TW201400206A - 基於輝光放電等離子體之正柱區以供光罩和晶圓檢測系統之表面及組件清潔的系統及方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示基於輝光放電等離子體之正柱區以供光罩和晶圓檢測系統之表面及組件清潔的系統及方法。該表面可為真空室中之光學組件或真空室內壁之表面。可使用陰極及陽極來產生該輝光放電等離子體。可隔離與該陰極相關聯之負輝光且可使用與該陽極相關聯之該正柱區來清潔該真空室之該光學組件或該內壁。因此，可實施在該真空室中進行清潔之原位清潔製程。

Description

基於輝光放電等離子體之正柱區以供光罩和晶圓檢測系統之表面及組件清潔的系統及方法 相關申請案交叉參考

本申請案在35 U.S.C § 119(e)(1)下主張美國臨時專利申請案第61/619,627號之優先權，該申請案係於2012年4月3日提出申請且標題為「Method of Surface Cleaning Utilizing Glow Discharge Plasmas for an EUV Reticle Inspection System and E-beam Inspection System for Masks and Wafers」，其以引用方式併入本文中。

本發明係關於清潔光罩及晶圓檢測系統之表面。在一些實施例中，本揭示內容係關於使用輝光放電等離子體之正柱區清潔光罩或晶圓檢測系統之表面。

習用清潔等離子體系統及方法利用輝光放電等離子體來清潔或改質(例如，蝕刻)表面。輝光放電等離子體可藉由其上施加電壓之電極(例如，陽極及陰極)形成。通常，輝光放電等離子體包含在陰極上方形成之負輝光及在陽極上方形成之正柱區。輝光放電等離子體之負輝光可產生高能離子且輝光放電等離子體之正柱區可產生低能離子及 電子。由於正柱區產生低能離子及電子，故該等離子及電子通常與較低動能相關聯。因此，習用清潔等離子體系統不使用輝光放電等離子體之正柱區，而是使用輝光放電等離子體之負輝光及相關高能離子來清潔材料之表面。

在負輝光中清潔材料具有若干缺點。舉例而言，由負輝光產生之離子的高動能可使置於負輝光中之材料之表面粗糙化。此外，負輝光往往具有較小工作面積或容量且受限於自陰極清潔之視線。因此，負輝光不應用於清潔敏感材料(例如包括鏡及透鏡之光學部件)，此乃因高能離子粗糙化光學部件表面之效應將使其光學性質降格。此外，由於負輝光受限於來自陰極之視線且往往具有較小工作面積，故負輝光不可有效地用於清潔室之內表面(例如，真空室之壁)。

因此，業內需要清潔光罩及晶圓檢測系統中所用之敏感材料(例如光學部件)及室之系統及方法。舉例而言，可使用輝光放電等離子體之正柱區來清潔光學組件(例如，鏡及透鏡)及室之內壁。

在一些實施例中，裝置可包含經組態以接收電波形之光罩或晶圓檢測室。該室可進一步包含與該室相關聯之陽極及陰極。陽極及陰極可經組態以使得在陽極與陰極之間施加電壓時，在陽極附近形成輝光放電等離子體之正柱區且其可用於基於電波形清潔室。

在一些實施例中，該室係用於光罩或晶圓檢測之真空室，且在一些實施例中，係用於與極紫外線(EUV)微影製程、超高真空(UHV)製程或電子束微影製程結合使用之光罩或晶圓檢測系統的真空室。

