JP2006332244A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板の乾燥不良が発生するのを防止する。
【解決手段】 第1ノズル41と排気部43とは処理液の上方に露出する基板Wを挟んで水平方向において互いに対向配置されている。処理液の液面近傍で第1ノズル41から排気部43に向けてほぼ水平に乾燥気体が基板Wに送風される。第1ノズル41の直上に配置された第2ノズル42からは第1ノズル41から吹き付けられる乾燥気体が基板保持ガイド35の上方に回り込む領域R1に向けて斜め上方から乾燥気体が基板Wに送風される。これにより、第1ノズル41からの気流のみでは基板保持ガイド35の陰となる遮蔽領域BRにも乾燥気体が十分に供給される。
【選択図】 図4
【解決手段】 第1ノズル41と排気部43とは処理液の上方に露出する基板Wを挟んで水平方向において互いに対向配置されている。処理液の液面近傍で第1ノズル41から排気部43に向けてほぼ水平に乾燥気体が基板Wに送風される。第1ノズル41の直上に配置された第2ノズル42からは第1ノズル41から吹き付けられる乾燥気体が基板保持ガイド35の上方に回り込む領域R1に向けて斜め上方から乾燥気体が基板Wに送風される。これにより、第1ノズル41からの気流のみでは基板保持ガイド35の陰となる遮蔽領域BRにも乾燥気体が十分に供給される。
【選択図】 図4
Description
この発明は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、乾燥処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板が含まれる。
従来より半導体ウエハ等の基板を処理液中に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる装置がある。例えば特許文献1に記載された装置は、処理液を貯留する処理槽と、その主面が鉛直方向と平行となるように互いに平行に配列された複数の基板を保持する3本の基板ガイドを有するリフタと、リフタを昇降させ基板ガイドに保持された基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させるとともに処理液から引き上げるリフタ駆動部と、リフタ駆動部により処理液の上方に露出させた基板の主面に沿ってほぼ水平方向に窒素ガスを噴射させ該基板主面に吹き付ける窒素ガス噴射部とを備えている。
この装置によれば、処理液に浸漬させた基板を、その主面が鉛直方向とほぼ平行になるように保持しつつ処理液の上方に引き上げている。そして、処理液の上方に露出した基板の主面に沿ってほぼ水平方向に乾燥気体として窒素ガスを該基板主面に吹き付けているので、基板に付着した処理液が基板から除去され、基板を乾燥させることができる。
しかしながら、処理液の上方に引き上げられる基板に対して窒素ガスを水平方向から吹き付けるのでは、次に示すような問題が生じることがあった。すなわち、基板を保持する基板ガイドが処理液の上方に露出したときに、基板ガイドによって窒素ガスが遮蔽されるために基板ガイドに対して窒素ガスが噴射されてくる方向の反対側の領域(遮蔽領域)には十分に窒素ガスを供給することができなかった。その結果、遮蔽領域においてウォーターマークなどの欠陥が生じてしまい基板の乾燥不良が発生していた。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板の乾燥不良が発生するのを防止することを目的とする。
この発明は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置であって、上記目的を達成するため、処理液を貯留する貯留手段と、基板の主面が鉛直方向とほぼ平行となるように該基板を保持する保持手段と、保持手段を昇降させることで保持手段によって保持された基板を貯留手段に貯留される処理液中と該処理液の上方との間で昇降させる昇降手段と、処理液の液面近傍で、昇降手段により上昇され処理液の上方に露出した基板の主面に対してほぼ水平な第1の方向から基板主面に沿って気体を吹き付ける第1送風手段と、第1送風手段よりも処理液の液面から上方に離れた位置に設けられ、処理液の上方に露出した基板主面に対して斜め上方から基板主面に沿って気体を吹き付ける第2送風手段と、第1および第2送風手段に気体を供給する気体供給手段と、気体供給手段を制御して、保持手段によって保持されながら処理液の上方に露出する基板の高さ位置に応じて、第1送風手段から基板への気体の吹き付け、および第2送風手段から基板への気体の吹き付けを調整する制御手段とを備えている。
このように構成された発明では、処理液の液面近傍で、昇降手段により上昇され処理液の上方に露出する基板の主面に対して、ほぼ水平な方向(第1の方向)と斜め上方とから気体を基板主面に沿って供給することができる。そして、保持手段によって保持されながら処理液の上方に露出する基板の高さ位置に応じて第1の方向および斜め上方とから選択的に、あるいは両方向から同時に気体を基板主面に吹き付けることで、基板主面全体にムラなく気体を供給することができる。すなわち、保持手段が処理液の上方に露出する際にも、第1の方向のみからでは保持手段によって遮蔽されて乾燥不良が生じていた領域(以下「遮蔽領域」という)に対して斜め上方から気体が供給されることで遮蔽領域についても十分な気体が供給され、基板主面が確実に乾燥される。その結果、基板の乾燥不良が発生するのを防止できる。
ここで、昇降手段により上昇される保持手段が処理液の上方に露出するまでは第1送風手段から気体を吹き付ける一方で、保持手段が処理液の上方に露出した後は少なくとも第2送風手段から気体を吹き付けるようにするのが好ましい。この構成によれば、保持手段が処理液の上方に露出するまでは、処理液の液面にほぼ平行な第1の方向からの気体により処理液の液面が乱されることなく処理液の上方に露出した基板が直ちに乾燥させられる一方で、保持手段が処理液の上方に露出した後は、ほぼ水平な方向(第1の方向)とともに斜め上方から、あるいは斜め上方のみから気体が処理液の上方に露出した基板に供給されることで遮蔽領域についても確実に乾燥させることができる。
また、この発明にかかる基板処理方法の一態様は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理方法であって、上記目的を達成するため、処理液に浸漬させた基板をその主面が鉛直方向とほぼ平行となるように保持手段によって保持しつつ処理液の上方に引き上げる引き上げ工程と、引き上げ工程と並行して、処理液の上方に露出した基板主面に対して気体を該基板主面に沿って吹き付ける送風工程とを備え、送風工程は、保持手段が処理液の上方に露出するまで処理液の液面近傍で基板主面に対してほぼ水平な第1の方向から気体を吹き付ける工程と、保持手段が処理液の上方に露出してから基板主面に対して第1の方向から気体を吹き付けるとともに、第1の方向から吹き付けられる気体が保持手段によって遮られ保持手段の上方を回り込む領域に向けて第1の方向に対して斜め上方から気体を吹き付ける工程とを有している。
