JPH1116876A - 乾燥処理装置 - Google Patents

乾燥処理装置

Info

Publication number
JPH1116876A
JPH1116876A JP18602497A JP18602497A JPH1116876A JP H1116876 A JPH1116876 A JP H1116876A JP 18602497 A JP18602497 A JP 18602497A JP 18602497 A JP18602497 A JP 18602497A JP H1116876 A JPH1116876 A JP H1116876A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drying
processed
gas supply
chamber
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18602497A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3156075B2 (ja
Inventor
Yuji Kamikawa
裕二 上川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP18602497A priority Critical patent/JP3156075B2/ja
Priority to US09/096,662 priority patent/US6164297A/en
Priority to KR10-1998-0022196A priority patent/KR100455903B1/ko
Priority to DE69837364T priority patent/DE69837364T2/de
Priority to EP98110895A priority patent/EP0884764B1/en
Publication of JPH1116876A publication Critical patent/JPH1116876A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3156075B2 publication Critical patent/JP3156075B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾燥効率の向上及び乾燥ガスの消費量の低減
を図れるようにすること。 【解決手段】 複数のウエハWを適宜間隔をおいて水平
方向に配列保持するウエハボート24と、このウエハボ
ート24と共にウエハWを収容する乾燥室23と、この
乾燥室23内に配設されると共にウエハWに対して有機
溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給ノ
ズル37とを具備し、乾燥ガス供給ノズル37をウエハ
Wの周方向に移動可能に形成する。これにより、乾燥室
23内に収容されるウエハWと乾燥ガス供給ノズル37
とを相対的に移動させながら乾燥ガス供給ノズル37か
ら乾燥ガスをウエハW表面に均一に吹き付けることがで
き、乾燥ガスの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ
Wの水分の除去及び乾燥を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやLCD用ガラス基板等の被処理体を薬液やリンス
液等の洗浄液に浸漬して洗浄した後、乾燥する乾燥処理
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス等の被処理体
(以下にウエハ等という)を薬液やリンス液(洗浄液)
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、洗浄後の
ウエハ等の表面に例えばIPA(イソプロピルアルコー
ル)等の揮発性を有する有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガ
スを接触させて、乾燥ガスの蒸気を凝縮あるいは吸着さ
せて、ウエハ等の水分の除去及び乾燥を行う乾燥処理装
置が知られている。
【0003】従来のこの種の乾燥処理装置は、複数のウ
エハ等を適宜間隔をおいて水平方向に配列保持した状態
で乾燥室内に収容し、乾燥室内に配設された乾燥ガス供
給手段例えば乾燥ガス供給ノズルからウエハ等に向かっ
て乾燥ガスを吹き付けてウエハ等の表面に接触させ、乾
燥ガスの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、ウエハ等の水
分の除去及び乾燥を行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の乾燥処理装置においては、乾燥ガス供給手段が
固定されているため、乾燥ガスがウエハ等の全面に均一
に供給されにくく、乾燥処理が不均一になり、乾燥効率
の低下をきたすという問題があった。また、ウエハ等の
全面に乾燥ガスを供給するには多くの乾燥ガスを供給す
る必要があり、そのため乾燥ガスの消費量が多くなると
共に、乾燥処理に多く時間を要するという問題があっ
た。
【0005】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、乾燥効率の向上及び乾燥ガスの消費量の低減を図れ
るようにした乾燥処理装置を提供することを目的とする
ものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の乾燥処理装置は、複数の被処理体を適宜
間隔をおいて水平方向に配列保持する保持手段と、この
保持手段と共に上記被処理体を収容する乾燥室と、この
乾燥室内に配設されると共に上記被処理体に対して乾燥
ガスを供給する乾燥ガス供給手段とを具備し、 上記被
