KR100309029B1 - 세정처리장치 및 세정처리방법 - Google Patents

세정처리장치 및 세정처리방법 Download PDF

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히가시 데쓰로
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Abstract

세정처리장치는, 기판을 화학세정하기 위한 세정액이 수용된 세정액 공급원(102)과, 처리대상으로 되는 기판을 회전가능하도록 유지하는 스핀척(50,250,350,450)과, 상기 세정액 공급원에 연이어 통하고, 상기 스핀척상의 기판에 상기 세정액 공급원으로부터 세정액을 공급하는 노즐(70,281,370,481)과, 상기 세정액이 이 노즐로부터 기판을 향하여 공급되기 전에 설정된 처리온도범위 내에서 세정액의 온도를 조정하는 액 온도조정수단(100,106,106a,106b)과, 온도조정커버(71,271,371,471,)와, 상기 스핀척으로 유지된 기판으로부터 떨어지거나 근접하는 상기 온도조정커버를 이동시키는 커버이동수단(75)을 포함하여 구성되며, 상기 온도조정커버는 상기 스핀척상의 기판을 덮도록 상기 커버이동수단에 의해 근접되게 제공되고, 주위의 분위기로부터 열적영향을 받음으로서 설정된 처리온도범위 밖에 존재하지 않도록 기판상에 제공되는 세정액의 온도를 조절한다.

Description

세정처리장치 및 세정처리방법
제 1 도는 반도체 웨이퍼용 세정처리시스템의 전체 개요를 나타낸 개략 평면도,
제 2 도는 본 발명의 실시형태에 관계되는 세정처리장치의 일부를 절결하여 나타낸 블록단면도,
제 3 도는 웨이퍼를 흡착 유지한 스핀척을 나타낸 평면도,
제 4A 도∼제 4D 도의 각각은 본 발명의 실시형태에 관계되는 세정처리방법을 설명하기 위하여 스핀척 어셈블리, 커버 어셈블리 및 핀셋 등을 나타낸 개략단면도,
제 5 도는 반입/반출부 및 웨이퍼 받아넘김부를 나타낸 개략단면도,
제 6 도는 핀셋을 가지는 웨이퍼 받아넘김부를 나타낸 사시도,
제 7 도는 웨이퍼를 받아서 넘기는 핀셋을 나타낸 개략평면도,
제 8 도는 핀셋의 확대단면도,
제 9A 도 및 제 9B 도는 기판의 수취동작시 및 받아넘김 동작시의 핀셋을 나타낸 개략평면도,
제 10 도는 다른 실시형태의 커버 어셈블리를 나타낸 블록구성도,
제 11 도는 다른 실시형태의 스핀척 어셈블리를 나타낸 블록구성도,
제 12 도는 다른 실시형태의 스핀척/커버 어셈블리를 나타낸 내부투시도,
제 13 도는 다른 실시형태의 스핀척/커버 어셈블리를 나타낸 내부투시도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 반입/반출부 2 : 프로세스부
3 : 웨이퍼 받아넘김부 4 : 세정액 공급박스
10 : 콘테이너 10a : 콘테이너 본체
10b : 하부개구 10c : 외향 플랜지
10d : 오목홈 11 : 기밀실
11a : 개구창 11b : 가스공급구
11c : 배기구 11d : N2가스공급원
11e : 진공펌프 13 : 뚜껑체
14 : 셔터 15 : 시일부재
16 : 크램프 17 : 누름부재
18 : 카세트반송용 승강기구 18a : 승강로드
18b : 얹어놓은대 18c : 벨로우즈
20 : 메인아암 21 : θ회전기구
22 : 중앙통로 23 : 축이동기구
24 : 뒷면 세정유니트 25 : 제 1 세정유니트
26 : 세정처리유니트 27 : 세정/건조처리부
30 : 핀셋 30a,30b : 지지면
30c : 기초끝단부 30d : 테이퍼부
30e : 앞끝단부 30i : 단턱부
30f : 구동풀리 30g : 종동풀리
30h : 타이밍벨트 31 : 게이트밸브
31A : 개폐셔터 32 : 챔버
33 : 변환이동기구 34 : 수직이동기구
35 : X축이동기구 36 : Y축이동기구
36a : 안내레일 36b : 작동베어링
52 : 척본체 52a : 타이밍벨트
53 : 중공부 54 : 시일베어링
57 : 통로 60 : 컵
61 : 바닥부 63 : 안컵
64 : 바깥컵 65 : 칸막이벽
72a : 하부 테두리부 72b : 중앙부
73 : 배관 74 : 열교환통로
75 : 승강기구 76 : 스크류
77 : 너트 78 : 브라켓트
80 : 린스노즐 90 : 용기
91 : 필터 96 : 모터
98 : 모터 100 : 제어기
102 : 세정액 공급원 104 : 린스액용 탱크
280 : 노즐유니트 340 : 시일베어링
C : 카세트 W : 웨이퍼
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판과 같은 기판을 세정액으로 세정하는 세정처리장치 및 세정처리방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조공정에서는, 암모니아, 불산 및 순수한 물 등을 이용하여 파티클, 유기오염물, 금속불순물 등을 반도체 웨이퍼의 표면에서 제거하는 세정처리장치가 이용된다. 예를 들어 낱장식의 세정처리장치에 있어서는, 암모니아수용액이나 불산수용액 등의 약액(藥液)으로 웨이퍼표면을 화학 세정하고, 또 순수한 물로 씻어 세정한다. 이와 같은 낱장식의 세정처리장치에서는, 웨이퍼를 스핀척에 의해 수평으로 유지하고, 이에 대하여 암모니아수용액 또는 불산수용액을 액도포형태로 소정시간동안 공급한다.
그러나, 종래의 세정처리장치에 있어서는, 약액의 온도가 저하함에 따라 화학 세정의 반응속도가 저하하고, 세정능력이 부족한 경우가 있다. 이 대책으로 약액의 공급량을 증대시켜서 세정능력의 부족분을 보충하는 것을 생각할 수 있다. 그러나 이 방법에서는 다량의 약액을 소비하기 때문에, 처리비용이 증대한다는 문제가 있다.