また、この発明にかかる基板処理装置の一態様は、保持手段が処理液の上方に露出した際に、制御手段が第2送風手段とともに第1送風手段から気体を吹き付けるように制御する基板処理装置において、第2送風手段は第1送風手段の直上に配設された送風部を有し、第1送風手段から吹き付けられる気体が保持手段によって遮られ保持手段の上方に回り込む領域に向けて送風部は斜め上方から気体を吹き付けている。
このような構成によれば、保持手段が処理液の上方に露出するまでは、第1の方向から吹き付けられる気体によって処理液の液面を乱すことなく処理液の上方に露出した基板主面が乾燥される。そして、保持手段が処理液の上方に露出した後は、第1の方向から吹き付けられる気体が保持手段によって遮られ保持手段の上方を回り込む領域に向けて第1の方向に対して斜め上方から気体が吹き付けられる。そのため、第1の方向から吹き付けられる気体が保持手段によって遮られ上方に散乱していくのが抑制される。つまり、保持手段によって乱された第1の方向からの気流が本来の(保持手段がないときの)気流に近づくようにコントロールされ、遮蔽領域まで気体を十分に行き渡らせることができる。しかも、処理液の液面とほぼ平行な第1の方向からの気流の乱れを第1の方向に対して斜め上方からの気流によって補正しているに過ぎないことから処理液の液面が乱れるのが抑制される。その結果、基板の乾燥不良が発生するのを防止することができる。
ここで、第1送風手段は、処理液の上方に露出した基板を挟んで第1の方向において対向配置された送風専用部および排気専用部を有し、制御手段からの制御指令に応じて送風専用部から排気専用部に向けて気体を送風するのが好ましい。この構成によれば、送風専用部から送風された気体が排気専用部から排気されることで、処理液の液面近傍で該液面にほぼ平行する気流を良好に形成することができ、処理液の液面を乱れさせることなく効果的に基板を乾燥させることができる。
また、この発明にかかる基板処理方法の他の態様は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理方法であって、上記目的を達成するため、処理液に浸漬させた基板をその主面が鉛直方向とほぼ平行となるように保持手段によって保持しつつ処理液の上方に引き上げる引き上げ工程と、引き上げ工程と並行して、処理液の上方に露出した基板主面に対して気体を該基板主面に沿って吹き付ける送風工程とを備え、送風工程は、保持手段が処理液の上方に露出するまで処理液の液面近傍で基板主面に対してほぼ水平な第1の方向から気体を吹き付ける工程と、保持手段が処理液の上方に露出してから第1の方向からの送風を停止するとともに、処理液の上方に露出した基板を挟んで基板の両側からそれぞれ処理液の上方に露出した保持手段の上方領域に向けて斜め上方から気体を吹き付けることによって互いに吹き付けられた気体を衝突させて上方領域から保持手段に向かう気流を形成する工程とを有している。
また、この発明にかかる基板処理装置の他の態様は、保持手段が処理液の上方に露出した際に、制御手段が第2送風手段のみから気体を吹き付けるように制御する基板処理装置において、第2送風手段は、処理液の上方に露出した基板を挟んで基板の両側に配設された一対の送風部を有し、処理液の上方に露出した保持手段の上方領域に向けて各送風部は斜め上方から気体を吹き付けることによって互いに吹き付けられた気体を衝突させて上方領域から保持手段に向かう気流を形成している。
このような構成によれば、保持手段が処理液の上方に露出するまでは、第1の方向から吹き付けられる気体によって処理液の液面を乱すことなく処理液の上方に露出した基板主面が乾燥させられる。そして、保持手段が処理液の上方に露出した後は、基板の両側からそれぞれ保持手段の上方領域に向けて気体が斜め上方から吹き付けられ、互いに衝突して該上方領域から保持手段に向かう気流を形成している。つまり、基板の両側からそれぞれ吹き付けられた気体は水平方向における基板のほぼ中央位置にて衝突して保持手段の上方領域から保持手段の基板中央位置を臨む側面に向けて気体が供給されていく。そのため、第1の方向からの気流では保持手段の陰となる領域(遮蔽領域)についても十分に気体を供給することができる。しかも、衝突後の保持手段に向かう気流は水平方向における基板の中央位置を中心として基板の両サイドに向けて広がっていくことから処理液の液面が乱れるのが抑制される。その結果、基板の乾燥不良が発生するのを防止することができる。
ここで、第1送風手段は、処理液の上方に露出した基板を挟んで第1の方向において対向配置された送排気部および排気専用部を有し、送排気部は排気専用部に気体を送風する送風状態と処理液の液面近傍から気体を排気する排気状態とに選択的に切換可能となっており、制御手段は、保持手段が処理液の上方に露出した際に、送排気部を排気状態に設定するのが好ましい。この構成によれば、保持手段が処理液の上方に露出した際に、送排気部が送風状態から排気状態に切換えられることにより、第1の方向において基板を挟んで対向配置された送排気部と排気専用部とにより、処理液の液面近傍で基板の両側から気体が排気される。したがって、基板の両側に配設された一対の送風部から吹き付けられ、保持手段の上方領域にて互いに衝突した気体を基板の両サイドに確実に導くことができる。その結果、各送風部から吹き付けられた気体を効率良く遮蔽領域に供給することができ、効果的に基板を乾燥させることができる。
また、貯留手段に貯留される処理液として温純水を用いると、基板の乾燥速度を高めて基板の乾燥処理に要する処理時間を短縮することができる。
また、貯留手段に貯留される処理液として酸性の水溶液を用いると、基板からの被酸化物質の溶出を抑制することができ、ウォーターマークの発生をさらに効果的に防止することができる。
この発明によれば、保持手段によって保持されながら処理液の上方に露出する基板の高さ位置に応じてほぼ水平な方向(第1の方向)および斜め上方とから選択的に、あるいは両方向から同時に気体を基板主面に吹き付けている。そのため、保持手段が処理液の上方に露出する際にも、遮蔽領域に対して十分な気体を供給することができ、基板主面全体がムラなく乾燥される。その結果、基板の乾燥不良が発生するのを防止できる。
<第1実施形態>
図1は、この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す正面図である。また、図2は、図1の基板処理装置の部分側面図である。この基板処理装置はフッ酸(HF)等の薬液または純水(以下「処理液」という)に基板Wを浸漬させて該基板Wに対して薬液処理または洗浄処理を行った後、処理液から基板Wを引き上げながら乾燥処理を行う装置である。この基板処理装置は、主として、外槽10と、処理槽20と、昇降機構30と、送風機構40と、処理槽20内に配置された処理液供給ノズル50とを備えている。
図1は、この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す正面図である。また、図2は、図1の基板処理装置の部分側面図である。この基板処理装置はフッ酸(HF)等の薬液または純水(以下「処理液」という)に基板Wを浸漬させて該基板Wに対して薬液処理または洗浄処理を行った後、処理液から基板Wを引き上げながら乾燥処理を行う装置である。この基板処理装置は、主として、外槽10と、処理槽20と、昇降機構30と、送風機構40と、処理槽20内に配置された処理液供給ノズル50とを備えている。