処理体と乾燥ガス供給手段を相対的に移動可能に形成し
てなる、ことを特徴とする(請求項1)。
【0007】この発明において、上記乾燥ガスは例えば
空気や例えば窒素(N2)ガス等の不活性ガス等であっ
てもよいが、好ましくは例えばIPA(イソプロピルア
ルコール)等のアルコールケトン類,エーテル類,多価
アルコール等の有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスである
方がよい(請求項2)。また、上記被処理体と乾燥ガス
供給手段とは相対的に移動可能な構造であればその形態
は任意でよく、例えば上記乾燥ガス供給手段を、被処理
体の配列方向に適宜間隔をおいて配列される複数のノズ
ル孔を有すると共に、被処理体の周方向に移動可能に形
成するか(請求項3)、又は、上記乾燥ガス供給手段を
被処理体の配列方向に沿って移動可能に形成するか(請
求項4)、あるいは、上記保持手段を被処理体の配列方
向に沿う軸を中心に回転可能に形成する(請求項5)な
どの形態とすることができる。
【0008】また、上記請求項1ないし4のいずれかに
記載の乾燥処理装置において、上記乾燥室を被処理体の
洗浄槽の上方に配置してもよく(請求項6)、更に、上
記保持手段を上記洗浄槽と乾燥室間を移動可能に形成し
てもよい(請求項7)。
【0009】また、上記請求項5記載の乾燥処理装置に
おいて、上記乾燥室を密閉可能な容器にて形成し、この
容器の底部に洗浄液の供給口及び排出口を設けると共
に、容器の上方開口部の外側に、容器の上部側方に、容
器内に充満する洗浄液をオーバーフローするオーバーフ
ロー管を設けるようにしてもよい(請求項7)。
【0010】上記のように構成されるこの発明の乾燥処
理装置によれば、被処理体と乾燥ガス供給手段とを相対
的に移動することにより、乾燥ガスを被処理体の全面に
均一に供給して接触させることができ、乾燥ガスの蒸気
を凝縮あるいは吸着させて、被処理体の水分の除去及び
乾燥を行うことができる。したがって、少ない乾燥ガス
の供給によって被処理体を均一に乾燥することができ
る。
【0011】また、乾燥室を洗浄槽の上方に配置するこ
とにより、洗浄槽で洗浄された被処理体を引き上げて乾
燥処理することができる(請求項6)。更に、保持手段
を上記洗浄槽と乾燥室間を移動可能に形成することによ
り、同一の保持手段によって被処理体を洗浄槽と乾燥室
に移動することができ、洗浄処理後の乾燥処理を更に効
率良く行うことができる(請求項7)。
【0012】また、乾燥室を密閉可能な容器にて形成
し、この容器の底部に洗浄液の供給口及び排出口を設け
ると共に、容器の上部側方に、容器内に充満する洗浄液
をオーバーフローするオーバーフロー管を設けることに
より、乾燥室と洗浄槽とを兼用することができる(請求
項8)。したがって、装置の小型化が図れると共に、洗
浄処理と乾燥処理を同一の室内(槽内)にて行うことが
でき、洗浄及び乾燥処理の効率の向上を図ることができ
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。
【0014】図1はこの発明に係る乾燥処理装置を適用
した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図、図2は
その概略側面図である。
【0015】上記洗浄処理システムは、被処理体である
半導体ウエハW(以下にウエハという)を水平状態に収
納する容器例えばキャリア1を搬入、搬出するための搬
送部2と、ウエハWを薬液、洗浄液等の液処理すると共
に乾燥処理する処理部3と、搬送部2と処理部3との間
に位置してウエハWの受渡し、位置調整及び姿勢変換等
を行うインターフェース部4とで主に構成されている。
【0016】上記搬送部2は、洗浄処理システムの一側
端部に併設して設けられる搬入部5と搬出部6とで構成
されている。また、搬入部5及び搬出部6のキャリア1
の搬入口5a及び搬出口6bには、キャリア1を搬入部
5、搬出部6に出入れ自在のスライド式の載置テーブル
7が設けられている。また、搬入部5と搬出部6には、
それぞれキャリアリフタ8が配設され、このキャリアリ
フタ8によって搬入部間又は搬出部間でのキャリア1の
搬送を行うことができると共に、空のキャリア1を搬送
部2上方に設けられたキャリア待機部9への受け渡し及
びキャリア待機部9からの受け取りを行うことができる
ように構成されている(図2参照)。
【0017】上記インターフェース部4は、区画壁4c
によって搬入部5に隣接する第1の室4aと、搬出部6
に隣接する第2の室4bとに区画されている。そして、
第1の室4a内には、搬入部5のキャリア1から複数枚
のウエハWを取り出して搬送する水平方向(X,Y方
向),垂直方向(Z方向)及び回転(θ方向)可能なウ
エハ取出しアーム10と、ウエハWに設けられたノッチ
を検出するノッチアライナー11と、ウエハ取出しアー
ム10によって取り出された複数枚のウエハWの間隔を
調整する間隔調整機構12を具備すると共に、水平状態
のウエハWを垂直状態に変換する第1の姿勢変換装置1
3が配設されている。
【0018】また、第2の室4b内には、処理済みの複
数枚のウエハWを処理部3から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム14と、ウエハ受渡しア
ーム14から受け取ったウエハWを垂直状態から水平状
態に変換する第2の姿勢変換装置13Aと、この第2の
姿勢変換装置13Aによって水平状態に変換された複数
枚のウエハWを受け取って搬出部6に搬送された空のキ
ャリア1内に収納する水平方向(X,Y方向),垂直方
向(Z方向)及び回転(θ方向)可能なウエハ収納アー
ム15が配設されている。なお、第2の室4bは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
(N2 )ガスの供給源から供給されるN2ガスによって
室内が置換されるように構成されている。
