、処理槽１６、１７では、例えば純水の如き洗浄水
を用いてウェハＷのリンス洗浄を行う。

【００５５】ＳＣ２洗浄とリンス洗浄を終了すると、次
の搬送装置３２のウェハチャック３８が処理槽１７内に
下降し、処理槽１７底部のボート上に保持された５０枚
のウェハＷを一括して把持して上昇する。こうして処理
槽１７から取り出したウェハＷを一括して次の処理槽１
９と搬出・アンロード部４のアンローダ２０へ順次搬送
する。

【００５６】ここで、本発明の実施の形態にかかる処理
槽１９においては、以下に説明する工程に従ってウェハ
Ｗの洗浄、乾燥処理が行われる。

【００５７】先ず、ウェハＷが搬入される前において
は、処理槽１９には所定の濃度に設定された希フッ酸
（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）のごとき洗浄液が予め充填されてお
り、また、図５で説明した洗浄液循環機構８５によって
回路６４を介して処理槽１９の底部に洗浄液が連続的に
循環供給されることにより、処理槽１９内には洗浄液の
上昇流が形成された状態になっている。そして、処理槽
１９の上方（ケース７３の上方）には、処理槽１７から
取り出した５０枚のウェハＷを一括把持した搬送装置３
２のウェハチャック３８が待機した状態になっている。

【００５８】そして、図２に示した蓋体７１が開放され
てケース７３の上面が開口すると、ウェハチャック３８
が下降を開始し、ウェハチャック３８によって把持され
た５０枚のウェハＷを処理槽１９内に挿入して、それら
ウェハＷを処理槽１９底部のボート５０上に保持させ
る。その後、ウェハチャック３８は開脚してウェハＷの
把持状態を開放した後上昇し、処理槽１９上方に退避す
る。このウェハチャック３８の退避後、蓋体７１が再び
閉められて処理槽１９はケース７３内の密閉雰囲気にお
かれた状態となる。そして、図７（１）に示すようにし
て、処理槽１９内においてウェハＷを洗浄液（希フッ
酸）１５０に浸漬させた状態でＨＦ洗浄が開始する。

【００５９】次に、所定のレシピ（設定濃度／設定時
間）に従うウェハＷのＨＦ洗浄が終了すると、図５に示
す洗浄液循環機構８５は処理槽１９の底部からの洗浄液
（希フッ酸）の循環供給を中止する。そして、純水供給
源８７から供給されたリンス洗浄液としての純水を処理
槽１９の底部に供給し、希フッ酸を処理槽１９上部から
外槽６０に溢れ出させて洗浄液循環機構８５に戻した
後、回路９０、７９から廃棄する。こうして、しばらく
の間純水供給源８７からリンス洗浄液を供給しながら回
路９０、７９から廃棄を行うことにより、処理槽１９内
の洗浄液を純水に置換し、置換後、回路９０、７９から
の廃棄を停止する。なお、洗浄液が希フッ酸から純水に
置換されたことは、例えば洗浄液の比抵抗を計測して検
知することができる。そして、図７（２）に示すように
して、処理槽１９内においてウェハＷを純水洗浄液１５
１中に浸漬させてウェハＷをリンス洗浄する。

【００６０】そして、リンス洗浄を終了すると、洗浄液
循環機構８５は処理槽１９の底部からのリンス洗浄液
（純水）の循環供給を中止する。そして、温水供給源８
８から供給された温水洗浄液としての温水（室温以上８
０℃以下程度に水温が調節された温水）を処理槽１９の
底部に供給し、リンス洗浄液を処理槽１９上部から外槽
６０に溢れ出させて洗浄液循環機構８５に戻した後、回
路９０、７９から廃棄する。こうして、しばらくの間温
水供給源８８から温水洗浄液を供給しながら回路９０、
７９から廃棄を行うことにより処理槽１９内の洗浄液を
温水に置換し、図７（３）に示すようにして、処理槽１
９内においてウェハＷを温水洗浄液１５２中に浸漬させ
てウェハＷを加熱する。そして、ウェハＷを加熱後、洗
浄液循環機構８５は処理槽１９の底部からの温水洗浄液
の供給を中止する。