在一些實施例中，陰極及陽極進一步經組態以接收直流電(DC)信號以產生電壓。在相同或替代實施例中，陰極及陽極在室之內部。

在一些實施例中，陰極係在室內部之障壁後方。在替代實施例中，陽極係在室內部且陰極係在耦合至室之凸緣內部。

裝置可進一步包含與室相關聯且用以固持包含欲在正柱區中清潔之光學表面之材料的機械支撐件。

100‧‧‧輝光放電等離子體環境

110‧‧‧陰極

112‧‧‧陰極輝光

114‧‧‧負輝光

116‧‧‧帶正電離子

120‧‧‧法拉第暗區

130‧‧‧陽極

132‧‧‧陽極輝光

134‧‧‧正柱區

136‧‧‧帶負電電子及離子

200‧‧‧輝光放電等離子體環境

210‧‧‧材料

222‧‧‧機械支撐件

230‧‧‧離子或電子

232‧‧‧帶正電離子

300‧‧‧表面清潔組態

310‧‧‧室

400‧‧‧表面清潔組態

410‧‧‧室

420‧‧‧凸緣

510‧‧‧電子

520‧‧‧碳污染物

530‧‧‧導電表面

610‧‧‧帶正電氫離子

612‧‧‧碳污染物

630‧‧‧甲烷粒子

圖1圖解說明一些實施例之實例性輝光放電等離子體環境的圖。

圖2圖解說明本揭示內容之一些實施例之輝光放電等離子體環境之正柱區的圖。

圖3圖解說明一些實施例之基於輝光放電等離子體之正柱區之實例性表面清潔組態的圖。

圖4圖解說明一些實施例之基於輝光放電等離子體之正柱區之實例性室表面清潔組態的圖。

圖5A圖解說明來自輝光放電等離子體之正柱區的電子與基板上之污染物相互作用之實例。

圖5B圖解說明來自輝光放電等離子體之正柱區的電子與基板上之污染物之效應的實例。

圖6A圖解說明來自純化氣體的氫離子與基板上之輝光放電等離子體之正柱區及污染物相互作用之實例。

圖6B圖解說明來自純化氣體之氫離子對基板上之污染物之效應的實例。

圖7圖解說明一些實施例之清潔室之實例性方法的流程圖。

圖1圖解說明實例性輝光放電等離子體環境100之圖。一般而言，輝光放電等離子體環境100可包含陰極110與相關聯陰極輝光112及負輝光114以及陽極130與相關聯之陽極輝光132及正柱區134。

如圖所示，陰極110及陽極130可用於產生輝光放電等離子體(例如，包含負輝光114及正柱區134)。輝光放電等離子體可藉由使電流通過低壓且稀薄之氣體介質來形成。在一些實施例中，該稀薄氣體介 質可在1/10托與300托之間之壓力下。該電流可藉由在電極對(例如，陰極110及陽極130)之間施加電壓來產生。在一些實施例中，在電極對之間施加之電壓達到特定值或臨限值時，稀薄氣體介質可開始電離且形成等離子體區。舉例而言，陰極輝光112可毗鄰陰極110形成且負輝光114可毗鄰陰極輝光112形成，且陽極輝光132可毗鄰陽極130形成且正柱區134可毗鄰陽極輝光132形成。因此，負輝光114可在陰極110附近或上方形成且正柱區134可在陽極130附近或上方形成。法拉第暗區(faraday dark space)120可分離負輝光114與正柱區134。

在電極對之間施加電壓可引起稀薄氣體介質之原子電離。帶正電離子116可因其負電勢被吸引至陰極110或被驅向陰極110，且帶負電電子及離子136因其正電勢被吸引至陽極130或被驅向陽極130。離子116及電子及離子136可與其他原子(例如，稀薄氣體介質之原子)碰撞且使該等原子電離。與離子116碰撞可產生亦被吸引向陰極110之高能帶正電離子，而與電子及離子136碰撞可產生被吸引向陽極130之低能帶負電離子及電子。因此，由於高能離子被吸引向陰極110，故負輝光114可包含用於具有高動能之高能離子之路徑，其可對陰極110或放置於負輝光114內或沐浴於負輝光114中之物品(例如，室之基板或壁)產生攻擊性較強或較高能量之衝擊。此外，高能離子對陰極110之衝擊可引起材料(例如，自由原子)自陰極噴出(例如，濺射)。相反地，由於相對低能離子及電子被吸引向陽極130，故正柱區134可包含具有較低動能之低能離子及電子，其可對陽極130或放置於正柱區134內或沐浴於正柱區134中之物品(例如，室之基板或壁)產生攻擊性較弱或較低能量之衝擊。

圖2圖解說明輝光放電等離子體環境200之正柱區之圖。一般而言，輝光放電等離子體之正柱區134可用於清潔材料210。

如圖2中所示，材料210可放置於與陽極130相關聯之正柱區134 內。如前文所揭示，正柱區134可包含具有低動能之離子及電子。因此，帶負電離子或電子230可被吸引向陽極130且通過正柱區134。由於材料210放置於正柱區134內，故離子或電子230可衝擊材料210。相反，帶正電離子232可被吸引向陰極且遠離陽極130。因此，具有較高動能之離子232可不撞擊或衝擊正柱區134中之材料210。