【0019】一方、上記処理部3には、ウエハWに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第1の処理ユ
ニット16と、ウエハWに付着する金属汚染を除去する
第2の処理ユニット17と、ウエハWに付着する化学酸
化膜を除去すると共に乾燥処理するこの発明の乾燥処理
装置を具備する洗浄・乾燥処理ユニット18及びチャッ
ク洗浄ユニット19が直線状に配列されており、これら
各ユニット16〜19と対向する位置に設けられた搬送
路20に、X,Y方向(水平方向)、Z方向(垂直方
向)及び回転(θ)可能なウエハ搬送アーム21が配設
されている。
【0020】次に、この発明に係る乾燥処理装置につい
て説明する。
【0021】◎第一実施形態 図3はこの発明に係る乾燥処理装置の第一実施形態の断
面図、図4はその要部の側断面図である。
【0022】上記洗浄・乾燥処理ユニット18は、例え
ばフッ化水素酸等の薬液や純水等の洗浄液を貯留(収
容)し、貯留した洗浄液にウエハWを浸漬する洗浄槽2
2(洗浄室)と、洗浄槽22の上部に位置する乾燥室2
3と、複数例えば50枚のウエハWを保持してこのウエ
ハWを洗浄槽22内及び乾燥室23内に移動する移動手
段例えばウエハボート24とで主に構成されている。
【0023】この場合、洗浄槽22は、例えば石英製部
材やポリプロピレンにて形成される内槽22aと、この
内槽22aの上端部外側に配設されて内槽22aからオ
ーバーフローした洗浄液を受け止める外槽22bとで構
成されている。また、内槽22aの下部両側には洗浄槽
22内に位置するウエハWに向かって洗浄液を噴射する
洗浄液供給ノズル25が配設され、この洗浄液供給ノズ
ル25に接続する図示しない薬液供給源及び純水供給源
から切換弁によって薬液又は純水が供給されて洗浄槽2
2内に薬液又は純水が貯留されるようになっている。ま
た、内槽22aの底部には排出口が設けられており、こ
の排出口に排出バルブ26aを介設するドレン管26が
接続されている。外槽22bの底部に設けられた排出口
にも排出バルブ27aを介設するドレン管27が接続さ
れている。なお、外槽22bの外側には排気ボックス2
8が配設されており、この排気ボックス28に設けられ
た排気口にバルブ29aを介設する排気管29が接続さ
れている。
【0024】上記のように構成される洗浄槽22と排気
ボックス28は、有底筒状のボックス30内に配設され
ており、ボックス30を水平に仕切る仕切板31によっ
て洗浄槽側の上部室32aと内槽22a及び外槽22b
に接続するドレン管26,27及び排気管29の排液口
及び排気口側の下部室32bとが区画されている。それ
によって、下部室32bの雰囲気、排液の飛散が上部室
32a内に入り込むことを防ぎ、上部室32a内が清浄
に保たれる。なお、上部室32aの側壁には排気窓33
が設けられ、下部室32bの上部側壁に排気窓34が、
下部側壁には排液口35が設けられている。
【0025】一方、上記乾燥室23は、洗浄槽22の開
口部22cとの間にシャッタ36を介して連通する開口
部23aを有する断面略逆U字状の石英製部材に形成さ
れており、その内方の上部両側に乾燥ガス供給手段例え
ば乾燥ガス供給ノズル37が配設されている。乾燥ガス
供給ノズル37は、例えば図4及び図5に示すように、
長手方向に適宜間隔をおいてノズル孔37aを有するパ
イプ37bからなるシャワーノズルにて形成されてお
り、パイプ37bの一端が図示しないシール機構を介し
て乾燥室23を貫通して外方に突出し、この突出部に揺
動リンク37cを介して回転軸37dが連結されると共
に、図示しない軸受によって回転自在に支承されている
両回転軸37dに装着された歯付きプーリ37eに伝達
用のタイミングベルト37fが掛け渡されている。そし
て、一方の回転軸37dに連結される正逆回転可能な駆
動モータ37gによって両乾燥ガス供給ノズル37がウ
エハWの周方向に沿って移動し得るように構成されてい
る。
【0026】また、乾燥ガス供給ノズル37は、供給管
38を介して乾燥ガス発生器39に接続されており、乾
燥ガス発生器39には乾燥ガス用液体例えばIPA(イ
ソプロピルアルコール)の供給源(図示せず)とキャリ
アガス例えば窒素(N2)ガスの供給源(図示せず)が
接続されている。また、供給管38には開閉弁40が介
設されており、開閉弁40の開閉動作によって乾燥ガス
発生器39によって生成された乾燥ガス(IPA+N
2)を乾燥ガス供給ノズル37から乾燥室23内に供給
し得るように構成されている。なお、IPAの供給を停
止することによってN2ガスのみを乾燥ガス供給ノズル
37から乾燥室23内に供給することができる。なおこ
の場合、開閉弁40は制御手段例えば中央演算処理装置
(CPU)60からの信号に基づいて開閉動作し得るよ
うに構成されている。
【0027】上記のように構成することにより、乾燥ガ
ス供給ノズル37をウエハWの周方向に移動させながら
乾燥ガスをウエハW表面に吹き付けることができる。
【0028】上記シャッタ36は、図4に示すように、
上部シャッタ体36aと下部シャッタ体36bに分割さ
れており、両シャッタ体36a,36b間に介設(内
蔵)される複数例えば8個のシリンダ50によって接離
方向への間隔調節可能に形成されている。このようにシ
ャッタ36を上部シャッタ体36aと下部シャッタ体3
6bとに分割し、シリンダ50を介して接離方向の間隔
調節可能に形成することにより、シャッタ36を閉じた
状態で洗浄槽22と乾燥室23に密接することができる
ので、洗浄槽22と乾燥室23の遮断性を確実にするこ
とができる。
【0029】また、シャッタ36の下部シャッタ体36
bにおける開閉移動方向に沿う両側には断面略逆ハット
状の翼片51が突設されており、その一方がシャッタ3
6の開閉駆動手段52(以下に駆動手段という)と連結
されている。この場合、駆動手段52は例えばボールね
じ機構にて形成されており、ボールねじ機構を収容する