또한, 종래의 세정처리장치에 있어서 알칼리성이 약액과 산성의 약액을 모두 이용하는 경우에, 전 공정의 알칼리 세정성분이 웨이퍼와 함께 다음공정인 산성 세정에 들어가서, 세정효율이 저하한다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 기판세정용 약액의 사용량을 저감시킬 수 있으며, 스루풋의 향상 및 제품수율의 향상을 도모할 수 있는 세정처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 세정처리장치는, 기판을 화학세정하기 위한 세정액의 수용된 세정액 공급원과, 처리대상으로 되는 기판을 회전가능하도록 유지하는 스핀척과, 상기 세정액 공급원에 연이어 통하고, 상기 스핀척상의 기판에 상기 세정액 공급원으로부터 세정액을 공급하는 노즐과, 상기 세정액이 이 노즐로부터 기판을 향하여 공급되기 전에 설정된 처리온도범위 내에서 세정액의 온도를 조정하는 액온도조정수단과, 온도조정커버와, 상기 스핀척으로 유지된 기판으로부터 떨어지거나 근접하는 상기 온도조정커버를 이동시키는 커버이동수단을 포함하여 구성되며, 상기 온도조정커버는 상기 스핀척상의 기판을 덮도록 상기 커버이동수단에 의해 근접되게 제공되고, 주위의 분위기로부터 열적영향을 받음으로서 설정된 처리온도범위 밖에 존재하지 않도록 기판상에 제공되는 세정액의 온도를 조절하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 세정처리방법은, (a) 기판을 스핀척상에 회전가능하게 유지하고, (b) 이 스핀척상의 기판을 덮도록 온도조정커버를 기판에 근접시키고, (c) 사용전 설정된 처리온도범위 내에서 상기 온도조정커버와 상기 세정액을 같은 온도로 조정하고, 세정액을 스핀척상의 기판으로 공급하여, 기판을 화학세정하고, (d) 상기 스핀척상의 기판과 상기 온도조정커버를 떨어뜨리는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 세정처리장치에 따르면, 온도조정커버에 의하여 스핀척상의 기판을 덮도록 근접시키므로, 기판상에 액도포된 세정액은 실질적으로 온도가 변화하지 않게 된다. 이 때문에 일정한 세정처리를 할 수 있고, 세정액의 공급량이 안정화되며, 세정처리시간이 일정하게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 각종 바람직한 실시형태에 대하여 설명한다. 먼저 본 발명을 반도체 웨이퍼의 세정처리시스템에 이용한 경우에 대하여 설명한다.
제 1 도에 나타낸 바와 같이, 세정처리시스템은, 반입/반출부(1)와, 프로세스부(2)와, 웨이퍼 받아넘김부(3)와, 세정액 공급박스(4)를 구비하고 있다. 반입/반출부(1)의 얹어놓는대에는 여러개의 카세트(C)가 얹어져 놓여 있다. 카세트(C) 내에는 25매의 처리되지 않은 반도체 웨이퍼(W)가 수용되어 있다. 프로세스부(2)는 웨이퍼(W)를 세정처리하기 위한 여러개의 처리유니트(24,25,26,27)와, 중앙통로(22)에 이동가능하게 설치된 메인아암(20)을 구비하고 있다.
웨이퍼 받아넘김부(3)는, 반입/반출부(1)와 프로세스부(2)의 사이에 설치되고 핀셋(30)을 구비하고 있다. 핀셋(30)은 X축, Y축, Z축의 각축이동기구(도시하지 않음) 및 θ회전기구(도시하지 않음)를 구비하고 있으며, 카세트(C)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 이것을 메인아암(20)으로 받아넘기는 기능을 가진다. 메인아암(20)은 X축, Y축, Z축의 각 축 이동기구(23) 및 θ회전기구(21)를 구비하고 있으며, 웨이퍼(W)를 핀셋(30)에서 수취하여 이것을 각 처리유니트(24∼27)로 반송하고, 또 반출하는 기능을 가진다.
세정액 공급박스(4)는, 각 처리유니트(24∼27)에서 사용되는 약액 및 린스액을 각각 수용하는 탱크를 구비하고 있다. 약액용 탱크(102)에는 암모니아 과산화수소 수용액, 희불산수용액, 희염산수용액 등이 각각 수용되어 있다. 린스액용 탱크(104)에는 순수한 물이 수용되어 있다.
중앙통로(22)의 한쪽 옆에는, 뒷면 세정유니트(24) 및 2개의 세정처리유니트(25)(이하, 제 1 세정처리부라 함)가 배열되어 있다. 뒷면 세정유니트(24)에서는 웨이퍼(W)의 뒷면을 세정한다. 제 1 세정처리부(25)에서는 웨이퍼(W)의 표면을 알칼리성 세정액으로 세정한다. 한편 중앙통로(22)의 다른쪽 옆에는 2개의 세정처리유니트(26)(이하, 제 2 세정처리부라 함) 및 세정/건조처리부(27)가 배열되어 있다. 제 2 세정처리부(26)에서는 웨이퍼(W)의 표면을 산성 세정액으로 세정한다. 세정/건조처리부(27)에서는 웨이퍼(W)를 마무리 세정하고, 건조한다.
제 1 세정처리부(25)와 제 2 세정처리부(26)와는 실질적으로 같은 구조이므로, 이하는 제 1 세정처리부(25)에 대해서만 설명한다.
제 2 도에 나타낸 바와 같이, 제 1 세정처리부(25)는 스핀척(50), 컵(60), 세정액 공급노즐(제 1 세정액 공급수단)(70), 온도조정커버(71)를 구비하고 있다. 스핀척(50)의 척본체(52)와 모터(96)의 구동풀리와의 사이에는 타이밍 벨트(52a)가 걸려 있어 척본체(52)가 회전되도록 되어 있다. 또한 척본체(52)의 유지면의 하부쪽에 통로(57)를 형성하고, 이 통로(57) 내에 열교환매체를 순환시킴으로써 웨이퍼(W) 및 세정액을 소정온도로 유지하도록 하여도 좋다.
제 1 세정처리부(25)는 용기(90) 내에 설치되어 있고, 용기(90)의 천정부에 배열설치되는 필터(91)에 의해 용기 내로 청정화된 공기가 공급되고 바닥부로부터 배기되도록 되어 있다.