処理槽20(貯留手段)は、処理液を貯留して基板Wに対して順次表面処理を行う槽であり、外槽10の内部に収容されている。処理液供給ノズル50は、処理槽20の底部近傍に互いに平行に2本、処理槽20の長手方向(Y方向)に延びるように配置されている。各処理液供給ノズル50には、処理液を吐出する複数個の吐出孔51がそれぞれ形成されている。各処理液供給ノズル50は、処理液供給管52にそれぞれ流路接続されるとともに、処理液供給管52がそれぞれ純水供給部53、薬液供給部54に接続されている。したがって、処理液供給管52を介して各処理液供給ノズル50から純水または薬液が処理槽20に供給される。
各処理液供給ノズル50からそれぞれ吐出された処理液は、左右両側から噴出した処理液が槽中央部で上昇流を形成しつつ上昇し、槽上部の開口部からオーバーフローするようになっている。このオーバーフローされる処理液によって基板Wから脱離したパーティクル等の汚染粒子を処理液とともにオーバーフロー槽21で受け、槽外に排出させるようになっている。
外槽10の上部は基板搬出入口となっており、シャッタ11をスライド式開閉機構(図示せず)により駆動することで開閉可能とされている。外槽10の上部を開放した状態において、その開放部分から後述する昇降機構30により基板Wの搬出入を行う。一方、外槽10の上部を閉鎖した状態で、外槽10の内部を密閉空間にすることができる。
昇降機構30は、処理槽20に貯留されている処理液に複数枚(例えば50枚)の基板Wを一組として浸漬させるとともに、処理液の上方に引き上げるための機構である。昇降機構30は、リフタ31と、モータ32と、モータ駆動部33を備えている。リフタ31は鉛直方向(Z方向)に昇降自在となっており、装置全体を制御する制御部80(制御手段)からの動作指令にしたがってモータ駆動部33がモータ32を駆動すると、そのモータ駆動に応じてリフタ31が昇降する。モータ32の駆動によりリフタ31を昇降させる機構としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用いたベルト機構など種々の機構を採用することができる。
リフタ31には、複数枚の基板Wを保持するための3本の基板保持ガイド35,36,37がリフタ31に対して垂直方向に固設されている。3本の基板保持ガイド35,36,37には、その長手方向(Y方向)と基板Wの主面とが直交するように基板Wを保持するため、基板Wの外周縁部の一部と係合して基板Wを起立姿勢で保持する複数の保持溝38が所定の間隔に配列して形成されている(図2)。それぞれの保持溝38は、X方向に沿って形成された切欠状の溝である。このため、保持溝38に基板Wの外周縁部がはめ込まれることにより、該基板Wの主面が鉛直方向(Z方向)とほぼ平行となるように基板Wが3本の基板保持ガイド35,36,37によって保持される。なお、基板Wの「主面」とは、基板Wの加工面を意味し、側面ではない面を意味する。このように、この実施形態では、基板保持ガイド35,36,37が本発明の「保持手段」として機能している。
このような構成により、昇降機構30は、3本の基板保持ガイド35,36,37によってY方向に互いに平行に配列されて保持された複数の基板Wを基板処理位置P1(図1の実線位置)と基板受渡し位置P2(図1の破線位置)との間で昇降させることができる。ここで、基板処理位置P1は、処理槽20に貯留される処理液に浸漬させて基板Wを処理する位置であり、基板受渡し位置P2は、基板Wを搬送する搬送ロボットなどの搬送機構(図示せず)と間で基板Wを受け渡しする位置である。なお、リフタ31が基板処理位置P1まで降下された状態においては、外槽10の上部がシャッタ11によって閉鎖されている。一方、リフタ31が基板受渡し位置P2まで上昇しているときは、シャッタ11が開けられ、外槽10の上部が開放されている。このように、この実施形態では、昇降機構30が本発明の「昇降手段」として機能している。
また、外槽10には基板Wの高さ位置を検出するセンサが設けられている。具体的には、基板Wが基板処理位置P1に位置することを検出する下位置センサ12と、基板Wが基板受渡し位置P2に位置することを検出する上位置センサ13とが外槽10に取り付けられている。そして、制御部80はリフタ31に保持される基板Wの高さ位置を検出するセンサ12,13からの信号に基づいてリフタ31の昇降動作を制御する。すなわち、制御部80は、基板Wを基板処理位置P1まで下降させる場合には下位置センサ12からの検出信号に基づいてリフタ31の下降を停止させる一方で、基板Wを基板受渡し位置P2まで上昇させる場合には上位置センサ13からの検出信号に基づいてリフタ31の上昇を停止させる。
送風機構40は、処理槽20に貯留されている処理液の上方に引き上げられる基板Wに対してドライエアや窒素(N2)ガスなどの乾燥気体を送風するための機構である。この送風機構40は、第1ノズル41と、第2ノズル42と、排気部43と、気体供給部44(気体供給手段)とを備えている。気体供給部44は、第1ノズル41および第2ノズル42にそれぞれ接続されており、制御部80からの制御指令に応じて気体供給部44が作動することで各ノズル41,42に個別に乾燥気体を供給する。つまり、制御部80が気体供給部44を制御することにより、第1ノズル41および第2ノズル42から選択的に、あるいは両ノズル41,42から同時に乾燥気体を送風することが可能となっている。なお、ノズルへの乾燥気体や処理槽20への純水の供給は、基板処理装置が設置される工場の共通設備(用力)から行うことも可能である。この場合、気体供給部44は用力からノズルへ乾燥気体の供給・供給停止を制御する開閉弁および配管等として機能する。
第1ノズル41と排気部43とは、昇降機構30により上昇され処理液の上方に露出されてくる基板Wを挟んで水平方向(X方向)において互いに対向配置されている。このうち第1ノズル41は外槽10の内部の一側面に、その送風口411が対向配置された排気部43を臨みながら処理槽20の上部の開口部からオーバーフローする状態の処理液の液面の近傍に位置するように、しかも送風口411の底部の高さ位置が処理液の液面の高さ位置とほぼ面一となるように取り付けられている。このように、第1ノズル41の高さ位置を設定するのは、処理液の上方に引き上げられ露出する基板Wに対して処理液の液面から上方におよそ1cm以内の範囲で乾燥させる必要があるからである。これに反して、この範囲を超えて基板Wが乾燥されていない場合にはウォーターマークが発生するおそれがある。したがって、処理液の液面近傍で気流を発生させ、基板主面に十分な乾燥気体を供給することが重要となる。このように、この実施形態では、第1ノズル41および排気部43が本発明の「第1送風手段」として機能している。
一方、排気部43はその排気口431が水平方向において送風口411と向かい合うように配置されている。排気部43は開閉弁45を介して装置外の排気ライン(基板処理装置に接続される工場に固有の設備)に接続され、排気部43から排出された気体は排気ラインへ送られることとなる。
また、送風口411と排気口431とは、基板保持ガイド35,36,37によって保持される全基板Wの主面の両側に対して乾燥気体を供給できるようにY方向に延びるスリットを形成している。なお、排気口431を複数の基板Wの配列間隔の間隙に対応するように複数個設けるようにしてもよい。