在一些實施例中，可將材料210藉由機械支撐件222放置至正柱區134中。舉例而言，機械支撐件222可將材料210固持於正柱區134之路徑中。在一些實施例中，機械支撐件222包括導電材料。因此，若材料210係導電材料或包含導電表面，則傳輸至或發送至機械支撐件222之電信號(例如，電波形)亦可傳輸至或發送至材料210。

如圖2中所示之材料210可為任何類型之基板，包括但不限於光學基板。舉例而言，材料210可為在用於極紫外線(EUV)微影、超高真空(UHV)應用、電子束處理或包括敏感光學組件之任何應用或製程之光罩及晶圓檢測系統中之光學組件。作為實例，材料210可為用於電子束處理中之一般金屬表面。舉例而言，材料210可包含用於電子束處理室中之電子光學部件。在一些實施例中，材料210可包含多層反射光學表面(例如，鏡)。舉例而言，材料210可為用於EUV微影應用、UHV應用或電子束應用中之光罩及晶圓檢測系統中所用的鏡，且該材料包含反射性覆蓋層。在一些實施例中，覆蓋層可為釕膜、鉑蓋、碳層或任何其他類型之金屬層。因此，材料210可為在用於EUV、UHV或電子束系統之光罩及晶圓檢測系統中使用之具有釕覆蓋層的鏡。在EUV、UHV或電子束系統之一些應用中，可在用於檢測系統之室中之鏡之釕覆蓋層上隨時間形成污染物。舉例而言，由於釕具有化學反應性且EUV製程將釕暴露於氣體，故可在釕覆蓋層上形成污染物，例如基於碳之污染物(例如，源自光阻劑除氣，用於EUV製程中之氣體等)及/或氧化材料。在釕覆蓋層上該等污染物之形成可使鏡 之品質(例如，反射率)降格。因此，對釕覆蓋層之損害亦可使鏡之反射率降格，且因此使用於EUV、UHV或電子束製程之光罩及晶圓檢測系統之操作降格。若材料210包含釕覆蓋層且將其放置至輝光放電等離子體環境之負輝光(例如，負輝光114)中，則高動能離子(例如，離子232或離子116)將可能藉由移除一部分釕層及使釕表面粗糙化而損害釕覆蓋層之表面，由此使鏡之反射率降格。然而，若材料210包含釕覆蓋層且將其放置至輝光放電等離子體環境之正柱區134中，則釕覆蓋層之表面可能不會被粗糙化，此乃因代之以低動能離子及電子來撞擊材料210。因此，已在釕層上形成之污染物可藉由較低動能離子及電子來移除，且可使釕覆蓋層保持不變(例如，不會被粗糙化)，此乃因較低動能離子及電子不會使釕覆蓋層發生物理濺射。此外，由於無與陽極130相關聯之顯著濺射，故與先前論述之與陰極110相關聯之濺射(例如，陰極中由於高動能衝擊而釋放之自由原子)相反，與陽極130相關聯之污染物(例如，自由原子)不存在或減至最少。

如先前所揭示，材料210可擱置於導電機械支撐件222上。此外，材料210可包含導電表面(例如，釕覆蓋層)。在一些實施例中，可將電波形或信號施加至機械支撐件222且隨後施加至材料210之導電表面。端視引入輝光放電等離子體環境200之氣體混合物及施加至材料210之表面之電波形或信號而定，可在材料210之表面處發生特定類型之反應。舉例而言，電波形可控制被吸引向陽極130並穿過正柱區134之離子及電子的能量。因此，電波形可決定撞擊正柱區134中之材料210之離子及電子的動能。此外，引入輝光放電等離子體環境200之特定背景氣體亦可與材料210之表面上之特定污染物反應。因此，可施加或引入電波形及背景氣體以在材料210之表面處驅動特定反應或結果(例如，化學反應)。在一些實施例中，可施加並引入電波形或信號及背景氣體以移除釕覆蓋層上之碳污染物。結合圖5A、5B、6A及 6B揭示關於該等製程之其他詳細內容。關於使用電波形或信號及背景氣體之其他詳細內容大體上揭示於標題為「Electrode Type Glow Discharge Apparatus」之美國專利第4,031,424號、標題為「Method and Apparatus for Low Energy Electron Enhanced Etching of Substrates」之美國專利第6,027,663號、標題為「Method and Apparatus for Low Energy Electron Enhanced Etching and Cleaning of Substrates in the Positive Column of a Plasma」之美國專利第6,033,587號及標題為「Method and Apparatus for Low Energy Electron Enhanced Etching of Substrates in an AC or DC Plasma Environment」之美國專利第6,258,287號中，所有該等案件皆以引用方式併入本文中。