제 3 도에 나타낸 바와 같이, 척본체(52)의 윗면에는 여러개의 웨이퍼 유지돌기(51)가 설치되고, 유지돌기(51)에 의해 웨이퍼(W)의 위치가 어긋나지 않도록 유지되어 있다. 척본체(52)의 중공부(53)에 리프터(55)가 삽입되어 있다. 이 리프터(55)는 실린더(56)의 로드에 연결되고, 웨이퍼(W)를 척본체(52)의 윗면으로부터 리프트하도록 되어 있다. 리프터(55)와 척본체(52)와의 사이에는 시일베어링(54)이 설치되어 있다.
컵(60)은 스핀척(50)의 하부 및 옆쪽부를 둘러싸도록 설치되고, 컵(60)에 의해 사용이 끝난 세정액을 받아 들이도록 되어 있다. 컵(60)은 스핀척(50)의 아래쪽에 위치하는 바닥부(61)와, 안컵(63)과 바깥컵(64)을 구비하고 있다. 안컵(63)은 바닥부(61)로부터 스핀척(50)의 유지면의 아래쪽 근방위치까지 세워져 있다. 바깥컵(64)은 안컵(63)의 바깥쪽에 고리형상으로 형성되고, 그 윗끝단이 스핀척(50)의 유지면의 윗쪽 근방위치로 연장되어 있다. 안컵(63)의 내측에는 고리 형상의 칸막이벽(65)이 바닥부(61)로부터 세워져 형성되어 있다. 안컵(63)의 바깥둘레쪽의 바닥부(61)의 드레인(66)이 형성되고, 바깥컵(64)의 바닥부(64A)에는 드레인(67)이 형성되어 있다. 드레인(66)을 통해서 사용이 끝난 세정액은 안컵(63)으로부터 재생장치(도시하지 않음)로 회수되도록 되어 있다. 회수된 세정액은 재생장치에서 불순물을 제거하여 다시 사용가능하게 된다. 드레인(67)을 통하여 사용이 끝난 린스액은 바깥컵(64)에서 배출되도록 되어 있다.
세정액 노즐(70)이 온도조정커버(71)의 하부중앙에 설치되어 있다. 노즐(70)은 배관(73)을 개재하여 세정액 공급원(102)에 연이어 통해 있다. 세정액 공급원(102)은 세정액 공급박스(4)의 내부에 설치되고, 또한 상술한 재생장치에 연이어 통해 있다.
온도조정커버(71)는 승강기구(75)에 의해 승강가능하게 지지되어 있다. 이 승강기구975)는 온도조정커버(71)에 브라켓트(78)를 개재하여 연결된 볼너트(77)와, 너트(77)가 나사맞춤하는 볼스크류(76)와, 스크류(76)를 회전시키는 모터(98)을 구비하고 있다. 또한 승강기구(75)대신에 실린더를 가지는 왕복이동기구를 이용하여도 좋다.
온도조정커버(71)의 내부에는 열교환통로(74)가 형성되어 있다. 열교환통로(74)는 온도조절수 순혼기(106)에 연이어 통해 있고, 통로(74)의 내부를 소정 온도의 온도조절수가 순환하도록 되어 있다. 온도조절수 순활로(106)의 히터전원은 제어기(100)에 접속되어 있고, 온도조절수 순환기(106)에 의해 온도조절수가 60∼90℃의 범위에 온도제어되도록 되어 있다. 또한 이와 같은 열교환기(74,106) 대신에 내장히터로 커버(71)를 가열하도록 하여도 좋다.
온조조정커버(71)의 하부테두리부(72a)는 중앙부(72b)보다 아래쪽으로 돌출해 있다. 온도조정커버(71)를 하강시켜서 웨이퍼(W)를 근접시키면, 양자간에 소정의 온도조절공간이 형성되도록 되어 있다.
스핀척(50)의 경사진 윗쪽에는 린스노즐(80)이 설치되어 있다. 린스노즐(80)은 린스액용 탱크(104)에 연이어 통하여 스핀척(50)상의 웨이퍼(W)에 린스액을 공급하도록 되어 있다. 또한 린스노즐(80)은 홈포지션과 분사포지션과의 사이를 이동할 수 있도록 설치되어 있다. 사용이 끝난 린스액은 컵(60)의 드레인(67)을 통하여 아래쪽으로 배출되도록 되어 있다.
또한, 제 12 도에 나타낸 바와 같이, 스핀척(50)과 온도조정커버(71)와의 사이에 시일베어링(340)을 개재함으로써, 온도조정커버(71)의 하부테두리부(72a)를 스핀척(50)에 접촉시킬 수도 있다.
다음에, 제 4A 도∼제 4D 도를 참조하여 제 1 세정처리부(25)에 있어서의 웨이퍼(W)를 세정하는 경우에 대하여 설명한다.
먼저, 제 4A 도에 나타낸 바와 같이, 온도조정커버(71)를 윗쪽으로 대기시킨 상태에서 리프터(55)를 윗쪽으로 돌출시켜 리프터(55)의 윗면을 스핀척(50)의 윗면보다 높은 곳에 위치시킨다. 그리고 승강샤프트(55)는 메인아암(20)으로부터 웨이퍼(W)를 받아넘긴다. 리프터(55)를 하강시켜 웨이퍼(W)를 스핀척(50)의 윗면에 확실하게 유지한다.
그 후에, 제 4B 도에 나타낸 바와 같이, 온도조정커버(71)를 하강시켜 온도조정커버(71)와 스핀척(50)과의 사이에 온도조절공간을 형성한다. 이 상태에서 세정액 공급노즐(70)로부터 암모니아수용액을 웨이퍼(W)를 향하여 공급한다. 이때 스핀척(50)을 정지 또는 회전시켜서 암모니아수용액을 웨이퍼(W)표면에 액체 도포한다. 암모니아수용액은 60∼90℃의 온도범위로 조정되어 있다. 그리고 이 상태를 소정시간을 유지함으로써, 웨이퍼(W)는 암모니아수용액에 의해 화학 세정된다. 또한 스핀척(50)에 온도조정기구(57)를 설치함으로써 세정액의 온도를 한층 더 안정화시킬 수 있다.
