JPS58168232A - 平行平板型ドライエツチング装置 - Google Patents
平行平板型ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS58168232A JPS58168232A JP5149982A JP5149982A JPS58168232A JP S58168232 A JPS58168232 A JP S58168232A JP 5149982 A JP5149982 A JP 5149982A JP 5149982 A JP5149982 A JP 5149982A JP S58168232 A JPS58168232 A JP S58168232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- etching
- sample
- quartz plate
- samples
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、平行平板型のドライエツチング装置に関し、
特にエツチング電極を保護し、且つ被エツチング試料の
温度上昇を防止しようとするもので−ある。
特にエツチング電極を保護し、且つ被エツチング試料の
温度上昇を防止しようとするもので−ある。
技術の背景
半導体装置や磁気バブル装置などの製造プロセスでエツ
チングは電装な工程の１つである。該エツチングには湿
式と乾式があるが、本発明は後者に係る。ドライエツチ
ングではチャンバ内に試料を置門、ガスを導入し電算を
加えて電離し、発生したイオンによるスパッタリングま
たはフッ素ラジカルとの反応等によりエツチングを行な
う、エツチングしない部分はフォトレジスト膜またはメ
タル菖着羨などでマスクする。ところで微細パターンｊ
１威に用いられるフォトレジストは有機化合物ｔあるの
で、温度が高（ｉ墨と炭化する０例えばＡ Ｚ −１３
５０Ｊ ハ約ｉ５０℃で、＊たＯＭＲ−８３（いずれも
商品名）は約２００℃で炭化する。炭化したレジストは
剥離が困−になるので、以後のプロセスに支障をもたら
す、そのため、ドライエツチングでパターンを形成する
場合、試料の温度上昇を抑えるためパワーを下げなけれ
ばならない、しかしエッチレートはパワーに比例するの
で、パワーの低下はエッチレートの低下につながる。
チングは電装な工程の１つである。該エツチングには湿
式と乾式があるが、本発明は後者に係る。ドライエツチ
ングではチャンバ内に試料を置門、ガスを導入し電算を
加えて電離し、発生したイオンによるスパッタリングま
たはフッ素ラジカルとの反応等によりエツチングを行な
う、エツチングしない部分はフォトレジスト膜またはメ
タル菖着羨などでマスクする。ところで微細パターンｊ
１威に用いられるフォトレジストは有機化合物ｔあるの
で、温度が高（ｉ墨と炭化する０例えばＡ Ｚ −１３
５０Ｊ ハ約ｉ５０℃で、＊たＯＭＲ−８３（いずれも
商品名）は約２００℃で炭化する。炭化したレジストは
剥離が困−になるので、以後のプロセスに支障をもたら
す、そのため、ドライエツチングでパターンを形成する
場合、試料の温度上昇を抑えるためパワーを下げなけれ
ばならない、しかしエッチレートはパワーに比例するの
で、パワーの低下はエッチレートの低下につながる。
従来技術と問題点
従来のドライエツチング装置では被エツチング試料を載
置するエツチング電極を水冷゛して該電極の温度上昇を
、延いては該試料そのものの温度上昇を阻止するように
している。またエツチング電極は試料と同様にイオン衝
撃を受け、該イオン衝撃による損傷および温度上昇があ
るので、現在のドライエツチング装電ではエツチング電
極表面をテフロン（登録商標）シートや石英板等の絶縁
板で覆っている。このようにすると電極のダメージ等は
確かに減少するが、試料は該絶縁板を介してエツチング
電極上に載置されることになるので、試料からエツチン
グ電極への熱伝導率が低下し、エツチング電極水冷によ
る試料の温度上昇防止効果が充分に発揮できない、特に
石英板は通常数ｍｍ程度の厚みであるから、これでエツ
チング電極上を覆うとその上部に載置された試料に対す
る温度上昇防止効果は殆んど消失してしまう。
置するエツチング電極を水冷゛して該電極の温度上昇を
、延いては該試料そのものの温度上昇を阻止するように
している。またエツチング電極は試料と同様にイオン衝
撃を受け、該イオン衝撃による損傷および温度上昇があ
るので、現在のドライエツチング装電ではエツチング電
極表面をテフロン（登録商標）シートや石英板等の絶縁
板で覆っている。このようにすると電極のダメージ等は
確かに減少するが、試料は該絶縁板を介してエツチング
電極上に載置されることになるので、試料からエツチン
グ電極への熱伝導率が低下し、エツチング電極水冷によ
る試料の温度上昇防止効果が充分に発揮できない、特に
石英板は通常数ｍｍ程度の厚みであるから、これでエツ
チング電極上を覆うとその上部に載置された試料に対す
る温度上昇防止効果は殆んど消失してしまう。
発明の目的
本発明は、エツチング電極を保護し、しかも被エツチン
グ試料の温度上昇を、効果的に防止しようとするもので
ある。
グ試料の温度上昇を、効果的に防止しようとするもので
ある。
発明の構成
本発明は、平板状のエツチング電極と対向電極との間に
電圧を印加してチャンバ内ガスを電離し、該エツチング
電極上の試料をドライエツチングする平行平板型ドライ
エツチング装置において、該エツチング電極の微小距離
上方に、試料挿入用の穴を設けた平板状の絶縁板を該電
極とは非接触の状態で配投し、そして該試料は該穴を通
して該エツチング電極上に直接１贋する構造としてなる
ことを特徴とするものであるが、以下図面を参照しなが
らこれを詳細に説明する。
電圧を印加してチャンバ内ガスを電離し、該エツチング
電極上の試料をドライエツチングする平行平板型ドライ
エツチング装置において、該エツチング電極の微小距離
上方に、試料挿入用の穴を設けた平板状の絶縁板を該電
極とは非接触の状態で配投し、そして該試料は該穴を通
して該エツチング電極上に直接１贋する構造としてなる
ことを特徴とするものであるが、以下図面を参照しなが
らこれを詳細に説明する。
発明の実施例
第１１１０は平行平板型ドライエツチング装置全体を示
す断面図で、１はチャンバ、２はエッチャントガスＧの
吸気口、３はその排気口、４は０リング、５は１璽、６
は１璽５に支持された平板状の対向電極、７はその支持
体、８は平板状のエツチング電極、９はシールド材、１
０はエツチング電極８上に１！筐された被エツチング試
料、１１は高周波発振源である。高周波発振源１１の発
振周波数は１３．５６ＭＨｚで、これが電極６．８間に