【００６１】次に、図６に示したＩＰＡ蒸気発生室９６
の蒸気発生室本体１１１においてヒータ１１５で所定の
温度（例えばＩＰＡの沸点である約８０℃）に加熱した
ＩＰＡ液を回路１００を介して蒸気発生室本体１１１内
の下方から取り出し、そのＩＰＡ液を処理槽１９内に導
入して処理槽１９の内壁上部に伝わらせながら吐き出
す。こうして、図７（４）に示すように、処理槽１９内
においてウェハＷを温水洗浄液１５２中に浸漬させなが
ら、温水洗浄液１５２の液面にＩＰＡ液１５３の層を適
当な厚さで浮遊させた状態で形成する。

【００６２】なお、この温水洗浄液１５２の液面に形成
されるＩＰＡ液１５３の浮遊層は、回路１００から処理
槽１９内にＩＰＡ液を導入する代わりに、図６に示した
ＩＰＡ蒸気発生室９６の蒸気発生室本体１１１で作り出
したＩＰＡ蒸気を回路９５から処理槽１９内に導入する
ことによっても形成することもできる。即ち、処理槽１
９内に溜められている温水洗浄液１５２の温度がＩＰＡ
液の沸点である約８０℃よりも低い場合は、回路９５か
らＩＰＡ蒸気を処理槽１９内に導入すれば、その蒸気が
処理槽１９内の温水洗浄液１５２の液面に触れた際に凝
縮するので、同様に図７（４）に示したように、温水洗
浄液１５２の液面にＩＰＡ液１５３の浮遊層を形成する
ことができる。

【００６３】こうして回路１００を介して処理槽１９内
にＩＰＡ液を導入することにより温水洗浄液１５２の液
面にＩＰＡ液１５３の浮遊層を形成した後、図６に示す
ＩＰＡ蒸気発生室９６の蒸気発生室本体１１１において
作り出したＩＰＡ蒸気を回路９５から処理槽１９内に導
入し始める。あるいは、既に回路９５からＩＰＡ蒸気を
処理槽１９内に導入して処理槽１９内の温水洗浄液１５
２の液面にＩＰＡ液１５３の浮遊層を形成した場合は、
更に蒸気発生室本体１１１において作り出したＩＰＡ蒸
気を回路９５から処理槽１９内に導入し続ける。なお、
このように処理槽１９内にＩＰＡ蒸気を導入する場合
は、ＩＰＡ蒸気発生室本体１１１においてヒータ１１５
でＩＰＡ液を約８０℃以上（例えば１２０℃）に加熱
し、ＩＰＡ蒸気発生室８６内のＩＰＡ液を沸騰させてＩ
ＰＡ蒸気発生室本体１１１内を大気圧よりも高くした状
態で弁１１７を開放し、蒸気圧によってＩＰＡ蒸気を回
路９５から処理槽１９内に導入する。

【００６４】そして、処理槽１９内にＩＰＡ蒸気を導入
している状態を保ちながら、処理槽１９内の温水洗浄液
を図５に示した回路６４から洗浄液循環機構８５に少し
ずつ戻して回路９０、７９から廃棄し、処理槽１９内の
温水洗浄液１５２を徐々に排水する。この排水工程の途
中においては、処理槽１９内には、図７（５）に示すよ
うに、下方に温水洗浄液１５２の液層が位置し、上方に
ＩＰＡ蒸気１５４の気層が位置し、それらの間にＩＰＡ
液１５３の液層が位置した状態となる。こうして、処理
槽１９内においてウェハＷの表面の温水洗浄液１５２を
直接気体に触れさせずに、ウェハＷ表面の温水洗浄液を
揮発性の高いＩＰＡ液１５３に置換しながら徐々に排水
する。

【００６５】こうして、温水洗浄液１５２の液面にＩＰ
Ａ液１５３の層を形成させた状態で処理槽１９内の温水
洗浄液１５２をゆっくりと排水することにより、ウェハ
Ｗの表面全体にＩＰＡ液１５３の層を通過させて、ウェ
ハＷ表面に付着していた洗浄液（純水）を揮発性の高い
ＩＰＡ液１５３に置換することが可能となる。なお、ボ
ート５０によって保持されているウェハＷの周縁部に付
着している洗浄液（純水）もＩＰＡ液に完全に置換でき
るように、ＩＰＡ液１５３の層が通過する際に、ボート
５０によるウェハＷの保持箇所を途中で変えてやること
が望ましい。

