JPH10177979A

JPH10177979A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH10177979A
Application number: JP8338036A
Authority: JP
Inventors: Yasunori Nakajima; 保典中島
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-12-18
Filing date: 1996-12-18
Publication date: 1998-06-30

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の水洗処理における水洗パターンを容易
に変更，設定することが可能な基板処理装置を提供する
こと。【解決手段】予め記憶ディスク２３に複数種類の水洗
パターンを記憶保持しておく。基板処理に先立って、Ｃ
ＰＵ２１は記憶ディスク２６に記憶されている複数種類
の水洗パターンをディスプレイ２６に表示する。オペレ
ータはディスプレイに表示された複数種類の水洗パター
ンから所望の水洗パターンを選択し、それに対応する記
号等をキーボード２７より設定入力する。また、オペレ
ータは水洗槽において水洗処理に要する総合の処理時間
を入力する。これによって、ＣＰＵ２１は選択された水
洗パターンにおける水洗サイクル回数を自動で算出し、
槽コントローラ３０に送信する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ，
液晶用ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板，及び光
ディスク用基板などの薄板状基板（以下、単に「基板」
と称する）に対して諸処理を施す基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、少なくとも１つの薬液槽と少
なくとも１つの水洗槽とからなる複数の処理槽に、処理
対象である基板を順次に浸漬させることによって、基板
表面の酸化膜をエッチングしたり、レジスト膜を剥離し
たり、若しくは基板表面の汚染物質を除去したりする基
板処理装置が知られている。

【０００３】上記のような基板処理装置における水洗槽
では、温純水又は常温の純水（冷純水）による基板の洗
浄処理が行われる。この水洗槽における基板の洗浄処理
は、図８に示すタイムチャートに示すような処理手順で
行われている。

【０００４】図８に示すように、基板を水洗処理する際
には、槽内に冷純水のアップフロー供給を行ったり、シ
ャワー供給を行ったりする。また、温純水も槽内に供給
される。また、洗浄の際に槽内の純水を攪拌するため
に、泡を発生させるバブリングを行う。また、槽内の純
水を排水する動作も行われる。

【０００５】図８に示す処理手順において、基板は時刻
ｔ４に水洗槽内に浸漬される。そして処理対象の基板
は、まず温純水で処理され、その後に、冷純水で２回処
理が行われる。図８において時間Ｔ０が温純水処理時間
であり、時間Ｔ１は冷純水処理に切り換えるための時間
である。そして、時間Ｔ２は槽内の純水を排水するため
の排水時間であり、時間Ｔ３は冷純水供給時間であり、
時間Ｔ４は待機時間である。従って、時間（Ｔ２＋Ｔ３
＋Ｔ４）が冷純水による洗浄を行う処理時間である。

【０００６】このような水洗処理を行う基板処理装置に
おいて、水洗処理を行う際には、オペレータは基板の処
理に先立って、統合の処理時間Ｔと各処理時間Ｔ０〜Ｔ
４の値をそれぞれ設定入力し、基板に対する所望の処理
手順を実行させる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の基板処
理装置では、図８に示す水洗手順だけが記憶されている
ため、温純水のみによる洗浄処理又は冷純水のみによる
洗浄処理を行うような場合には、オペレータが温水処理
時間Ｔ０を「０」と設定入力したり、冷純水による処理
時間（Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４）を「０」に設定入力すること
が必要となる。従って、水洗手順を変更するような場合
には、各処理時間Ｔ０〜Ｔ４等が何を行うための時間
（パラメータ）なのかということと、図８の水洗手順の
流れとを熟知したオペレータが必要となる。すなわち、
従来の基板処理装置では、簡単に処理手順の変更を行う
ことができないという問題があった。

