TWI433216B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

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TWI433216B
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於將例如半導體晶圓或LCD用玻璃基板等之被處理基板浸漬於藥液或沖洗液等之洗淨液而予以洗淨之後，加以乾燥之基板處理裝置及基板處理方法，尤其關於可以均勻並且迅速使被處理基板之表面予以乾燥之基板處理裝置及基板處理方法。
一般，在半導體製造裝置之製造工程中，廣泛採用將半導體晶圓或LCD用玻璃等之被處理基板(以下，稱為晶圓等)循序浸漬在儲存有藥液或沖洗液等之洗淨液之洗淨槽而執行洗淨之洗淨處理方法。再者，所知的有使洗淨後之晶圓等之表面接觸例如由IPA(異丙醇)等之具有揮發性的有機溶劑之蒸氣所構成之乾燥氣體，使乾燥氣體之蒸氣凝結或吸附於晶圓等之表面，之後藉由將N2氣體等之惰性氣體供給至晶圓等之表面，執行除去及乾燥存在於晶圓等之表面之水分的乾燥處理方法。
以往該種執行洗淨、乾燥處理方法之洗淨、乾燥處理裝置係以可開關的方式將蓋帽(蓋體)安裝於儲存藥液或沖洗液等之洗淨液的洗淨槽之上部開口部，構成在該蓋帽之內部形成乾燥室(例如參照專利文獻1、2等)。
在專利文獻1、2等所示之以往洗淨、乾燥處理裝置中，首先將晶圓等浸漬在儲存於洗淨槽之洗淨液，執行該晶圓等之洗淨。之後，將該晶圓等從洗淨槽內之洗淨液撈起，使其移動至位於該洗淨槽上方之乾燥室內，在晶圓等位於乾燥室之狀態，藉由快門等使乾燥室成為密閉狀態。之後，對乾燥室內供給乾燥氣體，藉由使該乾燥氣體接觸於晶圓等之表面，使乾燥氣體之蒸氣凝結或吸附於晶圓表面，之後藉由將惰性氣體供給至晶圓等表面，執行除去及乾燥存在於晶圓等之表面之水分。
[專利文獻1]日本特開平10-284459號公報
[專利文獻2]日本特開平11-16876號公報
但是，在上述般之洗淨、乾燥處理方法中，因自洗淨槽內之洗淨液撈起晶圓等而移動至位於該洗淨槽上方之乾燥室內，之後對乾燥室內供給乾燥氣體，故開始將晶圓等自洗淨槽內之洗淨液撈起至對該晶圓等之表面供給乾燥氣體為止花費較長時間，無法使晶圓等之表面均勻乾燥，由於附著於晶圓等之表面的洗淨液之水滴等，有在該晶圓等之表面形成水印之虞。
再者，也考慮有於自洗淨槽內之洗淨液撈起晶圓等之前，在乾燥室內將由IPA(異丙醇)等之具有揮發性的有機溶劑之蒸氣所構成之乾燥氣體供給至上方向或斜上方向，以乾燥氣體使充滿該乾燥室內，並且在洗淨槽內之洗淨液形成乾燥氣體之液膜之方法。但是，在該如此之方法中，因乾燥氣體被供給至上方向或斜上方向，故比較高溫之乾燥氣體直接性被吹至乾燥室之上部壁等，有由於該高溫之乾燥氣體而使乾燥室之上部壁等結露之虞。
本發明係考慮該點而所創作出，其目的在於提供可以縮短開始將被處理基板自洗淨槽內之洗淨液撈起至對該被處理基板表面供給乾燥氣體為止之時間，並可以均勻且迅速使被處理基板表面乾燥，可以抑制由於附著於被處理基板表面之洗淨液之水滴等在該被處理基板表面形成水印之基板處理裝置及基板處理方法。
本發明之基板處理裝置具備有：洗淨槽，儲存被處理基板之洗淨液；和乾燥室，位於上述洗淨槽之上方，在內部設置執行供給乾燥氣體的氣體供給部；和保持部，保持被處理基板，使該被處理基板在上述洗淨槽內和上述乾燥室內之間移動；和控制部，屬於執行控制上述氣體供給部及上述保持部的控制部，係以首先將被處理基板浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液，接著在上述乾燥室內自上述氣體供給部將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或垂直方向下方，在上述乾燥室內乾燥氣體自上述氣體供給部被供給之狀態下，藉由上述保持部使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內，此時被處理基板之一部分被浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態時，停止對上述乾燥室內供給乾燥氣體，於被處理基板在上述乾燥室內結束移動之後，在該乾燥室內將乾燥氣體自上述氣體供給部供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之方式，執行控制上述氣體供給部及上述保持部。
再者，本發明之基板處理方法，屬於具備有儲存被處理基板之洗淨液之洗淨槽及位於該洗淨槽之上方之乾燥室之基板處理裝置中之被處理基板之基板處理方法，其特徵為：具有將被處理基板浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液的工程；和在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方之工程；和在上述乾燥室內供給乾燥氣體之狀態下，使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內，此時被處理基板之一部分被浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態時，停止在上述乾燥室內供給乾燥氣體之工程；和於被處理基板在上述乾燥室內結束移動之後，在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之工程。
在上述基板處理裝置及基板處理方法中，乾燥氣體係以由有機溶劑之蒸氣，尤其以例如IPA(異丙醇)等之具有揮發性的有機溶劑之蒸氣所構成為佳，但是乾燥氣體即使由有機溶劑之蒸氣以外者所構成亦可。
若藉由如此之基板處理裝置及基板處理方法時，因在乾燥室內已被供給乾燥氣體之狀態下，使被處理基板從洗淨槽內被移動至乾燥室內，故可以縮短開始將被處理基板自洗淨槽內之洗淨液撈起至對該被處理基板表面供給乾燥氣體為止之時間。因此，可以均勻並且快速使被處理基板表面乾燥，並且可以抑制由於附著於被處理基板表面之洗淨液之水滴等在該被處理基板之表面形成水印。
再者，於被處理基板自洗淨槽之洗淨液被撈起之時，因乾燥氣體被供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，故可以在洗淨槽內之洗淨液形成乾燥氣體之液膜，並且於將被處理基板自洗淨槽內撈起之時可以使該乾燥氣體之液膜附著於該被處理基板表面。再者，因乾燥氣體被供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，故比較高溫之乾燥氣體不會直接性被吹至構成乾燥室之上部壁等，不會有由於該乾燥氣體而使乾燥室之上部壁結露之虞。
再者，當被處理基板朝向乾燥室被撈起之時，該被處理基板之一部分於被浸漬在儲存於洗淨槽之洗淨液之狀態時，停止在乾燥室內供給乾燥氣體。如此一來，在被處理基板從洗淨槽內移動至乾燥室內之期間的所有工程，不需要供給乾燥氣體，即使在被處理基板之一部分自洗淨槽內之洗淨液被取出之狀態下停止供給乾燥氣體，因乾燥氣體具有擴散性，故亦可以使被處理基板表面之略全區域佈滿乾燥氣體，並可以節約乾燥氣體之使用量。
並且，於在乾燥室內被處理基板結束移動之後，因在該乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方，故乾燥氣體一次碰觸至構成乾燥室之上部壁等之後則均勻朝下方流動，可以使乾燥氣體之蒸氣均勻凝結或吸附於被處理基板表面。因此，可以在被處理基板全面均勻執行除去及乾燥存在於被處理基板表面之水分。