印加され（電極６はアースされる）、電極間のガスを電
離してイオン、ラジカルなどを生じる。エツチング電極
８は図示せぬ冷却装置によって水冷される。容ａｌｌ内
に導入されるガスＧは、例えば５１０２ドライエン゛チ
ング用の１０−１丁ｏｒｒ程度のフレオンガス（ＣＦ
ａ） 、或いはクリーニング用の１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程度
のアルゴンガス（Ａｒ）である。
す断面図で、１はチャンバ、２はエッチャントガスＧの
吸気口、３はその排気口、４は０リング、５は１璽、６
は１璽５に支持された平板状の対向電極、７はその支持
体、８は平板状のエツチング電極、９はシールド材、１
０はエツチング電極８上に１！筐された被エツチング試
料、１１は高周波発振源である。高周波発振源１１の発
振周波数は１３．５６ＭＨｚで、これが電極６．８間に
印加され（電極６はアースされる）、電極間のガスを電
離してイオン、ラジカルなどを生じる。エツチング電極
８は図示せぬ冷却装置によって水冷される。容ａｌｌ内
に導入されるガスＧは、例えば５１０２ドライエン゛チ
ング用の１０−１丁ｏｒｒ程度のフレオンガス（ＣＦ
ａ） 、或いはクリーニング用の１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程度
のアルゴンガス（Ａｒ）である。
第２図は本発明の一実施例を示す要部構成図で、２０は
平板状の石英板、２１はこの石英板２０をエツチング電
極８の微小距離上方に支持する支持体である０石英板２
０はエツチング電極８の表面を充分に覆うことができる
面積であるが、一部に試料挿入用の穴（試料径に応じた
もの）２２を必要散設けである。エツチング電極８の表
面は石英板２０以外には他の絶縁材によって覆われては
いない、そして試料１０は穴２２を通して電極８上に直
接載置される。他は第１図と同様である。
平板状の石英板、２１はこの石英板２０をエツチング電
極８の微小距離上方に支持する支持体である０石英板２
０はエツチング電極８の表面を充分に覆うことができる
面積であるが、一部に試料挿入用の穴（試料径に応じた
もの）２２を必要散設けである。エツチング電極８の表
面は石英板２０以外には他の絶縁材によって覆われては
いない、そして試料１０は穴２２を通して電極８上に直
接載置される。他は第１図と同様である。
従って、規定数の試料ｌＯが全て＊Ｗされればエツチン
グ電極８の表面は該試料１Ｇと石英板２゜によって完全
に購われイオン量による衝撃から保護される。また試料
１ｏはエツチング電極８と直接接触しているので、イオ
ン照射で発生した試料ｌＯの熱は効率良く電極８側へ伝
導される。加えて石英板２０が電極８と非接触であるか
ら、イオン照射によって石英板２ｏ中に発生した熱が電
極Ｂ側へ伝導されることがない、これにより電極８その
ものの温度上昇が阻止されるので、試料１゜に対する冷
却能力は一層向上する。
グ電極８の表面は該試料１Ｇと石英板２゜によって完全
に購われイオン量による衝撃から保護される。また試料
１ｏはエツチング電極８と直接接触しているので、イオ
ン照射で発生した試料ｌＯの熱は効率良く電極８側へ伝
導される。加えて石英板２０が電極８と非接触であるか
ら、イオン照射によって石英板２ｏ中に発生した熱が電
極Ｂ側へ伝導されることがない、これにより電極８その
ものの温度上昇が阻止されるので、試料１゜に対する冷
却能力は一層向上する。
第３図はこれを証明する態度特性図で、曲線（イ）は本
発明に係る石英板２ｏを使用したもの、曲線（ロ）はこ
の石英板２ｏを使用せずに試料を直接エツチング電極上
にＩｌｌ！したものである。測定は、エッチャントガス
Ｇとしてガス圧０．０１５Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ）
ガスを使用し、パワー２５０Ｗ１パワー密度０．４Ｗ／
−で行なわれた。同図から明らかなように曲線（イ）の
温度上昇は曲線（ロ）より遅い、これは石英板２ｏをエ
ツチング電極８から浮かせたことに起因する。尚、本発
明に係る石英板２０を使用せず、しかも試料１０とエツ
チング電極８の間にイオン阻止材を介在させた場合には
その温度特性曲線は熱伝導率の低下で曲線（ロ）より更
に上方に描かれるはずである。
発明に係る石英板２ｏを使用したもの、曲線（ロ）はこ
の石英板２ｏを使用せずに試料を直接エツチング電極上
にＩｌｌ！したものである。測定は、エッチャントガス
Ｇとしてガス圧０．０１５Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ）
ガスを使用し、パワー２５０Ｗ１パワー密度０．４Ｗ／
−で行なわれた。同図から明らかなように曲線（イ）の
温度上昇は曲線（ロ）より遅い、これは石英板２ｏをエ
ツチング電極８から浮かせたことに起因する。尚、本発
明に係る石英板２０を使用せず、しかも試料１０とエツ
チング電極８の間にイオン阻止材を介在させた場合には
その温度特性曲線は熱伝導率の低下で曲線（ロ）より更
に上方に描かれるはずである。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、エツチング電極を保
護し、しかも試料の温度上昇を防止できる利点がある。
護し、しかも試料の温度上昇を防止できる利点がある。
尚、石英板を他の絶縁板としても同様の効果が期待でき
る。
る。
第１図は平行平板型ドライエツチング装贋の構成図、第
２図（ａｌ （ｂｌは本発明の一実施例を示す要部の平
面図および断面図、第３図は温度特性図である。 図中、６は対向電極、８はエツチング電極、１０は試料
、２０は石英板（絶縁板）、２１はその支持体、２２は
試料挿入用の穴である。 出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔
２図（ａｌ （ｂｌは本発明の一実施例を示す要部の平
面図および断面図、第３図は温度特性図である。 図中、６は対向電極、８はエツチング電極、１０は試料
、２０は石英板（絶縁板）、２１はその支持体、２２は
試料挿入用の穴である。 出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 青 柳 稔
Claims (1)
- 平板状のエツチング電極と対向電極と６間に電圧を印加
してチャシバ内ガスを−離し、該エツチング電極上の試
料をドライエツチングする平行平板型ドライエツチング
装置において、該エツチング電極の微小距離上方に、試
料挿入用の穴を投けた平板状の絶縁板を該電極とは非接
触の状態で配投し、そして該試料は該穴を通□して該エ
ツチング電極上に直接１置する構造としてなることを特