【０００８】この発明は、上記課題に鑑みてなされたも
のであって、基板の水洗処理における水洗パターンを容
易に変更，設定することが可能な基板処理装置を提供す
ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、基板に対して洗浄処理を
施すための水洗槽と、水洗槽に対して純水を供給する純
水供給手段と、水洗槽に設けられた排水手段と、純水供
給手段と排水手段とを動作制御する制御手段と、水洗槽
における基板の複数種類の処理手順を予め記憶しておく
記憶手段と、複数種類の処理手順から実際に基板処理の
際に行う処理手順を選択する選択情報を入力する入力手
段とを備え、制御手段は入力手段より入力された選択情
報に対応する処理手順を記憶手段から読み出し、当該処
理手順に基づいて純水供給手段と排水手段とを動作制御
して水洗槽における基板の水洗処理を行わせる。

【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の装置において、純水供給手段は、冷純水を供給する冷
純水供給手段と、温純水を供給する温純水供給手段とを
備え、複数種類の処理手順は、冷純水及び温純水のうち
少なくとも一方についての単独洗浄処理と、冷純水によ
る洗浄処理と温純水による洗浄処理との組み合わせ処理
とを含み、制御手段は、選択情報に応じて冷純水供給手
段及び温純水供給手段を動作制御する。

【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の装置において、処理手順は、所定の単位水洗
処理を繰り返し行うサイクル処理を有し、選択情報とと
もに入力手段より入力される付随情報に応じた回数だ
け、サイクル処理において単位水洗処理を繰り返して行
う。

【００１２】

【発明の実施の形態】

＜装置の全体構成の一例＞図１は、この発明の実施の形
態を示す基板処理装置１００の全体構成の一例を示す概
略平面図である。なお、装置構成はこれに限定されるも
のでない。処理対象の基板が複数枚収容されたカセット
がローダＬに載置され、基板がＸ方向に順次搬送されて
複数の処理槽Ｂで処理され最終的にアンローダＵＬに搬
送される。このときの基板の搬送は、搬送路Ｒに設けら
れた搬送ロボットＴＲがＸ方向若しくは（−Ｘ）方向に
駆動することによって行われる。なお、搬送ロボットの
数は任意である。また、基板の処理形態は、基板を１枚
ずつ処理していく枚葉処理形態であるか、複数枚の基板
を一度に処理するバッチ処理形態であるかを問わない。
さらにバッチ処理形態である場合にその基板の搬送形態
は、カセットに基板を入れた状態で搬送するカセット搬
送であるか、基板のみを搬送するカセットレス搬送であ
るかも問わない。

【００１３】この基板処理装置の複数の処理槽Ｂについ
て説明する。まずローダＬから払い出された基板は薬液
槽ＣＢ１で浸漬処理された後、水洗槽ＷＢ１で純水によ
る洗浄が行われる。そして、次に基板は薬液槽ＣＢ２で
浸漬処理された後、再び水洗槽ＷＢ２において洗浄され
る。その後さらに、基板は薬液槽ＣＢ３で浸漬処理され
て水洗槽ＷＢ３で洗浄される。その後基板はスピンドラ
イＳＤで乾燥されてアンローダＵＬに収容される。

【００１４】各薬液槽ＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３について
具体的一例を挙げると、薬液槽ＣＢ１ではアンモニア
（ＮＨ₄ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）と純水（Ｈ₂Ｏ）
との混合溶液であるアンモニア過水が処理液として処理
槽に入れられている。この混合溶液は一般的にＳＣ−１
液として知られている。この薬液槽ＣＢ１に基板を浸漬
することによって基板表面の金属不純物などが除去され
る。次に薬液槽ＣＢ２にはフッ酸（ＨＦ）が入れられて
いるとともに希釈用の純水も供給される。この薬液槽Ｃ
Ｂ２に基板を浸漬させることによって基板表面をエッチ
ング処理する。そして薬液槽ＣＢ３では塩酸（ＨＣｌ）
と過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）と純水（Ｈ₂Ｏ）との混合溶液
が処理液として処理槽に入れられている。この混合溶液
は一般的にＳＣ−２液として知られている。この薬液槽
ＣＢ３においても基板表面に付着した不純物の除去が行
われる。また、その他に使用される薬液として硫酸，硝
酸，リン酸などがある。