ケーシング内に不活性ガス例えばN2ガスが供給されて
いる。また、両翼片51の一部の屈曲部51aが洗浄槽
22の上部に設けられた樋状槽53内に貯留された水等
のシール用液体54に浸漬された状態で移動可能に配設
されている。
【0030】このようにシャッタ36の両側に突出する
翼片51の屈曲部51aを移動可能に収容すると樋状槽
53と、この樋状槽53内に貯留されて翼片51の屈曲
部51aを浸漬するシール用液体54とで液体シール機
構55を形成する。このように形成される液体シール機
構55によって洗浄槽22と、洗浄槽22の外部{具体
的にはシャッタ36の駆動手段52及び洗浄槽22に関
して駆動手段52と反対側}とを気水密にシールするこ
とができる。なお、図示しないが、樋状槽53の下部に
設けられた供給口から常時シール用液体54が供給され
ると共に、上部側部に設けられた排液口から常時排出し
て絶えず樋状槽53内にシール用液体54が充満されて
いる。
【0031】また、洗浄槽22と駆動手段52は区画壁
56によって区画されており、更に区画壁56の下端部
が樋状槽53内における翼片51の屈曲部51a内方で
シール用液体54に浸漬されている。したがって、洗浄
槽22側の処理部と駆動手段52側との雰囲気を確実に
遮断することができる。
【0032】なおこの場合、上記駆動手段52及びシリ
ンダ50は上記制御手段すなわちCPU60からの信号
に基づいて駆動してシャッタ36を開閉し得るように構
成されている。
【0033】次に、上記洗浄・乾燥処理装置の実施例の
動作態様について説明する。まず、洗浄槽22内にウエ
ハWを収容した状態で洗浄液例えば純水を貯留しオーバ
ーフローして洗浄処理を施す。次に、洗浄槽22内の純
水Lを洗浄槽22の下部から排出(ドレン)した後、ウ
エハボート24を上昇させてウエハWを乾燥室23内に
移動し、シャッタ36を閉状態にした状態で、駆動モー
タ37gを駆動して乾燥ガス供給ノズル37をウエハW
の周方向に移動させながら乾燥ガス供給ノズル37から
乾燥ガスを供給し、ウエハWの表面に残留する純水Lと
乾燥ガスの凝縮によりウエハWに残留する水分の除去及
び乾燥を行う。
【0034】このように、乾燥ガス供給ノズル37をウ
エハWの周方向に移動させながらウエハWに向けて乾燥
ガスを供給することにより、ウエハWの表面に均一に乾
燥ガスを接触させることができる。したがって、乾燥効
率の向上が図れると共に、乾燥ガスの消費量を少なくす
ることができる。なお、乾燥処理後、乾燥ガス供給ノズ
ル37から乾燥室23内にN2ガスを供給して乾燥処理
を完了する。
【0035】上記説明では、乾燥ガス供給ノズル37を
ウエハWの外方の周方向に移動させる場合について説明
したが、図6に示すように、乾燥室23内の両側に配設
される乾燥ガス供給ノズル37を垂直方向に揺動移動可
能な首振り式にしてもよい。また、上記説明では、乾燥
ガス供給ノズル37がシャワーノズルにて形成される場
合について説明したが、乾燥ガス供給ノズル37は必し
もシャワーノズルである必要はなく、ウエハWの配列方
向に適宜間隔をおいて配列されるノズル孔を有するもの
であれば、多数のノズルを配列したものであってもよ
い。なお、図6において、その他の部分は上記実施形態
と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、そ
の説明は省略する。
【0036】◎第二実施形態 図7はこの発明の第二実施形態の要部概略断面図、図7
はその要部の概略斜視図である。
【0037】第二実施形態は、乾燥ガス供給ノズル37
を垂直方向に移動可能に形成した場合である。この場
合、乾燥ガス供給ノズル37は、乾燥室23の上方に垂
設される伸縮シリンダ70のプランジャ71の先端に装
着される保持部材72に水平に取り付けられて、乾燥室
23内を垂直方向すなわちウエハWの側方の上下方向に
移動可能に構成されている。なおこの場合、プランジャ
71は乾燥室23の頂部に設けられた貫通孔(図示せ
ず)内をシール機構73を介して貫通している。また、
乾燥ガス供給ノズル37にはプランジャ71及び保持部
材72内に設けられた連通路(図示せず)を介して供給
管38が接続されている。なお、第二実施形態におい
て、その他の部分は上記第一実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略す
る。
【0038】上記のように構成することにより、洗浄処
理後、乾燥室23内に搬送されたウエハWに対して乾燥
ガス供給ノズル37を垂直方向に移動させながら乾燥ガ
スをウエハW表面に吹き付けることができ、ウエハWの
表面に均一に乾燥ガスを接触させることができる。した
がって、乾燥効率の向上が図れると共に、乾燥ガスの消
費量を少なくすることができる。
【0039】◎第三実施形態 図9はこの発明の第三実施形態の要部断面図、図10は
その要部概略斜視図である。
【0040】第三実施形態は、乾燥ガス供給ノズルをウ
エハWの配列方向に沿って移動可能に形成した場合であ
る。この場合、乾燥ガス供給ノズル37Aは、ウエハW
の外方に位置する円弧状ノズル体37hの内周側面に適
宜間隔をおいてノズル孔37aを穿設したシャワーノズ
ルにて形成されている。この乾燥ガス供給ノズル37A
はボールねじ機構80によって乾燥室23内を水平方向
に移動し得るように構成されている。すなわち、乾燥室
23の側方にボールねじ軸82を水平状態に配設し、ボ
ールねじ軸82に図示しないボールを介して螺合する可
動体83と、乾燥ガス供給ノズル37Aとを、乾燥室2
3の側壁に設けられた水平方向のガイドスリット23a
内を摺動する支持部材81を介して連結し、ボールねじ
軸82に連結する正逆回転可能なモータ84の駆動によ
って乾燥ガス供給ノズル37AがウエハWの配列方向に
沿って移動し得るように構成されている。なお、乾燥ガ
ス供給ノズル37Aは可動体83及び支持部材81に設
けられた連通路(図示せず)を介して乾燥ガス供給管に
接続されている。