このような構成によれば、制御部80の制御指令に応じて気体供給部44から第1ノズル41に乾燥気体が供給されると、処理液の液面の近傍で該液面にほぼ平行に乾燥気体が第1ノズル41から排気部43に向けて流れていく。これにより、処理液の液面近傍で水平方向(X方向)に向かう良好な気流が生成される。したがって、制御部80の動作指令に応じて昇降機構30により基板Wが処理液の上方に引き上げられると、基板Wの主面に対してほぼ水平な方向(第1の方向)E1から乾燥気体が該基板主面に沿って吹き付けられる。第1ノズルから排気部43に送風される流量としては例えば3m3/minに設定される。なお、乾燥気体はウォーターマーク等の欠陥を抑制する観点から露点温度がマイナス20℃以下、好ましくはマイナス30℃以下であることが好ましい。このように、この実施形態では、第1ノズル41および排気部43がそれぞれ、本発明の「送風専用部」および「排気専用部」としての機能を有している。
第2ノズル42は、本発明の「送風部」として第1ノズル41の直上に配置されており、その送風口421が処理液の液面を臨むように斜め下方に向けられている。詳しくは、送風口421が第1ノズル41の送風口411に対して水平方向において同一面、好ましくは図1に示すように紙面右寄り(X方向側)に突き出すように、しかも処理液の上方に引き上げられてくる3本の基板保持ガイド35,36,37で挟まれる基板主面の内方領域を臨むようにして斜め下方に向けられている。送風口421は基板保持ガイド35,36,37によって保持される全基板Wの主面の両側に対して乾燥気体を供給できるようにY方向に沿ってスリット状に開口している。また、送風口421の開口高さとして例えば1mmの間隔を有するものであればよい。このように、この実施形態では、第2ノズル42が本発明の「第2送風手段」として機能している。
そして、制御部80の制御指令に応じて気体供給部44から第2ノズル42に乾燥気体が供給されると、処理液の上方に露出される基板Wの主面に対して斜め上方の方向E2(以下「第2の方向」という)から乾燥気体が該基板主面に沿って吹き付けられる。第2ノズル42から送風させる乾燥気体の流量として第1ノズル41から送風させる流量に対しておよそ10分の1以下に設定される。これは、第2ノズル42から送風させる乾燥気体は、後述するように基板Wの乾燥それ自体が目的ではなく第1ノズル41からの気流の乱れを調整するのが主目的であることによる。
図3は、図1の基板処理装置に装備された第1ノズルの構成の一例を示す断面斜視図である。第1ノズル41はY方向からみて略L字状に形成されており、ノズル本体410の内部に気体流通空間412を有している。ノズル本体410は導入部410aと胴部410bと先端部410cとから構成されている。気体流通空間412は導入部410aと胴部410bとの結合部分において直角に屈曲している。導入部410aの頂部には気体供給用ポート413が取り付けられている。気体供給用ポート413はノズル本体410内部の気体流通空間412を介して先端部410cに設けられた送風口411に連通しており、制御部80からの制御指令に応じて気体供給部44が作動することで気体供給部44から乾燥気体が気体流通空間412に導入され送風口411から送風される。
また、胴部410bの内部空間(気体流通空間412)には3つの整流機構414,415,416が設けられている。詳しくは、胴部410bの内部空間に乾燥気体の流通方向の上流側から順に、2つの障壁板414,415および多孔板416が設けられている。これらはいずれもX方向に所定の厚みを有しながらY方向に延設された板状部材により形成されている。乾燥気体の流通方向(X方向)からみて障壁板414は流路下方を遮蔽して流路上方の一部空間を通してのみ乾燥気体を流通させる一方、障壁板415は流路上方を遮蔽して流路上方の一部空間を通してのみ乾燥気体を流通させる。ここで、障壁板414,415の高さ(Z方向の長さ)をA、胴部410bの内部空間(気体流通空間412)の高さをBとした場合の流路遮蔽率(A/B)を次式の関係としている。
このような構成によれば、気体供給ポート43から鉛直方向下向きにノズル本体410に乾燥気体が導入されると、導入部410aと胴部410bとの結合部分において乾燥気体は、その進行方向が鉛直方向下向きから水平方向(X方向)に変えられ、障壁板414,415によって上下に蛇行しながら多孔板416のパンチング孔を介して先端部410cに至る。そして、先端部410cにおいて乾燥気体は収束されながら開口面積が一定とされた開口部を経て送風口411より送風される。
このように、第1ノズル41は胴部410bに障壁板414,415および多孔板416を備えることにより、ノズル本体410に導入された乾燥気体を3段階にわたって整流して送風させている。したがって、送風口411からY方向に配列された基板Wの列間に対して均等な風速が得られ、基板Wの列間の乾燥均一性が得られる。また、上記のように整流機構を3段に設けたノズルによれば、ノズル幅(ノズルのX方向の長さ)Cを20cm以内でコンパクトに構成することも可能であり、装置へのユニット搭載も可能となる。
また、ここでは送風口411の開口高さDを次のように設定している。ウォーターマーク等の欠陥を抑制するため、処理液の液面の波立ちを抑える必要があるが、そのためにノズルから処理液の液面上に送風される乾燥気体の速度を均等にすることが重要となる。この速度が均等な領域はノズルの開口高さ(吐出方向に直交する方向の開口長さ)Dに対して、開口から吐出方向に6×Dの距離だけ離れた範囲まで速度均等領域が存在することが認められている。そのため、例えば8インチの基板を処理する場合には、開口高さDを4cmに設定している。この場合は、次式により開口から吐出方向に24cmの速度均等領域が出現することとなり、8インチの基板Wを吐出方向において完全にカバーすることが可能となる。したがって、処理液の液面の乱れを抑えて基板Wへのウォーターマーク等の欠陥の発生を防止することができる。
図4は、図1の基板処理装置に装備された送風機構の送風方向を説明するための図である。具体的には、3本の基板保持ガイド35,36,37のうち上方に位置する2本の基板保持ガイド35,37が処理液の上方に露出したときの乾燥気体の流れを表した図である。基板保持ガイド35,37が処理液の上方に露出すると、第1の方向E1からの乾燥気体は第1ノズル41からの距離が最も近い基板保持ガイド35によって第1の方向E1からの乾燥気体が遮られて第1ノズル41から送風されてくる方向の反対側の領域、つまり遮蔽領域BRに乾燥気体が十分に供給されない状態となる。その結果、特に遮蔽領域BRのうち基板Wの中心線CLに対して紙面左側の領域、つまり基板保持ガイド35の近傍領域においてウォーターマーク等の欠陥が生じてしまい基板Wの乾燥不良が生じていた。