在本發明之基板處理裝置中，上述氣體供給部以構成為可以自由變更乾燥氣體之供給方向為佳。尤其，以上述氣體供給部具有延伸於略水平方向之圓筒構件，和被設置在上述圓筒構件之孔，和使上述圓筒構件旋轉驅動之旋轉驅動機構，乾燥氣體係自上述圓筒構件內經上述孔被供給至上述圓筒構件之外方，藉由上述旋轉驅動機構使上述圓筒構件旋轉驅動，可以自由變更乾燥氣體之供給方向為佳。若藉由如此之基板處理裝置，不用增加構成氣體供給部之圓筒構件之數量，可以在乾燥室內將乾燥氣體供給至各種方向。
或是，在本發明之基板處理裝置中，上述氣體供給部係由將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方之第1氣體供給部分，和將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之第2氣體供給部分所構成，在被處理基板被浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態，上述第1氣體供給部分係在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，在上述乾燥室內被處理基板結束移動之後的狀態，上述第2氣體供給部分係在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方為佳。若藉由如此之基板處理裝置時，第1氣體供給部分可以在乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，再者第2氣體供給部分可以在乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方。因此，可以於使被處理基板從洗淨槽內移動至乾燥室內之時，和被處理基板位於乾燥室內之狀態時，藉由變更應使用之氣體供給部分，容易切換乾燥室內中之乾燥氣體之供給方向。
此時，上述第1氣體供給部分係以在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向為佳。或是，上述第1氣體供給部分係以在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至垂直方向下方為佳。依此，比較高溫之乾燥氣體不會直接吹向構成乾燥室之上部壁等，不會有由於該乾燥氣體而使乾燥室之上部壁結露之虞。
再者，此時上述第1氣體供給部分及上述第2氣體供給部分在上述乾燥室內以上下方向鄰近配設為佳。
再者，在本發明之基板處理裝置中，於上述乾燥室內被處理基板結束移動之後，在該乾燥室內乾燥氣體自上述氣體供給部被供給至較略水平方向更斜上方或垂直方向上方之時，上述乾燥室內成為密閉狀態為佳。依此，可以使在乾燥室內被供給之乾燥氣體之蒸氣有效率凝結或吸附於被處理基板之表面。
在本發明之基板處理方法中，在被處理基板被浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態中，以在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向為佳。或是，在被處理基板被浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態中，以在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至垂直方向下方為佳。依此，比較高溫之乾燥氣體不會直接吹向構成乾燥室之上部壁等，不會有由於該乾燥氣體而使乾燥室之上部壁結露之虞。
再者，在本發明之基板處理方法中，在上述乾燥室內供給乾燥氣體之狀態下，使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內之時，不停止被處理基板，使連續性自上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內為佳。若藉由如此之基板處理方法時，則可以迅速使被處理基板自洗淨槽內移動至乾燥室內。
再者，在本發明之基板處理方法中，於上述乾燥室內被處理基板結束移動之後，在該乾燥室內供給乾燥氣體至較略水平方向更斜上方或垂直方向上方之時，則以上述乾燥室內成為密閉狀態為佳。依此，可以使在乾燥室內被供給之乾燥氣體之蒸氣有效率凝結或吸附於被處理基板之表面。
再者，在本發明之基板處理裝置中，設置有選擇性執行自上述乾燥室排出乾燥氣體的氣體排氣部，上述控制部係執行上述氣體排出部之控制，使從上述氣體供給部供給乾燥氣體至上述乾燥室內之時，藉由上述氣體排氣部執行自上述乾燥室排出乾燥氣體，於停止自上述氣體供給部供給乾燥氣體至上述乾燥室內之時，停止藉由上述氣體排氣部自上述乾燥室排出乾燥氣體為佳。或是，在本發明之基板處理方法中，選擇性執行自上述乾燥室排出乾燥氣體，以於乾燥氣體被供給至上述乾燥室內之時，自該乾燥室執行乾燥氣體之排氣，停止對上述乾燥室內供給乾燥氣體之時，停止自上述乾燥室排出乾燥氣體為佳。依此，在停止對乾燥室內供給乾燥氣體之期間，存在於乾燥室內之乾燥氣體不會排出外部。因此，可以防止乾燥室內中之乾燥氣體濃度下降，再者因乾燥室內中之乾燥氣體之氛圍不會混亂，故可以均勻保持該乾燥氣體之氛圍。依此，即使在停止對乾燥室內供給乾燥氣體之期間，亦可以更迅速執行被處理基板之乾燥，並且可以抑制在被處理基板表面形成水印。
再者，在本發明之基板處理裝置中，上述控制部係執行上述保持部之控制，使上述保持部將被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內之時，從成為被處理基板完全自被儲存於上述洗淨槽之洗淨液離開之狀態時到結束移動至上述乾燥室內之被處理基板的速度，大於從被處理基板位於上述洗淨槽內之狀態成為該被處理基板完全自被儲存於上述洗淨槽之洗淨液離開之狀態為止之被處理基板之速度為佳。或是，在本發明之基板處理方法中，使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內之時，以從成為被處理基板完全自被儲存於上述洗淨槽之洗淨液離開之狀態時到結束移動至上述乾燥室內之被處理基板的速度，大於從被處理基板位於上述洗淨槽內之狀態成為該被處理基板完全自被儲存於上述洗淨槽之洗淨液離開之狀態為止之被處理基板之速度之方式，使被處理基板從上述洗淨槽移動至上述乾燥室內為佳。依此，可以更縮短使被處理基板從洗淨槽內移動至乾燥室內所花費之時間。
本發明之另外的基板處理裝置其特徵為具備有：洗淨槽，儲存被處理基板之洗淨液；和乾燥室，位於上述洗淨槽之上方，在內部設置執行供給乾燥氣體的氣體供給部；和保持部，保持被處理基板，使該被處理基板在上述洗淨槽內和上述乾燥室內之間移動；和控制部，屬於執行控制上述氣體供給部及上述保持部的控制部，係以首先將被處理基板浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液，接著在上述乾燥室內自上述氣體供給部將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或垂直方向下方，之後停止在上述乾燥室內自上述氣體供給部供給乾燥氣體，之後藉由上述保持部使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內，此時被處理基板之一部分被浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態時，在該乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，之後，於被處理基板在上述乾燥室內結束移動之後，在該乾燥室內將乾燥氣體從上述氣體供給部供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之方式，執行控制上述氣體供給部及上述保持部。