【0041】なお、第三実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
【0042】上記のように構成することにより、洗浄処
理後、乾燥室23内に搬送されたウエハWに向けて乾燥
ガス供給ノズル37AをウエハWの配列方向に移動させ
ながら乾燥ガスをウエハWに向けて吹き付けることがで
き、ウエハWの表面に均一に乾燥ガスを接触させること
ができる。したがって、乾燥効率の向上が図れると共
に、乾燥ガスの消費量を少なくすることができる。
【0043】◎第四実施形態 図11はこの発明の第四実施形態の概略断面図、図12
はその要部を示す概略斜視図である。
【0044】第四実施形態は、洗浄処理と乾燥処理を同
一の処理室(洗浄室兼乾燥室)で行うと共に、乾燥ガス
供給ノズルに対してウエハWを回転移動させてウエハW
の乾燥を行うようにした場合である。
【0045】この場合、乾燥室23A(以下に処理室と
いう)は、例えば石英製部材にて形成される蓋体91に
よって密閉可能な箱状の例えば石英製部材にて形成され
る容器90にて形成されている。また、容器90の底部
には洗浄液例えば純水の供給口92及び排出口93が設
けられており、上方側部には容器90内に充満された純
水をオーバーフローするオーバーフロー管94が設けら
れている。なお、供給口92に接続する供給管95及び
排出口93に接続する排出管96にはそれぞれ開閉弁9
7,98が介設されている。また、排出管96には図示
しない排気手段に接続する排気管が分岐されている。
【0046】上記のように構成される処理室23A内の
開口部側の一側部には乾燥ガス供給ノズル37Bが固定
された状態で配設されている。また、処理室23A内に
は複数枚例えば50枚のウエハWを適宜間隔をおいて保
持すると共に、ウエハWの配列方向に沿う軸を中心とし
て回転可能な保持手段100が配設されている。
【0047】上記保持手段100は、処理室23Aを貫
通する水平回転軸101によって支持される一対の略扇
形状の支持板102aとこれら支持板102a間に架設
される多数の保持溝を有する保持部材(図示せず)とか
らなる保持体102と、一方の支持板102から他方の
支持板102に向かって起倒可能に取り付けられてウエ
ハWの上部を保持する上部押え部材104と、水平回転
軸101に連結される駆動モータ103とで主に構成さ
れている。
【0048】この場合、上部押え部材104は、一端部
が開閉機構105によって起倒可能に取り付けられてお
り、他端部がロック機構106によって支持板102に
固定されるようになっている。開閉機構105は、図1
3及び図14に示すように、上部押え部材104を貫通
する枢軸107と先端部同士が係脱可能に連結される回
動ロッド108と、この回動ロッド108を枢軸107
に対して進退移動させるべく処理室23Aの側壁に取り
付けられるシリンダ109と、回動ロッド108を回動
させる回動機構110とで構成されている。なおこの場
合、回動ロッド108の先端には凹部111が形成さ
れ、枢軸107の先端には凸部112が形成されてお
り、先端部同士が噛み合い連結されるようになっている
(図13及び図14参照)。また、回動ロッド108
は、処理室23Aの側壁を貫通しており、その基端部は
シリンダ109のロッド109aに連結された連結部材
113に軸回転可能に取り付けられている。回動機構1
10は、処理室23Aの回動ロッド108の貫通部内側
に設けられたシール用のブラケット114の内部に収納
されている。この開閉機構105は、平時は保持手段1
00の回転に邪魔にならないようシリンダ109を伸長
させて回動ロッド108を後退させた状態で待機してい
る。そして、上部押え部材104を起倒させる場合に
は、シリンダ109を収縮させて回動ロッド108を枢
軸107側へ前進させ、上記凸部112と凹部111と
を噛み合わせ連結した後、回動機構110を駆動して上
部押え部材104を起倒させる。
【0049】上記のように起倒可能に構成された上部押
え部材104の他端側には、上部押え部材104の転倒
状態時に上部押え部材104の先端部に設けられた係合
孔115に係脱して上部押え部材104を保持体102
に固定するためのロック機構106が設けられている。
ロック機構106は、水平回転軸101に半径方向外方
に延出させて設けられた支持ブロック116と、この支
持ブロック116の先端側面に固設されて上部押え部材
104の転倒状態時に上部押え部材104の先端部を受
け入れる左右一対の固定ブロック117と、両固定ブロ
ック117に水平方向に連通させて形成された貫通孔1
18に挿入されて上部押え部材104の係合孔115を
係止するロックピン119と、支持ブロック116の先
端部に形成された貫通孔120にロックピン119と平
行に挿入されるガイドピン121とで主に構成されてい
る。ロックピン119は、一方の固定ブロック117を
貫通して他方の固定ブロック117の貫通孔118の途
中まで先端部が挿入される程度の長さに形成され、ガイ
ドピン121は、支持ブロック116を完全に貫通でき
る長さに形成されており、両者は基端部が連結部材12
2で連結されて互いに平行に固定されている。また、図
13に示すように、支持ブロック116の貫通孔120
内にばね123が張設され、このばね123のがガイド
ピン121の途中に形成された拡径部121aに係合し
てこれを付勢しており、これによってロックピン119
が常時ロック方向に付勢されている。
【0050】上記ロック機構106のガイドピン121
の先端側には、ロック解除機構124が設けらており、
このロック解除機構124のプッシュロッド125の進
退移動によってガイドピン121が固定ブロック117
と係脱し得るようになっている。また、ロック機構10
6の連結部材122側にはロック機構106のロック動
作を確実に行わせるためのロック補助機構126が設け
られている。
【0051】次に、第四実施形態における乾燥処理装置