図4に示すように、第2ノズル42に乾燥気体が供給されると、第1の方向E1から吹き付けられる乾燥気体が基板保持ガイド35によって遮られ基板保持ガイド35の上方に回り込む領域R1に向けて第1の方向E1に対して斜め上方の第2の方向E2から乾燥気体が吹き付けられる。これにより、第1の方向E1からの乾燥気体が基板保持ガイド35によって遮られ上方に散乱していくのが抑制される。つまり、基板保持ガイド35によって乱された第1の方向E1からの乾燥気体が本来の、基板保持ガイド35がないとしたときの気流に近づくようにコントロールされ、遮蔽領域BRまで乾燥気体を十分に行き渡らせることができる。しかも、第2ノズル42から送風される乾燥気体の流量は、第1ノズル41から送風される乾燥気体の流量からみて非常に小さい(およそ10分の1以下)ことから、処理液の液面が乱れるのが抑制される。
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。図5は、図1の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。処理対象となる複数の基板Wは基板受渡し位置P2において搬送ロボット(図示せず)からリフタ31に受け渡された後、モータ駆動部33によってモータ32が駆動されることでリフタ31とともに基板処理位置P1へと下降され、処理槽20に貯留される処理液中に浸漬させられる(図5(a))。これらの基板Wはリフタ31に固設された基板保持ガイド35,36,37に保持されて、その主面が鉛直方向(Z方向)と平行になるように互いに平行して配列されている。なお、基板処理位置P1への基板Wの位置決めは下位置センサ12によって位置検出されることでモータ32の駆動が停止される。
基板Wを浸漬する処理液としては、各種の薬液および純水を用いることができ、これらの使用される処理液を変更することにより、各種の薬液処理および洗浄処理を基板Wに対して行うことができる。たとえば、フッ酸と水とを所定の割合で混合した処理液中に浸漬することにより、この処理液をエッチング処理液として機能させてエッチング処理を行うことが可能である。また、その後、処理液を順次に純水に置換することにより、純水による洗浄処理を行うことも可能である。なお、この際には、基板Wを雰囲気中に露出させることなく処理液中に浸漬したまま薬液処理から純水による洗浄処理へと移行して処理を続行することができるので、パーティクルの発生を防止できるなどの効果がある。
そして、これらの処理が終了した後、基板Wを処理液(純水)から引き上げることが必要となる。なお、基板Wを処理液から引き上げる前に制御部80は気体供給部44と開閉弁45とを制御して第1ノズル41から乾燥気体を送風させ、基板Wが引き上げられる雰囲気を乾燥状態としておくのが好ましい(図5(b))。
続いて、モータ32が駆動され基板Wが処理液の上方へ向けて上昇を開始する。これに伴い、基板Wは処理液の上方に徐々に露出していきながら、処理液の液面近傍で第1ノズル41から排気部43へ向けて送風される乾燥気体によって乾燥される。すなわち、基板主面に沿って処理液の液面にほぼ平行な第1の方向E1からの気流によって、乾燥気体が基板Wの主面に吹き付けられる。これにより、処理液の液面が乱れることなく、処理液の上方に露出した基板Wが速やかに乾燥されていく(図5(c))。
そして、3本の基板保持ガイド35,36,37のうち上方に位置する基板保持ガイド35,37が処理液の上方に露出すると、制御部80は第1ノズル41からの乾燥気体の送風を継続させたまま、気体供給部44を作動させて第2ノズル42から乾燥気体を送風させる(図5(d))。なお、これら第1および第2ノズル41,42からの乾燥気体は排気部43によって排気される。
このとき、図4に示すように第1ノズル41から送風される第1の方向E1からの乾燥気体は基板保持ガイド35によって遮蔽されて基板保持ガイド35の上方の領域R1に回り込むが、当該領域R1に向けて第2の方向E2から乾燥気体が吹き付けられることで、基板保持ガイド35による第1の方向E1からの気流の乱れが抑制される。その結果、第1の方向E1からの気流では基板保持ガイド35の陰となっていた遮蔽領域BRについても十分に乾燥気体が供給されることとなる。
こうして、3本の基板保持ガイド35,36,37のうち下方に位置する基板保持ガイド36が処理液の上方に完全に露出し終わるまで第1の方向E1と第2の方向E2との両方向から乾燥気体が基板Wの主面に吹き付けられる。そして、基板保持ガイド36が処理液の上方に完全に露出し終わると、基板Wへの乾燥気体の供給が停止されるとともに、基板受渡し位置P2まで上昇される(図5(e))。なお、基板受渡し位置P2への基板Wの位置決めは上位置センサ13によって位置検出されることでモータ32の駆動が停止される。
以上のように、この実施形態によれば、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出するまでは、ほぼ水平な第1の方向E1から基板Wの主面に対して乾燥気体を該基板主面に沿って吹き付けることで処理液の液面を乱すことなく基板Wが乾燥される。一方、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出した後は、第1の方向E1から吹き付けられる乾燥気体が基板保持ガイド35の上方に回り込む領域R1に向けて第1の方向E1に対して斜め上方の第2の方向E2から乾燥気体が吹き付けられる。これにより、基板保持ガイド35による第1の方向E1からの気流の乱れが、その乱れを補正するように第2の方向E2からの気流によってコントロールされる。そのため、第1の方向E1からの気流のみでは基板保持ガイド35の陰となる遮蔽領域BRについても乾燥気体を十分に行き渡らせることができる。しかも、基板保持ガイド35による第1の方向E1からの気流の乱れを第2の方向E2からの気流によって補正しているに過ぎないことから処理液の液面が乱れるのが抑制される。その結果、基板Wの乾燥不良が発生するのが防止される。
また、この実施形態によれば、処理液の上方に露出した基板Wを挟んで第1ノズル41に対向して排気部43を配置して第1ノズル41から送風させた乾燥気体を排気部43から排気させている。このため、処理液の液面近傍で該液面にほぼ平行する気流を良好に形成することができ、処理液の液面を乱れさせることなく効果的に基板Wを乾燥させることができる。
<第2実施形態>
図6は、この発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。この実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、基板Wを引き上げる速度、つまり引き上げ速度を3段階に切換えている点であり、その他の構成および動作は第1実施形態と基本的に同一である。したがって、以下においては相違点を中心に説明する。
図6は、この発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。この実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、基板Wを引き上げる速度、つまり引き上げ速度を3段階に切換えている点であり、その他の構成および動作は第1実施形態と基本的に同一である。したがって、以下においては相違点を中心に説明する。
