JPS62217548A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS62217548A JPS62217548A JP61060321A JP6032186A JPS62217548A JP S62217548 A JPS62217548 A JP S62217548A JP 61060321 A JP61060321 A JP 61060321A JP 6032186 A JP6032186 A JP 6032186A JP S62217548 A JPS62217548 A JP S62217548A
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- JP
- Japan
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- electrode
- plate
- extraction electrode
- outgoing
- inert gas
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路等の製造工程に用いられるイオ
ン注入装置に関し、特にイオンビームをイオンビーム源
より引き出す引き出し電極に関する。
ン注入装置に関し、特にイオンビームをイオンビーム源
より引き出す引き出し電極に関する。
従来、この種の引き出し電極はイオン源からイオンビー
ムを引き出す際に不純物が￥１極上に付着堆積し、その
結果イオン源と引き出し電極との間で異常な放電を起こ
し、ウェハ上への均一な注入を妨げる原因となるため、
定期的に引き出し電極の堆積物をクリーニングする必要
がある。
ムを引き出す際に不純物が￥１極上に付着堆積し、その
結果イオン源と引き出し電極との間で異常な放電を起こ
し、ウェハ上への均一な注入を妨げる原因となるため、
定期的に引き出し電極の堆積物をクリーニングする必要
がある。
そのため、従来は不純物の付着堆積に起因してイオン源
と引き出し電極との間に異常な放電が発生した時点にお
いて、引き出し電極の作用によりイオン源からアルゴン
イオンビームを出し、このアルゴンイオンビームにより
２次的に電極表面の不純物を除去するか、あるいはイオ
ン源部の真空を大気圧に戻し引き出し電極を外部でクリ
ーニングしていた。しかし、前者の方法ではイオン注入
の原理に基づくものであるから、電極表面の不純物を剥
離除去するには困難であり、十分なりリーニング効果が
得られず、まず後者の方法ではイオン源部を大気圧に戻
し電極のクリーニング後に再び真空状態を形成した後で
なければイオン注入を開始することができないため１時
間のロスが大きく作業能率上問題があった。
と引き出し電極との間に異常な放電が発生した時点にお
いて、引き出し電極の作用によりイオン源からアルゴン
イオンビームを出し、このアルゴンイオンビームにより
２次的に電極表面の不純物を除去するか、あるいはイオ
ン源部の真空を大気圧に戻し引き出し電極を外部でクリ
ーニングしていた。しかし、前者の方法ではイオン注入
の原理に基づくものであるから、電極表面の不純物を剥
離除去するには困難であり、十分なりリーニング効果が
得られず、まず後者の方法ではイオン源部を大気圧に戻
し電極のクリーニング後に再び真空状態を形成した後で
なければイオン注入を開始することができないため１時
間のロスが大きく作業能率上問題があった。
本発明の目的は真空雰囲気中で電極の堆積物の剥離除去
を可能ならしめたイオン注入装置を提供することにある
。
を可能ならしめたイオン注入装置を提供することにある
。
本発明は半導体集積回路等のウェハへの不純物注入用引
き出し電極を備えたイオン注入装置において、引き出し
電極と対向する位置に、接地されたプレートを抜差可能
に配設し、負の電圧が印加されるｌｌｉ記引き出し電極
と前記プレートとの間に不活性ガスを導入するガス導入
口を開口したことを特徴とするイオン注入装置である。
き出し電極を備えたイオン注入装置において、引き出し
電極と対向する位置に、接地されたプレートを抜差可能
に配設し、負の電圧が印加されるｌｌｉ記引き出し電極
と前記プレートとの間に不活性ガスを導入するガス導入
口を開口したことを特徴とするイオン注入装置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、１はイオン源、３はイオン源１よりイ
オンビームを引き出す引き出し電極である。本発明は接
地されたプレート２を上下動可能に吊下し、該プレート
２を引き出し電極３と対向する前面位置に抜差可能に配
設するとともに、引き出し電極３とプレート２との間に
不活性ガスの導入口４を開口したものである。また、前
記引き出し電極３には負の電圧を印加する。５は開閉バ
ルブである。
オンビームを引き出す引き出し電極である。本発明は接
地されたプレート２を上下動可能に吊下し、該プレート
２を引き出し電極３と対向する前面位置に抜差可能に配
設するとともに、引き出し電極３とプレート２との間に
不活性ガスの導入口４を開口したものである。また、前
記引き出し電極３には負の電圧を印加する。５は開閉バ
ルブである。
第１図は通常作業時、第２図は引き出し電極クリーニン
グ時を示す。第２図において、プレート２を引き出し電
極３と対向する位置に移動させて前記プレート２と引き
出し電極３との間に電極側が負となるように電圧を印加
し、ガス導入口４のバルブ５を開き、不活性ガスを導入
することによりプレート２と引き出し電極３との間でプ