再者，本發明之另外的基板處理方法，屬於具備有儲存被處理基板之洗淨液之洗淨槽及位於該洗淨槽之上方之乾燥室之基板處理裝置中之被處理基板之基板處理方法，其特徵為：具有將被處理基板浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液的工程；和在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向，較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方之工程；和停止在上述乾燥室內供給乾燥氣體，之後使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內，此時被處理基板之一部分被浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態時，在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方之工程；和於被處理基板在上述乾燥室內結束移動之後，在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之工程。
若藉由如此之基板處理裝置及基板處理方法時，因最初在乾燥室內供給乾燥氣體，於將被處理基板自洗淨槽內朝向乾燥室內撈起之前停止在乾燥室內供給乾燥氣體，故被處理基板被移動至乾燥室內之時，乾燥室內已經成為乾燥氣體之氛圍，並且在洗淨槽內之洗淨液形成乾燥氣體之液膜。因此，可以縮短開始將被處理基板自洗淨槽內之洗淨液撈起至對該被處理基板表面供給乾燥氣體為止之時間，並可以均勻且迅速使被處理基板表面乾燥，可以抑制由於附著於被處理基板表面之洗淨液之水滴等在該被處理基板表面形成水印。
再者，於被處理基板自洗淨槽內之洗淨液被撈起之時，因乾燥氣體被供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，故可以在洗淨槽內之洗淨液形成如上述般之乾燥氣體之液膜。再者，因乾燥氣體被供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，故比較高溫之乾燥氣體不會直接性被吹至構成乾燥室之上部壁等，不會有由於該乾燥氣體而使乾燥室之上部壁結露之虞。
再者，當被處理基板朝向乾燥室被撈起之時，則停止乾燥氣體之供給，該被處理基板之一部分於被浸漬在儲存於洗淨槽之洗淨液之狀態時，則再次開始在乾燥室內供給乾燥氣體。如此一來，在被處理基板從洗淨槽內移動至乾燥室內之期間的所有工程，不需要供給乾燥氣體，即使在被處理基板之一部分自洗淨槽內之洗淨液被取出之狀態下再次開始供給乾燥氣體，乾燥室內已成為乾燥氣體之氛圍，並且於洗淨槽內之洗淨液形成有乾燥氣體之液膜，故可以使被處理基板表面之略全區域佈滿乾燥氣體，並可以節約乾燥氣體之使用量。
並且，於在乾燥室內被處理基板結束移動之後，因在該乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方，故乾燥氣體一次碰觸至構成乾燥室之上部壁等之後則均勻朝下方流動，可以使乾燥氣體之蒸氣均勻凝結或吸附於被處理基板表面。因此，可以在被處理基板全面均勻執行除去及乾燥存在於被處理基板表面之水分。
若藉由本發明之基板處理裝置及基板處理方法時，可以均勻且迅速使被處理基板表面乾燥。
以下，根據圖面，詳細說明本發明之實施型態。針對在該實施型態中將本發明適用於半導體晶圓之洗淨處理系統之時予以說明。
第1圖為表示適用本發明所涉及之基板處理裝置之洗淨處理系統之一例的概略俯視圖，第2圖為其概略側面圖。
第1、2圖所示之洗淨處理系統主要係以用以搬入、搬出以水平狀態收納被處理體之半導體晶圓W(以下，稱為晶圓)之容器例如或體1之搬運部2，和以藥液、洗淨液等對晶圓W執行液處理並且予以乾燥處理之處理部3，和位於搬運部2和處理部3之間而執行晶圓W之交接、位置調整及姿勢變換等之介面部4所構成。
搬運部2係以合併設置在洗淨處理系統之一側端部的搬入部5和搬出部6而所構成。再者，於搬入部5及搬出部6之載體1之搬入口5a及搬出口6a，設置有使載體1自由進出於搬入部5、搬出部6之滑動式之載置台7。再者，於搬入部5和搬出部6各配設有載體昇降器8，構成藉由該載體昇降器8可以執行搬入部間或是搬出部間之載體1之搬運，並且可以針對空的載體1執行交接至被設置在搬運部2上方之載體待機部9及自載體待機部9接取(參照第2圖)。
介面部4係藉由區劃壁4c被區劃成與搬入部5鄰接之第1室4a，和與搬出部6鄰接之第2室4b。然後，在第1室4a內，具備有自搬入部5之載體1取出多數片之晶圓W而予以搬運之能夠水平方向(X、Y方向)移動、垂直方向(Z方向)移動及旋轉(θ方向)的晶圓取出臂10，和檢測出被設置在晶圓W之缺口的缺口調準部11，和調整藉由晶圓取出臂10所取出之多數片晶圓W之間隔的間隔調整機構12，並且將水平狀態之晶圓W變換成垂直狀態之第1姿勢變換裝置13。
再者，在第2室4b內，配設有自處理部3以垂直狀態之原樣接收處理完之多數片晶圓W而予以搬運的晶圓交接臂14，和將自晶圓交接臂14接收到之晶圓W從垂直狀態變換至水平狀態之第2姿勢變換裝置13A，和接收藉由該第2姿勢變換裝置13A而被變換成水平狀態之多數片晶圓W而收納於被搬運至搬出部6之空載體1內的能夠水平方向(X、Y)移動、垂直方向(Z方向)移動及旋轉(θ方向)之晶圓收納臂15。並且，第2室4b係與外部密閉，構成自無圖示之惰性氣體例如氮(N2)氣體之供給源所供給之N2氣體，室內之氛圍被置換成N2氣體。
另外，在處理部3直線狀配列有除去附著於晶圓W之顆粒或有機物污染之第1處理單元16，和除去附著於晶圓W之金屬污染之第2處理單元17，和除去附著於晶圓W之化學氧化膜，並且執行乾燥處理之洗淨、乾燥處理單元18及夾具洗淨單元19。在被設置在與該些各單元16~19對向之位置之搬運路20，配設有能夠水平方向(X、Y方向)移動、垂直方向(Z方向)移動及旋轉(θ)之晶圓搬運臂21。
接著，針對本發明所涉及之基板處理裝置(洗淨、乾燥處理單元18)之詳細構成，使用第3圖說明如下。第3圖為本發明所涉及之基板處理裝置之剖面圖。
洗淨、乾燥處理單元18係如第3圖所示般，主要由儲存(收容)例如氫氟酸等之藥液或純水等之洗淨液，將晶圓W浸漬於所儲存之洗淨液之洗淨槽22，和位於洗淨槽22上方之乾燥室23，和保持多數片例如50片之晶圓W而使該晶圓W在洗淨槽22內及乾燥室23內之間移動之晶舟24(保持部)所構成。再者，在洗淨、乾燥處理單元18中，設置有執行各構成要素之控制的控制部60。
洗淨槽22係由例如以石英製構件或聚丙烯所形成之內槽22a，和配設在該內槽22a之上端部外側而接取自內槽22a溢流之洗淨液的外槽22b所構成。再者，在內槽22a之下部兩側配設有朝向位於洗淨槽22內之晶圓W而噴射洗淨液之左右一對的洗淨液供給噴嘴25。藉由切換閥自連接於該洗淨液供給噴嘴25之無圖示之藥液供給源及純水供給源供給藥液或純水至該洗淨液供給噴嘴25，而成為藥液或純水儲存於洗淨槽22內。再者，在內槽22a之底部設置排出口，在該排出口連接有介設排出閥26a之排放管26，在被設置於外槽22b之底部之排出口，也連接有介設排出閥27a之排放管27。並且，在外槽22b之外側配設有排氣箱28，在設置在該排氣箱28之排氣口，連接有介設閥29a之排氣管29。