【００６６】そして、図７（６）の乾燥工程−１に示す
ように、処理槽１９内から温水洗浄液１５２を完全に排
水し、温水洗浄液１５２上に浮遊していたＩＰＡ液１５
３の液層も完全に排水した後においても、更に処理槽１
９内にＩＰＡ蒸気１５４を導入し続ける。そして、処理
槽１９内をよりＩＰＡ蒸気１５４雰囲気にして水分を排
出する。こうして、所定の間、処理槽１９内にＩＰＡ蒸
気１５４を導入したら、回路９５の弁１１７を閉じ、処
理槽１９内へのＩＰＡ蒸気の導入を終了する。

【００６７】乾燥工程−１を終了すると、次に、図５に
示した回路８０を介して図示しないＮ₂ガス供給源から
ケース７３内にＮ₂ガスを供給し、処理槽１９内のＩＰ
Ａ蒸気を一掃（ＰＵＲＧＥ）する。これにより、処理槽
１９内雰囲気はＮ₂ガスに置換されて不活性雰囲気とな
る。こうして、図７（７）の乾燥工程−２においては不
活性雰囲気下で乾燥を行い、ウェハＷの表面に付着した
ＩＰＡ液を完全に蒸発させて取り除く。処理槽１９内雰
囲気がＮ₂ガスに置換されると、図示しないＮ₂ガス供給
源からのＮ₂ガスの供給は終了する。かくして、表面に
ウォーターマークを残すことなく乾燥されたウェハＷ
が、不活性雰囲気となった処理槽１９内に収納された状
態となる。この場合、ケース７３内に供給するＮ₂ガス
は、例えば約８０℃程度に加熱されていることが望まし
い。

【００６８】そして、以上に説明した図７（６）の乾燥
工程−１や図７（７）の乾燥工程−２においては、ケー
ス７３内を排気して処理槽１９内の雰囲気を大気圧より
も減圧した状態にすることにより、ウェハＷの表面に付
着したＩＰＡ液の乾燥を早めることができるようにな
る。即ち、例えば図７（６）に示す乾燥工程−１におい
て、処理槽１９内にＩＰＡ蒸気１５４を供給してウェハ
Ｗを乾燥する処理を行いながら、図５に示した排気手段
７８を稼働し、ケース７３内の雰囲気を回路７５、７７
を介して排気する。すると、ケース７３内におかれてい
る処理槽１９は減圧雰囲気となり、これにより処理槽１
９内に収納しているウェハＷの表面に付着したＩＰＡ液
の蒸気圧が相対的に高くなって、ＩＰＡ液の乾燥を早め
ることができるようになる。

【００６９】一方、このように排気手段７８を稼働して
ケース７３内の雰囲気を排気した場合は、ケース７３底
部から回路７５に排気される雰囲気中にＩＰＡ蒸気など
の有機物質が混入することになる。しかし、回路７５に
混入した有機物質は、回路７５、７７の間に設けたトラ
ップ機構７６で捕捉されてトラップ機構７６底部の回路
７９から廃棄（ＤＲＡＩＮ）されるので、排気手段７８
側には入り込む心配がない。

【００７０】なお、以上は図７（６）の乾燥工程−１に
おいて処理槽１９内にＩＰＡ蒸気１５４を供給している
際に処理槽１９内を減圧雰囲気にする例について説明し
たが、その他、図７（６）の乾燥工程−１において処理
槽１９内へのＩＰＡ蒸気１５４の供給を終了した後にケ
ース７３内の排気を行っても良く、また、図７（７）の
乾燥工程−２において回路８０からケース７３内にＮ₂
ガスを導入しているときにケース７３内を排気して処理
槽１９内を減圧雰囲気にするようにしても良く、更にま
た、処理槽１９へのＮ₂ガスの導入を終了した後に、ケ
ース７３内を廃棄して処理槽１９内を減圧雰囲気にして
も良い。何れにしても、図７（６）の乾燥工程−１およ
び図７（７）の乾燥工程−２の間の適当な時期に排気手
段７８を稼働して処理槽１９内を減圧雰囲気にすること
により、ウェハＷの表面に付着したＩＰＡ液の乾燥を早
めることができるようになる。

【００７１】かくして、処理槽１９におけるウェハＷの
洗浄および乾燥が終了すると、図２に示した蓋体７１が
再び開放されてケース７３の上面が開口し、既に処理槽
１８において洗浄および乾燥処理されて、処理槽１９の
上方に待機していたウェハチャック３８が下降を開始す
る。そして、ウェハチャック３８は処理槽１９底部のボ
ート５０上に保持されていた５０枚のウェハＷを一括し
て把持し、そのウェハＷを処理槽１９から取り出して、
次の搬出・アンロード部４のアンローダ２０に搬出す
る。かくして、この洗浄システムによる一連の洗浄、乾
燥が終了したウェハＷは、キャリアＣに装填された状態
で搬出・アンロード部４の搬出部２１から、例えば図示
しないロボットにより搬出されることになる。