ラズマを発生させ、正にイオン化した不活性ガスイオン
を電極表面の不純物原子に衝突させてその衝撃力で不純
物を電極表面から剥離除去する。通常作業時は第１図に
示す通りガス導入口４に設けたバルブ５を閉じ、イオン
源１から飛翔してくるイオンビームを妨げない位置にプ
レート２を後退させる。
グ時を示す。第２図において、プレート２を引き出し電
極３と対向する位置に移動させて前記プレート２と引き
出し電極３との間に電極側が負となるように電圧を印加
し、ガス導入口４のバルブ５を開き、不活性ガスを導入
することによりプレート２と引き出し電極３との間でプ
ラズマを発生させ、正にイオン化した不活性ガスイオン
を電極表面の不純物原子に衝突させてその衝撃力で不純
物を電極表面から剥離除去する。通常作業時は第１図に
示す通りガス導入口４に設けたバルブ５を閉じ、イオン
源１から飛翔してくるイオンビームを妨げない位置にプ
レート２を後退させる。
以上説明したように本発明は真空中で引き出し電極に対
向させる位置にプレートを設置し、プレートと電極との
間でプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンにより引
き出し電極表面に付着堆積した不純物を除去するように
したので、従来のようにイオン注入作用にて不純物を除
去するものとは異なりプラズマ中のイオンの衝撃力にて
除去するから引き出し電極の汚れを剥離除去して十分な
りリーニング効果を得ることができ、しかも大気圧に戻
すことなく真空中でのクリーニングであるため、電極の
クリーニング時間を大巾に短縮できる効果がある。
向させる位置にプレートを設置し、プレートと電極との
間でプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンにより引
き出し電極表面に付着堆積した不純物を除去するように
したので、従来のようにイオン注入作用にて不純物を除
去するものとは異なりプラズマ中のイオンの衝撃力にて
除去するから引き出し電極の汚れを剥離除去して十分な
りリーニング効果を得ることができ、しかも大気圧に戻
すことなく真空中でのクリーニングであるため、電極の
クリーニング時間を大巾に短縮できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は動
作状態を示す縦断面図である。 １・・・イオン源 ２・・・プレート３・・
・引き出し電極 ４・・・ガス導入口５・・・バ
ルブ
作状態を示す縦断面図である。 １・・・イオン源 ２・・・プレート３・・
・引き出し電極 ４・・・ガス導入口５・・・バ
ルブ
Claims (1)
- （１）半導体集積回路等のウェハへの不純物注入用引き
出し電極を備えたイオン注入装置において、引き出し電
極と対向する位置に、接地されたプレートを抜差可能に
配設し、負の電圧が印加される前記引き出し電極と前記
プレートの間に不活性ガスを導入するガス導入口を開口
したことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61060321A JPS62217548A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61060321A JPS62217548A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62217548A true JPS62217548A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13138790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61060321A Pending JPS62217548A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62217548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118648A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-05-27 | Canon Anelva Corp | 基板処理装置およびそのクリーニング方法 |
| KR101065449B1 (ko) | 2003-06-06 | 2011-09-19 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온원 장치 및 그의 클리닝 최적화 방법 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61060321A patent/JPS62217548A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101065449B1 (ko) | 2003-06-06 | 2011-09-19 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온원 장치 및 그의 클리닝 최적화 방법 |
| JP2010118648A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-05-27 | Canon Anelva Corp | 基板処理装置およびそのクリーニング方法 |
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