如上述般構成之洗淨槽22和排氣箱28係被配設在有底筒狀之箱30內。藉由水平區隔箱30之區隔板31，被區劃成洗淨槽22側之上部室32a，和各具有連接於內槽22a及外槽22b之排放管26、27之排液口以及排氣管29之排氣口的下部室32b。依此，防止下部室32b之氛圍或飛散之排液等進入至上部室32a內，使上部室32a內保持清淨。並且，在上部室32a之側壁設置有排氣窗33。另外，在下部室32b之上部側壁設置有排氣窗34，在下部側壁設置有排液口35。
乾燥室23係由透過快門36而與洗淨槽22之開口部22c之間連通之固定基體37，和透過例如O型環38等之密封構件與該固定基體37之間密接之乾燥室本體39而構成。此時，乾燥室本體39係藉由剖面逆U字形之石英製構件所形成，固定基體37也藉由石英製構件而形成。再者，在乾燥室23內之固定基體37之內方，配設有沿該固定基材37之側壁而設置之左右一對之下部氣體供給噴嘴(第1氣體供給噴嘴)44及左右一對之上部氣體供給噴嘴(第2氣體供給噴嘴)42。如第3圖所示般，各下部氣體供給噴嘴44及各上部氣體供給噴嘴42係在乾燥室23內鄰近於上下方向而被配設。針對各氣體供給噴嘴42、44如後述。
在乾燥室本體39之頂部設置有貫通孔39a，晶舟24之桿體(未圖示)以可在垂直方向(第3圖之上下方向)滑動地貫通在該貫通孔39a內。然後，在貫通孔39a和桿體之間隙中間設置有密封機構，保持貫通孔39a和桿體之間的間隙之氣密性。
在固定基體37之比下部氣體供給噴嘴44下方之位置，設置有使乾燥室23內之氣體排出之氣體排氣孔80，在該氣體排氣孔80連接有氣體排氣管82。再者，在氣體排氣管82中間設置有閥84。於打開閥84之狀態時，存在於乾燥室23內之氣體自氣體排氣孔80經氣體排氣管82而自然排氣至外部。另外，當閥84成為關閉狀態之時，存在於乾燥室23內之氣體不會被排出至外部。如此之閥84之開關係藉由控制部60而執行。
下部氣體供給噴嘴44(第1氣體供給噴嘴)係由延伸於略水平方向之管路及以等間隔被設置在該管路之多數噴嘴孔而構成，各噴嘴孔朝向略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方。依此，在乾燥室23內由IPA等之具有發揮性的有機溶劑之蒸氣所構成之乾燥氣體或N2氣體自該下部氣體供給噴嘴44被供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或垂直方向下方。
上部氣體供給噴嘴42(第2氣體供給噴嘴)係由延伸於略水平方向之管路及以等間隔被設置在該管路之多數噴嘴孔而構成，各噴嘴孔朝向較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方。依此，在乾燥室23內乾燥氣體或N2氣體自該上部氣體供給噴嘴42被供給至較略水平方向更斜上方或垂直方向上方。
如第3圖所示般，各下部氣體供給噴嘴44係被連接於氣體供給管44a，再者，各上部氣體供給噴嘴42連接於氣體供給管42a。然後，氣體供給管44a及氣體供給管42a合流而連接於氣體供給管48。並且，在氣體供給管44a及氣體供給管42a之合流點附近，於氣體供給管44a介設有閥44b，並且於氣體供給管42a介設有閥42b。然後，藉由控制部60控制各閥42b、44b，切換氣體自氣體供給管48朝氣體供給管44a或是氣體供給管42a之氣體流動。
再者，如第3圖所示般，設置有由IPA等之具有發揮性的有機溶劑之蒸氣所構成之乾燥氣體之供給源50(在第3圖中表記為IPA)及N2氣體之供給源52(在第3圖中表記為N2)，各供給源50、52各連接於氣體供給管48。自各供給源50、52對氣體供給管48供給乾燥氣體或N2氣體係藉由閥50a、52a而被調整。閥50a、52a係各藉由控制部60被控制。依此，藉由控制部60之控制，可以將乾燥氣體或是N2氣體選擇性地送至上部氣體供給噴嘴42及下部氣體供給噴嘴44之各個。
另外，如第3圖所示般，在洗淨槽22之開口部22c之兩側，設置有將N2氣體朝向開口部22c中心噴射之N2氣體供給噴嘴46。該N2氣體供給噴嘴46係由延伸於略水平方向之管路及以等間隔被設置在該管路之多數噴嘴孔而構成，各噴嘴孔係朝向略水平方向使N2氣體朝向開口部22c中心噴射。各N2氣體供給噴嘴46係被連接於氣體供給管46a，該氣體供給管46a係被連接於N2氣體之供給源54。自N2氣體供給源54對氣體供給管46a供給N2氣體係藉由閥54a被調整，該閥54a係藉由控制部60被控制。依此，藉由控制部60之控制，可以將N2氣體傳送至N2氣體供給噴嘴46。
晶舟24係以隔著些許間隙在站立狀態下保持多數片例如50片之晶圓W。該晶舟24係藉由晶舟驅動機構(無圖示)，在洗淨槽22內和乾燥室23內之間於垂直方向移動。具體而言，當晶舟24在洗淨槽22內移動之時，被該晶舟24保持之晶圓W則被浸漬於洗淨槽22內之洗淨液，另外晶舟24當在乾燥室23內移動時，被該晶舟24保持之晶圓W則完全被收容在乾燥室23內。
快門36係在如第3圖之實線所示般關閉乾燥室23之關閉位置，和如第3圖之二點虛線所示般打開乾燥室23之開放位置之間，於水平方向往復移動。如此之快門36之往復移動係藉由快門驅動機構58而執行，快門驅動機構58係藉由控制部60而被控制。在快門36之上面設置有密封構件，當在快門36位於關閉位置之時，乾燥室23藉由該密封構件而成為密閉狀態。
接著，針對由如此之構成所形成之洗淨、乾燥處理單元18之動作，使用第4圖及第5圖予以說明。第4圖係依序表示本發明所涉及之基板處理裝置(洗淨、乾燥處理單元18)中之一連串洗淨處理及乾燥處理之動作的說明圖，第5圖係表示本發明所涉及之基板處理裝置(洗淨、乾燥處理單元18)中之一連串洗淨處理及乾燥處理之動作的流程圖。並且，以下所示之一連串洗淨處理及乾燥處理係藉由控制部60控制洗淨、乾燥處理單元18之閥42b、44b、50a、52a、54a、快門驅動機構58、晶舟驅動機構(無圖示)、閥84等而被執行。
首先，如第4圖(a)所示般，自洗淨液供給噴嘴25供給洗淨液至洗淨槽22內，並自該洗淨槽22之上部使洗淨液溢出。溢出的洗淨液藉由外槽22b回收，自排放管27排出。即使該被排出之洗淨液被再利用亦可。此時，快門36位於開放位置。在洗淨液被儲存於洗淨槽22之狀態下，晶圓藉由晶舟24被浸漬於洗淨液(第5圖之Step1)。此時，例如40~50℃之N2氣體自左右一對之上部氣體供給噴嘴42朝向較略水平方向更斜上方或是垂直方向噴射。依此，乾燥室23內及乾燥室本體39被加溫，消除乾燥室23內中之液體積存(第5圖之Step2)。此時，介設於氣體排氣管82之閥84被打開，自上部氣體供給噴嘴42被供給至乾燥室23內之N2氣體，自氣體排氣孔80經氣體排氣管82被自然排出至外部。
再者，自左右一對N2氣體供給噴嘴46朝向洗淨槽22之開口部22c中心噴射N2氣體。依此，可以防止由於洗淨槽22之洗淨液蒸發而所產生之蒸氣接觸於乾燥室本體39之內面而在該內面產生水滴。
接著，如第4圖(b)所示般，停止自左右一對上部氣體供給噴嘴42對乾燥室23內噴射N2氣體，以從左右一對下部氣體供給噴嘴44將70~80℃之乾燥氣體(在第4圖中表記為IPA)以略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方噴射至乾燥室23內來替代此(第5圖之Step3)。並且，第4圖及第5圖係針對將乾燥氣體噴射至斜下方之例予以圖示。再者，此時，也停止自左右一對N2氣體供給噴嘴46噴射N2氣體。依此，乾燥室23內成為乾燥氣體之氛圍，並且在儲存在洗淨槽22之洗淨液形成乾燥氣體之液膜。此時，介設於氣體排氣管82之閥84持續被打開，自下部氣體供給噴嘴44被供給至乾燥室23內之乾燥氣體，自氣體排氣孔80經氣體排氣管82被自然排出至外部。