の実施例の動作態様について図15ないし図17を参照
して説明する。まず、図15に示すように、処理室23
A内に複数枚例えば50枚のウエハWを搬入して保持手
段100にて保持し、上部押え部材104を転倒してロ
ック機構106にて固定した状態で蓋体91を閉じる。
この状態で、処理室23Aすなわち容器90内に洗浄液
例えば純水Lを貯留し、上方からオーバーフロー管94
にてオーバーフローして洗浄処理を施す。
【0052】次に、図16に示すように、容器90内の
純水Lを容器90の下部から排出(ドレン)する。この
とき、乾燥ガス供給ノズル37Bから容器90内に乾燥
ガス(IPA+N2)を供給すると、乾燥ガスはウエハ
Wの表面に接触すると共に、純水Lの表面に接触して、
マランゴニー効果によりウエハの水分の除去及び一次乾
燥を行うことができる。なお、この一次乾燥では水分を
完全に除去するに至らなくて済むため、乾燥ガスの供給
は少量でよい。
【0053】一次乾燥後、図17に示すように、モータ
103を駆動して保持手段100と共にウエハWを配列
方向に沿う軸を中心として回転すると共に、乾燥ガス供
給ノズル37Bから乾燥ガスを供給する。すると、ウエ
ハWの表面に残留する純水Lと乾燥ガスの凝縮によりウ
エハWに残留する水分の除去及び二次乾燥が行われる。
また、ウエハWの回転による遠心力により乾燥が促進さ
れる。この二次乾燥においては、既に一次乾燥によって
余分な水分が除去されているため、乾燥ガスの供給量は
少なくできると共に、乾燥時間を短縮することができ
る。したがって、乾燥効率の向上が図れると共に、乾燥
ガスの消費量を少なくすることができる。また、二次乾
燥後、乾燥ガスに代えてN2ガスを供給して乾燥処理を
完了する。
【0054】上記のように、処理室23Aを密閉可能な
容器90にて形成し、この容器90の底部に洗浄液の供
給口92及び排出口93を設けると共に、容器90の上
部側方に、容器90内に充満する純水をオーバーフロー
するオーバーフロー管94を設けることにより、乾燥室
と洗浄槽とを兼用することができ、装置の小型化が図れ
ると共に、洗浄処理と乾燥処理を同一の処理室23Aに
て行うことができ、洗浄及び乾燥処理の効率の向上を図
ることができる。
【0055】なお、上記実施形態では、この発明の乾燥
処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した
場合について説明したが、洗浄処理以外の処理システム
にも適用できることは勿論であり、また、半導体ウエハ
以外のLCD用ガラス基板等にも適用できることは勿論
である。
【0056】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の乾燥
処理装置によれば、上記のように構成されているので、
以下のような優れた効果が得られる。
【0057】1)請求項1ないし5記載の発明によれ
ば、の被処理体と乾燥ガス供給手段とを相対的に移動す
ることにより、乾燥ガスを被処理体の全面に均一に供給
して接触させることができ、例えば乾燥ガスの蒸気を凝
縮あるいは吸着させて、被処理体の水分の除去及び乾燥
を行うことができる。したがって、少ない乾燥ガスの供
給によって被処理体を均一に乾燥することができる。
【0058】2)請求項6記載の発明によれば、乾燥室
を洗浄槽の上方に配置するので、上記1)に加えて、洗
浄槽で洗浄された被処理体を引き上げて乾燥処理するこ
とができる。更に、保持手段を上記洗浄槽と乾燥室間を
移動可能に形成することにより、同一の保持手段によっ
て被処理体を洗浄槽と乾燥室に移動することができ、洗
浄処理後の乾燥処理を更に効率良く行うことができる
(請求項7)。
【0059】3)請求項8記載の発明によれば、、乾燥
室を密閉可能な容器にて形成し、この容器の底部に洗浄
液の供給口及び排出口を設けると共に、容器の上部側方
に、容器内に充満する洗浄液をオーバーフローするオー
バーフロー管を設けることにより、乾燥室と洗浄槽とを
兼用することができ、装置の小型化が図れると共に、洗
浄処理と乾燥処理を同一の室内(槽内)にて行うことが
でき、洗浄及び乾燥処理の効率の向上を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の乾燥処理装置を適用した洗浄処理シ
ステムの概略平面図である。
【図2】上記洗浄処理システムの概略側面図である。
【図3】この発明の乾燥処理装置の第一実施形態を示す
断面図である。
【図4】図3の要部の側断面図である。
【図5】第一実施形態における乾燥ガス供給手段を示す
斜視図である。
【図6】第一実施形態における乾燥ガス供給手段の別の
実施例を示す断面図である。
【図7】この発明の乾燥処理装置の第二実施形態を示す
要部概略断面図である。
【図8】第二実施形態における乾燥ガス供給手段の移動
状態を示す概略斜視図である。
【図9】この発明の乾燥処理装置の第三実施形態を示す
要部概略断面図である。
【図10】第三実施形態の要部概略斜視図である。
【図11】この発明の乾燥処理装置の第四実施形態を示
す概略断面図である。
【図12】第四実施形態の要部を示す概略斜視図であ
る。
【図13】第四実施形態における上部押え部材の傾倒機
構を示す概略平面図である。
【図14】上記傾倒機構の要部を示す概略斜視図であ
る。
【図15】第四実施形態における洗浄処理状態を示す概
略断面図である。
【図16】第四実施形態における排液状態を示す概略断
面図である。
【図17】第四実施形態における乾燥処理状態を示す概
略断面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体) 22 洗浄槽 23 乾燥室 23A 処理室(乾燥室) 24 ウエハボート(保持手段) 37,37A,37B 乾燥ガス供給ノズル 37a ノズル孔 37b パイプ 37c 揺動リンク 37d 回転軸 37g 駆動モータ 70 伸縮シリンダ 71 プランジャ 80 ボールねじ機構 90 容器 91 蓋体 92 供給口 93 排出口 94 オーバーフロー管 100 保持手段 101 水平回転軸 103 モータ 104 上部押え部材