第1実施形態と同様にして、基板処理位置P1にて基板Wを浸漬させた後(同図(a))、制御部80は基板Wを上昇させる際に引き上げ速度を比較的高速度のV1に設定し、この引き上げ速度V1で3本の基板保持ガイド35,36,37のうち上方に位置する基板保持ガイド35,37が処理液の上方に露出するまでリフタ31を上昇させる(同図(b))。そして、基板保持ガイド35,37が処理液の上方に露出してくると、引き上げ速度を高速度V1からより低速度のV2に切換える(同図(c))。また、基板保持ガイド35,37が処理液の上方に露出すると、第1の方向E1に加えて第2の方向E2から乾燥気体を基板主面に送風させる。なお、基板保持ガイド35,37の処理液上方への露出と基板保持ガイド36が処理液の液面から離れるまでの高さ位置はモータ32のパルス数をカウントすることにより検出される。
第1の方向E1からの送風のみで基板主面を乾燥させる場合においては風速を高速に設定することが可能であるため、基板Wの乾燥の観点から引き上げ速度についても比較的高速(V1)にすることもできる。しかしながら、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出してからは斜め上方の第2の方向E2からの気流がほぼ水平な第1の方向E1からの気流と干渉することになる。ここでは、引き上げ速度を低速度V2に切換えることで第1の方向E1からの気流の風速自体を低速に設定しているため、第1の方向E1からの気流の基板保持ガイド35による乱れを処理液の液面の乱れを抑えながら第2の方向E2からの気流によって容易にコントロールすることが可能となる。その結果、遮蔽領域BRにも十分な乾燥気体を供給することができる。
また、基板保持ガイド35,36,37は一般的に石英と耐薬品性を備えた樹脂から構成されるが、石英は極めて濡れ性が高く乾燥しづらいため、乾燥不良を防止する観点からも引き上げ速度を低速にする必要がある。
こうして、3本の基板保持ガイド35,36,37のうち下方に位置する基板保持ガイド36が処理液の上方に露出して乾燥し終えるまで引き上げ速度V2で基板Wが引き上げられる(同図(d))。基板保持ガイド35,36,37の乾燥が終了した後は、引き上げ速度がV2からより高速のV3に切換えられる(同図(e))。ここでは、基板Wの乾燥不良について考慮する必要がないため、基板受渡し位置P2まで引き上げ速度として昇降機構30が機構的に可能な最大速度V3で引き上げられる(同図(f))。
以上のように、この実施形態によれば、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出するまでは比較的高速度V1で引き上げる一方で、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出してから低速度V2で引き上げているので、乾燥処理に要する時間を短縮して装置のスループットを向上させながらも基板Wの乾燥不良を確実に防止することができる。また、基板保持ガイド36の乾燥後は基板Wの乾燥不良について考慮する必要がないため、昇降機構30の最大速度V3で引き上げている。このように引き上げ速度を乾燥の進行状況に応じて多段階に調整しているので、基板Wの乾燥不良の発生を防止しつつスループットの向上を図ることができる。
<第3実施形態>
図7は、この発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。また、図8は図7の基板処理装置に装備された送風機構の送風方向を説明するための図である。この第3実施形態が第1実施形態と構成において大きく異なる点は、大きくは次の2点である。すなわち、本発明の「一対の送風部」として2つの第2ノズル46を有している点と、第1ノズル41に排気ラインが接続され、第1ノズル41が乾燥気体を送風する送風状態と乾燥気体を排気する排気状態とに切換え可能となっている点である。また、このような構成の相違により、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出したときの装置の動作が第1実施形態と大きく相違している。なお、その他の構成および動作は第1実施形態と基本的に同一であり、以下においては相違点を中心に説明する。
図7は、この発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。また、図8は図7の基板処理装置に装備された送風機構の送風方向を説明するための図である。この第3実施形態が第1実施形態と構成において大きく異なる点は、大きくは次の2点である。すなわち、本発明の「一対の送風部」として2つの第2ノズル46を有している点と、第1ノズル41に排気ラインが接続され、第1ノズル41が乾燥気体を送風する送風状態と乾燥気体を排気する排気状態とに切換え可能となっている点である。また、このような構成の相違により、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出したときの装置の動作が第1実施形態と大きく相違している。なお、その他の構成および動作は第1実施形態と基本的に同一であり、以下においては相違点を中心に説明する。
図7に示すように、第1ノズル41と排気部43の上方にそれぞれ、処理液から上方に露出する基板Wを挟んで基板Wの両側に2つの第2ノズル46が配設されている。これら2つの第2ノズル46は、同一の構成を有しており、基板Wに対して対称位置に対向配置されている。各第2ノズル46の送風口461は互いに水平方向から僅かに斜め下方に向けられている。このような第2ノズル46としては、送風口461が基板保持ガイド35,36,37によって保持される全基板Wの主面の両側に対して乾燥気体を供給できるように、Y方向に沿ってスリット状に開口したスリットノズルを採用することができる。また、各第2ノズル46は第1ノズル41から送風させる流量(例えば3m3/min)のおよそ半分の流量の乾燥気体を送風させる能力を有する。このように、各第2ノズル46の送風能力は第1実施形態における第2ノズル42の送風能力と大きく異なっているが、これは各第2ノズル46が第1ノズル41と同様にしてノズルから送風させる乾燥気体によって基板Wを乾燥させることを目的としているためである。
また、第1ノズル41は、開閉弁47を介して装置外の排気ラインに接続され、第1ノズル41から排出された気体は排気ラインへ送られることとなる。このため、制御部80からの制御指令に応じて気体供給部44および開閉弁47が作動することで、第1ノズル41から排気部43に向けて乾燥気体を送風する送風状態と処理液の液面近傍から乾燥気体を排気する排気状態とに選択的に切換えられる。
制御部80の制御指令に応じて気体供給部44から各第2ノズル46に乾燥気体が供給されると、処理液の上方に露出される基板Wの主面に対して斜め上方から基板保持ガイド35,36,37の上方に乾燥気体が該基板主面に沿って吹き付けられる。各第2ノズル46から斜め下方に送風された乾燥気体は互いに衝突して下降しながら基板Wの両側に広がっていく。そして、排気状態とされた第1ノズル41および排気部43から乾燥気体が排気される。
図8は、図7の基板処理装置に装備された第2ノズルからの送風方向を説明するための図である。具体的には、3本の基板保持ガイド35,36,37のうち上方に位置する2本の基板保持ガイド35,37が処理液の上方に露出したときの乾燥気体の流れを表した図である。各第2ノズル46に乾燥気体が供給されると、基板保持ガイド35,36,37の上方領域R2に向けて斜め上方の方向E3(以下「第3の方向」という)から乾燥気体が吹き付けられる。ここで、各第2ノズル46からは水平方向から僅かに傾斜した角度で乾燥気体が送風されることから上方領域R2は処理液の液面から離れた位置となる。このように各第2ノズル46から吹き付けられた乾燥気体は上方領域R2にて互いに衝突して上方領域R2から両端に位置する基板保持ガイド35,37に向かう気流を形成する。