接著，如第4圖(c)所示般，下部氣體供給噴嘴44在乾燥室內23內持續保持將乾燥氣體噴射至略水平方向、較略水平方向更斜下方或垂直方向下方，藉由晶舟24開始將晶圓W自洗淨槽22內朝向乾燥室23撈起至上方(第5圖之Step4)。在此，於晶圓W通過被儲存於洗淨槽22內之洗淨液之液面之時，因晶圓W也通過形成於該洗淨液之乾燥氣體之液膜，故可以使該乾燥氣體之液膜附著於晶圓W之表面。
接著，如第4圖(d)所示般，藉由晶舟24使晶圓W朝向乾燥室23移動之時，於成為晶圓W之一部分(上部分)露出至較洗淨槽22內之洗淨液之液面上方，晶圓W之一部分(下部分)被浸漬於洗淨槽22內之洗淨液之狀態時，則如第4圖(e)所示般，停止從下部氣體供給噴嘴44噴射乾燥氣體至乾燥室23內。具體而言，至晶圓W之下部分1/5左右之區域被浸漬於洗淨槽22內之洗淨液之狀態，晶圓W藉由晶舟24朝向乾燥室被撈起之時，則停止自下部氣體供給噴嘴44噴射乾燥氣體。
再者，於停止自下部氣體供給噴嘴44朝乾燥室內23內噴射乾燥氣體之時，關閉介設於氣體排氣管82之閥84。依此，存在於乾燥室23內之乾燥氣體不會被排出至外部。
之後，不用使晶圓W停止，藉由晶舟24持續往上方撈起(第5圖之Step5)。
在此，於藉由晶舟24使晶圓W從洗淨槽22內移動至乾燥室23內之時，即是，當使晶圓W從第4圖(c)所示之狀態移動至第4圖(f)所示之狀態時，從晶圓W完全自儲存於洗淨槽22之洗淨液離開之後的狀態成為結束移動至乾燥室23內之狀態(參照第4圖(f))為止之晶圓W之搬運速度，則大於從晶圓W位於洗淨槽22內之狀態(參照第4圖(c))成為該晶圓W自儲存於洗淨槽22之洗淨液完全離開之後的狀態的晶圓W搬運速度。具體而言，從晶圓W位於洗淨槽22內之狀態至該晶圓W自儲存於洗淨槽22之洗淨液完全離開之後的狀態的晶圓W之搬運速度例如每秒60mm，從晶圓W完全自儲存於洗淨槽22之洗淨液離開之後的狀態至結束移動至乾燥室23內之狀態為止之晶圓W之搬運速度例如每秒200mm。
然後，如第4圖(f)所示般，若晶圓W完全被撈起至乾燥室23內，快門36則藉由快門驅動機構被驅動，該快門36自開放位置移動至關閉位置。依此，乾燥室23內藉由快門36成為密閉狀態(第5圖之Step6)。
接著，如第4圖(g)所示般，晶圓W被收容於乾燥室23內，該乾燥室23內成為密閉狀態之時，在乾燥室23內自上部氣體供給噴嘴42將乾燥氣體噴射至較略水平方向斜上方或垂直方向上方(第5圖之Step7)。並且，第4圖及第5圖係針對將乾燥氣體噴射至斜上方之例予以圖示。依此，自上部氣體供給噴嘴42被供給至乾燥室23內之乾燥氣體一旦一次碰觸於乾燥室本體39之上部壁(頂棚壁)等之後則均勻朝下流動，可以使乾燥氣體之蒸氣均勻凝結或吸附於晶圓W表面。在乾燥室23內自上部氣體供給噴嘴42將乾燥氣體噴射至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之時，則再次打開介設於氣體排氣管82之閥84。依此，自上部氣體供給噴嘴42被供給至乾燥室23內之乾燥氣體自氣體排氣孔80經氣體排氣管82而自然排氣至外部。
接著，如第4圖(h)所示般，停止自上部氣體供給噴嘴42噴射乾燥氣體，並且之後以自上部氣體供給噴嘴42將N2氣體噴射至較略水平方向更斜上方或垂直方向上方來替代此(第5圖之Step8)。依此，除去凝結或吸附於晶圓W表面之乾燥氣體之蒸氣，均勻執行晶圓W表面之乾燥。此時，介設於氣體排氣管82之閥84接著被打開，自上部氣體供給噴嘴42被供給至乾燥室23內之N2氣體，自氣體排氣孔80經氣體排氣管82被自然排出至外部。
之後，如第4圖(i)所示般，停止自上部氣體供給噴嘴42噴射N2，並且之後以自下部氣體供給噴嘴44將N2氣體噴射至較略水平方向更斜下方來替代此。然後，經過一定時間之後，如第4圖(j)所示般，停止自下部氣體供給噴嘴44噴射N2，並且再次自上部氣體供給噴嘴42將N2氣體噴射至較略水平方向更斜上方來替代此。如此一來，交互執行第4圖(i)所示之N2氣體之噴射及第4圖(j)所示之N2氣體之噴射，一面藉由N2氣體加溫乾燥室23內，一面針對乾燥室23內之氛圍執行從乾燥氣體置換至N2氣體，並且持續晶圓W之表面乾燥(第5圖之Step9)。
之後，停止自上部氣體供給噴嘴42及下部氣體供給噴嘴44之雙方之噴嘴供給N2氣體，完成一連串之洗淨處理及乾燥處理。
如上述般，若藉由本實施型態之基板處理裝置(洗淨、乾燥處理單元18)及基板處理方法時，因在乾燥室23內已被供給乾燥氣體之狀態下，使晶圓W從洗淨槽22內被移動至乾燥室23內，故可以縮短開始將晶圓W自洗淨槽22內的洗淨液撈起至該晶圓W表面供給乾燥氣體為止之時間。因此，可以均勻並且快速使晶圓W表面乾燥，並且可以抑制由於附著於晶圓W表面之洗淨液之水滴等在該晶圓W之表面形成水印。
再者，於晶圓W自洗淨槽22內之洗淨液被撈起之時，因乾燥氣體被噴射至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，故可以在洗淨槽22內之洗淨液形成乾燥氣體之液膜，並且於將晶圓W自洗淨槽22內撈起之時可以使該乾燥氣體之液膜附著於該晶圓W表面。再者，因乾燥氣體被供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，故比較高溫之乾燥氣體不會直接性被吹至構成乾燥室23之乾燥室本體39的上部壁等，不會有由於該乾燥氣體而使乾燥室23之上部壁結露之虞。
再者，當晶圓W朝向乾燥室23被撈起之時，該晶圓W之一部分於被浸漬在儲存於洗淨槽22之洗淨液之狀態時，停止在乾燥室23內供給乾燥氣體。如此一來，在晶圓W從洗淨槽22內移動至乾燥室23內之期間的所有工程，不需要供給乾燥氣體，即使在晶圓W之一部分自洗淨槽22內之洗淨液被取出之狀態下停止供給乾燥氣體，因乾燥氣體具有擴散性，故亦可以使晶圓W表面之略全區域佈滿乾燥氣體，並可以節約乾燥氣體之使用量。
並且，於在乾燥室23內晶圓W結束移動之後，因在該乾燥室23內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方，故乾燥氣體一次碰觸至構成乾燥室23之上部壁等之後則均勻朝下方流動，可以使乾燥氣體之蒸氣均勻凝結或吸附於晶圓W表面。因此，可以在晶圓W全面均勻執行除去及乾燥存在於晶圓W表面之水分。
並且，於在乾燥室23內晶圓W結束移動之後，在該乾燥室23內將乾燥氣體自上部氣體供給噴嘴42被供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之時，因乾燥室23內成為密閉狀態，故可以在乾燥室23內使被供給之乾燥氣體之蒸氣有效率凝結或吸附於晶圓W表面。
再者，在乾燥室23內供給乾燥氣體之狀態下，使晶圓W從洗淨槽22內移動至乾燥室23內之時，不用停止晶圓W，連續地從洗淨槽22內移動至乾燥室23內。若藉由如此之基板處理方法時，則可以迅速使晶圓W自洗淨槽22內移動至乾燥室23內。
再者，於停止自下部氣體供給噴嘴44朝乾燥室內23內噴射乾燥氣體之時，關閉介設於氣體排氣管82之閥84，存在於乾燥室23內之乾燥氣體不排出至外部。因此，可以防止乾燥室23內中之乾燥氣體濃度下降，再者因乾燥室23內中之乾燥氣體之氛圍不會混亂，故可以均勻保持該乾燥氣體之氛圍。依此，即使在停止自下部氣體供給噴嘴44對乾燥室23內噴射乾燥氣體之期間，亦可以更迅速執行晶圓W之乾燥，並且可以抑制在晶圓W表面形成水印。
再者，於藉由晶舟24使晶圓W從洗淨槽22內移動至乾燥室23內之時，從晶圓W完全自儲存於洗淨槽22之洗淨液離開之後的狀態成為結束移動至乾燥室23內之狀態(參照第4圖(f))之狀態為止之晶圓W之搬運速度，大於從晶圓W位於洗淨槽22內之狀態(參照第4圖(c))成為該晶圓W自儲存於洗淨槽22之洗淨液完全離開之後的狀態的晶圓W搬運速度。在此，使晶圓W自儲存於洗淨槽22之洗淨液拿出至上方之時，為了不使在晶圓W形成水印，必須將晶圓W之搬運速度抑制成某程度。但是，可以謀求時間短縮，即是於晶圓W完全自儲存於洗淨槽22之洗淨液離開之後，使晶圓W更快速移動至如第4圖(f)所示之乾燥室23內之位置。