徴とする平行平板型ドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149982A JPS58168232A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 平行平板型ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149982A JPS58168232A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 平行平板型ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168232A true JPS58168232A (ja) | 1983-10-04 |
| JPH0324777B2 JPH0324777B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=12888664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149982A Granted JPS58168232A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 平行平板型ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152435U (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-28 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5241101A (en) * | 1975-09-30 | 1977-03-30 | Komatsu Mfg Co Ltd | Boring device |
| JPS5461474A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-17 | Hitachi Ltd | Plasma disposal unit |
| JPS5647950U (ja) * | 1979-09-19 | 1981-04-28 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5149982A patent/JPS58168232A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5241101A (en) * | 1975-09-30 | 1977-03-30 | Komatsu Mfg Co Ltd | Boring device |
| JPS5461474A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-17 | Hitachi Ltd | Plasma disposal unit |
| JPS5647950U (ja) * | 1979-09-19 | 1981-04-28 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152435U (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-28 | ||
| JPH0451473Y2 (ja) * | 1986-03-19 | 1992-12-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324777B2 (ja) | 1991-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5013632B2 (ja) | プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング | |
| KR940011662A (ko) | 이방성 에칭방법 및 장치 | |
| KR930018671A (ko) | 플라즈마 처리방법 | |
| JPH01312087A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH04279044A (ja) | 試料保持装置 | |
| JPS627270B2 (ja) | ||
| JPS6210687B2 (ja) | ||
| JPS58168232A (ja) | 平行平板型ドライエツチング装置 | |
| JPH07169745A (ja) | 平行平板型ドライエッチング装置 | |
| JP3180438B2 (ja) | プラズマ処理装置被処理基板固定方法 | |
| JPH08311666A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2885150B2 (ja) | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法 | |
| JP3173692B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH03177020A (ja) | エッチング装置 | |
| JPH0476495B2 (ja) | ||
| JP2002164329A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3252167B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2675612B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH02268429A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP2906505B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3082702B2 (ja) | プラズマ処理装置及び金属配線のエッチング方法 | |
| JPH01200629A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0936094A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS59124724A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JP2005136165A (ja) | ドライエッチング装置 |