つまり、基板Wに対して水平方向において対称配置された各々の第2ノズル46からほぼ同一流量で、しかも水平方向に対してほぼ同一角度をなして斜め下方に乾燥気体が吹き付けられる。そのため、各第2ノズル46から吹き付けられた乾燥気体は基板中心線CLを含む水平方向における基板Wの中央位置にて互いに衝突して上方領域R2から基板Wの両側に向けて回り込みながら下降していく。そして、両側に位置する基板保持ガイド35,37の基板中心位置を臨む側面に向けて乾燥気体が供給される。したがって、第1ノズル41からの気流では基板保持ガイド35によって遮蔽される遮蔽領域BRについても十分に乾燥気体を供給することができる。
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。図9は、図7の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。この第3実施形態においては、次のようにして処理液の上方に引き上げられてくる基板Wを乾燥させている。以下においては第1実施形態との相違点を中心に説明する。
この第3実施形態においては、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出するまでは、第1実施形態と同様に処理される。すなわち、基板処理位置P1にて基板Wは浸漬処理された後(図9(a))、基板Wが処理液の上方に引き上げられる前に乾燥気体が供給されることで処理液上方の雰囲気が乾燥状態とされる(図9(b))。続いて、処理液の上方へ向けて基板Wは上昇を開始され、処理液の上方に徐々に露出していきながら、処理液の液面近傍で第1ノズル41から排気部43へ向けて送風される乾燥気体によって乾燥される(図9(c))。
そして、3本の基板保持ガイド35,36,37のうち上方に位置する基板保持ガイド35,37が処理液の上方に露出すると、制御部80は第1ノズル41を送風状態から排気状態に切換える。すなわち、第1ノズル41からの乾燥気体の送風を停止させるとともに、第1ノズル41から処理液の液面近傍の乾燥気体を排気させるため開閉弁47を開放する。また、気体供給部44を作動させて第2ノズル46から乾燥気体を送風させる(図9(d))。
これにより、図8に示すように、各第2ノズル46から送風される第3の方向E3からの乾燥気体は上方領域R2にて互いに衝突して下降しながら排気状態とされた第1ノズル41と排気部43とから排気される。すなわち、上方領域R2から基板保持ガイド35,37に向かう気流が形成されることで、第1の方向E1からの気流では基板保持ガイド35の陰となっていた遮蔽領域BRにも十分に乾燥気体が供給されることとなる。
こうして、3本の基板保持ガイド35,36,37のうち下方に位置する基板保持ガイド36が処理液の上方に完全に露出し終わるまで基板Wの両サイドの第3の方向E3からの乾燥気体が基板Wの主面に吹き付けられる。そして、基板保持ガイド36が処理液の上方に完全に露出し終わると、基板Wへの乾燥気体の供給が停止されるとともに、基板受渡し位置P2まで上昇される(図9(e))。
以上のように、この実施形態によれば、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出するまでは、ほぼ水平な第1の方向E1から基板Wの主面に対して乾燥気体を該基板主面に沿って吹き付けることで処理液の液面を乱すことなく基板Wが乾燥される。一方、基板保持ガイド35,36,37が処理液の上方に露出した後は、基板Wの両側から処理液の上方に露出する基板保持ガイド35,36,37の上方領域R2に向けてそれぞれ斜め上方の第3の方向E3から乾燥気体を吹き付けている。これにより、第3の方向E3からそれぞれ吹き付けられた乾燥気体が上方領域R2において互いに衝突して上方領域R2から基板保持ガイド35,37に向かう気流が形成される。そのため、第1の方向E1からの気流のみでは基板保持ガイド35の陰となる遮蔽領域BRについても乾燥気体を十分に行き渡らせることができる。しかも、処理液から上方に離れた位置で乾燥気体を衝突させるとともに、衝突後に上方領域R2から基板保持ガイド35,37に向かう気流は水平方向における基板Wの中央位置から基板Wの両側に向けて基板中央位置を中心として基板Wの両サイドに向けて広がっていくことから処理液の液面が乱れるのが抑制される。その結果、基板Wの乾燥不良が発生するのが防止される。
また、この実施形態によれば、処理液の上方に基板保持ガイド35,36,37が露出した際に、第1ノズル41を送風状態から排気状態に切換えて、排気部43とともに処理液の液面近傍から乾燥気体を基板Wの両サイドに排気させている。そのため、各第2ノズル46から吹き付けられ、上方領域R2にて互いに衝突させた乾燥気体を基板Wの両サイドに確実に導くことができる。その結果、上方領域R2から基板保持ガイド35,37に向かう気流が良好に形成され、乾燥気体を遮蔽領域BRに効率良く供給することができる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、処理液として純水を用いて純水から基板Wの引き上げる場合を示したが、これに限定されない。例えば、酸性にpH調整された水溶液から基板Wを引き上げて乾燥させるようにしてもよい。このように、処理液に酸性の水溶液を用いると、基板Wからの被酸化物質(シリコン基板ではシリコン)の溶出を抑制することができ、ウォーターマークの発生をさらに効果的に防止することができる。
また、処理液として温純水を用いてもよい。これにより、基板Wの乾燥速度を高めて乾燥処理に要する処理時間を短縮することができる。この場合、純水供給部53と処理液供給ノズル50との間に加熱ユニットを配設して、加熱ユニットにより純水供給部53からの純水を加熱して温純水を生成すればよい。
また、上記実施形態では、第1ノズル41および第2ノズル42,46に1つの開口部(送風口)を有するスリット状のノズルを用いているが、これに限定されず、複数の開口部を有するノズルを用いるようにしてもよい。この場合、乾燥気体を基板列間に効率良く供給させるために、複数の基板Wの配列間隔の間隙に対応して開口部を設けるのが好ましい。
また、上記実施形態では、シャッタ11を閉じることにより外槽10の内部を密閉空間とすることが可能であるが、基板Wに対する処理は、必ずしも密閉空間内で行われる必要がない。
また、上記実施形態では、1つの処理槽20で薬液処理および純水による洗浄処理の双方を行う、いわゆるワンバス式の基板処理装置について説明しているが、これに限らず、薬液処理および純水洗浄処理を異なる槽で行ういわゆる多槽式の基板処理装置であっても適用可能である。
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対して乾燥処理を施す基板処理装置に適用することができる。
20…処理槽
30…昇降機構(昇降手段)