在一些實施例中，輝光放電等離子體環境200可為室之一部分(例如，用作EUV、UHV或電子束系統之部分之真空室或其他類型之室)。因此，對於用於EUV、UHV或電子束系統之光罩及晶圓檢測，柱134之使用可係原位使用。舉例而言，該室可用於實施與EUV、UHV或電子束製程相關聯之檢測操作，且用正柱區134清潔材料210可在同一室中實施。因此，該室之第一操作可包括使用用於與EUV、UHV、電子束或類似製程相關聯之光罩及晶圓檢測之光學組件，且該室之第二操作可包括使用如本文所揭示之正柱區134之清潔步驟。

圖3圖解說明基於輝光放電等離子體之正柱區之實例性表面清潔組態300的圖。一般而言，組態300可包含室310，其具有角或幾何結構或形狀，使得負輝光114可不與材料210相互作用，而正柱區134可與材料210相互作用。

如圖3中所示，室310可包含角，以便可將陰極110放置於第一角後方且可將陽極130放置於第二角後方或周圍。因此，亦可在第一角周圍形成陰極輝光112及負輝光114。在一些實施例中，可在第二角周圍形成陽極輝光132。然而，正柱區134可在室310之第二角周圍彎 曲。在一些實施例中，施加於陰極110與陽極130之間之電壓之量可決定正柱區134可達到之大小、面積或程度。舉例而言，增加施加於陰極110與陽極130之間之電壓可增大正柱區134之可達範圍(reach)。此外，正柱區134可在角周圍彎曲。因此，可在陰極110與陽極130之間施加特定電壓以決定正柱區134之特定可達範圍。

材料210可放置於機械支撐件222上且正柱區134之可達範圍可涵蓋材料210。然而，負輝光114可能未達到或涵蓋材料210。因此，與正柱區134相關聯之較低動能離子及電子可衝擊材料210，但與負輝光114相關聯之較高動能離子可與材料210隔離且來自陰極110之任何濺射(例如，由於較高動能離子撞擊陰極110而釋放之自由原子)可藉由室310之第一角與材料210隔離。舉例而言，自陰極110釋放之該等自由原子可沈積於陰極110附近第一角後方之壁上，而非沈積於材料210上。在替代實施例中，陰極110可放置於障壁後方以使負輝光114在障壁後方且來自陰極110之濺射僅在障壁之壁上產生材料沈積。

儘管對於室310顯示特定幾何結構，但對於室310可利用任何類型之幾何結構或形狀。舉例而言，在一些實施例中，可使用任何將陰極110與材料210隔離或分開之形狀或組態之室。此外，對於用於EUV、UHV或電子束製程之檢測系統，室310可係原位使用。

圖4圖解說明基於輝光放電等離子體之正柱區之室410之實例性表面清潔組態400的圖。一般而言，可使用正柱區(例如，正柱區134)自室410之一或多個壁移除污染物。

如圖4中所示，室410可包含各種壁及部分。室410之實例包括(但不限於)真空室、EUV微影室、超高真空(UHV)室、電子束檢測室、晶圓檢測室或與材料製作相關聯之任何製程室。在一些實施例中，室410可耦合至或包含凸緣(例如，真空凸緣)。舉例而言，凸緣420可耦合至室410且陰極110可放置於凸緣420中。類似地，陽極130可放置於 凸緣中或可放置於室410之本體中(例如，附著至室之壁)。因此，陰極輝光112及負輝光114可隔離至凸緣420中且來自陰極110之任何材料濺射可受限於凸緣420之區域且與室410之剩餘部分隔離。因此，凸緣420之大小可涵蓋或含有整個陰極110及其相關聯之陰極輝光112及負輝光114。此外，來自陽極130之正柱區134可藉由將電波形或信號施加至室410自身(例如，室410用作電極)填充室410之空間。由於正柱區134可在角周圍彎曲，故正柱區134端視施加至室410之電波形或信號可達到室410之一些或所有部分(例如，角後方之區域)。因此，可藉由正柱區134清潔室410之壁且來自陰極110之任何濺射可受限於凸緣420中。