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の被処理体を適宜間隔をおいて水平
    方向に配列保持する保持手段と、この保持手段と共に上
    記被処理体を収容する乾燥室と、この乾燥室内に配設さ
    れると共に上記被処理体に対して乾燥ガスを供給する乾
    燥ガス供給手段とを具備し、 上記被処理体と乾燥ガス供給手段を相対的に移動可能に
    形成してなる、ことを特徴とする乾燥処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の乾燥処理装置において、 上記乾燥ガスが有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスである
    ことを特徴とする乾燥処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の乾燥処理装置において、 上記乾燥ガス供給手段を、被処理体の配列方向に適宜間
    隔をおいて配列される複数のノズル孔を有すると共に、
    被処理体の周方向に移動可能に形成してなる、ことを特
    徴とする乾燥処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の乾燥処理装置において、 上記乾燥ガス供給手段を被処理体の配列方向に沿って移
    動可能に形成してなる、ことを特徴とする乾燥処理装
    置。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の乾燥処理装置において、 上記保持手段を被処理体の配列方向に沿う軸を中心に回
    転可能に形成してなる、ことを特徴とする乾燥処理装
    置。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし4のいずれかに記載の乾
    燥処理装置において、 上記乾燥室を被処理体の洗浄槽の上方に配置してなる、
    ことを特徴とする乾燥処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項1ないし4のいずれかに記載の乾
    燥処理装置において、 上記乾燥室を被処理体の洗浄槽の上方に配置し、上記保
    持手段を上記洗浄槽と乾燥室間を移動可能に形成してな
    る、ことを特徴とする乾燥処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項5記載の乾燥処理装置において、
    上記乾燥室を密閉可能な容器にて形成し、この容器の底
    部に洗浄液の供給口及び排出口を設けると共に、容器の
    上部側方に、容器内に充満する洗浄液をオーバーフロー
    するオーバーフロー管を設けてなる、ことを特徴とする
    乾燥処理装置。
JP18602497A 1997-06-13 1997-06-27 乾燥処理装置 Expired - Fee Related JP3156075B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18602497A JP3156075B2 (ja) 1997-06-27 1997-06-27 乾燥処理装置
US09/096,662 US6164297A (en) 1997-06-13 1998-06-12 Cleaning and drying apparatus for objects to be processed
KR10-1998-0022196A KR100455903B1 (ko) 1997-06-13 1998-06-13 세정건조처리장치
DE69837364T DE69837364T2 (de) 1997-06-13 1998-06-15 Reinigungs- und Trocknungsvorrichtung von zu behandelnden Gegenständen
EP98110895A EP0884764B1 (en) 1997-06-13 1998-06-15 Cleaning and drying apparatus for objects to be processed

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18602497A JP3156075B2 (ja) 1997-06-27 1997-06-27 乾燥処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1116876A true JPH1116876A (ja) 1999-01-22
JP3156075B2 JP3156075B2 (ja) 2001-04-16

Family

ID=16181069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18602497A Expired - Fee Related JP3156075B2 (ja) 1997-06-13 1997-06-27 乾燥処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3156075B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306881A (ja) * 1999-03-26 2000-11-02 Applied Materials Inc 基板洗浄乾燥装置
WO2009044646A1 (ja) * 2007-10-01 2009-04-09 Tokyo Electron Limited 基板処理装置および基板処理方法