35,36,37…基板保持ガイド(保持手段)
41…第1ノズル(送風専用部、送排気部)
42,46…第2ノズル(送風部)
43…排気部(排気専用部)
44…気体供給部(気体供給手段)
80…制御部(制御手段)
E1…第1の方向
E2…第2の方向(斜め上方)
E3…第3の方向(斜め上方)
R1…基板保持ガイド35の上方に回り込む領域(保持手段の上方に回り込む領域)
R2…基板保持ガイド35,36,37の上方領域(保持手段の上方領域)
W…基板
30…昇降機構(昇降手段)
35,36,37…基板保持ガイド(保持手段)
41…第1ノズル(送風専用部、送排気部)
42,46…第2ノズル(送風部)
43…排気部(排気専用部)
44…気体供給部(気体供給手段)
80…制御部(制御手段)
E1…第1の方向
E2…第2の方向(斜め上方)
E3…第3の方向(斜め上方)
R1…基板保持ガイド35の上方に回り込む領域(保持手段の上方に回り込む領域)
R2…基板保持ガイド35,36,37の上方領域(保持手段の上方領域)
W…基板
Claims (10)
- 基板を処理液に浸漬させた後、前記基板を前記処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する貯留手段と、
基板の主面が鉛直方向とほぼ平行となるように該基板を保持する保持手段と、
前記保持手段を昇降させることで前記保持手段によって保持された基板を前記貯留手段に貯留される処理液中と該処理液の上方との間で昇降させる昇降手段と、
前記処理液の液面近傍で、前記昇降手段により上昇され前記処理液の上方に露出した基板の主面に対してほぼ水平な第1の方向から前記基板主面に沿って気体を吹き付ける第1送風手段と、
前記第1送風手段よりも前記処理液の液面から上方に離れた位置に設けられ、前記処理液の上方に露出した前記基板主面に対して斜め上方から前記基板主面に沿って気体を吹き付ける第2送風手段と、
前記第1および第2送風手段に気体を供給する気体供給手段と、
前記気体供給手段を制御して、前記保持手段によって保持されながら前記処理液の上方に露出する前記基板の高さ位置に応じて、前記第1送風手段から前記基板への気体の吹き付け、および前記第2送風手段から前記基板への気体の吹き付けを調整する制御手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御手段は、前記昇降手段により上昇される前記保持手段が前記処理液の上方に露出するまでは前記第1送風手段から気体を吹き付ける一方で、前記保持手段が前記処理液の上方に露出した後は少なくとも前記第2送風手段から気体を吹き付けるように制御する請求項1記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記保持手段が前記処理液の上方に露出した際に前記第2送風手段とともに前記第1送風手段から気体を吹き付けるように制御する請求項2記載の基板処理装置であって、
前記第2送風手段は前記第1送風手段の直上に配設された送風部を有し、前記第1送風手段から吹き付けられる気体が前記保持手段によって遮られ前記保持手段の上方に回り込む領域に向けて前記送風部は斜め上方から気体を吹き付ける
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1送風手段は、前記処理液の上方に露出した基板を挟んで前記第1の方向において対向配置された送風専用部および排気専用部を有し、前記制御手段からの制御指令に応じて前記送風専用部から前記排気専用部に向けて気体を送風する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記保持手段が前記処理液の上方に露出した際に前記第2送風手段のみから気体を吹き付けるように制御する請求項2記載の基板処理装置であって、
前記第2送風手段は、前記処理液の上方に露出した基板を挟んで前記基板の両側に配設された一対の送風部を有し、前記処理液の上方に露出した前記保持手段の上方領域に向けて各送風部は斜め上方から気体を吹き付けることによって互いに吹き付けられた気体を衝突させて前記上方領域から前記保持手段に向かう気流を形成する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1送風手段は、前記処理液の上方に露出した基板を挟んで前記第1の方向において対向配置された送排気部および排気専用部を有し、前記送排気部は前記排気専用部に気体を送風する送風状態と前記処理液の液面近傍から気体を排気する排気状態とに選択的に切換可能となっており、
前記制御手段は、前記保持手段が前記処理液の上方に露出した際に、前記送排気部を前記排気状態に設定する請求項5記載の基板処理装置。 - 前記貯留手段に貯留される処理液は温純水である請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記貯留手段に貯留される処理液は酸性の水溶液である請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板を処理液に浸漬させた後、前記基板を前記処理液から引き上げて乾燥させる基板処理方法において、
処理液に浸漬させた基板をその主面が鉛直方向とほぼ平行となるように保持手段によって保持しつつ前記処理液の上方に引き上げる引き上げ工程と、
前記引き上げ工程と並行して、前記処理液の上方に露出した前記基板主面に対して気体を該基板主面に沿って吹き付ける送風工程と
を備え、
前記送風工程は、
前記保持手段が前記処理液の上方に露出するまで前記処理液の液面近傍で前記基板主面に対してほぼ水平な第1の方向から気体を吹き付ける工程と、
前記保持手段が処理液の上方に露出してから前記基板主面に対して前記第1の方向から気体を吹き付けるとともに、前記第1の方向から吹き付けられる気体が前記保持手段によって遮られ前記保持手段の上方を回り込む領域に向けて前記第1の方向に対して斜め上方から気体を吹き付ける工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 基板を処理液に浸漬させた後、前記基板を前記処理液から引き上げて乾燥させる基板処理方法において、
処理液に浸漬させた基板をその主面が鉛直方向とほぼ平行となるように保持手段によって保持しつつ前記処理液の上方に引き上げる引き上げ工程と、
前記引き上げ工程と並行して、前記処理液の上方に露出した前記基板主面に対して気体を該基板主面に沿って吹き付ける送風工程と
を備え、
前記送風工程は、
前記保持手段が処理液の上方に露出するまで前記処理液の液面近傍で前記基板主面に対してほぼ水平な第1の方向から気体を吹き付ける工程と、
前記保持手段が処理液の上方に露出してから前記第1の方向からの送風を停止するとともに、前記処理液の上方に露出した基板を挟んで前記基板の両側からそれぞれ前記処理液の上方に露出した前記保持手段の上方領域に向けて斜め上方から気体を吹き付けることによって互いに吹き付けられた気体を衝突させて前記上方領域から前記保持手段に向かう気流を形成する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。
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