JP2013138051A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、槽本体11と、蓋部12と、SPM溶液をシャワー状に噴出する処理液ノズル31と、窒素ガスを噴出するガスノズル32とを備える。蓋部12は槽本体11の上部の搬入口110を開閉する。処理液ノズル31は、基板9の外縁部に対向する槽本体11の側壁111から基板9に処理液91を噴出する。基板9が槽本体11に搬入される前に、ガスノズル32から蓋部12の下面に向けてガスを噴出することにより、前の基板9の処理時、または、処理液ノズル31から処理液91を噴出する温調時に蓋部12の下面に付着した処理液91の液滴を除去することができる。これにより、槽本体11に搬入直後の基板9に処理液91の液滴が落下して付着することを防止または低減することができる。
【選択図】図3
Description
7 制御部
9 基板
11 槽本体
12 蓋部
31 処理液ノズル
32 ガスノズル
34 揺動機構(向き変更機構)
35 回収部
91 処理液
110 搬入口
111 側壁
121 下面
122 傾斜面
312 遮蔽部
S11〜S16,S21〜S27,S211〜S214 ステップ
Claims (15)
- 基板処理装置であって、
上部の搬入口から搬入される複数の基板を、隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で収容する槽本体と、
前記槽本体の前記搬入口を開閉する蓋部と、
前記槽本体内の前記複数の基板に向けて処理液を噴出する複数の処理液ノズルと、
前記蓋部の下面に向けてガスを噴出する少なくとも1つのガスノズルと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する少なくとも一方の側壁に設けられることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2または3に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つのガスノズルが、高さ方向において、前記蓋部と前記処理液ノズルとの間に位置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理液ノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられ、
前記少なくとも1つのガスノズルが、前記槽本体内の前記複数の基板の主面に対向する側壁に設けられることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記蓋部の前記下面が、前記少なくとも1つのガスノズル近傍において、前記少なくとも1つのガスノズルから離れるに従って上方へと向かう傾斜面を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記蓋部と前記槽本体との間の間隙の外側に、前記間隙からの処理液の漏出を妨げる遮蔽部または漏出した処理液を回収する回収部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つのガスノズルの向きを変更する向き変更機構をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、
複数の基板を前記槽本体内に搬入するために前記蓋部が前記搬入口を開ける前に、前記少なくとも1つのガスノズルからガスを噴出させる制御部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理液が、硫酸過水であることを特徴とする基板処理装置。 - 基板処理方法であって、
a)槽本体の上部の搬入口が蓋部により閉じられた状態で、少なくとも1つのガスノズルから前記蓋部の下面に向けてガスを噴出する工程と、
b)前記搬入口を開ける工程と、
c)隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で、前記搬入口から複数の基板を前記槽本体内に搬入する工程と、
d)前記搬入口を蓋部により閉じる工程と、
e)複数の処理液ノズルから前記複数の基板に向けて処理液を噴出する工程と、
f)前記搬入口を開ける工程と、
g)前記搬入口から前記複数の基板を搬出する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項11に記載の基板処理方法であって、
前記a)工程の前に、前記複数の処理液ノズルから前記槽本体内に向けて前記処理液を噴出して前記処理液の温度を調整する工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項11または12に記載の基板処理方法であって、
前記少なくとも1つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられ、
前記e)工程において、前記両側壁に設けられたガスノズルから交互にガスが噴出されることを特徴とする基板処理方法。 - 基板処理方法であって、
a)槽本体の上部の搬入口を開ける工程と、
b)隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で、前記搬入口から複数の基板を前記槽本体内に搬入する工程と、
c)前記搬入口を蓋部により閉じる工程と、
d)複数の処理液ノズルから前記複数の基板に向けて処理液を噴出する工程と、
e)前記d)工程の終了と同時またはその直前もしくは直後から、少なくとも1つのガスノズルから前記蓋部の下面に向けてガスの噴出を開始し、前記噴出を終了する工程と、
f)前記搬入口を開ける工程と、
g)前記搬入口から前記複数の基板を搬出する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項11ないし14のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記処理液が、硫酸過水であることを特徴とする基板処理方法。
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