세정처리후에 온도조정커버(71)를 상승시키고, 제 4C 도에 나타낸 바와 같이, 린스노즐(80)로부터 웨이퍼(W)에 순수한 물을 공급함과 동시에 스핀척(50)을 고속회전시켜 웨이퍼(W)로부터 암모니아수용액을 원심분리하여 제거한다. 소정시간동안 순수한 물을 공급하여 세정한 후에, 순수한 물의 공급을 정지하고 스핀척(50)만을 계속 회전시켜 웨이퍼(W)를 건조시킨다. 그 후 스핀척(50)의 회전을 정지시키고, 제 4D 도에 나타낸 바와 같이 리프터(55)를 상승시켜 메인아암(20)으로 웨이퍼를 받아넘겨서 웨이퍼(W)를 다음 처리공정으로 반송한다.
또한, 제 2 세정처리부(26)에 있어서는, 세정액으로서 암모니아수용액 대신에 불산수용액을 이용한다. 제 2 세정처리부(26)는 상기 제 1 세정처리부(25)와 실질적으로 같은 구성이다.
또, 제 1 세정처리부(25)와 제 2 세정처리부(26)와의 사이에 반송로(22)가 설치되어 알칼리성 분위기의 제 1 세정처리부(25)가 산성분위기의 제 2 세정처리부(26)로부터 멀리 떨어져 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 산성 세정처리할 때에 알칼리성 분위기의 성분이 제 2 세정처리부(26) 내로 들어가는 것을 막을 수 있다.
다음에, 제 5 도를 참조하여 반입/반출부(1) 및 웨이퍼 받아넘김부(3)의 동작에 대하여 설명한다.
반입/반출부(1)에는 카세트(C)가 반입 반출되는 콘테이너(10)가 설치되어 있다. 이 콘테이너(10)는 기밀실(11)의 바로 위에 위치해 있다. 카세트 반송용의 승각기구가 얹어지느 얹어놓는대(18b)가 설치되어 있다.
기밀실(11)은 게이트밸브(31)를 개재하여 웨이퍼 받아넘김부(3)에 연이어 통해 있다.
콘테이너 본체(10a)는, 하부개구(10b)를 가지는 경질 플라스틱제 또는 스테인레스강이나 알루미늄 등의 금속제 상자이다. 이 하부개구(10b)에는 뚜껑체(13)가 개폐가능하게 설치되어 있다. 콘테이너(10) 내에서 카세트(C)는 뚜껑체(13)위에 얹어놓이도록 되어 있다. 뚜껑체(13)에 의해 막힌상태에서 카세트(C)는 콘테이너(10) 내에 기밀상태로 보관되도록 되어 있다. 이 콘테이너(10)의 내부는 N2가스 등의 불활성가스분위기이고, 그 내압은 상압(常壓)이거나 또는 상압보다 약간 예컨대 0.05Torr정도 이상으로 가압한 상태로 설정되어 있다. 또한 카세트(C)는 조작노브가 부착된 기밀하게 시일된 유지부재(도시하지 않음)에 의해 콘테이너(10)에 눌려져 덮어 고정되어 있다. 이 유지부재의 누르는 압력을 해제함으로써 카세트(C)의 고정유지가 해제되도록 되어 있다.
콘테이너 본체(10a)의 하부에는 외향 플랜지(10c)가 부착되어 있다. 외향 플랜지(10c)의 아래면에는 오목홈(10d)이 형성되고, 이 오목홈(10d) 내에 0-링(15)이 설치되어 있다. 뚜껑체(13)는 도시하지 않은 잠금기구, 끼워맞춤기구 등에 의해 외향 플랜지(10c)부분에 밀착되어 있다. 이와 같이 하여 콘테이너(10)의 내부를 기밀상태로 유지할 수 있도록 되어 있다.
이와 같은 콘테이너(10)는 도시하지 않은 반송수단에 의해 기밀실(11)의 꼭대기부에 얹어 놓이면, 크램프(16)에 의해 외향 플랜지(10c)가 기밀실(11)의 꼭대기부에 체결된다. 이에 따라서 시일부재(15)가 콘테이너(10)와 기밀실(11)에 밀착하고, 콘테이너(10)와 기밀실(11)이 기밀하게 연결된다. 또한 크램프(16)대신에 제 5 도 중에 이점쇄선으로 나타낸 바와 같은 누름부재(17)를 이용하여 콘테이너(10)를 기밀실(11)의 꼭대기부를 밀어 누르도록 하여도 좋다.
기밀(11)의 꼭대기부에는 개구창(11a)이 형성되고, 이 개구창(11a)은 셔터(14)에 의해 개폐되도록 되어 있다. 기밀실(11)의 상부 측벽에는 가스공급구(11b)가 형성되어 있다. 이 가스공급구(11b)에는 밸브(V1)를 개재하여 N2가스공급원(11d)이 연이어 통해 있다. 또한 기밀실(11)의 바닥부에는 배기구(11c)가 열려져 설치되어 있다. 이 배기구(11c)에는 밸브(V2)를 통해서 진공펌프(11e)가 연이어 통해 있다. 기밀실(11) 내부는 N2가스공급원(11d)으로부터 공급되는 N2가스에 의해 퍼지되고 콘테이너(10)의 내부와 동일한 상압 또는 약간 가압, 예를 들면 0.05Torr정도의 분위기, 또는 전공펌프(11e)의 구동에 의해 소정의 진공도, 예컨대 1×10-10∼10-8Torr의 분위기로 설정되도록 되어 있다. 또한 기밀실(11)의 내압은 압력검출기(11f)에 의해 측정되고, 측정결과에 따라 수동 또는 기밀실(11) 내부의 압력이 설정되도록 되어 있다.
기밀실(11)의 내부에는 승강기구(18)가 설치되어 있다. 승강기구(18)는 모터(M3) 및 승강로드(18a)를 구비하고 있다. 승강로드(18a)의 상부에는 승강대(18b)가 부착되어 있다. 또한 승강대(18b)로부터 기밀실(11)의 바닥부까지 벨로우즈(18c)가 팽팽하게 설치되어 있다. 이 벨로우즈(18c)에 의해 기밀실(11)의 내부가 승강기구(18)로부터 기밀하게 칸막이되어 있으므로, 승강기구(18)로부터 기밀실(11) 내부로 미립자의 침입이 방지된다.
다음에, 제 6 도∼제 8 도, 제 9A 도, 제 9B 도를 참조하여 웨이퍼 받아 넘김부(3)의 핀섹(30)에 의한 웨이퍼(W)를 받아서 넘기는 것에 대하여 설명한다.