【００７２】なお、この実施の形態で説明した処理槽１
９のようにＩＰＡなどの引火性の高い処理液を用いる場
合は、先に図５において説明したように、ケース７３お
よびＩＰＡ蒸気発生室９６の内部にＣＯ₂ガスを供給し
て消火を行うようなＣＯ₂消火器１０１を設置すると良
い。この場合、図６に示した温度センサ１２５の周辺の
みにＣＯ₂ガスを供給する構成としても良い。

【００７３】また、処理槽１９の全体の処理工程を、図
５に示したコントローラ１０３によって制御する例につ
いて説明したが、例えばＩＰＡ蒸気発生室９６の制御を
行う各制御部や、処理槽１９やその他の各洗浄槽１１〜
１７の制御を行う各制御部、搬入・ロード部２と搬出・
アンロード部４の制御を行う各制御部などをそれぞれ個
別に設け、それらの各制御部をマスターコンピュータで
制御するように構成しておけば、マスターコンピュータ
が故障しても、それぞれの各制御部で制御することによ
って、洗浄システム１の運転を継続できるので、安全性
を確保できる。

【００７４】なお、この実施の形態においては、処理槽
１９へのウェハＷの搬入と、処理槽１９からのウェハＷ
の搬出を一つの搬送装置３２によって行う例を説明し
た。その場合、処理槽１９へウェハＷを搬入した際にウ
ェハチャック３８に洗浄液が付着するので、処理槽１９
内で洗浄および乾燥されたウェハＷを搬出する際には、
ウェハチャック３８を洗浄槽１８にて洗浄、乾燥するこ
とが必要である。そこで、処理槽１９へウェハＷを搬入
する搬送装置と、処理槽１９からウェハＷを搬出する搬
送装置をそれぞれ別個に設けるようにしても良い。そう
すれば、処理槽１９からウェハＷを搬出する搬送装置の
ウェハチャックは常に清潔かつ乾燥した状態を保つこと
ができるので、ウェハチャックの洗浄と乾燥を行う処理
槽を省略できるようになる。

【００７５】

【発明の効果】本発明によれば、処理槽内の雰囲気を減
圧状態にすることにより、被処理体の表面に付着した処
理液を迅速に乾燥させることができる。従って、本発明
によれば、処理時間を短縮でき、スループットの向上を
はかることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる処理槽を備えた洗
浄システムの斜視図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ断面矢視図である。

【図３】搬送装置の斜視図である。

【図４】処理槽の斜視図である。

【図５】洗浄液循環機構の説明図である。

【図６】ＩＰＡ蒸気発生室の説明図である。

【図７】処理槽における洗浄、乾燥の処理工程説明図で
ある。

【符号の説明】

Ｗウェハ１９処理槽７５回路７６トラップ機構７７回路７８排気手段８５処理液循環機構９６ＩＰＡ蒸気発生室９８ＩＰＡ液供給源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液の蒸気を処理槽内に導入して処理
槽内に収納した被処理体を処理する処理装置において、処理槽内を排気する排気手段を設けたことを特徴とする
処理装置。
【請求項２】処理液の蒸気を処理槽内に導入して処理
槽内に収納した被処理体を処理する処理方法において、処理槽内を排気することを特徴とする処理方法。
【請求項３】処理液の蒸気を処理槽内に導入し、次い
で、不活性ガスを処理槽内に導入して処理槽内に収納し
た被処理体を処理する処理方法において、処理槽内を排気することを特徴とする処理方法。
【請求項４】前記処理液の蒸気を処理槽内に導入して
いるときに、処理槽内を排気する請求項２、または３に
記載の処理方法。
【請求項５】前記処理液の蒸気を処理槽内に導入した
後に、処理槽内を排気する請求項２、３、または４に記
載の処理方法。
【請求項６】前記不活性ガスを処理槽内に導入してい
るときに、処理槽内を排気する請求項３、４、または５
に記載の処理方法。
【請求項７】前記不活性ガスを処理槽内に導入した後
に、処理槽内を排気する請求項３、４、５、または６に
記載の処理方法。