JP2009059747A - ドライエッチング装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エッチングチャンバー2内の上部にガス導入部6をもつドライエッチング装置では、エッチングチャンバー2内にクリーニングガスを導入し、エッチングチャンバー2内の上部でプラズマ14の密度が高くなるようにエッチングチャンバー2にプラズマを発生させる。
【選択図】図1
Description
図1は本発明が適用されるドライエッチング装置の一例としての磁気中性子放電(NLD:Neutral Loop Discharge)プラズマ処理装置を概略的に表したものである。チャンバー2は円筒状であり、底部に被エッチング物が載置される基板電極4が設けられている。チャンバー内の上部にはエッチングガス又はクリーニングガスを供給するガス供給部6が配置されている。この例の装置ではエッチングガス又はクリーニングガスはチャンバー2内の上部の周囲隅部から均等にチャンバー内に供給されるように、出口が円周上に配置されている。チャンバー2内にプラズマを発生させるために、高周波電力を供給する電極又はアンテナがチャンバー内又はチャンバーの外側の周囲に配置(図示略)されている。更にチャンバー2の外周側方を取りまく3つの磁場コイル8a,8b,8cが配置されており、磁場コイル8aが最も高い上段位置、磁場コイル8bが中段の位置、磁場コイル8cが最も低い下段位置となるように配置されている。チャンバー20内を排気するためにチャンバー20には排気系28が設けられている。
ガラス基板のドライエッチング条件は、反応ガスとしてCF4を50sccmの流量でチャンバーに供給し、真空度を1mTorrとし、プラズマを発生させるための高周波電源電力(アンテナ電力)を1000W、基板電極4に印加するバイアス電力を500Wとする。磁場コイル8aには30A、磁場コイル8bには50A、磁場コイル8cには30Aの電流を流し、磁場コイル8aと8cへの通電方向は磁場コイル8bと反対方向とする。その条件で7分間加工してガラス基板をエッチングする。クリーニングは7分間のエッチング処理ごとに2分間行なう。
(従来条件)
これは従来からも行なわれているクリーニング条件である。反応ガスとして酸素を流量100sccmで供給し、真空度を2mTorr、アンテナ電力を1000W、バイアス電力0とする。磁場コイル8a〜8cへの通電は、磁場コイル8aが0,磁場コイル8bが50A、磁場コイル8cが0である。
反応ガス、真空度、アンテナ電力及びバイアス電力の条件は従来条件と同じである。磁場コイル8a〜8cへの通電は、磁場コイル8aが30A、磁場コイル8bと8cが0である。すなわち、磁場コイル8a〜8cへの通電条件以外は従来条件も実施例の条件も同じである。
図3は本発明を平行平板型CCP(Capacitor Coupled Plasma)エッチング装置に適応した実施例を表したものである。チャンバー20内の下部に被エッチング物を載置するとともにバイアス電圧を印加するための基板電極22が配置され、チャンバー20内の上部にはガス導入口24が設けられ、ガス導入口24につながるガス導入部26がチャンバー20内の上部に設けられている。ガス導入部26は多数の開口をもつ板状をなしている。ガス導入部26により、チャンバー20内では上部から一様に反応ガス又はクリーニングガスが供給されるようになっている。チャンバー20内を排気するためにチャンバー20には排気系28が設けられている。
4,22 基板電極
6,26 ガス供給部
8a,8b,8c 磁場コイル
12,14,34,36 プラズマ
30,32 高周波電源
Claims (3)
- エッチングチャンバー内の上部にガス導入部をもつドライエッチング装置において、
前記エッチングチャンバー内にクリーニングガスを導入し、
前記エッチングチャンバー内の上部でプラズマ密度が高くなるようにエッチングチャンバーにプラズマを発生させる
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 前記ドライエッチング装置はエッチングチャンバーの外周側方を取り巻く複数の磁場コイルが互いに高さを異ならせて配置されている磁気中性線放電プラズマ処理装置であり、
クリーニング時にはそれらの磁場コイルのうちの上部に配置されたものを選択的に作動させることにより前記エッチングチャンバー内の上部でプラズマ密度が高くなるようにエッチングチャンバーにプラズマを発生させるようにする請求項1に記載のクリーニング方法。 - 前記ドライエッチング装置はエッチングチャンバー内の下部に被エッチング物を載置する基板電極が配置され、エッチングチャンバー内の上部には基板電極に対向して陽極が配置され、陽極に高周波電力が供給され基板電極にバイアス電源が供給されることにより被エッチング物のプラズマエッチング処理がなされる平行平板型エッチング装置であり、
クリーニング時には基板電極へのバイアス電源供給を遮断することにより前記エッチングチャンバー内の上部でプラズマ密度が高くなるようにエッチングチャンバーにプラズマを発生させるようにする請求項1に記載のクリーニング方法。
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