在一些實施例中，可將陰極110及陽極130螺栓固定至室(例如，室410)之側面。在相同或替代實施例中，陰極110及/或陽極130可放置於耦合至室內壁之移動螺栓上以清潔室之特定區域。舉例而言，陰極110及/或陽極130可藉由使用移動螺栓在室(例如，室410)周圍之點間移動，以靶向室410之欲清潔部分(例如，內壁)或靶向放置於作為EUV、UHV或電子束相關製程之部分之室410中之組件(例如，光學組件，例如鏡)。因此，可基於正柱區134實施對室410之壁及/或用於室410中之光學組件之原位清潔。

此外，在一些實施例中，可藉由利用外部紅外燈或加熱帶、加熱純化氣體及/或加熱陰極加熱室410來輔助清潔室410之壁。該加熱之溫度範圍可為自環境溫度至約350℃之溫度。

圖5A圖解說明來自輝光放電等離子體之正柱區(例如，正柱區134)的電子510與基板(例如，材料210)上之污染物相互作用之實例。一般而言，電子510可被引導或被吸引向陽極(例如，陽極130)並撞擊或衝擊在放置於正柱區中之材料210之表面上形成之污染物。材料210可包含上面形成有污染物之導電表面530(例如，釕覆蓋層)。舉例而 言，碳原子可沈積於表面530上。可將電波形或信號施加至機械支撐件222且隨後施加至導電表面530。在一些實施例中，電波形或信號可包含正電場或正波形。所施加波形或信號可控制電子510之能量。舉例而言，正波形或信號之振幅可決定電子510可撞擊或衝擊導電表面530上形成之污染物所用之能量。在一些實施例中，正電場或波形之較高振幅可使電子510具有較高動能且因此以更大能量撞擊或衝擊導電表面530上形成之污染物，而正電場或波形之較低振幅可使電子510具有較低動能且因此以較小能量撞擊或衝擊污染物。正電波形或信號可用於吸引一或多個電子510或帶負電離子以及控制電子510或帶負電離子可撞擊或衝擊碳污染物520所基於之電子510或帶負電離子之動能。因此，藉由控制施加於導電表面530處之電波形或信號，電子510可用於撞擊或衝擊碳污染物520。

圖5B圖解說明來自輝光放電等離子體之正柱區的電子對基板上之污染物之效應的實例。如圖所示，可藉由電子(例如，電子510)對碳污染物520之撞擊或衝擊使碳污染物之間之化學鍵斷裂。因此，施加至材料210之導電表面530之正電波形或信號可經組態以吸引電子來斷裂導電表面530上形成之碳污染物520之鍵。舉例而言，可施加正電波形或信號以使電子可斷裂污染物520之化學鍵而不損害導電表面530。

圖6A圖解說明來自背景氣體之離子610與基板(例如，材料210)上之輝光放電等離子體之正柱區(例如，正柱區134)相互作用之實例。一般而言，離子610可被引導或被吸引向陽極(例如，陽極130)並與在放置於正柱區中之材料210之導電表面530上形成之污染物612發生化學反應。在一些實施例中，材料210可放置於機械支撐件222上且可施加電波形或信號至機械支撐件222且隨後施加至材料210之導電表面530。電波形或信號可為負電場或負波形，且因此自引入含有正柱區 之室(例如，室310或410)中之背景氣體吸引帶正電氫離子610。所施加電波形或信號及背景氣體可控制發生在導電表面530上之化學反應。舉例而言，氫離子610可作為背景氣體之一部分引入且所施加電波形或信號可用於將氫離子610吸引嚮導電表面530並控制與氫離子610相關聯之動能。

圖6B圖解說明來自背景氣體之離子對基板上形成之污染物之效應的實例。如圖所示，負電波形或信號之施加及特定背景氣體之引入可引起在導電表面530上發生特定化學反應。舉例而言，來自所引入背景氣體之氫離子610與形成於材料210之導電表面530上之碳污染物612之間之化學反應可形成甲烷粒子630。在一些實施例中，隨後可將甲烷粒子630自目前包含材料210之室泵離或以真空方式抽出。因此，可將負電波形或信號施加至導電表面530且可使用引入室之背景氣體之氫離子610來控制導電表面530上之化學反應以移除碳污染物612。