並且，依據本發明之基板處理裝置(洗淨、乾燥處理單元18)及基板處理方法並不限定於上述態樣，可以施加各種變更。例如，在上述態樣中，雖然針對將依據本發明之基板處理裝置適用於半導體晶圓之洗淨處理之時予以說明，但是亦可以適用於洗淨處理以外之處理系統。再者，亦可以適用於半導體晶圓以外之LCD用玻璃基板等。
再者，當作供給乾燥氣體至乾燥室23內之氣體供給噴嘴，並不限定於如第3圖等所示之氣體之噴射方向不同之兩種類(上部氣體供給噴嘴42及下部氣體供給噴嘴44)，亦可以構成設置有左右一對的一組氣體供給噴嘴。針對如此之變形例，使用第6圖及第7圖予以說明。第6圖為本發明所涉及之其他基板處理裝置之剖面圖，第7圖為表示本發明所涉及之其他基板處理裝置之氣體供給噴嘴之構成之斜視圖。
如第6圖所示般，在乾燥室23內之固定基體37之內方，配設有沿著該固定基材37之側壁而設置之左右一對之氣體供給噴嘴70。如第7圖所示般，各氣體供給噴嘴70係由延伸於略水平方向之管路70q及以等間隔設置在該管路70q之多數噴嘴孔70p構成。在如此之氣體供給噴嘴70中，氣體自管路70q內經噴嘴孔70p而噴射至管路70q之外方。再者，在各氣體供給噴嘴70之管路70q之一端，設置有馬達70r，如第7圖之箭號所示般，可以藉由該馬達70r使管路70q順時鐘及逆時鐘旋轉驅動。如此一來，藉由馬達70r使管路70q正逆兩方向旋轉驅動，因噴嘴70p之方向成為不同，故可以自由變更自氣體供給噴嘴70噴射氣體之噴射方向。並且，各馬達70r藉由控制部60被控制。
再者，如第6圖所示般，各氣體供給噴嘴70係被連接於氣體供給管70a，氣體自該氣體供給管70a被供給至管路70q。另外，如第6圖所示般，各設置有由IPA等之具有發揮性的有機溶劑之蒸氣所構成之乾燥氣體之供給源50(在第6圖中表記為IPA)及N2氣體之供給源52(在第6圖中表記為N2)，各供給源50、52分別經閥70b而連接於氣體供給管70a。自各供給源50、52對氣體供給管70a供給乾燥氣體或N2氣體係藉由閥50a、52a而被調整。閥50a、52a、70b係各藉由控制部60被控制。依此，藉由控制部60之控制，可以將乾燥氣體或N2氣體選擇性發送至各氣體供給噴嘴70。
藉由設置第6圖及第7圖所示般之氣體供給噴嘴70，則在晶圓W被浸漬於儲存於洗淨槽22之洗淨液之狀態中，藉由馬達70r使設置在管路70q之噴嘴孔70p之方向成為略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，第4圖(b)~(d)所示之工程時氣體供給噴嘴70係可以在乾燥室23內使乾燥氣體噴射至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方。然後，在晶圓W於乾燥室23內結束移動之後的狀態中，藉由馬達70r使設置在管路70q之噴嘴孔70p之方向成為較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方，第4圖(g)所示工程之時氣體供給噴嘴70係可以在乾燥室23內使乾燥氣體噴射至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方。
再者，晶圓W之乾燥處理方法並不限定第4圖及第5圖所示者。即是，並不限定於上述般，於乾燥室23內被供給乾燥氣體之狀態下，使晶圓W從洗淨槽22內移動至乾燥室23內，此時於晶圓W之一部分被浸漬於儲存於洗淨槽22之洗淨液之狀態時，則停止在乾燥室23內供給乾燥氣體，於在乾燥室23內晶圓W結束移動之後，在該乾燥室23內再次供給乾燥氣體之態樣。即使以成為使晶圓W從洗淨槽22內開始移動至乾燥室23內之前，停止對乾燥室內23內供給乾燥氣體，之後使晶圓W從洗淨槽22內移動至乾燥室23內，此時當晶圓W之一部分從被浸漬於儲存於洗淨槽之洗淨液之狀態時，再次開始在乾燥室23內供給乾燥氣體之構成，來取代此亦可。針對如此之變形例，使用第8圖及第9圖予以說明。第8圖係依序表示本發明所涉及之基板處理裝置中之其他洗淨處理及乾燥處理之動作的說明圖，第9圖係表示本發明所涉及之基板處理裝置中之其他洗淨處理及乾燥處理之動作的流程圖。並且，第8圖及第9圖所示之一連串洗淨處理及乾燥處理係藉由控制部60控制洗淨、乾燥處理單元18之閥42b、44b、50a、52a、54a、快門驅動機構58、及晶舟驅動機構(無圖示)等而被執行。
第8圖(a)、(b)所示之動作(對應於第9圖之Step1~3)因與第4圖(a)、(b)所示之動作(對應於第5圖之Step1~3)大略相同，故省略說明。
如第8圖(c)所示般，於藉由晶舟24開始將晶圓W從洗淨槽22內朝向乾燥室23撈起至上方之時，停止自下部氣體供給噴嘴44對乾燥室23內供給乾燥氣體。在此，於停止自下部氣體供給噴嘴44朝乾燥室內23內噴射乾燥氣體之時，關閉介設於氣體排氣管82之閥84。依此，存在於乾燥室23內之乾燥氣體不會被排出至外部。
然後，在乾燥室23內不供給乾燥氣體之狀態下，藉由晶舟24開始將晶圓W自洗淨槽22內朝乾燥室23撈起至上方(第9圖之Step4)。
接著，如第8圖(d)所示般，藉由晶舟24使晶圓W朝向乾燥室23移動之時，於成為晶圓W之一部分(上部分)露出至較洗淨槽22內之洗淨液之液面上方，晶圓W之一部分(下部分)被浸漬於洗淨槽22內之洗淨液之狀態時，則如第8圖(e)所示般，再次開始從下部氣體供給噴嘴44噴射乾燥氣體至乾燥室23內。當再次開始自下部氣體供給噴嘴44朝乾燥室內23內噴射乾燥氣體之時，再次打開介設於氣體排氣管82之閥84。依此，自下部氣體供給噴嘴44被供給至乾燥室23內之乾燥氣體自氣體排氣孔80經氣體排氣管82而自然被排氣至外部。
之後，在藉由下部氣體供給噴嘴44持續供給乾燥氣體至乾燥室23內之狀態中，不用使晶圓W停止，藉由晶舟24持續往上方撈起(第8圖之Step5)。
之後的第8圖(f)~(j)所示之動作(對應於第9圖之Step6~9)因與第4圖(f)~(j)所示之動作(對應於第5圖之Step6~9)大略相同，故省略說明。
若藉由如此之第8圖及第9圖所示之晶圓W之乾燥方法時，因最初在乾燥室23內供給乾燥氣體，於將晶圓W自洗淨槽22內朝向乾燥室23內撈起之前停止在乾燥室23內供給乾燥氣體，故晶圓W被移動至乾燥室23內之時，乾燥室23內已經成為乾燥氣體之氛圍，並且在洗淨槽22內之洗淨液形成乾燥氣體之液膜。因此，可以縮短開始將晶圓W自洗淨槽22內之洗淨液撈起至對該晶圓W表面供給乾燥氣體為止之時間，並可以均勻且迅速使晶圓W表面乾燥，可以抑制由於附著於晶圓W表面之洗淨液之水滴等在該晶圓W表面形成水印。
再者，於晶圓W自洗淨槽22之洗淨液被撈起之時，因乾燥氣體被供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，故可以在洗淨槽22內之洗淨液形成如上述般之乾燥氣體之液膜。
在此，當晶圓W朝向乾燥室23被撈起之時，則停止乾燥氣體之供給，該晶圓W之一部分於被浸漬在儲存於洗淨槽22之洗淨液之狀態時，則再次開始在乾燥室23內供給乾燥氣體。如此一來，在晶圓W從洗淨槽22內移動至乾燥室23內之期間的所有工程，不需要供給乾燥氣體，即使在晶圓W之一部分自洗淨槽22內之洗淨液被取出之狀態下再次開始供給乾燥氣體，乾燥室23內已成為乾燥氣體之氛圍，並且於洗淨槽22內之洗淨液形成有乾燥氣體之液膜，故可以使晶圓W表面略全區域佈滿乾燥氣體，並可以節約乾燥氣體之使用量。