【００１５】そして、各水洗槽ＷＢ１，ＷＢ２，ＷＢ３
では、約７０〜８０°Ｃ程度の一定温度の温純水又は常
温で一定温度の冷純水によって基板が洗浄処理される。
図２は、この水洗槽ＷＢ１，ＷＢ２，ＷＢ３の全体的装
置構成を示す側面概念図である。

【００１６】図２に示すように、基板を浸漬するための
水洗槽ＷＢからオーバーフローする純水を受けるために
水洗槽ＷＢの下方に外槽ＯＢが設けられている。また、
温純水を供給するための温純水供給源１１と冷純水を供
給するための冷純水供給源１２とが設けられている。さ
らに外槽ＯＢの底部から純水を排水するための排水機構
１３と、水洗槽ＷＢ内に泡を供給するためのバブリング
機構１４とが設けられている。さらに、水洗槽ＷＢ内に
は液面を検出するレベルセンサＬＳが設けられている。

【００１７】温純水を水洗槽ＷＢに供給するときは温純
水バルブＶ３を開き、冷純水バルブＶ４を閉じる。逆に
冷純水を水洗槽ＷＢに供給するときは冷純水バルブＶ４
を開き、温純水バルブＶ３を閉じる。また、水洗槽ＷＢ
に温純水も冷純水も供給しないときは温純水バルブＶ３
と冷純水バルブＶ４は双方とも閉じた状態となる。

【００１８】また、水洗槽ＷＢへの温純水又は冷純水の
供給する方式は、水洗槽ＷＢの底部よりアップフロー供
給する方式と、水洗槽ＷＢの上方のシャワーノズルＳＮ
からシャワー供給する方式とがある。アップフロー供給
を行う場合はアップフローバルブＶ２を開き、シャワー
供給を行う場合はシャワーバルブＶ１を開く。そして、
アップフロー供給とシャワー供給との両方を行う場合は
アップフローバルブＶ２とシャワーバルブＶ１の両方を
開く。

【００１９】水洗槽ＷＢ内の純水を攪拌することを目的
として、又は、洗浄効率を上げる目的として水洗槽ＷＢ
内に気泡などの泡を供給する場合は、バブリングバルブ
Ｖ６を開くことによって行われる。そして、バブリング
用フィルタＦを介して水洗槽ＷＢに供給される。そして
水洗槽ＷＢ内の底面近くに設けられた吹き出し口ＢＮか
ら泡を吹き出す。

【００２０】また、水洗槽ＷＢ内の純水の排水は、水洗
槽ＷＢの側面底部に設けられた排水バルブＶ５を動作さ
せることによって行われる。水洗槽ＷＢ内に純水を溜め
る際には、排水バルブＶ５の先端部が水洗槽ＷＢの排水
口を塞ぐように構成されており、排水の際に、排水バル
ブＶ５の先端部が水洗槽ＷＢの排水口から離れることに
よって外槽ＯＢに排水される。そして外槽ＯＢからの排
水は排水機構１３により行われる。

【００２１】なお、図２には示していないが、洗浄効果
をさらに向上させるために超音波発生手段が設けられて
も良い。

【００２２】次に、この発明の実施の形態における制御
機構について説明する。図３は、この発明の実施の形態
における基板処理装置の制御構成を示す機能ブロック図
である。

【００２３】図３に示すように基板処理装置の全体を統
括制御するためのメインコントローラ２０はＣＰＵ２１
とデータを記憶するメモリ２２と処理手順やパラメータ
などのプログラムを記憶しておくための記憶ディスク２
３と外部機器とのインタフェースとなる入出力ポート２
４とから成り、オペレータが操作入力するためのディス
プレイ２６，キーボード２７が入出力ポート２４に接続
されている。そして、メインコントローラ２０の入出力
ポート２４には、さらに複数の処理槽Ｂ（図１参照）の
薬液槽及び水洗槽を制御するための槽コントローラ３０
と搬送ロボットＴＲの駆動を制御するマスターロボット
コントローラ４０に接続されている。