웨이퍼 받아넘김부(3)의 핀셋(30)은 기밀하게 챔버(32) 내에 설치되어 있다. 이 챔버(32)는 개폐셔터(31A)를 개재하여 프로세스부(20에 연이어져 통해 있다. 핀셋(30)은 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 2개의 지지면(30a,30b)을 구비하고 있다. 또한 핀셋(30)은 불소계수지나 폴리에테르 에테르케톤(PEEK)과 같은 내열성 및 내식성을 가지는 재료로 형성되어 있다.
제 7 도, 제 9A 도, 제 9B 도에서와 같이, 이들 지지면(30a,30b)이 웨이퍼(W)의 지지위치에 각각 위치하도록, 변환이동기구(33)에 의해 핀셋(30)은 Y축방향으로 변환 이동되도록 되어 있다. 또한 핀셋(30)은 수직이동기구(34)를 구비하고 있으며, 이 수직이동기구(34)에 의해 핀셋(30)은 Z축방향으로 승강이동되도록 되어 있다. 또 핀셋(30)은 회전기구(도시하지 않음)를 구비하고 있으며, 이 회전기구에 의해 핀셋(30)은 Z축의 주위로 θ회전되도록 되어 있다. 이 핀셋(30)은 X축이동기구(35)를 구비하고 있고, 이 X축이동기구(35)에 의해 핀셋(30)은 X축방향으로 이동되도록 되어 있다. 또한 핀셋(30)은 Y축이동기구(36)를 구비하고 있으며, 이 Y축이동기구(36)에 의해 핀셋(30)은 Y축방향으로 이동되도록 되어 있다. Y축이동기구(36)는 안내레일(36a) 및 작동베어링(36b)을 구비하고 있다.
제 7 도에 나타낸 바와 같이, 핀셋(30)은 직사각형상의 기초끝단부(30c)와, 이것에 계속되는 테이퍼부(30d)와, 또한 이것에 계속되는 앞끝단부(30e)를 구비하고 있다. 앞끝단부(30e)의 폭은 기초끝단부(30c)의 그것보다도 좁아지게 되어 있다. 핀셋(30)의 중심선(0)에 대하여 좌우대칭으로 지지면(30a) 및 지지면(30b)이 형성되어 있다.
제 8 도 나타낸 바와 같이, 핀셋(30)은 기초끝단부(30c) 쪽과 앞끝단부(30e) 쪽에 각각 웨이퍼(W)의 끝단면을 규정하는 원호형상의 단턱부(30i)를 구비하고 있다. 한쪽 지지면(30b)으로 웨이퍼(W)를 지지하는 경우에는 다른쪽 지지면(30a)에 웨이퍼(W)가 접촉하지 않도록 되어 있다.
각 지지면(30a,30b)의 중심선(0)에서 어긋나는 양은 5mm이내인 것이 바람직하고, 3mm이내인 것이 보다 바람직하다. 또한 위치맞춤용의 노치를 가지는 새로운 타입의 웨이퍼(W)인 경우에는 지지면(30a,30b)의 폭 및 길이는 짧게 하여도 좋다. 그러나 오리엔테이션 플랫(Wa)을 가지는 종래 타입의 웨이퍼(W)인 경우에는 오리엔테이션 플랫(Wa)부분이더라도 웨이퍼(W)를 지지할 수 있도록 지지면(30a,30b)의 각각에 폭 및 길이에 여유를 가지게 할 필요가 있다. 또 앞끝단부(30e)의 가로폭을 기초끝단부(30c)의 그것과 동일하게 하여도 좋다.
제 6 도에 나타낸 바와 같이, 변환이동기구(33)는 정역회전의 전환이 가능한 스텝핑모터(M4)를 구비하고 있다. 스텝핑모터(M4)의 구동축에는 풀리(30f)가 부착되고, 이 구동풀리(30f)와 종동풀리(30g)에 타이밍벨트(30h)가 걸려 있다. 타이밍벨트(30h)에는 핀셋(30)의 기초끝단부(30c)가 연결되어, 타이밍벨트(30h)의 동작에 따라서 핀셋(30)은 수평이동하도록 되어 있다. 핀셋(30)을 수평이동시키면, 웨이퍼를 받아 넘기는위치에서, 한쪽의 웨이퍼 지지면(30a) 또는 (30b)에서 다른쪽의 지지면(30b) 또는(30a)로 전환된다. 또한 변환이동기구(33)로서는 벨트구동방식 대신에 볼나사기구를 이용하여도 좋다.
다음에, 핀셋(30)을 이용하여 웨이퍼(W)를 카세트(C)에서 꺼내어 반송하는 경우에 대하여 설명한다.
먼저, 제 7 도에 나타낸 바와 같이, 핀셋(30)의 중심을 카세트(C)의 중심에 맞춘다. 그 후에 핀셋(30)을 변환이동기구(33)에 의해 Y축방향으로 이동시켜 제 9A 도에 나타낸 바와 같이, 지지면(30a)의 중심이 카세트(C)의 중심과 동일선상에 배열되도록 핀셋(30)을 위치시킨다. 다음에 핀셋(30)을 X축방향으로 전진시키고, 이것을 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)의 바로 아래에 위치시킨다. 핀셋(30)을 상승시켜 웨이퍼(W)를 지지면(30a) 위로 옮겨싣는다. 그리고 핀셋(30)을 X축방향으로 후퇴시켜 카세트(C) 내에서 웨이퍼(W)를 꺼낸다. 핀셋(30)을 θ회전시켜 웨이퍼(W)를 핀셋(30)으로부터 메인아암(20)으로 받아넘긴다.
한편, 제 9B 도에 나타낸 바와 같이, 핀셋(30)을 변환이동기구(33)에 의해 Y축방향으로 이동시켜 지지면(30b)의 중심이 카세트(C)의 중심과 동일선상에 배열되도록 핀셋(30)을 위치시킨다. 지지면(30b)위에는 세정처리가 끝난 웨이퍼(W)가 유지되어 있다. 다음에 핀셋(30)을 X축방향으로 전진시켜 웨이퍼(W)를 카세트(C) 내의 슬롯홈에 삽입한다. 그 후에 핀셋(30)을 하강시켜 웨이퍼(W)를 카세트(C) 내로 옮겨싣는다. 핀셋(30)을 X축방향으로 후퇴시켜 카세트(C)로부터 핀셋(30)을 후퇴시킨다.