上述實例揭示碳污染物，但可使用本文所揭示之系統及方法自室、室之壁、基板或材料移除任何類型之污染物。舉例而言，基於欲自導電表面移除之污染物之類型，可調節欲施加至材料之導電表面之電波形或信號且可選擇特定背景氣體並將其引入室中。可移除之污染物之類型包括(但不限於)碳、水、氧化物及奈米級粒子。可引入室之背景氣體之實例包括(但不限於)氫、氧、氦、氬及氣體混合物。

因此，可使用電波形或信號來控制粒子之類型(例如，電子、帶負電離子或帶正電離子)以將其引導向施加電波形或信號之導電表面(例如，機械支撐件上之材料或室)。此外，電波形或信號之振幅可控制引導嚮導電表面之粒子之能量。因此，電波形或信號可有效地「調諧」粒子之類型及粒子之能量。此外，可藉由「調諧」電波形或信號激發粒子之特定帶能量。在一些實施例中，可藉由施加至機械支撐件、材料之導電表面及/或室之直流電(DC)施加電波形。由此，產生 DC輝光放電等離子體。此外，可將背景氣體引入輝光放電等離子體環境以引入在施加經調諧電波形或信號時欲吸引或引導嚮導電波形或信號之特定類型之粒子。

在一些實施例中，可在不同階段調諧電波形或信號以移除不同類型之粒子或污染物。因此，可調諧電波形或信號以移除一種類型之材料，同時保持不同類型之毗鄰材料不受影響。舉例而言，可施加第一電波形或信號以移除第一類型之污染物，且在稍後時刻可施加第二電波形或信號以移除第二類型之污染物。此外，可在不同階段引入不同類型之背景氣體以移除不同類型之材料或污染物。因此，本文中之系統及方法可使用複數種類型之電波形或信號及複數種類型之背景氣體以引起或引發複數種反應(例如，化學反應及/或使化學鍵斷裂)，以移除在材料之導電表面或室上形成之複數種類型之污染物。

圖7圖解說明用以清潔室(例如，室310或410)之實例性方法700。一般而言，方法700可因應所引入背景氣體及/或所施加電波形或信號清潔室(例如，真空室之內壁或真空室中所用之光學組件)。

如圖7中所示，在步驟710中，可接收電波形或信號。舉例而言，室可經組態以接收電波形或信號。在一些實施例中，該室可包含電極以接收電波形或信號。在相同或替代實施例中，該室可至少部分地由導電材料來構造。舉例而言，該室之內壁可由導電材料來構造。因此，因應接收電波形或信號，該室可傳導(在步驟720中)電波形或信號。因此，該室之內壁亦可傳導所接收電波形或信號。此外，可橫跨電極對或在其之間施加電壓(在步驟730中)。舉例而言，可橫跨陽極及陰極或在其之間施加電壓。橫跨電極對或在其之間施加之電壓可引發包含陰極附近之負輝光及陽極附近之正柱區之輝光放電等離子體。在一些實施例中，可將背景氣體引入(在步驟740中)室中。舉例而言，該室可包含可用於將所選類型之背景氣體擴散至整個室中的閥 或幫浦。可調節所引入電波形或信號(在步驟750中)。舉例而言，可基於沈積於室之內壁上之污染物之類型或基於沈積於容納於室內之光學組件上之污染物之類型調節電信號或波形。在一些實施例中，亦可調節在電極對之間或橫跨該電極對施加之電壓。舉例而言，可基於室之內壁之形狀或幾何結構調節電壓。

在上文及通篇之說明中，闡述多個具體細節以供徹底瞭解本揭示內容之實施例。然而，熟習此項技術者將易於瞭解，實施例可在不具備該等具體細節之情況下實踐。在其他情況下，以方塊圖形式顯示眾所周知之結構及器件以便於進行解釋。較佳實施例之說明並不意欲限制隨附申請專利範圍之範疇。此外，在本文揭示之方法中，揭示各個步驟，從而闡釋實施例之一些功能。該等步驟僅係實例，且並不意欲以任何方式加以限制。可涵蓋其他步驟及功能，而不背離此揭示內容或實施例之範疇。