【００２４】槽コントローラ３０には、ＣＰＵ３１とメ
モリ３２とが設けられている。ＣＰＵ３１は全ての処理
槽Ｂについての統括的な管理・制御を行うと共に、他の
コントローラとの信号の受け渡しの役割も果たす。また
メモリ３２は全ての処理槽Ｂについてのデータを保持す
る。槽コントローラ３０は、全ての処理槽Ｂについての
制御も行うため、図２に示した水洗槽ＷＢの各バルブＶ
１，Ｖ２，…，Ｖ６の制御も行っている。このため槽コ
ントローラ３０は水洗槽の電磁弁制御部３５に接続され
ている。そしてさらに当該電磁弁制御部３５には、シャ
ワーバルブＶ１，アップフローバルブＶ２，温純水バル
ブＶ３，冷純水バルブＶ４，排水バルブＶ５，及びバブ
リングバルブＶ６が接続されており、各バルブの開閉操
作を行う。なお、当該電磁弁制御部３５及び各バルブＶ
１，Ｖ２，…，Ｖ６は水洗槽毎に設けられている。この
ような構成により槽コントローラ３０のＣＰＵ３１が各
水洗槽の電磁弁制御部３５に対して任意のバルブについ
ての開閉命令を送信することにより、各水洗槽の各バル
ブの開閉操作が行われる。

【００２５】＜水洗パターン＞次に、図２に示した水洗
槽ＷＢにおいて基板を水洗処理するための水洗パターン
について説明する。

【００２６】まず第１のパターンは、始めに温純水によ
る洗浄処理を行い、その後に冷純水による洗浄処理を行
う水洗パターンであり、キーボード２７からの入力が無
入力の場合はデフォルト設定として当該第１のパターン
の処理手順を実行する。図４は、この実施形態における
第１の水洗パターンを示すタイムチャートである。ま
ず、時刻ｔ１において水洗槽ＷＢ（図２参照）内の純水
が排水される。この排水はＣＰＵ３１が電磁弁制御部３
５を介して排水バルブＶ５を開閉制御することによって
行われる。なお、時間Ｔ５は基板を投入する前の排水に
要する排水時間を示す。そして時刻ｔ２にＣＰＵ３１が
排水バルブＶ５を閉じて水洗槽ＷＢの排水操作を終了
し、温純水バルブＶ３を開き水洗槽ＷＢ内に温純水を供
給する。このときの供給はアップフロー供給となるた
め、アップフローバルブＶ２が開けられる。そして時刻
ｔ３において水洗槽ＷＢが温純水で満たされるため、処
理対象の基板を温純水中に浸漬し、水洗処理を開始す
る。そして、時間Ｔ６だけ温純水による水洗処理を行
い、時刻ｔ４に温純水バルブＶ３を閉じ温純水の供給を
停止する。従って、時間Ｔ６は温純水による洗浄時間で
ある。なお、時刻ｔ２〜ｔ４の間は温純水をアップフロ
ー供給する。そして、時刻ｔ４において冷純水バルブＶ
４を開き冷純水のアップフロー供給が開始される。そし
て時刻ｔ５においてバブリングバルブＶ６が開かれバブ
リングが開始される。そして時間Ｔ１経過後の時刻ｔ６
において冷純水のアップフロー供給とバブリングが停止
し、水洗槽ＷＢ内の純水の排水が開始されるとともに、
冷純水のシャワー供給が開始される。そして排水時間Ｔ
２が経過後の時刻ｔ７において排水操作を停止するとと
もに冷純水のアップフロー供給を再開する。そして時間
Ｔ３が経過すると水洗槽ＷＢ内は冷純水で満たされるた
め、時刻ｔ８に冷純水のシャワー供給を停止し、バブリ
ングを再開する。そして時間Ｔ４だけ基板を処理した時
刻ｔ９において再び水洗槽ＷＢ内の純水の排水を開始す
るとともに冷純水のシャワー供給を開始する。そして時
刻ｔ６〜ｔ９までの処理を１サイクル（単位水洗処理）
して、再度繰り返す（時刻ｔ９〜ｔ１２）。すなわち、
この実施の形態では処理時間（Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４）にお
ける単位水洗処理を２サイクル行っている。そして、２
サイクルが終了した時刻ｔ１２においては冷純水のアッ
プフロー供給とバブリングは停止させずに、さらに待機
時間ＴＴだけ前状態を保持する。そして時刻ｔ１３に、
槽コントローラ３０のＣＰＵ３１はマスターロボットコ
ントローラ４０に対して基板の払い出し要求を行う。こ
れによって搬送ロボットＴＲは基板の搬送動作を開始す
る。そして時刻ｔ１４に、搬送ロボットＴＲが基板の搬
出を完了する。従って、基板が投入されてから基板が搬
出されるまでの時刻ｔ３〜時刻ｔ１４までが基板に対す
る総合の処理時間Ｔとなる。