並且，即使在晶圓W從洗淨槽22內之洗淨液被撈起之途中，形成於洗淨槽22內之洗淨液的乾燥氣體之液膜所有附著於晶圓W，乾燥氣體之液膜消失之時，因在該晶圓W撈起之途中，再次開始對乾燥室23內供給乾燥氣體，故不會有對晶圓W供給乾燥氣體之供給量不足之情形。
並且，以其他變形例而言，即使如第4圖(g)所示般，在乾燥室23內自上部氣體供給噴嘴42將乾燥氣體噴射至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之時，快門36不完全關閉乾燥室23內亦可。即是，因快門36從開放位置移動至關閉位置需花費較長時間，故即使晶圓W藉由晶舟24被收容在乾燥室23內之後，使快門36從開放位置開始移動至關閉位置，同時使乾燥氣體從上部氣體供給噴嘴42噴射至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方亦可。此時，快門36從開放位置開始移動至關閉位置經過數秒鐘之期間，乾燥室23內雖然不完全成為密閉狀態，但是可以對晶圓W不會造成問題地執行乾燥處理。再者，此時可以縮短晶圓W之乾燥時間。
1．．．載體
2．．．搬運部
3．．．處理部
4．．．介面部
4a．．．第1室
4b．．．第2室
4c．．．區劃壁
5．．．搬入部
5a．．．搬入口
6．．．搬出部
6a．．．搬出口
7．．．載置台
8．．．載體昇降器
9．．．載體待機部
10．．．晶圓取出臂
11．．．缺口調準部
12．．．間隔調整機構
13．．．第1姿勢變換裝置
13A．．．第2姿勢變換裝置
14．．．晶圓交接臂
15．．．晶圓收納臂
16．．．第1處理單元
17．．．第2處理單元
18．．．洗淨、乾燥處理單元
19．．．夾具洗淨單元
20．．．搬運路
21．．．晶圓搬運臂
22．．．洗淨槽
22a．．．內槽
22b．．．外槽
22c．．．開口部
23．．．乾燥室
24．．．晶舟
25．．．洗淨液供給噴嘴
26．．．排放管
26a．．．排出閥
27．．．排放管
27a．．．排出閥
28．．．排氣箱
29．．．排氣管
29a．．．閥
30．．．箱體
31．．．區隔板
32a．．．上部室
32b．．．下部室
33．．．排氣窗
34．．．排氣窗
35．．．排液口
36．．．快門
37．．．固定基體
38．．．O型環
39．．．乾燥室本體
39a．．．貫通孔
42．．．上部氣體供給噴嘴
42a．．．氣體供給管
42b．．．閥
44．．．下部氣體供給噴嘴
44a．．．氣體供給管
44b．．．閥
46．．．N2氣體供給噴嘴
46a．．．氣體供給管
48．．．氣體供給管
50．．．乾燥氣體之供給源
50a．．．閥
52．．．N2氣體之供給源
52a．．．閥
54．．．N2氣體之供給源
54a．．．閥
58．．．快門驅動機構
60．．．控制部
70．．．氣體供給噴嘴
70a．．．氣體供給管
70b．．．閥
70p．．．噴嘴孔
70q．．．管路
70r．．．馬達
80．．．氣體排氣孔
82．．．氣體排氣管
84．．．閥
W．．．晶圓
第1圖為表示適用本發明所涉及之基板處理裝置之洗淨處理系統之一例的概略俯視圖。
第2圖為第1圖所示之洗淨處理系統之概略側面圖。
第3圖為本發明所涉及之基板處理裝置之剖面圖。
第4圖為依序表示本發明所涉及之基板處理裝置中之一連串洗淨處理及乾燥處理之動作之說明圖。
第5圖為表示本發明所涉及之基板處理裝置中之一連串洗淨處理及乾燥處理之動作之流程圖。
第6圖為本發明所涉及之其他基板處理裝置之剖面圖。
第7圖為本發明所涉及之其他基板處理裝置之氣體供給噴嘴之構成的斜視圖。
第8圖為依序表示本發明所涉及之基板處理裝置中之其他洗淨處理及乾燥處理之動作的說明圖。
第9圖為表示本發明所涉及之基板處理裝置中之其他洗淨處理及乾燥處理之動作之流程圖。
22．．．洗淨槽
23．．．乾燥室
24．．．晶舟
25．．．洗淨液供給噴嘴
36．．．快門
42．．．上部氣體供給噴嘴
44．．．下部氣體供給噴嘴
46．．．N2氣體供給噴嘴
W．．．晶圓

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為：具備有洗淨槽，儲存被處理基板之洗淨液；和乾燥室，位於上述洗淨槽之上方，在內部設置執行供給乾燥氣體的氣體供給部；和保持部，保持被處理基板，使該被處理基板在上述洗淨槽內和上述乾燥室內之間移動；和控制部，屬於執行控制上述氣體供給部及上述保持部的控制部，係以首先將被處理基板浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液，接著在上述乾燥室內自上述氣體供給部將乾燥氣體僅供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或垂直方向下方，在上述乾燥室內乾燥氣體自上述氣體供給部被供給之狀態下，藉由上述保持部使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內，此時被處理基板之一部分被浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態時，停止對上述乾燥室內供給乾燥氣體，於被處理基板在上述乾燥室內結束移動之後，在該乾燥室內將乾燥氣體自上述氣體供給部供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之方式，執行控制上述氣體供給部及上述保持部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，上述氣體供給部被構成為可以自由變更乾燥氣體之供給方向。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中，上述氣體供給部具有延伸於略水平方向之圓筒構件， 和被設置在上述圓筒構件之孔，和使上述圓筒構件旋轉驅動之旋轉驅動機構，乾燥氣體係自上述圓筒構件內經上述孔被供給至上述圓筒構件之外方，藉由上述旋轉驅動機構使上述圓筒構件旋轉驅動，可以自由變更乾燥氣體之供給方向。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，上述氣體供給部係由將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方之第1氣體供給部分，和將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之第2氣體供給部分所構成，在被處理基板被浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態，上述第1氣體供給部分係在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，在上述乾燥室內被處理基板結束移動之後的狀態，上述第2氣體供給部分係在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之基板處理裝置，其中，上述第1氣體供給部分係在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之基板處理裝置，其中，上述第1氣體供給部分係在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至垂直方向下方。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，上述第1氣體供給部分及上述第2氣 體供給部分係在上述乾燥室內以上下方向鄰近配設。