상기와 같이 세정처리전의 처리되지 않은 웨이퍼(W)를 한쪽의 지지면(30a)에서 받아넘기는 한편, 세정처리후의 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 다른쪽의 지지면(30b)으로 받아넘긴다. 이 때문에 핀셋(30)을 통해서 웨이퍼(W) 뒷면에 이물질이 부착하지 않게 되어 웨이퍼(W)의 오염이 방지된다.
다음에, 제 2 도, 제 10 도∼제 13 도를 참조하여 세정처리장치의 동작상태에 대하여 각각 설명한다.
먼저, 반송로보트(도시하지 않음) 등에 의해 반입·반출부(1)로 반송된 처리되지 않은 웨이퍼(W)를 수용하는 카세트(C)로부터 소망하는 웨이퍼(W)를 핀셋(30)의 예를 들면 지지면(30a)으로 꺼내어 웨이퍼 받아넘김부(3) 내로 반송한다. 그 후에 처리실(2) 내의 메인아암(20)의 제 1 아암에서 웨이퍼 받아넘김부(3) 내의 웨이퍼(W)를 셔터(31A)를 경유하여 받아들이고, 그리고 프로세스부(2)내의 뒷면세정부(24)로 반입한다. 뒷면세정부(24) 내의 스핀척에 의해 웨이퍼(W)를 유지한다. 웨이퍼(W)를 스핀회전시킴과 동시에, 세정액을 공급하면서 세정브로시로 웨이퍼(W)의 뒷면을 스크러빙한다. 뒷면세정후 웨이퍼(W)를 메인아암(20)에 의해 뒷면세정부(24)에서 꺼낸 후에 제 1 세정처리부(25) 내로 반입한다.
제 2 도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)는 스핀척(50)위에 얹혀 놓여 유지된다. 또한 온도조정커버(71)를 하강시켜 스핀척(50)상의 웨이퍼(W)에 온도조정커버(71)를 접근시킨다. 양자(71,W)를 근접시킨 상태에서, 웨이퍼(W)를 저속회전시킴과 동시에, 노즐(70)로부터 웨이퍼(W)를 향해서 암모니아수용액을 공급한다. 공급시에 암모니아수용액의 온도는 약 80℃로 조정되어 있다. 이에 따라 암모니아수용액이 웨이퍼(W)의 표면에 액도포된다. 이 때 웨이퍼(W)의 표면에서 흘러내리는 세정액은 안컵(63) 내로 받아 내고 배출구(66)를 통하여 배출된다.
세정액의 액도포후에, 스핀척(50)의 회전을 정지시키고, 웨이퍼표면을 소정시간동안 화학 세정한다. 이 때 세정액 및 웨이퍼(W)는 모두 온도조정되어 있으므로, 소망하는 화학 세정처리의 결과가 얻어진다.
세정처리후에, 온도조정커버(71)를 상승 퇴피시키고, 린스노즐(80)을 웨이퍼(W)의 경사진 윗쪽으로 위치시켜 순순한 물을 웨이퍼(W)에 묻히면서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이 때 사용이 끝난 순수한 물을 바깥컵(64)에서 받아서 배출구(67)를 통해 외부로 배출한다. 웨이퍼(W)를 소정시간동안 린스세정한 후에, 순수한 물의 공급을 정지시키고, 웨이퍼(W)를 고속 스핀회전시켜 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
이와 같이 하여 세정처리된 웨이퍼(W)는, 메인아암(20)의 제 2 아암에 의해 제 1 세정처리부(25)에서 꺼내어진 후에, 제 2 세정처리부(26) 내로 반입된다. 그리고 메인아암(20)에서 리프터(255)로 웨이퍼(W)로 받아넘긴다. 리프터(255)를 하강시켜 웨이퍼(W)를 스핀척(250) 위에 얹어놓는다.
이어서, 온도조정커버(271)를 하강시켜 스핀척(250)상의 웨이퍼(W)에 온도조정커버(271)를 근접시킨다. 제 10 도에 나타낸 바와 같이, 온도조정커버(271)는 노즐유니트(280)와는 다른 것으로, 각각 별개로 독립하여 온도조정되도록 되어 있다. 즉 온도조정커버(271)의 내부통로(272)에는 제 1 온도조절수 순환로(106a)가 연이어 통하고, 노즐 유니트(280)의 내부통로(282)에는 제 2 온도조절수 순환기(106b)가 연이어 통해 있다. 노즐(281)의 통로는 희불산수용액의 탱크(도시하지 않음)에 연이어 통해 있다. 노즐(281)로부터 공급되는 불산수용액은 제 2 온도조절수 순환기(106b)에 의해 약 70℃의 온도로 조정되도록 되어 있다.
제 11 도에 나타낸 바와 같이, 제 2 세정처리부(26) 내의 스핀척(250) 및 리프터(255)는 각각 별개로 독립하여 온도조정되도록 되어 있다. 즉 리포터(255)의 내부통로(257)에는 제 3 온도조절수 순환기(106c)가 연이어 통하고, 스핀척(250)의 내부통로(252)에는 제 4 온도조절수 순환기(106d)가 연이어져 통하고 있다. 이들 제 3 및 제 4 온도조절수 순환기(106c,106d)에 의해 스핀척(250)상의 웨이퍼(W)는 약 70℃의 온도로 조정되도록 되어 있다.
스핀척(250) 상의 웨이퍼(W)에 온도조정커버(271)를 접근시킨다. 웨이퍼(W)를 저속회전시키면서 노즐(281)로부터 희불산수용액을 웨이퍼(W)에 공급하고, 웨이퍼(W)상에 희불산수용액을 액도포한다. 그리고 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고, 소정시간동안 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 접촉시킨다. 웨이퍼(W)의 표면은 희불산수용액에 의해 화학세정처리(에칭처리)된다. 화학세정처리후 웨이퍼(W)를 세정/건조처리유니트(27) 내로 반입하여 린스물을 씻고, 또 웨이퍼(W)를 고속으로 스핀회전시켜 건조시킨다.