【００２７】図４において、総合の処理時間Ｔはオペレ
ータが設定入力できるパラメータである。そして、各処
理時間Ｔ０，Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，…，Ｔ６及びＴＴは固
定時間であるため、総合の処理時間Ｔが入力されると、
ＣＰＵ２１は総合の処理時間Ｔで行うことができる処理
時間（Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４）のサイクル回数を決定する。
しかし、オペレータが設定入力する値によっては、サイ
クル回数を整数にできない場合があるが、そのようなと
きは整数回のサイクル処理を終えた時点でサイクル処理
が中断し、その後待機時間ＴＴのカウントに入る。例え
ば、オペレータの設定入力した総合の処理時間Ｔによっ
てＣＰＵ２１が、サイクル回数を「３．５回」と導き出
したときには、３サイクル目の時間Ｔ４終了時にサイク
ル処理を抜けて、待機時間ＴＴのカウントに移る。

【００２８】次に、第２のパターンは、冷純水による洗
浄処理のみを行う水洗パターンである。図５は、この実
施形態における第２の水洗パターンを示すタイムチャー
トである。まず、時刻ｔ２において、冷純水のアップフ
ロー供給を開始する。そして、水洗槽ＷＢが冷純水で満
たされると（時刻ｔ３）、処理対象の基板が水洗槽ＷＢ
に投入され、基板は冷純水の中に浸漬される。そして時
刻ｔ４にバブリングを開始する。そして、時刻ｔ５に冷
純水のアップフロー供給とバブリングを停止し、水洗槽
ＷＢの排水を開始するとともに、冷純水のシャワー供給
を開始する。時間Ｔ２が経過すると水洗槽ＷＢの排水が
完了し、再び純水のアップフロー供給を開始する（時刻
ｔ６）。そして時間Ｔ３が経過すると、水洗槽ＷＢが再
び冷純水で満たされるため、時刻ｔ７においてシャワー
供給を停止するとともに、バブリングを開始する。この
状態で時間Ｔ４だけ基板を処理する。時刻ｔ５から時刻
ｔ８までの処理を１サイクルとし、時刻ｔ８より再び水
洗槽ＷＢ内の冷純水を交換し、２サイクル目の処理に入
り、時刻ｔ５〜ｔ８までと同様の動作を繰り返す（時刻
ｔ８〜ｔ１１）。サイクル処理の後、時間ＴＴ経過後の
時刻ｔ１２に槽コントローラ３０のＣＰＵ３１は基板の
搬出の要求をマスターロボットコントローラ４０に対し
て送信し、時刻ｔ１３に基板の搬出が完了する。なお、
このパターンにおいても第１のパターンと同様に総合の
処理時間Ｔをオペレータが設定入力することによって、
処理時間（Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４）のサイクル回数を変更す
ることができる。

【００２９】次に、第３のパターンは、温純水による洗
浄処理のみを行う水洗パターンである。図６は、この実
施形態における第３の水洗パターンを示すタイムチャー
トである。まず、時刻ｔ１において水洗槽ＷＢ内の純水
が排水される。そして、時間Ｔ２が経過して水洗槽ＷＢ
内の排水が終了した後に温純水の供給を開始する（時刻
ｔ２）。このときの温純水の供給方法は、アップフロー
供給であることが好ましい。そして時刻ｔ３に水洗槽Ｗ
Ｂ内が温純水で満たされるため、処理対象の基板を温純
水に浸漬させる。そして時刻ｔ４に温純水のアップフロ
ーによる供給が開始される。そして時刻ｔ５にはバブリ
ングが開始される。その後時刻ｔ１２にはバブリングが
停止し、時刻ｔ１３にはマスターロボットコントローラ
４０に対して基板の搬出を要求する信号を送信する。そ
して時刻ｔ１４において基板が搬出され処理が終了す
る。なお、このパターンにはサイクル処理を行う部分は
存在しない。従って、オペレータがこのパターンを選択
した場合は、総合の処理時間Ｔについて必ずしも設定入
力することを要しない。

【００３０】ここまで、３つのパターンについて説明し
たが、その他に、冷純水による洗浄処理を行った後に温
純水による洗浄処理を行うパターンや、冷純水による洗
浄処理を行った後に、温純水による洗浄処理を行い、さ
らにその後再び冷純水による洗浄処理を行うパターン
や、温純水による洗浄処理を行った後に、冷純水による
洗浄処理を行い、さらにその後再び温純水による洗浄処
理を行うパターン等も行うことが可能である。これらの
パターンはそれぞれ図４乃至図６のタイムチャートを組
み合わせることによって実現することが可能であるが、
それ以外の処理手順を採用しても良い。

【００３１】この実施の形態において、上記のような複
数の水洗パターンを予め記憶ディスク２３（図３参照）
に記憶しておく。そして、オペレータはこれらの記憶さ
れている複数の水洗パターンから所望の水洗パターンを
選択し、それに対応する記号等をキーボード２７から入
力する。また、必要に応じて基板の水洗処理を行う総合
の処理時間Ｔを決定し、キーボード２７から入力する。
したがって、総合の処理時間Ｔは、水洗パターンととも
に入力される付随情報である。

【００３２】＜処理手順＞次に、この実施の形態におい
て基板を処理する際に行われる処理手順について説明す
る。図７は、この実施の形態における処理手順を示すフ
ローチャートであり、図１に示す装置全体での処理手順
を示す。

【００３３】基板に対する処理を開始する際は、ＣＰＵ
２１が記憶ディスク２３に記憶されている上記のような
複数種類の水洗パターンと装置全体での基板処理パター
ンを読み出し、ディスプレイ２６に複数種類の水洗パタ
ーンと装置全体での基板処理パターンを表示する。そし
てオペレータはディスプレイ２６に表示された複数種類
の水洗パターンから所望の水洗パターンを選択し、キー
ボード２７から入力操作を行う（ステップＳ１）。ま
た、オペレータは必要に応じて基板に対して水洗処理を
施す総合の処理時間Ｔについてキーボード２７から設定
入力する。そして、さらに、装置全体での基板処理パタ
ーンの入力も行う。そして、ＣＰＵ２１は入力された水
洗槽における水洗パターン又は装置全体における基板処
理パターンに対応する基板の処理手順を記憶ディスク２
３から読み出す（ステップＳ２）。そして、ＣＰＵ２１
は必要に応じて選択された水洗パターンと総合の処理時
間Ｔとに基づいて水洗槽ＷＢにおけるサイクル処理回数
を算出する。なお、総合の処理時間Ｔの設定入力を行う
ことができる場合において、オペレータが設定入力を行
わなかった場合は、予め記憶ディスク２３に記憶されて
いるデフォルト設定値が有効となる。そして、処理開始
時に、水洗パターンや各バルブを開閉する時刻などの水
洗槽に関する処理手順と装置全体における基板処理手順
に関するデータを槽コントローラ３０に送信する（ステ
ップＳ３）。槽コントローラ３０のＣＰＵ３１は、受信
した各槽の処理手順に関するデータに基づいて基板を処
理する（ステップＳ４）。すなわち、装置全体では薬液
槽ＣＢ１，水洗槽ＷＢ１，薬液槽ＣＢ２，水洗槽ＷＢ
２，薬液槽ＣＢ３，水洗槽ＷＢ３，スピンドライＳＤと
いう順で所定時間ずつ処理されていくが、水洗槽ＷＢで
は、ステップＳ１で設定入力された図４乃至図６のいず
れかの処理手順若しくはその他の処理手順が行われ、基
板に対して冷純水による水洗処理又は温純水による水洗
処理が施される。従って、基板が水洗槽で水洗処理され
ているときは、ＣＰＵ３１は電磁弁制御部３５を介し
て、シャワーバルブＶ１，アップフローバルブＶ２，温
純水バルブＶ３，冷純水バルブＶ４，排水バルブＶ５，
及びバブリングバルブＶ６を開閉制御し、所定の処理を
施している。

