KR970013077A - 반도체 제조장치 및 그 드라이클리닝 방법 - Google Patents

반도체 제조장치 및 그 드라이클리닝 방법 Download PDF

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니시무로 타이조
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Abstract

본 발명은, ECR현상에 의해 플라즈마 생성을 행하는 반도체장치에 있어서, 챔버내벽 전역에 퇴적한 반응생성물을 드라이클리닝에 의해 제거하고 발진을 제어하여 드라이클리닝의 소정시간을 단축하다.
ECR현상에 의한 플라즈마 생성용의 플라즈마실(10) : 이온원)과, 플라즈마실로 마이크로파를 도입하기 위한 마이크로파 도파관(12), 플라즈마실의 외측에 설치된 자기코일(13), 처리대상인 반도체 웨이퍼(1)를 수용하고 플라즈마실의 플라즈마 인출창에 이어진 반응실(14), 반응실 내에 설치되어 반도체 웨이퍼를 재치하기 위한 시료대(17) 및, 반응실의 챔버측벽에 RF바이어스를 인가하기 위한 고주파전원(23)을 구비하여 이루어진다.

Description

반도체 제조장치 및 그 드라이클리닝 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 ECR에칭장치의 구성의 일례를 개략적으로 나타낸 도면.

Claims (7)

  1. 전자사이클로트론 공조현상에 의해 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마실(10)과, 이 플라즈마실(10)과 마이크로파를 도입하기 위한 마이크로파 도파관(12), 상기 플라즈마실(10)의 외측에 설치된 자기코일(13), 처리대상인 반도체 웨이퍼를 수용하고 상기 플라즈마실(10)의 플라즈마 인출장에 이어진 반응실(14), 이 반응실(14)내에 설치되어 상기 반도체 웨이퍼를 재치하기 위한 시료대(17) 및, 상기 반응실(14)의 내벽에 고주파바이어스를 인가하기 위한 고주파 전원(23)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 전자사이클로트론 공조현상에 의해 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마실(10)과, 이 플라즈마실(10)로 마이크로파를 도입하기 위한 마이크로파 도파관(12), 상기 플라즈마실(10)의 외측에 설치된 자기코일(13), 에칭처리의 대상인 반도체 웨이퍼를 수용하고 상기 플라즈마실(10)의 플라즈마 인출장에 이어진 반응실(14), 이 반응실(14)내에 설시 되어 상기 반도체 웨이퍼를 재치하기 위한 시료대(17), 이 시료대(17)에 고주파바이어스를 제1 소정기간 인가하기 위한 제1고주파 전원(19) 및, 상기 반응실(14)의 챔버측벽에 고주파바이어스를 제2소정기간 인가하기 위한 제2고주파 전원(23)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 마이크로파 도파관(12)에 의해, 도입되는 마이크로파와 자기코일(13)로 구성되는 자장의 상호작용에 의해 전자 사이크로트론 공조현상을 일으킴으로써 플라즈마실(10)중에 고밀도의 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마를 이용하 반응실(14)의 챔버내벽에 퇴적부착하고 있는 반응생성물을 제거하기 위한 드라이클리닝을 행하는 경우에, 상기 플라즈마실(10)로부터 발산자계에 의한 자장기울기로 일어나는 전계를 이용하여 이온을 상기 반응실(10)측으로 인출하여 서 상기 반응실(10)의 측벽에 고주파바이어스를 인가한 상태로 클리닝을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 치의 드라이클리닝 방법.
  4. 내부에 반도체 웨이퍼가 수용가능한 챔버(40)와, 이 챔버(40)에 설치되어 챔버 외부로부터 입사되는 레이저광을 통과시켜 상기 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하는 것이 가능한 레이저광 도입창(41), 이 레이저광도입창(41) 외측의 둘레부에 걸쳐 설치된 링형상의 전원, 상기 전극에 고주파바이어스를 인가하기 위하여 설치된 고주파 공급관 (43), 상기 챔버(40)에 설치되어 챔버(40)외부로부터 소정의 가스를 챔버내부로 도입하기 위한 가스도입구(44)를 구비 하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 내부에 반도체 웨이퍼가 수용가능한 챔버(40)와, 상기 챔버(40)에 설치되어 챔버(40)외부로부터 입사되는 레이저광을 통과시켜 상기 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하는 것이 가능한 레이저광 도입창(41), 상기 레이저광 도입창(41)의 외면측에 장착 · 이탈 자유자재로 설치된 전극(42a), 상기 전극에 고주파바이어스를 인가하기 위하여 설치된 고주파 공급원(43), 상기 챔버(40)에 설치되어 챔버(40)외부로부터 소정의 가스를 챔버(40)내부로 도입하기 위한 가스도입구(44)를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  6. 제5항에 있어서, 반도체 제조장치에 있어서 상기 전극(42a)은 상기 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하는 기간중에는 상기 레이저광 도입창(41)의 외면측을로부터 이탈한 상태로 설정되고, 상기 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하지 않는 기간내 임의의 기간에는 상기 레이저광 도입창(41)의 외면측에 장착된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  7. 레이저광 도입창(41)을 갖춘 챔버(40)내에 반도체 웨이퍼를 수용하고, 상기 챔버의 외부로부터 입사되는 레이저광을 상기 레이저광 도입창(41)을 통하여 상기 반도체 웨이퍼상에 조사하는 경우, 상기 챔버(40)내에 가스를 도입함과 더불어 상기 레이저광 도입창(41)의 외면측 바깥둘레부에 걸쳐 링형상의 전극에 고주파전력을 인가함으로써 플라즈마 방전에 의해 상기 레이저광 도입창(41)의 내측을 스팩터링시켜 상기 레이저광 도입창(41) 내측의 부착물을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 드라이클리닝 방법.
KR1019960036656A 1995-08-30 1996-08-30 반도체 제조장치 및 그 드라이클리닝 방법 KR100272143B1 (ko)

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