세정처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 다시 메인아암(20)의 제 2 아암에 의해 세정·건조처리부(27)에서 꺼내어져 셔터(31A)를 경유하여 웨이퍼 받아넘김부(3)의 핀셋(30)으로 넘겨진다. 이 때 세정전의 처리되지 않은 웨이퍼(W)를 지지하였던 지지면(30a)과 다른 지지면(30b)에 의해 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 받으므로, 세정처리후의 웨이퍼(W)에 미립자의 부착이 방지된다. 이와 같이 하여 세정처리가 끝난 웨이퍼(W)는 오염되지 않고, 핀셋(30)에 의해 기밀실(11) 내의 카세트(C)에 수용된다.
상기와 같은 공정으로 웨이퍼(W)를 세정처리함으로써, 웨이퍼(W)에 부착되는 미립자, 유기오염물, 금속불순물 등에 의한 오염을 완전하게 제거할 수 있음과 동시에, 세정처리후에 웨이퍼(W)는 청정한 상태로 유지된다.
또한, 제 12 도에 나타낸 바와 같이, 온도조정커버(371)와 스핀척(350)의 사이에 축받이(340)를 설치하여도 좋다. 이와 같이 하면 온도조정커버(371)를 웨이퍼(W)에 가장 근접시킬 수 있고, 노즐(370)로부터 공급되는 세정액 및 웨이퍼(W)의 온도조절효과가 한층 더 높아진다.
또한, 제 13 도에 나타낸 바와 같이, 온도조정커버(471)를 노즐유니트(480)와 별도로 설치하고 온도조정커버(471)를 벨트구동기구(490,491,492)에 의해 회전시켜도 좋다. 이 경우 온도조정커버(471)는 스핀척(450)과 회전방향 및 회전속도 모두 실질적으로 동일하게 되도록 동기(同期)하여 회전시키는 것이 바람직하다.
이와 같은 장치에 의하면, 웨이퍼(W)의 바로 위의 영역에 소용돌이 상승 기류가 발생하기 어렵게 되므로, 노즐(481)이 있는 곳으로 미립자가 들어가지 않게 되어 깨끗한 세정처리가 달성된다. 또한 본 실시형태의 장치는 LCD용 유리기판과 같은 큰 사이즈의 기판을 세정처리하는 경우에 효과가 있다.
본 발명의 세정처리장치에 의하면, 기판에 공급되는 세정액을 소정온도로 보온하여 세정처리를 행할 수 있고, 세정액의 공급량을 안정되게 할 수 있음과 동시에, 세정처리시간의 안정화를 도모할 수 있다. 이 때문에 스루풋의 향상 및 코스트의 저렴화를 도모할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 처리장치에 의하면, 다른 종류의 세정액(약액)을 사용하는 세정처리부를 칸막이할 수 있고, 각 세정처리공정중에서의 다른 분위기성분의 침입을 확실하게 저지할 수 있다. 이 때문에 기판이 다른 분위기의 세정액에 의한 오염방지를 도모할 수 있음과 동시에, 제품수율의 향상을 도모할 수 있다.

Claims (17)

  1. 기판을 화학세정하기 위한 세정액이 수용된 세정액 공급원(102)과, 처리대상으로 되는 기판을 회전가능하도록 유지하는 스핀척(50,250,350,450)과, 상기 세정액 공급원에 연이어 통하고, 상기 스핀척상의 기판에 상기 세정액 공급원으로부터 세정액을 공급하는 노즐(70,281,370, 481)과, 상기 세정액이 이 노즐로부터 기판을 향하여 공급되기 전에 설정된 처리온도범위 내에서 세정액의 온도를 조정하는 액 온도조정수단(100,106,106a,106b)과, 온도조정커버(71,271,371,471)와, 상기 스핀척으로 유지된 기판으로부터 떨어지거나 근접하는 상기 온도조정커버를 이동시키는 커버이동수단(75)을 포함하여 구성되며, 상기 온도조정커버는 상기 스핀척상의 기판을 덮도록 상기 커버이동수단에 의해 근접되게 제공되고, 주위의 분위기로부터 열적영향을 받음으로서 설정된 처리온도범위 밖에 존재하지 않도록 기판상에 제공되는 세정액의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조정커버의 그 자체의 온도를 조정하는 제 2 온도조정수단(100,106c,106d)을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 스핀척(50,250,350,450)의 그 자체의 온도를 조정하는 제 2 온도조정수단(57,100,106c,106d)을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐(70,281,370,481)의 그 자체의 온돌르 조정하는 제 2 온도조정수단(100,106,106b)을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 화학세정처리된 기판에 린스액을 공급하는 린스수단(80,104)을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 세정액 공급원(102)은 알칼리성의 세정액을 가지는 하나 이상의 탱크 및 산성의 세정액을 가지는 하나 이상의 탱크 포함하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조정커버(371)를 상기 스핀척(350)에 회전 가능하게 접촉시키는 축받이부재(340)를 구비하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조정커버(471)를 상기 스핀척(450)과 동기하여 회전시키는 수단(490,491,492)을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조정커버(71,371)는 상기 노즐(70,370)과 일체로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조정커버(271,471)는 상기 노즐(281,481)과 별개체로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 기판을 반송하기 위한 반송수단(20)과, 이 반송수단과의 사이에서 기판을 받아넘기기 위하여 상기 스핀척(50,250,350,450)에서 기판을 들어올리는 리프터수단(55,56,255, 355,455)을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조정커버(71,271,371,471)는, 그 테두리 하부(72a)가 중앙하부(72b)보다도 아래쪽으로 돌출해 있는 것을 특징으로 하는 세정처리장치.
  13. (a) 기판을 스핀척상에 회전가능하게 유지하고, (b) 이 스핀척상의 기판을 덮도록 온도조정커버를 기판에 근접시키고, (c) 사용전 설정된 처리온도범위 내에서 상기 온도조정커버와 상기 세정액을 같은 온도로 조정하고, 세정액을 스핀척상의 기판으로 공급하여, 기판을 화학세정하고, (d) 상기 스핀척상의 기판과 상기 온도조정커버를 떨어뜨리는 것을 특징으로 하는 세정처리방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 공정 (a)에서는 스핀척상의 기판을 가열하여 60∼90℃의 온도영역으로 조정하고, 공정 (b)에서는 온도조정커버를 가열하여 60∼90℃의 온도영역으로 조정하고, 공정 (c)에서는 세정액 가열하여 60∼90℃의 온도영역으로 조정하고, 이 온도조정한 온도조정커버를 기판에 근접시킨 상태에서, 온도조정한 세정액을 온도조정한 기판을 향해서 공급하는 것을 특징으로 하는 세정처리방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 기판을 제 1 회전속도로 회전시키면서 기판에 세정액을 공급하고, 이어서 기판회전을 정지시켜 기판상에 세정액이 담긴 상태에서 잠깐 방치하고, 상기 제 1 회전속도보다도 빠른 제 2 회전속도로 기판을 회전시켜, 세정액을 기판으로부터 원심분리하는 것을 특징으로 하는 세정처리방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 스핀척과 함께 기판을 회전시키고, 기판에 린스액을 도포하여 기판을 린스세정하는 것을 특징으로 하는 세정처리방법.