JP2009105359A (ja) * 2007-10-01 2009-05-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7980255B2 (en) 2001-11-02 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
JP2013125812A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013138051A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN109712922A (zh) * 2019-01-22 2019-05-03 上海提牛机电设备有限公司 一种清洗干燥晶片用的花篮
JP2020145237A (ja) * 2019-03-04 2020-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4634266B2 (ja) 2005-09-28 2011-02-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306881A (ja) * 1999-03-26 2000-11-02 Applied Materials Inc 基板洗浄乾燥装置
US7980255B2 (en) 2001-11-02 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
WO2009044646A1 (ja) * 2007-10-01 2009-04-09 Tokyo Electron Limited 基板処理装置および基板処理方法
JP2009105359A (ja) * 2007-10-01 2009-05-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US9070549B2 (en) 2007-10-01 2015-06-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013125812A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013138051A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN109712922A (zh) * 2019-01-22 2019-05-03 上海提牛机电设备有限公司 一种清洗干燥晶片用的花篮
JP2020145237A (ja) * 2019-03-04 2020-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP3156075B2 (ja) 2001-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100455903B1 (ko) 세정건조처리장치
KR100411366B1 (ko) 세정 건조처리 방법 및 그 장치
JP3250090B2 (ja) 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
KR100407869B1 (ko) 세정장치및세정방법
US9070549B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH10209110A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP3739073B2 (ja) 基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置
JP3156075B2 (ja) 乾燥処理装置
KR20230117132A (ko) 냄비형 중공체, 특히 반도체 웨이퍼 또는 euv 리소그래피 마스크용 운반 용기를 취급하기 위한 장치 및 방법
US20030010362A1 (en) Systems and methods for processing workpieces
JP3155147B2 (ja) 基板処理装置
JP3341148B2 (ja) 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法
US6427359B1 (en) Systems and methods for processing workpieces
JP3643954B2 (ja) 洗浄処理装置
JP3281978B2 (ja) 洗浄・乾燥処理装置
JP4505563B2 (ja) 液処理装置
JPH1126420A (ja) 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
JPH09162156A (ja) 処理方法及び処理装置
JP3910757B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2890081B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2000036527A (ja) 基板搬送処理装置及び基板搬送処理方法
JPH03124028A (ja) 洗浄装置
JP3066986B2 (ja) ウエット処理装置及びウエット処理方法
JP3177706B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JPH06318543A (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010110

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130209

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees