KR930018671A - 플라즈마 처리방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 에칭에 앞서서 정천척을 관통하는 도전성 지지핀 상에 웨이퍼를 배치한다. 정전척은 냉각 쟈케트를 내장하는 서셉터상에 배설된다. 이어서, 정전척에 정전 흡착용의 전위를 부여한다. 지지핀을 접지한 상태에서 강하시키고, 웨이퍼를, 정전척상에 재치한다.
이어서 지지핀을 정전척 내로 후퇴시키고, 웨이퍼와 지지핀과의 접촉을 끊는다. 이어서, 웨이퍼와 정전척 사이에 열매체 가스를 공급하고, 양 부재 사이의 열매체 특성을 향상시킨다.
그리고, 프로세스 챔버내에 플라즈마를 발생시켜서 플라즈마를 사용하여 웨이퍼를 에칭한다. 플라즈마의 발생에 앞서서 웨이퍼와 정전척 사이의 열전도성이 향상하기 때문에, 웨이퍼의 열적 손상이 방지됨과 동시에, 에칭 입상 시간이 단축된다.

Description

플라즈마 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 플라즈마 에칭장치의 실시예를 나타내는 개략단면도.
제2도는 플라즈마 에칭 개시시에 있어서의 조작을 나타내는 타이밍 챠트.
제3도는 본 발명에 관한 플라즈마 에칭 장치의 다른 실시예를 나타내는 개략 단면도.

Claims (14)

  1. 고감압 분위기로 설정 가능한 프로세스 챔버(1)와, 상기 프로세스 챔버(1)내에서 피처리기판을 지지하는 재치대와, 재치대상에 배설된 정전척(10)과, 상기 정전척(10)은 도전층과 상기 도전층상에 배설되고 또 기판 재치면을 형성하는 졀연층(12)을 포함하는 것과, 상기 정전척(10)상에 상기 기판을 놓기 위하여, 상기 프로세서 챔버(1) 내에 배설된 도전성 지지수단과, 상기 프로세스 챔버(1)내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단과, 상기 기판과 상기 정전척(10) 사이에 열매체 가스를 공급하는 수단을 구비하는 플라즈마 처리장치를 사용하는 플라즈마 처리방법으로서, 상기 프로세스 챔버(1)내에서, 상기 지지수단상에 상기 기판을 배치하는 공정과, 상기 정전척(10)에 정전흡착용의 전위를 부여하는 공정과, 상기 지지수단을 접지한 상태에서 상기 지지수단에의하여 상기 기판을 상기 정전척(10)의 상기 절연층(12)상에 놓는 공정과, 상기 기판과 상기 지지수단과의 접촉을 끊는 공정과, 상기 기판과 상기 정전척(10) 사이에 열매체 가스를 공급하는 공정과, 상기 프로세스 챔버(1)내에 플라즈마를 발생시키는 공정과, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 기판을 처리하는 공정을 구비하는 플라즈마 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정전척(10)에 상기 전위를 부여하기 전에, 상기 프로세스 챔버(1)를 고감압 분위기로 설정하는 공정을 포함하는 플라즈마 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 지지수단이, 스위치(62)를 통하여 접지되고, 상기 플라즈마를 발생시킬 때에, 상기 스위치(62)가 오프로 되는 플라즈마 처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 지지수단이, 상기 정전척(10)을 관통하여 상하운동을 하는 여러 개의 도전성 지지핀(40)을 구비하고, 상기 지지핀(40)이 상기 정전척(10)내로 후퇴하는 것에 의하여 상기 기판과 상기 지지핀(40)과의 접촉이 끊어지는 플라즈마 처리방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 지지수단이, 그 구동부와 절연부재(54)를 통하여 접속되고 상기 스위치(62)의 오프(OFF)에 의하여 상기 지지수단이 전기적으로 플로팅 상태로 되는 플라즈마 처리방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 재치대 미 상기 프로세스 챔버(1)가 전극쌍을 형성하고, 상기 플라즈마를 발생시킬 때에, 상기 재치대에 고주파 전압이 부여됨과 동시에, 상기 프로세스 챔버(1)가 접지되는 플라즈마 처리방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 정전 흡착용의 전위가 부(負) 또는 정(正)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  8. 고감압 분위기로 설정 가능한 프로세스 챔버(101)와, 상기 프로세스 챔버(101)내에서 피처리기판을 지지하는 재치대와, 재치대상에 배설된 정전척(10)과, 상기 정전척(10)은 도전층과 상기 도전층상에 배설되고 또 기판 재치면을 형성하는 절연층(12)을 포함하는 것과, 상기 프로세스 챔버(101)내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단을 구비하는 플라즈마 처리장치를 사용하는 플라즈마 처리방법으로서, 플라즈마를 발생시킨 상기 프로세스 챔버(101)내에서, 상기 기판을 상기 정전척(10)에 의하여 유지한 상태로, 상기 플라즈마를 이용하여 처리하는 공정과, 상기 처리를 종료한 후, 상기 기판을 상기 정전척(10)상으로부터 제거하는 공정과, 상기 기판과 상기 정전척(10)의 상기 기판 재치면과의 접촉이 끊어진 때, 또는 끊어진 후에 상기 기판 재치면을 제전(除電)하는 공정을 구비하는 플라즈마 처리방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제전이, 상기 기판을 상기 프로세스 챔버(101) 바깥으로 반출한 후, 다시 프로세스 챔버(101)내에 플라즈마를 발생시킴과 동시에, 상기 플라즈마에 접지된 도전체를 접촉시키는 것에 의하여 행해지는 플라즈마 처리방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제전 때의 상기 플라즈마의 전자밀도가, 상기 처리때의 상기 플라즈마의 그것보다 작은 플라즈마 처리방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제전이, 상기 기판을 상기 프로세스 챔버(101) 바깥으로 반출한 후, 상기 기판 재치면을 접지된 도전체에 직접 접촉시키는 것에 의하여 행해지는 플라즈마 처리방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제전이, 접지된 도전성의 지지수단에 의하여 상기 기판을 상기 정전척(10)상으로부터 제거하는 것에 의하여 행해지는 플라즈마 처리방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 지지수단이, 상기 정전척(10)을 관통하여 상하운동을 하는 여러 개의 도전성 지지핀(40)을 구비하고, 상기 지지핀(40)이 상기 정전척(10)내 위로 돌출하는 것에 의하여 상기 기판과 상기 기판 재치면과의 접촉이 끊어지는 플라즈마 처리방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판 재치면상에 있는 상기 기판과 상기 기판 지지핀(40)과의 접촉상태가 수초간 유지되는 플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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