  17. 제 13 항에 있어서, 온도조정커버(471)를 스핀척(450)과 동기하여 회전시키는 것을 특징으로 하는 세정처리방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980087206A (ko) * 1997-05-23 1998-12-05 프란쯔 숨니취 웨이퍼형 물품, 특히 실리콘 웨이퍼의 처리용 장치
KR20020092864A (ko) * 2002-11-01 2002-12-12 주식회사 엠오에이 피세정체의 표면 세정장치
KR101668139B1 (ko) 2011-07-12 2016-10-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321580A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd 基板の洗浄ユニット及び洗浄システム
AT407586B (de) 1997-05-23 2001-04-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Anordnung zum behandeln scheibenförmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern
US5974681A (en) * 1997-09-10 1999-11-02 Speedfam-Ipec Corp. Apparatus for spin drying a workpiece
JP3788855B2 (ja) * 1997-09-11 2006-06-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理ユニットおよびそれを用いた基板処理装置
FR2772290B1 (fr) 1997-12-12 2000-03-17 Sgs Thomson Microelectronics Procede de nettoyage d'un polymere brome sur une plaquette de silicium
FR2772291B1 (fr) 1997-12-12 2000-03-17 Sgs Thomson Microelectronics Procede de nettoyage d'un polymere contenant de l'aluminium sur une plaquette de silicium
TW409191B (en) * 1997-12-26 2000-10-21 Hitachi Electr Eng Method of treating the substrate liquid
JP4213790B2 (ja) * 1998-08-26 2009-01-21 コバレントマテリアル株式会社 耐プラズマ部材およびそれを用いたプラズマ処理装置
US6350316B1 (en) * 1998-11-04 2002-02-26 Tokyo Electron Limited Apparatus for forming coating film
JP3352418B2 (ja) * 1999-01-28 2002-12-03 キヤノン株式会社 減圧処理方法及び減圧処理装置
JP2000334397A (ja) 1999-05-31 2000-12-05 Kokusai Electric Co Ltd 板状試料の流体処理装置及び板状試料の流体処理方法
US6405399B1 (en) * 1999-06-25 2002-06-18 Lam Research Corporation Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
KR20010027028A (ko) * 1999-09-10 2001-04-06 이계안 공작물의 세정용 로보트 시스템
US6318389B1 (en) 1999-10-29 2001-11-20 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus for cleaning semiconductor wafers
JP3688976B2 (ja) * 2000-05-24 2005-08-31 東京エレクトロン株式会社 処理液吐出装置
DE10030431A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-10 Karl Suess Kg Praez Sgeraete F Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und/oder Bonden von Substraten
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3955724B2 (ja) * 2000-10-12 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
US20020096196A1 (en) * 2001-01-23 2002-07-25 Takayuki Toshima Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
JP2003031536A (ja) 2001-07-12 2003-01-31 Nec Corp ウエハの洗浄方法
AT500984B1 (de) * 2002-06-25 2007-05-15 Sez Ag Vorrichtung zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen
JP2004055722A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Renesas Technology Corp 洗浄装置、基板の洗浄方法および半導体装置の製造方法
US6938629B2 (en) * 2002-11-13 2005-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Rinsing lid for wet bench
US20040115957A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for enhancing wet stripping of photoresist
JP2007531357A (ja) * 2004-02-27 2007-11-01 ジョージア テック リサーチ コーポレイション ハーモニックｃｍｕｔ素子及び製造方法
US7730898B2 (en) 2005-03-01 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer lifter
KR20070044126A (ko) * 2005-10-24 2007-04-27 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 정렬장치 및 방법
US20080060676A1 (en) * 2006-09-11 2008-03-13 Dana Scranton Workpiece processing with preheat
KR100839913B1 (ko) * 2007-01-12 2008-06-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5005770B2 (ja) 2007-12-27 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
KR101042538B1 (ko) * 2009-06-08 2011-06-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5588418B2 (ja) * 2011-10-24 2014-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US20130233356A1 (en) * 2012-03-12 2013-09-12 Lam Research Ag Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP6577385B2 (ja) * 2016-02-12 2019-09-18 株式会社荏原製作所 基板保持モジュール、基板処理装置、および基板処理方法
JP6736386B2 (ja) * 2016-07-01 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体
JP6924614B2 (ja) * 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6926233B2 (ja) 2017-12-01 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN114188245A (zh) * 2021-11-30 2022-03-15 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆清洗设备和晶圆清洗方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57166032A (en) * 1981-04-03 1982-10-13 Toshiba Corp Spray type developing device for positive resist
US4827867A (en) * 1985-11-28 1989-05-09 Daikin Industries, Ltd. Resist developing apparatus
JPH084063B2 (ja) * 1986-12-17 1996-01-17 富士通株式会社 半導体基板の保存方法
JPH03136232A (ja) * 1989-08-31 1991-06-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の表面処理装置
JPH0432230A (ja) * 1990-05-29 1992-02-04 Tokyo Electron Ltd ドライ洗浄装置
JP2732392B2 (ja) * 1992-03-17 1998-03-30 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの処理方法
US5395482A (en) * 1992-11-13 1995-03-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ultra high purity vapor phase treatment
JP3277404B2 (ja) * 1993-03-31 2002-04-22 ソニー株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980087206A (ko) * 1997-05-23 1998-12-05 프란쯔 숨니취 웨이퍼형 물품, 특히 실리콘 웨이퍼의 처리용 장치
KR20020092864A (ko) * 2002-11-01 2002-12-12 주식회사 엠오에이 피세정체의 표면 세정장치
KR101668139B1 (ko) 2011-07-12 2016-10-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법

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Publication number Publication date
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