【００３４】そして、各水洗槽において選択された水洗
パターンに対応する水洗処理が終了すると、槽コントロ
ーラ３０のＣＰＵ３１はマスターロボットコントローラ
４０に対して基板を水洗槽ＷＢ内から搬出することを要
求する信号を送信する。これによって、マスターロボッ
トコントローラ４０は搬送ロボットＴＲを駆動して水洗
処理の終了した基板を搬出し、次の所定の処理を行うべ
く薬液槽等に搬送する（ステップＳ５）。なお、薬液槽
において所定の薬液が終了した場合も同様である。そし
て、基板に対する所定の処理（例えば、図１における薬
液槽ＣＢ１からスピンドライＳＤまでの処理）を終了し
た場合は、処理は終わり、終了していない場合はステッ
プＳ４に戻り、次に処理すべき槽の処理手順に関するデ
ータに基づいて基板を処理する。

【００３５】以上に示したように、この実施形態の基板
処理装置では、基板の処理を開始する前に、水洗槽の水
洗処理に関してオペレータが行うことは、予め記憶ディ
スクに記憶されている複数の水洗パターンから任意の１
つの水洗パターンを選択し、そして必要に応じて水洗処
理に要する総合の処理時間を決定し、ディスプレイ２６
に表示されたメニューの中からそれらに対応する記号等
をキーボードから入力することである。従って、従来の
ように各処理時間Ｔ０，Ｔ１等のパラメータの意味内容
等をオペレータが熟知する必要がなく、簡単に処理手順
の変更を行うことが可能となる。なお、総合の処理時間
についてもいくつかの典型例について予め登録しておく
場合には、総合の処理時間を含めた形でのメニュー選択
だけで処理内容を具体的に特定できる。

【００３６】＜変形例＞この実施の形態の変形例として
は、オペレータが設定入力した総合の処理時間Ｔでは、
サイクル回数が整数にできない場合に、サイクル処理の
途中でサイクル処理を中断し、その後待機時間ＴＴのカ
ウントに入るようにしてもよい。このようにした場合、
例えば、オペレータの設定入力した総合の処理時間Ｔに
よってはＣＰＵ２１が、サイクル回数を「３．５回」と
導き出したときには、４サイクル目の途中でサイクル処
理を抜け出て、待機時間ＴＴのカウントに移る。

【００３７】また、各水洗処理におけるサイクル処理を
行う部分のサイクル回数の決定のために、オペレータが
総合の処理時間ではなく、サイクル回数自体をキーボー
ド２７から設定入力することも可能である。

【００３８】また、冷純水の供給と温純水の供給との組
み合わせに限らず、水洗処理においてそれぞれが独立し
た制御対象となっていれば、この発明は適用可能であ
る。したがって、例えば、冷純水又は温純水のみにより
水洗処理を行う構成となっていても、シャワー供給とア
ップフロー供給との切り換えタイミングについての処理
手順の選択に適用することができる。