  8. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，於上述乾燥室內被處理基板結束移動之後，在該乾燥室內乾燥氣體自上述氣體供給部被供給至較略水平方向更斜上方或垂直方向上方之時，上述乾燥室內成為密閉狀態。
  9. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，設置有選擇性執行自上述乾燥室排出乾燥氣體的氣體排氣部，上述控制部係執行上述氣體排出部之控制，使從上述氣體供給部供給乾燥氣體至上述乾燥室內之時，藉由上述氣體排氣部執行自上述乾燥室排出乾燥氣體，於停止自上述氣體供給部供給乾燥氣體至上述乾燥室內之時，停止藉由上述氣體排氣部自上述乾燥室排出乾燥氣體。
  10. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，上述控制部係執行上述保持部之控制，使上述保持部將被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內之時，從成為被處理基板完全自被儲存於上述洗淨槽之洗淨液離開之狀態時到結束移動至上述乾燥室內之被處理基板的速度，大於從被處理基板位於上述洗淨槽內之狀態成為該被處理基板完全自被儲存於上述洗淨槽之洗淨液離開之狀態為止之被處理基板之速度。
  11. 一種基板處理裝置，其特徵為：具備有洗淨槽，儲存被處理基板之洗淨液；和 乾燥室，位於上述洗淨槽之上方，在內部設置執行供給乾燥氣體的氣體供給部；和保持部，保持被處理基板，使該被處理基板在上述洗淨槽內和上述乾燥室內之間移動；和控制部，屬於執行控制上述氣體供給部及上述保持部的控制部，係以首先將被處理基板浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液，接著在上述乾燥室內自上述氣體供給部將乾燥氣體僅供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或垂直方向下方，之後停止在上述乾燥室內自上述氣體供給部供給乾燥氣體，之後藉由上述保持部使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內，此時被處理基板之一部分被浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態時，在該乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方，之後，於被處理基板在上述乾燥室內結束移動之後，在該乾燥室內將乾燥氣體從上述氣體供給部供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之方式，執行控制上述氣體供給部及上述保持部。
  12. 如申請專利範圍第1至6或11項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，上述乾燥氣體係由有機溶劑之蒸氣所構成。
  13. 一種基板處理方法，屬於具備有儲存被處理基板之洗淨液之洗淨槽及位於該洗淨槽之上方之乾燥室之基板處理裝置中之被處理基板之基板處理方法，其特徵為：具有 將被處理基板浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液的工程；和在上述乾燥室內將乾燥氣體僅供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方之工程；和在上述乾燥室內供給乾燥氣體之狀態下，使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內，此時被處理基板之一部分被浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態時，停止在上述乾燥室內供給乾燥氣體之工程；和於被處理基板在上述乾燥室內結束移動之後，在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之工程。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之基板處理方法，其中，在被處理基板被浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態中，在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向。
  15. 如申請專利範圍第13項所記載之基板處理方法，其中，在被處理基板被浸漬於儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態中，在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至垂直方向下方。
  16. 如申請專利範圍第13至15項中之任一項所記載之基板處理方法，其中，在上述乾燥室內供給乾燥氣體之狀態下，使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內之時，不停止被處理基板，使連續性自上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內。
  17. 如申請專利範圍第13至15項中之任一項所記載之基板處理方法，其中，於上述乾燥室內被處理基板結束移動之後，在該乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或垂直方向上方之時，將上述乾燥室內設為密閉狀態。
  18. 如申請專利範圍第13至15項中之任一項所記載之基板處理方法，其中，選擇性執行自上述乾燥室排出乾燥氣體，於乾燥氣體被供給至上述乾燥室內之時，自該乾燥室執行乾燥氣體之排氣，停止對上述乾燥室內供給乾燥氣體之時，停止自上述乾燥室排出乾燥氣體。
  19. 如申請專利範圍第13至15項中之任一項所記載之基板處理方法，其中，使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內之時，以從成為被處理基板完全自被儲存於上述洗淨槽之洗淨液離開之狀態時到結束移動至上述乾燥室內之被處理基板的速度，大於從被處理基板位於上述洗淨槽內之狀態成為該被處理基板完全自被儲存於上述洗淨槽之洗淨液離開之狀態為止之被處理基板之速度之方式，使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內。
  20. 一種基板處理方法，屬於具備有儲存被處理基板之洗淨液之洗淨槽及位於該洗淨槽之上方之乾燥室之基板處理裝置中之被處理基板之基板處理方法，其特徵為：具有將被處理基板浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液的工 程；和在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方之工程；和停止在上述乾燥室內供給乾燥氣體，之後使被處理基板從上述洗淨槽內移動至上述乾燥室內，此時被處理基板之一部分被浸漬在儲存於上述洗淨槽之洗淨液之狀態時，在上述乾燥室內將乾燥氣體僅供給至略水平方向、較略水平方向更斜下方或是垂直方向下方之工程；和於被處理基板在上述乾燥室內結束移動之後，在上述乾燥室內將乾燥氣體供給至較略水平方向更斜上方或是垂直方向上方之工程。
  21. 如申請專利範圍第13至15或20項中之任一項所記載基板處理方法，其中，上述乾燥氣體係由有機溶劑之蒸氣所構成。
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