100‧‧‧輝光放電等離子體環境

110‧‧‧陰極

112‧‧‧陰極輝光

114‧‧‧負輝光

116‧‧‧帶正電離子

120‧‧‧法拉第暗區

130‧‧‧陽極

132‧‧‧陽極輝光

134‧‧‧正柱區

136‧‧‧帶負電電子及離子

Claims (20)

1. 一種裝置，其包含：晶圓或光罩檢測室，其經組態以接收電波形並將該電波形傳導至該晶圓或光罩檢測室之導電表面；與該晶圓或光罩檢測室相關聯之氣體來源；與該晶圓或光罩檢測室相關聯之真空系統；與該晶圓或光罩檢測室相關聯之電力系統；與該晶圓或光罩檢測室相關聯之陽極；及與該晶圓或光罩檢測室相關聯之陰極，該等陽極及陰極經組態以使得在該氣體存在下在真空條件下在該陽極與該陰極之間施加電壓時，在該陽極附近形成輝光放電等離子體之正柱區，且使用該正柱區基於該電波形來清潔該等晶圓或光罩檢測室表面。
2. 如請求項1之裝置，其中該晶圓或光罩檢測室進一步經組態以結合極紫外線(EUV)微影製程使用。
3. 如請求項1之裝置，其中該晶圓或檢測室進一步經組態以結合超高真空(UHV)製程或電子束微影製程中之至少一者使用。
4. 如請求項1之裝置，其中該電源包含直流電(DC)電源。
5. 如請求項1之裝置，其中該陰極及該陽極係位在該晶圓或光罩檢測室之內部。
6. 如請求項5之裝置，其中該陰極係位在該晶圓或光罩檢測室內部之障壁後方。
7. 如請求項1之裝置，其中該晶圓或光罩檢測室之該等導電表面包含內壁及光學組件。
8. 一種在晶圓或光罩檢測室中實施之方法，該晶圓或光罩檢測室 具有氣體來源、真空系統、陽極、陰極及電力系統，該方法包含：在該氣體存在下在真空條件下在該陽極與該陰極之間施加電壓，以產生包含正柱區之輝光放電等離子體；將電波形傳導至該晶圓或光罩檢測室之表面；及用該正柱區清潔該晶圓或光罩檢測室之該等表面，該清潔係基於該電波形。
9. 如請求項8之方法，其中該晶圓或光罩檢測室係經組態以結合極紫外線(EUV)微影製程使用。
10. 如請求項8之方法，其中該晶圓或檢測室係經組態以結合超高真空(UHV)製程使用。
11. 如請求項8之方法，其中該晶圓或檢測室係經組態以結合電子束微影製程使用。
12. 如請求項8之方法，其中該晶圓或光罩檢測室之該等表面包含該晶圓或光罩檢測室之內壁。
13. 如請求項8之方法，其中該晶圓或光罩檢測室之該等表面包含光學組件。
14. 如請求項8之方法，其中施加於該陽極與該陰極之間之該電壓係直流電(DC)電壓。
15. 一種系統，其包含：經組態以傳導電信號之晶圓或光罩檢測室；與該晶圓或光罩檢測室相關聯之氣體來源；與該晶圓或光罩檢測室相關聯之真空系統；與該晶圓或光罩檢測室相關聯之電力系統；第一凸緣，其耦合至該晶圓或光罩檢測室且包含陽極；及第二凸緣，其耦合至該晶圓或光罩檢測室且包含陰極，該陽 極及該陰極經組態以使得在該氣體存在下在真空條件下在橫跨該陽極及該陰極施加電壓時，與該陽極相關聯之等離子體放電之正柱區基於該電信號清潔該晶圓或光罩檢測室之表面。
16. 如請求項15之系統，其中該晶圓或光罩檢測室進一步經組態以結合極紫外線(EUV)微影製程使用。
17. 如請求項15之系統，其中該第二凸緣之大小係基於含有與該陰極相關聯之負輝光。
18. 如請求項15之系統，其中該晶圓或光罩檢測室之該等表面包含內壁及光學組件。
19. 如請求項18之系統，其中該等光學組件係至少部分基於釕。
20. 如請求項15之系統，其中欲基於欲移除之污染物之類型來調節該電信號。