【００３９】また、この実施の形態で水洗パターンとし
て挙げた第２のパターンと第３のパターンの両方を必ず
しも備える必要はなく、冷純水及び温純水のうち少なく
とも一方についての単独洗浄処理を備えていれば良い。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、制御手段は入力手段より入力された選択
情報に対応する処理手順を記憶手段から読み出し、当該
処理手順に基づいて純水供給手段と排水手段とを動作制
御するため、基板の処理を開始する前に、水洗槽の水洗
処理に関してオペレータが行うことは、予め記憶手段に
記憶されている複数の処理手順から任意の１つの処理手
順を選択し、それらに対応する記号等を入力手段から入
力することである。従って、簡単に処理手順の変更を行
うことができる。

【００４１】請求項２に記載の発明によれば、制御手段
は、選択情報に応じて冷純水供給手段及び温純水供給手
段を動作制御するため、温純水と冷純水を扱う水洗処理
において、簡単に処理手順の変更を行うことができる。

【００４２】請求項３に記載の発明によれば、処理手順
は、所定の単位水洗処理を繰り返し行うサイクル処理を
有し、選択情報とともに入力手段より入力される付随情
報に応じた回数だけ、サイクル処理において前記単位水
洗処理を繰り返して行うため、従来のように水洗処理の
詳細な動作にかかわる諸量の意味をオペレータが熟知す
る必要がなく、簡単に処理手順の変更を行うことが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態を示す基板処理装置の全
体構成の一例を示す概略平面図である。

【図２】この発明の実施の形態における水洗槽の全体的
装置構成を示す側面概念図である。

【図３】この発明の実施の形態における基板処理装置の
制御構成を示す機能ブロック図である。

【図４】この発明の実施形態における第１の水洗パター
ンを示すタイムチャートである。

【図５】この発明の実施形態における第２の水洗パター
ンを示すタイムチャートである。

【図６】この発明の実施形態における第３の水洗パター
ンを示すタイムチャートである。

【図７】この発明の実施形態における処理手順を示すフ
ローチャートである。

【図８】従来の基板処理装置における水洗槽での洗浄処
理を示すタイムチャートである。

【符号の説明】

ＷＢ（ＷＢ１，ＷＢ２，ＷＢ３）水洗槽２０メインコントローラ２１，３１ＣＰＵ２２，３２メモリ２３記憶ディスク２４入出力ポート２６ディスプレイ２７キーボード３０槽コントローラ３５電磁弁制御部４０マスターロボットコントローラＴＲ搬送ロボットＶ１シャワーバルブＶ２アップフローバルブＶ３温純水バルブＶ４冷純水バルブＶ５排水バルブＶ６バブリングバブル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に対して洗浄処理を施すための水洗
槽と、前記水洗槽に対して純水を供給する純水供給手段と、前記水洗槽に設けられた排水手段と、前記純水供給手段と前記排水手段とを動作制御する制御
手段と、前記水洗槽における基板の複数種類の処理手順を予め記
憶しておく記憶手段と、前記複数種類の処理手順から実際に基板処理の際に行う
処理手順を選択する選択情報を入力する入力手段と、を
備え、前記制御手段は前記入力手段より入力された前記選択情
報に対応する処理手順を前記記憶手段から読み出し、当
該処理手順に基づいて前記純水供給手段と前記排水手段
とを動作制御して前記水洗槽における前記基板の水洗処
理を行わせることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の装置において、前記純水供給手段は、冷純水を供給する冷純水供給手段と、温純水を供給する温純水供給手段と、を備え、前記複数種類の処理手順は、冷純水及び温純水のうち少なくとも一方についての単独
洗浄処理と、冷純水による洗浄処理と温純水による洗浄処理との組み
合わせ処理と、を含み、前記制御手段は、前記選択情報に応じて前記冷純水供給
手段及び前記温純水供給手段を動作制御することを特徴
とする基板処理装置。
【請求項３】請求項１または２に記載の装置におい
て、前記処理手順は、所定の単位水洗処理を繰り返し行うサ
イクル処理を有し、前記選択情報とともに前記入力手段より入力される付随
情報に応じた回数だけ、前記サイクル処理において前記
単位水洗処理を繰り返して行うことを特徴とする基板処
理装置。