JPH03236231A - 半導体集積回路製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｃｇｓ上の利用分野〕 本発明は半導体基板上に形成されたレジスト膜を酸素を
主体とした混合ガスプラスマにより灰化除去する装置に
関するものである。

〔従来の技術〕

従来の装置は、例えば、特開平１−１１７０３３号公報
に記載のように高周波電界によるプラズマに、マイクロ
波で励起した酸素を主体とするガスを供給して、レジス
トを除去するようになっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、半導体基板をプラズマの７０−ティン
グポテンシャルに晒してレジストを除去するものである
が、イオンのポテンシャルが小さく、特にイオン打込装
置Ｊ？、イオンアシストエツチング装置などでそのレジ
ストが硬化したものについてはレジスト除去が充分でな
（、酸素イオンのポテンシャルを上げる工夫がなされて
いなかった。

本発明は、上述の硬化されたレジストを効率良曵灰化除
去することを目的としており、それに合致した装置を提
供することを目的とする。

〔Ｓ−を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、マイクロ波は酸素ガスを励起
して供給するのではなく、処理室に直接放射されて酸素
ガスを主体とする混合ガスプラスマを発生させる。また
、１ｌｉ１１周波電力も、半導体基板に対向した電極に
供給されて、半導体基板を物理的なダメージを与えない
範囲で酸素イオンの衝突エネルギを制御するものである
。

〔作　　　用〕

半導体基板上のレジストに適度なエネルギを持った酸素
イオンが衝突し、プラズマから供給される酸素ラジカル
、酸素分子などを活性化させ、レジストをＣＯやＣ０２
の分子等に変換し揮発除去する。このときの酸素イオン
エネルギを高周波電力と、半導体基板を設置した試料台
との間で制御するものである。

〔実　施　例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。半導
体基板１は試料台２の上に置かれ、試料台２は可変抵抗
器３を介してアースされている。

半導体基板の周りはマイクロ波を透過する石英などの絶
縁カバー４で覆う。絶縁カバー４の外側は金属円筒５で
覆われる。マイクロ波はマグネトロン（図示していない
）から放射されて、導波管６に導かれ、金属円筒５の上
部に明けられた穴より、絶縁カバー４で形成された真空
室に導入される。

金属円筒の上端には絶縁体７を介して、高周波電極８が
設置される。高清波電極８と試料台２との間で放電を生
じさせ、可変抵抗器３により適度な高周波バイアスを試
料台並びに半導体基板１に印加させる。

マイクロ波によって励起された酸素を主体とする混合ガ
スプラスマから酸素イオン、酸素ラジカルが供給され、
半導体基板１上のレジストと反応が生じる。

この効果により、物理的なダメージを与えない範囲で、
酸素イオンをレジストに衝突させることができるので、
イオン打込装置や、イオンアシストエツチング装置によ
って硬化したレジストでも容易に除去できる。

反応生成物は速やかに真空排気口９から除去され、新鮮
な酸素を主体とする混合ガスはガス供給口ｌＯから導入
される。なお、真空排気口９やガス供給口１０は真空室
１１に配置される。

なお、試料台２は加熱や冷却機構が備わっており、半導
体基板の温度制御ができるようになっているのは当然の
ことである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、酸素イオンエネルギを物理的なダメー
ジが生じないレベルに制御でき、かつ酸素イオンの衝突
により、硬化したレジストを効率よく除去できる。

【図面の簡単な説明】

′！Ｊ１図は本発明の一実施例を示す半導体集権回路製
造装政の縦断面図である。 １−・・・・・半導体基板、２・・・・・・試料台、３
・・・・・・可変抵抗器、４・・・・・・絶縁カバー　
５・・・・・・金属円筒、６・・−導波管、７・−・・
・・絶縁体、８・・・・・・高周波電極、９・・・・・
・真空排気口、ｌＯ・・・・・・ガス供給口、ｎ−−−
−・真空室、ν・・・・・・高周波電源

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体基板上に形成されたレジスト膜を酸素を主体
   とした混合ガス中において、混合ガスをマイクロ波によ
   り励起し、ガスプラスマを発生させてレジスト膜を灰化
   する装置において、半導体基板に対向した位置に設けた
   電極に高周波電力を印加し、そのポテンシャルにより酸
   素イオンなどを加速させる機構を設けた半導体集積回路
   製造装置。